專利名稱：基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料及制備方法，屬于微波電磁材料領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
2000年，D. R. Smith等人基于J. B. Pendry提出的構(gòu)造負(fù)介電常數(shù)材料、單負(fù)磁導(dǎo)率材料的思想，首次人工合成出在X波段等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率同時(shí)為負(fù)的負(fù)折射率微波材料，實(shí)現(xiàn)了 1976年前蘇聯(lián)科學(xué)家V. G. Veselago所預(yù)言的理想負(fù)折射率材料。負(fù)折射率材料已成為當(dāng)今物理學(xué)、材料學(xué)、電磁學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域及交叉學(xué)科的重點(diǎn)研究對(duì)象，具有廣泛的應(yīng)用前景和重要的科學(xué)意義。通常實(shí)現(xiàn)負(fù)折射率材料的方法均是由單負(fù)介電常數(shù)材料和單負(fù)磁導(dǎo)率材料合成。由周期排列的金屬線陣列很容易實(shí)現(xiàn)寬頻帶單負(fù)介電常數(shù)，而實(shí)現(xiàn)寬頻的單負(fù)磁導(dǎo)率材料成為制約負(fù)折射率材料的關(guān)鍵性技術(shù)問(wèn)題?！へ?fù)磁導(dǎo)率材料是一種自然界中不存在的人工復(fù)合結(jié)構(gòu)材料，通過(guò)調(diào)節(jié)其結(jié)構(gòu)單元的幾何形狀和空間圖案分布，即可得到磁導(dǎo)率小于零的材料。負(fù)磁導(dǎo)率材料同負(fù)介電常數(shù)材料復(fù)合在一起即可制得一種新穎的材料一左手材料。在該材料中，電磁波的相速度和群速度方向相反，從而呈現(xiàn)出許多新穎的光學(xué)特性，如反常Doppler效應(yīng)、反常Cherenkov效應(yīng)、完美透鏡效應(yīng)、負(fù)折射效應(yīng)等。因而在無(wú)線電通信、超敏感傳感器、醫(yī)學(xué)診斷成像等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前實(shí)現(xiàn)寬頻負(fù)磁導(dǎo)率材料的方法主要有雙頻、三頻、多頻等技術(shù)；以及基于鐵電、鐵磁、液晶等材料，通過(guò)外加電場(chǎng)、磁場(chǎng)、溫度控制等技術(shù)以實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的方法。然而，要進(jìn)一步地實(shí)現(xiàn)寬頻智能控制，以應(yīng)用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)合，急需設(shè)計(jì)出一種寬頻或多頻的具有可調(diào)諧性能的負(fù)折射率材料，其中最為關(guān)鍵的技術(shù)即為實(shí)現(xiàn)寬頻或多頻的具有智能可調(diào)諧的單負(fù)磁導(dǎo)率超材料。CN 1670602A涉及一種層狀微波負(fù)磁導(dǎo)率材料，特別涉及一種透射強(qiáng)度可調(diào)諧的層狀微波負(fù)磁導(dǎo)率材料。與以往材料相比，本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率材料的結(jié)構(gòu)單元為金屬六邊形開(kāi)口諧振環(huán)；由內(nèi)外環(huán)幾何尺寸可以調(diào)控結(jié)構(gòu)單元的諧振頻率和諧振強(qiáng)度；通過(guò)調(diào)節(jié)組成結(jié)構(gòu)單元的幾何尺寸及晶格常數(shù)，即引入缺陷諧振環(huán)和不同的電磁相互耦合作用可以制得可調(diào)諧層狀微波負(fù)磁導(dǎo)率材料。所制備材料的微波透射測(cè)試表明，其諧振頻率在820(T8400MHz頻段內(nèi)可調(diào)控，諧振強(qiáng)度可在-31 _7dB范圍內(nèi)變化。本發(fā)明基于亞鐵磁體的智能可調(diào)諧特性，以及可簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)雙頻負(fù)磁導(dǎo)率的單環(huán)結(jié)構(gòu)，提出一種三頻智能可調(diào)諧的單負(fù)磁導(dǎo)率超材料及其制備方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料及制備方法，所述負(fù)磁導(dǎo)率超材料的工作頻率寬、性能穩(wěn)定；所述制備方法簡(jiǎn)單易行。本發(fā)明所述的基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料，由亞鐵磁體與印制有一種單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)的印制電路板層疊而成。具體實(shí)現(xiàn)方法是由印制有單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)單元陣列的印制電路板實(shí)現(xiàn)兩個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段，由亞鐵磁體在外加直流磁場(chǎng)控制下實(shí)現(xiàn)另一負(fù)磁導(dǎo)率頻段；通過(guò)改變外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)智能控制三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段。