專利名稱：管芯中的金屬焊盤結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件，更具體而言，涉及半導體器件和管芯中的金屬焊盤結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
集成電路由上百萬有源器件(諸如，晶體管和電容器)構(gòu)成。這些器件最初是彼此隔離的，而后來互連形成了功能電路。典型的互連結(jié)構(gòu)包括橫向互連，諸如金屬線(引線)；以及縱向互連，諸如通孔和接觸件?；ミB結(jié)構(gòu)對現(xiàn)代集成電路的性能限制和密度具有越來越大的決定性作用。在互連結(jié)構(gòu)的頂部上形成連接件結(jié)構(gòu)，其中，接合焊盤或金屬凸塊形成在相應(yīng)的芯片表面上并且被暴露出來。通過接合焊盤/金屬凸塊形成電連接，從而將芯片連接至封裝件襯底或另一個管芯?？梢酝ㄟ^引線接合或倒裝芯片接合來形成電連接。連接件結(jié)構(gòu)的一種類型包括與由銅形成的互連結(jié)構(gòu)電連接的鋁焊盤。形成了鈍化層和聚合物層，該鈍化層和聚合物層的一部分覆蓋鋁焊盤的邊緣部分。形成延伸至鈍化層和聚合物層中的開口中的凸塊下金屬化層(UBM)?？梢栽赨BM層上形成銅柱和焊料蓋頂(cap)并且對其進行回流。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件，該器件包括管芯，所述管芯包括襯底；金屬焊盤，位于所述襯底上方；鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；以及偽圖案，鄰近于所述金屬焊盤，其中，所述偽圖案與所述金屬焊盤齊平并且由與所述金屬焊盤相同的材料形成，并且其中，所述偽圖案形成包圍至少三分之一所述金屬焊盤的至少部分的環(huán)。根據(jù)本發(fā)明所述的 器件，其中，所述偽圖案和所述管芯的中心位于所述金屬焊盤的相對兩面上，并且其中，所述偽圖案不延伸至所述金屬焊盤與所述管芯的中心相同的面。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，所述偽圖案和所述管芯的中心位于所述金屬焊盤的相對兩面上，并且其中，所述偽圖案進一步包括位于所述金屬焊盤與所述管芯的中心相同的面上的部分。在上述器件中，所述偽圖案形成了包圍所述金屬焊盤的整環(huán)。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，所述管芯的角部區(qū)域包括鄰近于相應(yīng)的角部金屬焊盤的偽圖案，其中，所述偽圖案與所述金屬焊盤齊平，并且其中，所述管芯的內(nèi)部區(qū)域不包括與所述金屬焊盤齊平的偽圖案。在上述器件中，所述管芯的邊緣區(qū)域進一步包括鄰近于相應(yīng)的邊緣金屬焊盤的其他偽圖案，并且其中，所述其他偽圖案與所述金屬焊盤齊平。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，所述偽圖案是電浮置的。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，進一步包括使所述偽圖案與所述金屬焊盤相連接的其他偽圖案部分，并且其中，所述金屬焊盤、所述偽圖案、以及所述其他偽圖案部分限定區(qū)域，并且所述鈍化層包括在所述區(qū)域中設(shè)置的部分。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件，該器件包括管芯，所述管芯包括角部區(qū)域、邊緣區(qū)域、以及被所述角部區(qū)域和所述邊緣區(qū)域包圍著的內(nèi)部區(qū)域，其中，所述管芯進一步包括襯底；第一金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述角部區(qū)域之一中；鈍化層，包括位于所述第一金屬焊盤上方的部分；金屬柱，與所述第一金屬焊盤重疊并且電連接至所述第一金屬焊盤，其中，所述金屬柱在所述管芯的表面介電層上方延伸；第一偽圖案，鄰近于所述第一金屬焊盤，其中，一部分所述第一偽圖案以及所述管芯的中心位于所述第一金屬焊盤的相對兩面上；以及第二金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述內(nèi)部區(qū)域中，其中，沒有偽圖案鄰近于所述第二金屬焊盤，其中，所述第一偽圖案與所述第一金屬焊盤、所述第二金屬焊盤以及所述第一偽圖案齊平并且由與所述第一金屬焊盤、所述第二金屬焊盤以及所述第一偽圖案相同的材料形成。