聚光型光電電池的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一聚光型光電電池，其包含一半導(dǎo)體疊層，具有一上表面與一相對(duì)于上表面的下表面，其中上表面用以吸收一光線(xiàn)，光線(xiàn)在上表面具有一光強(qiáng)度分布；以及一上電極，位于半導(dǎo)體疊層的上表面上，具有一電極圖案大致對(duì)應(yīng)于光強(qiáng)度分布，其中光強(qiáng)度分布包含一高聚光區(qū)，具有一第一光強(qiáng)度，與一低聚光區(qū)，具有一第二光強(qiáng)度，其中第二光強(qiáng)度低于第一光強(qiáng)度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】聚光型光電電池
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一聚光型光電電池，尤其是涉及一包含一半導(dǎo)體疊層的聚光型光電電池，其半導(dǎo)體疊層具有一上表面，其中上表面用以吸收一光線(xiàn)，光線(xiàn)在上表面具有一光強(qiáng)度分布；及一上電極，且上電極具有一電極圖案大致對(duì)應(yīng)于光強(qiáng)度分布。
【背景技術(shù)】
[0002]由于石化能源短缺，且世界各國(guó)對(duì)環(huán)保重要性的認(rèn)知提高，因此近年來(lái)替代能源與再生能源的相關(guān)技術(shù)不斷地發(fā)展，其中光電電池(photovoltaic cell)最受矚目。光電電池可直接將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能，尤其當(dāng)日照量越大及模塊聚光率越高時(shí)，光電電池單位面積的發(fā)電量越高，發(fā)電成本越便宜。
[0003]光電電池由不同材料制成時(shí)，具有不同的轉(zhuǎn)換效率，例如娃材料光電電池為12%~20%，II1-V族材料光電電池則為31%~41%。II1-V族材料因可吸收太陽(yáng)光譜中30(Tl900nm波長(zhǎng)的能量，相較于一般硅材料僅能吸收太陽(yáng)光譜中40(Tl IOOnm波長(zhǎng)的能量，II1-V族材料光電電池轉(zhuǎn)換效率大幅提升。
[0004]聚光型光電電池的發(fā)電方式主要是利用光學(xué)透鏡將太陽(yáng)光聚集在II1-V族材料光電電池上，除了可提高光電電池的發(fā)電效率，還有節(jié)省經(jīng)濟(jì)成本的效益。以4吋晶片的II1- V族材料光電電池為例,如不使用聚光方式,在一個(gè)太陽(yáng)(one sun)下可產(chǎn)生2.4W電力，若使用聚光型發(fā)電方式，在500個(gè)太陽(yáng)下，4吋晶片的II1- V族材料光電電池約可產(chǎn)生650W電力。在此，光學(xué)透 鏡的聚光倍率是用一個(gè)太陽(yáng)強(qiáng)度的倍數(shù)來(lái)表示，以500個(gè)太陽(yáng)為例，指的是在相同的光電電池受光面積下，光電電池接受到的太陽(yáng)光強(qiáng)度是不使用聚光方式(正常強(qiáng)度)的500倍。
[0005]圖1所示是現(xiàn)有的一聚光模塊1，包含一第一光學(xué)聚光器13、一第二光學(xué)聚光器11及一光電電池10。圖2A所示是現(xiàn)有光電電池10的上視圖，包含多條匯流排(總線(xiàn))電極102及多條電極柵線(xiàn)103位于一上表面101上。圖2B所示是多條電極柵線(xiàn)103的部分放大圖，每一條電極柵線(xiàn)103的寬度w相同，且多條電極電極柵線(xiàn)103之間的間距s相同。第一條電極柵線(xiàn)103a與第二條電極柵線(xiàn)103b之間的周期距d為寬度w與間距s的總和，如圖2B所示，多條電極柵線(xiàn)103之間的周期距d相同。
[0006]第一光學(xué)聚光器13及第二光學(xué)聚光器11能將一太陽(yáng)光線(xiàn)12以高倍率聚焦于光電電池10的上表面101上，達(dá)到高的光電轉(zhuǎn)換效率及得到高的電能輸出，降低發(fā)電成本。
[0007]但是現(xiàn)行的聚光模塊I有聚光不均勻的現(xiàn)象，使得太陽(yáng)光線(xiàn)12入射到光電電池10的上表面101上時(shí)，因太陽(yáng)光線(xiàn)12在上表面101上的強(qiáng)度分布不一致，導(dǎo)致光電電池10阻值偏高，降低光電電池10整體的發(fā)電效率。圖3是現(xiàn)有的光電電池10在聚光模塊I下的聚光情形。如圖3所示，以邊長(zhǎng)5mmX 5mm的光電電池10為例，光電電池10接收來(lái)自聚光模塊I的太陽(yáng)光線(xiàn)12，在離光電電池10上表面101的中心半徑Imm內(nèi)，第一光學(xué)聚光器13及第二光學(xué)聚光器11能聚集強(qiáng)度1000倍以上的太陽(yáng)光線(xiàn)12于光電電池10上,而在離光電電池10上表面101的中心半徑Imm以外，第一光學(xué)聚光器13及第二光學(xué)聚光器11聚集到光電電池10上的太陽(yáng)光線(xiàn)12的強(qiáng)度驟降到200倍以下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種聚光型光電電池，其包含一半導(dǎo)體疊層，具有一上表面與一相對(duì)于上表面的下表面,其中上表面用以吸收一光線(xiàn),光線(xiàn)在上表面具有一光強(qiáng)度分布；以及一上電極位于半導(dǎo)體疊層的上表面上，具有一電極圖案，大致對(duì)應(yīng)于光強(qiáng)度分布，其中光強(qiáng)度分布包含一高聚光區(qū)，具有一第一光強(qiáng)度，與一低聚光區(qū)，具有一第二光強(qiáng)度，其中第二光強(qiáng)度低于第一光強(qiáng)度。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是現(xiàn)有的一聚光模塊；