為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料，該材料由金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫逡约皝嗚F磁體層疊構(gòu)成。所述的金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)刻蝕于陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫迳?。在所述陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫迳峡涛g的金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)具有兩個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段，所述亞鐵磁體在外加直流磁場(chǎng)條件下具有另一負(fù)磁導(dǎo)率頻段，所述陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫鍦p小金屬諧振環(huán)與亞鐵磁體之間的相互耦合關(guān)系，所述負(fù)磁導(dǎo)率超材料在外加磁場(chǎng)變化下三個(gè)頻段均可智能控制調(diào)諧。
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本發(fā)明所述陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫宀牧线x用介電損耗角正切值小于0. 02的陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?。進(jìn)一步地，所述基板厚度為0. 250. 762mm。在所述金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的金屬線厚度為0. 018 0. 035mm,寬度為0. 1^0. 3mm ;進(jìn)一步地，金屬線間的間距為0. ro. 3mm，縫隙寬度為0. I 0. 3mm ；更進(jìn)一步地，所述金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)單元尺寸為3. 4飛mm，周期間隔為4 6mmo所述亞鐵磁體選用損耗角正切值小于0. 005的微波石榴石鐵氧體，優(yōu)選其厚度為
0.5 2mm。本發(fā)明還提供了一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料的制備方法，包括以下步驟I)在陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫迳峡涛g出單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)陣列，制成印刷電路板；2)制備微波石榴石鐵氧體類(lèi)亞鐵磁體基片；3)由步驟I)所述的印制電路板、步驟2)所述的亞鐵磁體基片層疊放置并粘在一起，得到一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧二頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料。一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料的制備方法，具體包括以下步驟I)采用電路板刻蝕技術(shù)，在陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)上刻蝕出單元尺寸為3. 4 5mm,周期間隔為4 6mm的單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)陣列，制成印刷電路板；2)制備厚度為0. 5^2mm的微波石榴石鐵氧體類(lèi)亞鐵磁體基片；3)由步驟I)所述的刻蝕有諧振環(huán)陣列的印制電路板、步驟2)所述的亞鐵磁體基片層疊放置并粘在一起，得到一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料。采用磁場(chǎng)強(qiáng)度可調(diào)的磁場(chǎng)發(fā)生器以產(chǎn)生HkOe的直流磁場(chǎng)，作用于本發(fā)明基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料，智能控制三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率工作頻段。與已有技術(shù)方案相比，本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明通過(guò)對(duì)單環(huán)雙磁諧振環(huán)加載亞鐵磁體，可簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)三頻負(fù)磁導(dǎo)率電磁超材料，并且該三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率工作頻段能隨外加直流磁場(chǎng)改變而產(chǎn)生頻移，拓寬了三頻負(fù)磁導(dǎo)率的工作頻帶。本發(fā)明所構(gòu)造的三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料具有智能特性，能用于可調(diào)諧三頻負(fù)折射率超材料、可調(diào)諧三頻帶通/帶阻濾波器、可調(diào)諧三頻電磁隱形材料和吸波材料等領(lǐng)域。