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，所述第一偽圖案形成包圍至少三分之一所述第一金屬焊盤的至少部分的環(huán)。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，進一步包括第三金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述邊緣區(qū)域之一中；以及第二偽圖案，鄰近于所述第三金屬焊盤，其中，一部分所述第二偽圖案和所述管芯的中心位于所述第三金屬焊盤的相對兩面上。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，所述第一偽圖案進一步包括其他部分，所述其他部分位于所述第一金屬焊盤與所述管芯的中心相同的面上 。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，進一步包括第三金屬焊盤，位于所述襯底上方，其中，所述第一金屬焊盤和所述第三金屬焊盤位于不同的所述角部區(qū)域中；以及第二偽圖案，鄰近于所述第三金屬焊盤，其中，一部分所述第二偽圖案和所述管芯的中心位于所述第三金屬焊盤的相對兩面上，并且其中，所述第一偽圖案和所述第二偽圖案中的每一個都分別形成包圍至少三分之一所述第一金屬焊盤和所述第三金屬焊盤的至少部分的環(huán)。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，進一步包括凸塊下金屬化層(UBM)，所述UBM具有與所述金屬柱的相應(yīng)邊緣對準的邊緣，其中，所述UBM的頂面和底面分別與所述金屬柱和所述金屬焊盤物理接觸。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種器件，該器件包括管芯，所述管芯包括角部區(qū)域、邊緣區(qū)域以及被所述角部區(qū)域和所述邊緣區(qū)域包圍著的內(nèi)部區(qū)域，其中，所述管芯進一步包括襯底；第一金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述管芯的第一個所述角部區(qū)域中；鈍化層，包括位于所述第一金屬焊盤上方的部分；第二金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述管芯的第二個所述角部區(qū)域中；以及第一偽圖案和第二偽圖案，所述第一偽圖案和第二偽圖案都是電浮置的，其中，所述第一偽圖案和第二偽圖案與所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤齊平，并且由與所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤相同的材料形成，并且其中，所述第一偽圖案和所述第二偽圖案中的每一個分別形成包圍至少三分之一的所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤的至少部分的環(huán)。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，一部分所述第一偽圖案和所述管芯的中心位于所述第一金屬焊盤的相對兩面上。在上述器件中，所述第一偽圖案和所述第二偽圖案位于所述管芯的中心以及所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤的相對兩面上，并且其中，所述第一偽圖案和所述第二偽圖案都不包括任何位于所述相應(yīng)的第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤與所述管芯的中心相同的面上的部分。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，進一步包括第三金屬焊盤，所述第三金屬焊盤位于所述襯底上方以及所述內(nèi)部區(qū)域中，其中，無與所述第一金屬焊盤齊平的偽圖案鄰近于所述第