[0010]圖2A是現(xiàn)有一光電電池的上視圖；
[0011]圖2B是現(xiàn)有光電電池的部分上視圖；
[0012]圖3是現(xiàn)有的光電電池在聚光模塊下的聚光情形；
[0013]圖4是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一聚光型光電電池的剖視圖；
[0014]圖5是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一聚光型光電電池的上視圖；
[0015]圖6是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一聚光型光電電池的部分上視圖；
[0016]圖7是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一聚光型光電電池的上視圖；
[0017]圖8是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一聚光型光電電池的部分上視圖；
[0018]圖9是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的一聚光型光電電池的上視圖；
[0019]圖10是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的一聚光型光電電池的部分上視圖；
[0020]圖11是依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的一聚光型光電電池的上視圖；
[0021]圖12是依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的一聚光型光電電池的部分上視圖；
[0022]圖13是依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的一聚光型光電電池的上視圖；
[0023]圖14是依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的一聚光型光電電池的部分上視圖。
[0024]主要元件符號(hào)說(shuō)明
[0025]聚光模塊I
[0026]光電電池10
[0027]聚光型光電電池20
[0028]光線(xiàn)12
[0029]第一光學(xué)聚光器13
[0030]第二光學(xué)聚光器11
[0031]匯流排電極102、202
[0032]電極柵線(xiàn) 103、103a、103b、203、203a、203b、203b’
[0033]上表面101、SI
[0034]下表面S2
[0035]上電極200
[0036]下電極209
[0037]半導(dǎo)體疊層210[0038]下層子電池208
[0039]中層子電池207
[0040]上層子電池206
[0041]窗層205
[0042]抗反射層201
[0043]高聚光區(qū)I
[0044]低聚光區(qū)II
[0045]第一電極區(qū)204
[0046]第二電極區(qū)201
[0047]周期距d、dl、d2
[0048]間距s
[0049]寬度w、wl、w2
【具體實(shí)施方式】
[0050]為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請(qǐng)參照下列描述并配合圖4至圖6的圖示。圖4是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一聚光型光電電池20的剖視圖，圖5是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的聚光型光電電池20的上視圖。圖4為沿圖5的X-X’線(xiàn)的剖面示意圖，如圖4所示，本發(fā)明一實(shí)施例的聚光型光電電池20可用以吸收一光線(xiàn)，例如太陽(yáng)光。聚光型光電電池20包含一半導(dǎo)體疊層210,具有一上表面SI與一相對(duì)于上表面SI的下表面S2,其中上表面SI為靠近太陽(yáng)光入射處的一側(cè)，用以吸收一光線(xiàn)，光線(xiàn)在上表面SI具有一光強(qiáng)度分布；一上電極200位于半導(dǎo)體疊層210的上表面SI上；一下電極209位于半導(dǎo)體疊層210的下表面S2上；以及一抗反射層201位于半導(dǎo)體疊層210的上表面SI上?？狗瓷鋵?01包含介電質(zhì)材料，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiOx)。抗反射層201可以減少光線(xiàn)在上表面SI上的反射。上電極200和下電極209的材料包含金屬，例如鈦、鉬、鎳、金或銀，通過(guò)電鍍、蒸鍍或?yàn)R鍍的方式形成于半導(dǎo)體疊層210上。