圖I :基于亞鐵磁體的單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料單元示意圖，圖中1為金屬單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)，2為陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫澹?為亞鐵磁體。圖2 :本發(fā)明實(shí)施例亞鐵磁體在不同外加磁場(chǎng)大小下的等效磁導(dǎo)率隨頻率變化的曲線圖。圖3 : (a)本發(fā)明實(shí)施例金屬單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)的S-參數(shù)隨頻率變化曲線圖；(b)本發(fā)明實(shí)施例超材料的S-參數(shù)隨頻率變化曲線圖。
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圖4 :(a)本發(fā)明實(shí)施例基于亞鐵磁體的三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料的等效介電常數(shù)；(b)本發(fā)明實(shí)施例超材料的等效磁導(dǎo)率。圖5 :本發(fā)明實(shí)施例超材料在不同外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度下的S-參數(shù)隨頻率變化曲線圖。圖6 :本發(fā)明實(shí)施例超材料的等效磁導(dǎo)率在不同外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度下的變化特性。下面對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。但下述的實(shí)例僅僅是本發(fā)明的簡(jiǎn)易例子，并不代表或限制本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，本發(fā)明的權(quán)利范圍以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。
具體實(shí)施例方式為更好地說(shuō)明本發(fā)明，便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明的典型但非限制性的實(shí)施例如下首先，采用電路板刻蝕技術(shù)，在介電損耗較小的陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫迳峡涛g出金屬單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)，金屬線厚度為0. 018 0. 035mm,寬度為0. I 0. 3mm,金屬線間的間距為0. ro. 3mm,縫隙寬度為0. 1 0. 3mm,整個(gè)磁諧振單元結(jié)構(gòu)3. 4 5mm，周期間隔4^6mm ;其次，制備出厚度為0. 5^2mm的微波石榴石鐵氧體類(lèi)亞鐵磁體基片；最后，將刻蝕有諧振環(huán)陣列的印制電路板以及微波石榴石鐵氧體類(lèi)亞鐵磁體基片層疊放置并粘在一起，以構(gòu)造出三頻負(fù)磁導(dǎo)率電磁超材料，采用磁場(chǎng)強(qiáng)度可調(diào)的磁場(chǎng)發(fā)生器以產(chǎn)生HkOe的直流磁場(chǎng)，智能控制三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率工作頻段。本發(fā)明的實(shí)施過(guò)程和材料的特性由實(shí)施例和附圖進(jìn)行說(shuō)明選用Trans-Tech有限公司的商用微波石榴石鐵氧體類(lèi)G-4256系列亞鐵磁體基片，其具體參數(shù)為飽和磁化強(qiáng)度4jiMS=1600Gs，鐵磁共振線寬AH=840e，介電常數(shù)e r=15. 1，以及損耗角正切tan 6 =0. 0002。亞鐵磁體厚度為0. 5mm，外加直流磁場(chǎng)沿如圖I
所示z方向作用于該亞鐵磁體，當(dāng)入射電磁波沿y方向入射時(shí)(如圖I所示)，亞鐵磁體的等效磁導(dǎo)率理論表達(dá)式為U eff= (u 2-k 2)/u , u =1+OmO0/( O02-o2), K = omo / ( o 02- o2) (I)其中Oci=YHci為鐵磁共振頻率，Y是旋磁比，《m=4Ji YMs是亞鐵磁體的特征頻率，H0為外加直流磁場(chǎng)偏置。應(yīng)用G-4256系列亞鐵磁體的參數(shù)以及公式(I)，計(jì)算得出其等效磁導(dǎo)率隨頻率變化的曲線圖如圖2所示。圖2為亞鐵磁體在外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度為