三金屬焊盤。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，進一步包括第三金屬焊盤，所述第三焊盤位于所述管芯的邊緣行中，并且所述邊緣行與所述管芯的邊緣最為接近，并且其中，沒有形成部分地包圍所述第三金屬焊盤的偽圖案。根據(jù)本發(fā)明所述的器件，其中，所述第一偽圖案包圍至少一半的所述第一金屬焊盤。


為了更全面地理解實施例及其優(yōu)勢，現(xiàn)將結(jié)合附圖所進行的描述作為參考，其中圖1示出的是管芯的俯視圖，其中，連接件結(jié)構(gòu)分布在管芯的角部區(qū)域、邊緣區(qū)域以及內(nèi)部區(qū)域中；圖2示出的是圖1中所示的管芯的一部分的剖面圖；圖3A至圖6是根據(jù) 各個實施例的金屬焊盤、金屬柱以及相應(yīng)的偽圖案的俯視圖；以及圖7示出的是可以用于形成跡線上凸塊結(jié)構(gòu)的金屬焊盤、金屬柱以及相應(yīng)的偽圖案的俯視圖。
具體實施例方式在下面詳細討論本發(fā)明各實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實施例僅僅是說明性的，而不用于限制本發(fā)明的范圍。根據(jù)實施例描述的是半導體管芯中的連接件結(jié)構(gòu)。隨后對實施例的變形進行討論。在所有各個視圖和說明性實施例中，類似的標號用于表示類似的元件。圖1示出的是根據(jù)各個實施例的管芯100的俯視圖。管芯100可以是器件管芯。管芯100具有角部100A(包括角部100A1至100A4)以及邊緣100B(包括邊緣100B1至100B4)。管芯100包括多個表面區(qū)域，該表面區(qū)域包括角部區(qū)域64A (包括64A1至64A4)、邊緣區(qū)域64B (包括64B1至64B4)以及由角部區(qū)域64A和邊緣區(qū)域64B包圍著的內(nèi)部區(qū)域64C。在管芯100的表面可以形成多個電連接件50。電連接件50可以與下面的金屬焊盤40相連接。示例性電連接件50和金屬焊盤40的細節(jié)在圖2中示出，該圖示出了管芯100的一部分的剖面圖，其中，該剖面圖是由圖1中的平面剖切線2-2獲得的。管芯100包括半導體襯底30。在實施例中，管芯100是器件管芯，該管芯可以包括在其中具有有源器件諸如晶體管(未示出)的集成電路32。半導體襯底30可以是體硅襯底或絕緣體上硅襯底。也可以使用包括III族、IV族以及V族元素的其他半導體材料。在可選的實施例中，管芯100可以是在其中不包括有源器件的其他封裝元件的管芯，例如可以是插件管芯。在其中管芯100不包括有源器件的實施例中，管芯100可以包括無源器件諸如電阻器和電容器，或者可以不包括無源器件。管芯100可以進一步包括位于半導體襯底30上方的層間電介質(zhì)(ILD)34以及位于ILD 34上方的金屬層36。金屬層36可以包括在介電層38中形成的金屬線和通孔(未不出)。在實施例中，介電層38由低k介電材料形成。該低k介電材料的介電常數(shù)(k值)可以例如小于約2. 8或小于約2. 5。金屬線和通孔可以由銅或銅合金形成，但也可以由其他金屬形成。金屬焊盤40形成在金屬層36上方并且可以通過金屬層36中的金屬線和通孔與電路32電連接。金屬焊盤40可以是鋁焊盤或鋁銅焊盤，并且因此在下文中可選地被稱為鋁焊盤40，然而可以使用其他金屬材料形成金屬焊盤40。形成鈍化層42來覆蓋鋁焊盤40的邊緣部分。鋁焊盤40的中心部分通過鈍化層42中的開口暴露出來。鈍化層42可以是單層或復合層，并且可以由無孔材料形成。在實施例中，鈍化層42是復合層，該復合層包括氧化娃層(未不出)以及位于氧化娃層上方的氮化娃層(未不出)。鈍化層42也可以由未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、和/或氮氧化硅等形成。雖然示出的是一個鈍化層42，但可以存在一個以上的鈍化層。