[0051]半導(dǎo)體疊層210可包含一或多個(gè)光電接面(mult1-junction)。如圖4所示，半導(dǎo)體疊層210包含一窗層205位于靠近抗反射層201的一側(cè)、一上層子電池(top subcell) 206,一中層子電池(middle subcell)207及一下層子電池(bottom subcell) 208位于靠近下電極209的一側(cè)。半導(dǎo)體疊層210的材料包含II1-V族材料，例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、或硒(Se)。形成半導(dǎo)體疊層210的方法沒(méi)有特別限制，除了有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(M0CVD)，也可使用分子束外延(MBE)，氫化物氣相沉積法(HVPE)，蒸鍍法和離子電鍍方法。
[0052]窗層205可將入射到半導(dǎo)體疊層210上表面SI的光線(xiàn)導(dǎo)引到上層子電池206、中層子電池207及下層子電池208。上層子電池206、中層子電池207及下層子電池208吸收光線(xiàn)并轉(zhuǎn)換成電流，而上電極200及下電極209收集來(lái)自上層子電池206、中層子電池207及下層子電池208的電流并輸出。
[0053]如圖5所示，上電極200包含多條匯流排電極202及多條電極柵線(xiàn)203，上電極200的圖形會(huì)影響到聚光型光電電池20的阻值、填充因子(fill factor ；FF)與短路電流(Ij，而通過(guò)調(diào)整多條電極柵線(xiàn)203的柵線(xiàn)寬度和柵線(xiàn)周期距，可改變上電極200對(duì)光線(xiàn)的遮蔽面積。圖5是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的聚光型光電電池20的上視圖。上電極200具有一電極圖案大致對(duì)應(yīng)于聚光型光電電池20上表面SI所吸收光線(xiàn)的光強(qiáng)度分布，其中上表面SI上的光強(qiáng)度分布包含一高聚光區(qū)I具有一第一光強(qiáng)度與一低聚光區(qū)II具有一第二光強(qiáng)度，其中第二光強(qiáng)度低于第一光強(qiáng)度。電極圖案包含一第一電極區(qū)204及一相異于第一電極區(qū)204的第二電極區(qū)201，第一電極區(qū)204及第二電極區(qū)201大致分別對(duì)應(yīng)于高聚光區(qū)I及低聚光區(qū)II，其中第一電極區(qū)204包含一面積位于上表面SI的一中心區(qū)域。本發(fā)明第一實(shí)施例中聚光型光電電池20的多條電極柵線(xiàn)203與多條匯流排電極202是利用光光刻技術(shù)形成，其中匯流排電極202具有一寬度大于50 μ m,較佳為大于100 μ m。
[0054]如圖5所不,第一電極區(qū)204占上表面SI的面積比例不大于80%。一光學(xué)聚光器(圖未示)置于半導(dǎo)體疊層210之上，靠近太陽(yáng)光入射處的一側(cè)，具有一聚光倍率，例如可聚光至少200個(gè)太陽(yáng)以上的強(qiáng)度。高聚光區(qū)I具有大于光學(xué)聚光器聚光倍率的聚光強(qiáng)度，例如200個(gè)太陽(yáng)以上的聚光強(qiáng)度；低聚光區(qū)II具有小于光學(xué)聚光器聚光倍率的聚光強(qiáng)度，例如200個(gè)太陽(yáng)以下的聚光強(qiáng)度。多條電極柵線(xiàn)203與多條匯流排電極202互相垂直，且多條電極柵線(xiàn)203彼此互相平行。多條電極柵線(xiàn)203在第一電極區(qū)204的寬度小于在第二電極區(qū)201的寬度。多條電極柵線(xiàn)203在第一電極區(qū)204的周期距等于在第二電極區(qū)201的周期距。
[0055]圖6為依據(jù)圖5的多條電極柵線(xiàn)203的部分放大圖。如圖6所示，位于第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )中的多條電極柵線(xiàn)203a之間的周期距為dl，而位于第二電極區(qū)201(低聚光區(qū)II )中的多條電極柵線(xiàn)203b之間的周期距為d2。在本實(shí)施例中，多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204的寬度wl小于在第二電極區(qū)201的寬度w2，且多條電極柵線(xiàn)203a之間的周期距dl等于多條電極柵線(xiàn)203b之間的周期距d2，其中多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204的周期距dl和多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201的周期距d2范圍在50 μ π1~300 μ m之間，較佳為在90μπ1~200μπι之間。在本實(shí)施例中，多條電極柵線(xiàn)203在第一電極區(qū)204的寬度wl小于在第二電極區(qū)201的寬度w2，可減少高聚光區(qū)I中多條電極柵線(xiàn)203對(duì)光線(xiàn)的遮蔽面積，提高聚光型光電電池20的短路電流(Is。)。