I.2kOe到I. 6kOe范圍內(nèi)的等效磁導(dǎo)率隨頻率變化的曲線圖，由此圖可知，當(dāng)外加直流磁場(chǎng)增加時(shí)，亞鐵磁體的鐵磁共振頻率隨之增加，因此負(fù)磁導(dǎo)率頻段也隨之增加，具有可調(diào)諧的特性。將如圖I所示的三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料單元結(jié)構(gòu)置于波導(dǎo)中，波導(dǎo)沿z方向設(shè)置為電壁，沿X方向設(shè)置為磁壁，沿y方向?yàn)槿肷潆姶挪ǖ膫鞑シ较?。金屬單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)的尺寸設(shè)置為金屬線厚度0. 018mm,線寬c=0. 1mm,線間距離b=0. 1mm,縫隙e=0. 3mm,單元尺寸a=3. 4mm,周期間隔d = 4mm,合成基板厚度tfO. 5mm。合成基板采用羅杰斯公司TMM4系列板材，介電常數(shù)e r=4. 5,介電損耗角正切tan S =0. 002。采用Ansoft公司電磁仿真器HFSS13. 0仿真得出本發(fā)明的三頻負(fù)磁導(dǎo)率傳輸特性如圖3所示。圖3(a)所示為將亞鐵磁體材料更換為一種介電常數(shù)為15. I的假象介質(zhì)，以得出單獨(dú)金屬單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)的兩個(gè)共振頻率；圖3(b)為整個(gè)三頻負(fù)磁導(dǎo)率結(jié)構(gòu)在外加直流磁場(chǎng)為I. 4k0e時(shí)的傳輸特性。由圖3(a)可知，單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)具有三個(gè)共振點(diǎn)7. 5GHz,8. 7GHz，10. 2GHz ;前兩個(gè)點(diǎn)為磁諧振點(diǎn)，后一個(gè)點(diǎn)為電諧振點(diǎn)；前兩個(gè)點(diǎn)共振強(qiáng)度明顯強(qiáng)于后一個(gè)點(diǎn)的共振強(qiáng)度。由圖·3(b)可知，當(dāng)增加亞鐵磁體并外加1.4k0e的直流磁場(chǎng)時(shí)，整個(gè)三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料增加了一個(gè)共振點(diǎn)5. 7GHz,由此可推斷該共振點(diǎn)即為亞鐵磁體的鐵磁共振頻率點(diǎn)。圖4為由反演算法提取出的三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料的等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率隨頻率變化的曲線圖。由圖4可知，其等效磁導(dǎo)率顯示出了三個(gè)典型的磁共振頻點(diǎn)，分別位于5. 7GHz，7. 5GHz和8. 5GHz。因此三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段分別位于5. 7-5. 9GHz，7. 5-7. 7GHz和8. 5-9. OGHz0圖4中位于10. 2GHz處出現(xiàn)了一個(gè)電共振頻點(diǎn)，但未能實(shí)現(xiàn)負(fù)介電常數(shù)頻段。圖5為該三頻負(fù)磁導(dǎo)率電磁超材料在不同外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度下的傳輸特性。由圖可知，當(dāng)外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度由I. 2k0e增加到I. 6k0e時(shí)，第一個(gè)傳輸禁帶快速地由5. 2GHz增加到6. 3GHz，而后面兩個(gè)傳輸頻帶增加較小。當(dāng)進(jìn)一步增加外加磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，后兩個(gè)傳輸禁帶將作較大頻移。圖6為反演算法提取出的等效磁導(dǎo)率在不同外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度下的變化特性。由圖可知，當(dāng)外加磁場(chǎng)增加時(shí)，三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段均發(fā)生了平移。上述實(shí)施例表明，通過(guò)對(duì)單環(huán)雙磁諧振環(huán)加載亞鐵磁體，可簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)三頻負(fù)磁導(dǎo)率電磁超材料，并且該三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率工作頻段能隨外加直流磁場(chǎng)改變而產(chǎn)生頻移，拓寬了三頻負(fù)磁導(dǎo)率的工作頻帶。申請(qǐng)人:聲明，本發(fā)明通過(guò)上述實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征以及制備方法，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征以及制備方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征以及制備方法才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明所選用部件的等效替換以及輔助部件的增加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開(kāi)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，該材料由金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)(I)、陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)以及亞鐵磁體(3)層疊構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求I所述的超材料，其特征在于，所述的金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)(I)刻蝕于陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)上。