聚合物層46形成在鈍化層42的上方。聚合物層46可以包含聚合物諸如環(huán)氧樹月旨、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、和聚苯并惡唑(PBO)等。圖案化聚合物層46以形成開口，通過該開口暴露出鋁焊盤40?？梢圆捎霉饪碳夹g(shù)實施聚合物層46的圖案化。凸塊下金屬化層(UBM) 48形成在金屬焊盤40的上方。UBM 48包括位于聚合物層46上方的第一部分以及延伸至聚合物層46中的開口中的第二部分。在實施例中，UBM 48包括鈦層和種子層，該種子層可以 由銅或銅合金形成。金屬柱50形成在UBM 48上，與UBM48共末端(co-terminus)。UBM 48的邊緣與金屬柱50的相應(yīng)邊緣對準。UBM 48可以與金屬焊盤40以及金屬柱50物理接觸。在示例性實施例中，金屬柱50由在回流工藝中不熔化的非可回流金屬形成。例如，金屬柱50可以由銅或銅合金形成。金屬柱50的頂面50A高于聚合物層46的頂面46A。除金屬柱50之外,可以存在其他金屬層,諸如在金屬柱50上形成的金屬層52，其中，金屬層52可以包括鎳層、鈀層、金層、或其多層。焊料蓋頂54也可以形成在金屬層52上,其中，焊料蓋頂54可以由Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、或Sn-Ag-Cu合金等形成，并且可以是無鉛的或含鉛的。UBM 48也可以被視作是金屬柱50的底部。在實施例中，金屬焊盤40的橫向尺寸Wl小于金屬柱50的橫向尺寸W2。在可選實施例中，金屬焊盤40的橫向尺寸Wl等于或大于金屬柱50的橫向尺寸W2。可以形成鄰近于金屬焊盤40的偽圖案60?？梢岳斫?，管芯100可以包括多個金屬焊盤40，以及形成鄰近于管芯100中的一些金屬焊盤40的偽圖案60，而管芯100中的其他金屬焊盤40不具有鄰近的偽圖案。在整個說明書中，術(shù)語“鄰近”被用于描述金屬焊盤和偽圖案之間的位置關(guān)系，并且如果偽圖案位于兩個相鄰的金屬焊盤之間，并且比起第二金屬焊盤更接近于第一金屬焊盤，那么就認為該偽圖案“鄰近”于第一金屬焊盤，而不“鄰近”于第二金屬焊盤。偽圖案60和相應(yīng)的鄰近金屬焊盤40之間的距離S可以小于約15 μ m，并且可以處于約I μ m和約15 μ m之間。偽圖案60的寬度Wl可以處于約2 μ m和約20 μ m之間。在實施例中，偽圖案60形成在金屬焊盤40的一個面上而在另一個面上不形成。在可選實施例中，偽圖案60延伸至金屬焊盤40的相對面并且可以形成包圍金屬焊盤40的環(huán)。偽圖案60和金屬焊盤40可以在相同的工藝中形成，并因此可以由相同材料形成并且具有相同厚度。返回參考圖1，金屬焊盤40和相應(yīng)的偽圖案60被分布到管芯100中的多個表面區(qū)域中。這些包括了偽圖案60的表面區(qū)域可以是經(jīng)受高應(yīng)力的區(qū)域。例如，偽圖案60可以被分布到管芯100的角部區(qū)域64A (包括64A1至64A4)和/或管芯100的邊緣區(qū)域64B (包括64B1至64B4)中。在管芯100的內(nèi)部區(qū)域64C中，可以存在金屬焊盤40。然而，在內(nèi)部區(qū)域64C中沒有設(shè)置偽圖案60。根據(jù)鄰近于每個角部100A的金屬焊盤40和鈍化層42 (圖2)所承受的應(yīng)力水平,可以存在一個、兩個、三個、四個或多個由具有鄰近的偽圖案60的金屬焊盤40所構(gòu)成的角部行(從管芯100的角部100A1-100A4朝向中心100C計數(shù))。此外，鄰近于每個邊緣100B，可以存在一個、兩個、三個、四個或多個由具有鄰近的偽圖案60的金屬焊盤40所構(gòu)成的邊緣行(從管芯100的邊緣100B1-100B4朝向中心100C計數(shù))。在一些示例性實施例中，在每個角部100A處都存在一個具有鄰近的偽圖案60的角部金屬焊盤40 (其為最接近于相應(yīng)的角部100A的金屬焊盤)，而其他的角部金屬焊盤、邊緣金屬焊盤或內(nèi)部金屬焊盤都不具有相鄰的偽圖案。可選地，除了角部金屬焊盤40以外，在鄰近于每個邊緣的最外第一邊緣行中的一些邊緣金屬焊盤40也可以具有鄰近的偽圖案60。