[0056]圖7是依據(jù)本發(fā)明 第二實(shí)施例的聚光型光電電池20的上視圖。圖8為依據(jù)圖7的多條電極柵線(xiàn)203的部分放大圖。如圖8所示，位于第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )中的多條電極柵線(xiàn)203a之間的周期距dl小于第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II )中的多條電極柵線(xiàn)203b之間的周期距d2，其中多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )的周期距dl大于50 μ m,較佳為大于90 μ m,多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II )的周期距d2小于300 μ m,較佳為小于200 μ m。于本實(shí)施例中，多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204的寬度wl小于多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201的寬度w2，可減少高聚光區(qū)I中多條電極柵線(xiàn)203a對(duì)光線(xiàn)的遮蔽面積，且多條電極柵線(xiàn)203在第二電極區(qū)201的周期距d2大于在第一電極區(qū)204的周期距dl，可減少低聚光區(qū)II中多條電極柵線(xiàn)203對(duì)光線(xiàn)的遮蔽面積，提高聚光型光電電池20的短路電流(Is。)。
[0057]圖9是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的聚光型光電電池20的上視圖。圖10為依據(jù)圖9的多條電極柵線(xiàn)203的部分放大圖。如圖10所示，位于第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )中的多條電極柵線(xiàn)203a之間的周期距dl小于第二電極區(qū)201(低聚光區(qū)II )中的多條電極柵線(xiàn)203b之間的周期距d2，其中多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )的周期距dl大于50 μ m,較佳為大于90 μ m,多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II)的周期距d2小于300 μ m，較佳為小于200 μπι。于本實(shí)施例中，多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204的寬度wl等于多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201的寬度w2。在本實(shí)施例中，多條電極柵線(xiàn)203在第二電極區(qū)201的周期距d2大于在第一電極區(qū)204的周期距dl，可減少低聚光區(qū)II中多條電極柵線(xiàn)203對(duì)光線(xiàn)的遮蔽面積，提高聚光型光電電池20的短路電流(Is。)。
[0058]圖11是依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的聚光型光電電池20的上視圖。圖12為依據(jù)圖11的多條電極柵線(xiàn)203的部分放大圖。如圖12所示，位于第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )中的多條電極柵線(xiàn)203a之間的周期距dl等于第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II )中的多條電極柵線(xiàn)203b之間的周期距d2，其中多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )的周期距dl和多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II )的周期距d2范圍在5(^111~30(^111之間，較佳為在9(^111~20(^111之間。多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204的寬度wl小于多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201的寬度w2。于本實(shí)施例中，第二電極區(qū)201的多條電極柵線(xiàn)203b’連接于匯流排電極202，并往遠(yuǎn)離匯流排電極202的方向延伸，連接于第一電極區(qū)204的電極柵線(xiàn)203a，亦即第二電極區(qū)201電極柵線(xiàn)203b’的一端點(diǎn)連接于匯流排電極202，另一端點(diǎn)連接于第一電極區(qū)204的電極柵線(xiàn)203a。電極柵線(xiàn)203b’的寬度w2大于電極柵線(xiàn)203a的寬度wl，可減少光電流由高聚光區(qū)I流經(jīng)低聚光區(qū)II時(shí)的電阻損耗。