3.如權(quán)利要求I或2所述的超材料，其特征在于，在所述陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)上刻蝕的金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)(I)具有兩個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段，所述亞鐵磁體(3)在外加直流磁場(chǎng)條件下具有另一負(fù)磁導(dǎo)率頻段，所述陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)減小金屬諧振環(huán)與亞鐵磁體之間的相互耦合關(guān)系，所述負(fù)磁導(dǎo)率超材料在外加磁場(chǎng)變化下三個(gè)頻段均可智能控制調(diào)諧。
4.如權(quán)利要求1-3之一所述的超材料，其特征在于，陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)材料選用介電損耗角正切值小于O. 02的陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫澹? 優(yōu)選地，所述基板厚度為O. 25Γ0. 762mm。
5.如權(quán)利要求4所述的超材料，其特征在于，在所述金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)(I)的金屬線厚度為O. 018 O. 035mm,寬度為O. I O. 3mm ； 優(yōu)選地，金屬線間的間距為O. Γ0. 3_，縫隙寬度為O. Γ0. 3mm ； 優(yōu)選地，所述金屬單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)(I)單元尺寸為3. Γ5πιπι，周期間隔為Γ6πιπι。
6.如權(quán)利要求1-5之一所述的超材料，其特征在于，所述亞鐵磁體(3)選用損耗角正切值小于O. 005的微波石榴石鐵氧體；優(yōu)選其厚度為O. 5 2_。
7.—種如權(quán)利要求1-6之一所述的基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料的制備方法，包括以下步驟 1)在陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)上刻蝕出單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)陣列，制成印刷電路板； 2)制備微波石榴石鐵氧體類(lèi)亞鐵磁體基片； 3)由步驟I)所述的印制電路板、步驟2)所述的亞鐵磁體基片層疊放置并粘在一起，得到一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，包括以下步驟 1)采用電路板刻蝕技術(shù)，在陶瓷基碳?xì)浠衔锖铣苫?2)上刻蝕出單元尺寸為3.4 5mm,周期間隔為4飛mm的單環(huán)雙磁諧振環(huán)結(jié)構(gòu)陣列,制成印刷電路板； 2)制備厚度為O.5^2mm的微波石榴石鐵氧體類(lèi)亞鐵磁體基片； 3)由步驟I)所述的刻蝕有諧振環(huán)陣列的印制電路板、步驟2)所述的亞鐵磁體基片層疊放置并粘在一起，得到一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料。
9.一種權(quán)利要求1-6之一所述的基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料的用途，其特征在于，所述超材料可用于可調(diào)諧三頻負(fù)折射率超材料、可調(diào)諧三頻帶通/帶阻濾波器、可調(diào)諧三頻電磁隱形材料和吸波材料等領(lǐng)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料及制備方法，屬于微波材料技術(shù)領(lǐng)域。所述材料由亞鐵磁體與印制有一種金屬單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)的印制電路板層疊而成。具體實(shí)現(xiàn)方法是由印制有單環(huán)雙磁諧振結(jié)構(gòu)陣列的印制電路板實(shí)現(xiàn)兩個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段，由亞鐵磁體在外加直流磁場(chǎng)控制下實(shí)現(xiàn)另一負(fù)磁導(dǎo)率頻段；通過(guò)改變外加直流磁場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)智能控制三個(gè)負(fù)磁導(dǎo)率頻段。本發(fā)明所構(gòu)造的三頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料具有智能特性，能用于可調(diào)諧三頻負(fù)折射率超材料、可調(diào)諧三頻帶通/帶阻濾波器、可調(diào)諧三頻電磁隱形材料和吸波材料等領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01Q15/00GK102790283SQ20121025885
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月24日
發(fā)明者文光俊, 鐘靖平, 黃勇軍 申請(qǐng)人:無(wú)錫成電科大科技發(fā)展有限公司, 電子科技大學(xué)