[0059]圖13是依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的聚光型光電電池20的上視圖。圖14為依據(jù)圖13的多條電極柵線(xiàn)203的部分放大圖。如圖14所示，位于第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )中的多條電極柵線(xiàn)203a之間的周期距dl小于第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II )中的多條電極柵線(xiàn)203b之間的周期距d2，其中多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204(高聚光區(qū)I )的周期距dl大于50 μ m,較佳為大于90 μ m,多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201 (低聚光區(qū)II)的周期距d2小于300 μ m，較佳為小于200 μπι。多條電極柵線(xiàn)203a在第一電極區(qū)204的寬度wl小于多條電極柵線(xiàn)203b在第二電極區(qū)201的寬度w2。在本實(shí)施例中，第二電極區(qū)201的多條電極柵線(xiàn)203b’連接于匯流排電極202，并往遠(yuǎn)離匯流排電極202的方向延伸，分別連接于多條第一電極區(qū)204的電極柵線(xiàn)203a，亦即第二電極區(qū)201電極柵線(xiàn)203b’的一端點(diǎn)連接于匯流排電極202，另一端點(diǎn)連接于多條第一電極區(qū)204的電極柵線(xiàn)203a。電極柵線(xiàn)203b’的寬度w2大于電極柵線(xiàn)203a的寬度wl，可減少光電流由高聚光區(qū)I流經(jīng)低聚光區(qū)II時(shí)的電阻損耗。
[0060]以上各附圖與說(shuō)明雖僅分別對(duì)應(yīng)特定實(shí)施例，然而，各個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明或揭露的元件、實(shí)施方式、設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實(shí)施之外，吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。
[0061]雖然結(jié)合以上說(shuō)明揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實(shí)施順序、或使用的材料與制作工藝方法。對(duì)于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，都不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
【權(quán)利要求】
1.一聚光型光電電池，包含: 半導(dǎo)體疊層，具有上表面與相對(duì)于該上表面的下表面，其中該上表面用以吸收一光線(xiàn)，且該光線(xiàn)在該上表面具有一光強(qiáng)度分布；以及 上電極，位于該半導(dǎo)體疊層的該上表面上，具有電極圖案，大致對(duì)應(yīng)該光強(qiáng)度分布，其中該光強(qiáng)度分布包含高聚光區(qū)，具有第一光強(qiáng)度，與低聚光區(qū)，具有第二光強(qiáng)度，其中該第二光強(qiáng)度低于該第一光強(qiáng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的聚光型光電電池，其中該電極圖案包含第一電極區(qū)及相異于該第一電極區(qū)的第二電極區(qū)大致分別對(duì)應(yīng)于該高聚光區(qū)及該低聚光區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的聚光型光電電池，其中該上電極包含多條匯流排電極及多條電極柵線(xiàn)。
4.如權(quán)利要求3所述的聚光型光電電池，其中該多條電極柵線(xiàn)與該多條匯流排電極互相垂直，且該多條電極柵線(xiàn)彼此互相平行。
5.如權(quán)利要求3所述的聚光型光電電池，其中該多條電極柵線(xiàn)在該第一電極區(qū)的寬度小于在該第二電極區(qū)的寬度，及/或該多條電極柵線(xiàn)在該第一電極區(qū)的周期距小于在該第二電極區(qū)的周期距。
6.如權(quán)利要求5所述的聚光型光電電池，其中該多條電極柵線(xiàn)在該第一電極區(qū)的周期距大于50 μ m，及/或該多條電極柵線(xiàn)在該第二電極區(qū)的周期距小于300 μ m。
7.如權(quán)利要求3所述的聚光型光電電池，其中該匯流排電極具有一寬度大于50μ m。
8.如權(quán)利要求2所述的聚光型光電電池，其中該第一電極區(qū)占該上表面的面積比例不大于80%。
9.如權(quán)利要求1所述的聚光型光電電池，還包含抗反射層，位于該半導(dǎo)體疊層的該上表面上，其中該抗反射層包含介電質(zhì)材料。
10.如權(quán)利要求1所述的聚光型光電電池，還包含下電極，位于該半導(dǎo)體疊層的該下表面上。
11.如權(quán)利要求1所述的聚光型光電電池，其中該半導(dǎo)體疊層包含II1-V族材料，其中該半導(dǎo)體疊層包含子電池，用以吸收該光線(xiàn)。
12.如權(quán)利要求1所述的聚光型光電電池，還包含光學(xué)聚光器，具有聚光倍率，置于該半導(dǎo)體疊層之上。
13.如權(quán)利要求12所述的聚光型光電電池,其中該高聚光區(qū)可聚光的強(qiáng)度大于該聚光倍率，且該低聚光區(qū)可聚光的強(qiáng)度小于該聚光倍率。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK103489930SQ201210191283
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
【發(fā)明者】張敏南, 陳政宏 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司