然而其他金屬焊盤不具有鄰近的偽圖案60。圖3A至圖4D示出的是根據(jù)一些示例性實施例的金屬柱50、金屬焊盤40以及偽圖案60的俯視圖。在圖3A至圖4D中的每幅圖中，繪制了箭頭66用于示出管芯中心100C (圖1)的方向，而在圖3A至3D中與箭頭66的方向相反的方向是朝向管芯100的角部100A(圖1)。在圖4A至4D中，與箭頭66的方向相反的方向是朝向管芯100的邊緣100B(圖1)。如圖3A至圖4D中所示，偽圖案60形成在相應(yīng)的金屬焊盤40的一個面上，該面遠離中心100C，并且是接近于相應(yīng)的邊緣100B和/或角部100A的面。在圖3A至圖4D中的每幅圖中，偽圖案60部分地圍繞著相應(yīng)的金屬焊盤40。例如，如圖3A中所示，如果線70被繪制成從金屬焊盤40的中心向偽圖案60的端部延伸的話，線70形成了角α。角α也被用于測量被偽圖案60圍繞的金屬焊盤40的百分比。例如，如果角α是120度，那么可以認為偽圖案60圍繞著金屬焊盤40的120/360或三分之一。當角α等于360度的時候，偽圖案60形成了包圍金屬焊盤40的整環(huán)。當角α小于360度時，偽圖案60形成了部分地圍繞著金屬焊盤40的部分的環(huán)。在一些實施例中，角α大于約90度、大于約120度并且可以在約120度和約360度之間。 圖3Α至圖4D中的每個偽圖案60包括都偽圖案部分60Α，該部分與相應(yīng)的金屬焊盤40間隔開。偽圖案60Α的不同部分可以具有與金屬焊盤40的相應(yīng)的最近部分之間基本上相等的距離S。如圖2所示，偽圖案部分60Α和金屬焊盤40之間的間隔可以至少部分地填充有鈍化層42。在一些實施例中，偽圖案60進一步包括偽圖案部分60Β，該部分將偽圖案部分60Α電連接至相應(yīng)的金屬焊盤40。每個偽圖案部分60Α都包括兩個端部。在一些實施例中，偽圖案部分60Α的一個端部(而不是兩個端部)通過偽圖案部分60Β與金屬焊盤40相連接。在可選實施例中，偽圖案部分60Α的兩個端部都通過偽圖案部分60Β與金屬焊盤40相連接。在又一可選實施例中，不形成偽圖案部分60Β,并且偽圖案部分60Α不與金屬焊盤40相連接，而是電浮置的。
圖3A示出的是管芯100的角部區(qū)域64A1 (圖1)中的連接件結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中，在金屬焊盤40的右底面上設(shè)置偽圖案60 (包括部分60A和任選的部分60B)。類似地，圖3B、3C和3D示出的是管芯100的角部區(qū)域64A2、64A3以及64A4(圖1)中的連接件結(jié)構(gòu)，其中，在相應(yīng)的金屬焊盤40的左底面、左頂面以及右頂面上偽圖案60 (包括部分60A和任選的部分60B)。在金屬焊盤40的相對面，即，朝向管芯100的中心100C的面(參考圖1)上沒有形成偽圖案60，但是偽圖案60也可以延伸到該相對面(圖5)。圖4A示出的是管芯100的邊緣區(qū)域64B1 (右邊緣，圖1)中的連接件結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中，偽圖案60 (包括部分60A和可選的部分60B)包括位于金屬焊盤40右側(cè)面上的部分。類似地，圖4B、4C和4D示出的是管芯100的邊緣區(qū)域64B2、64B3和64B4(圖1)中的連接件結(jié)構(gòu)，其中，偽圖案60 (包括部分60A和任選的部分60B)被設(shè)置在相應(yīng)的金屬焊盤40的左側(cè)面、底面以及頂面上。在金屬焊盤40的相對面，即，朝向管芯100的中心100C的面上，可以不形成偽圖案60，但偽圖案60也可以延伸到該相對面(圖5)。圖5示出的是根據(jù)可選實施例的連接件結(jié)構(gòu)，其中，偽圖案60形成完全包圍金屬焊盤40的整環(huán)。偽圖案部分60B也可以被形成為用于使偽圖案部分60A與金屬焊盤40相連接的可選部件。可以理解，可以將圖3A至圖5中所示的實施例混合在同一個管芯上。在每個角部區(qū)域64A或邊緣區(qū)域64B處，偽圖案60既可以形成部分的環(huán)也可以形成整環(huán)。圖6示出的是管芯100的內(nèi)部區(qū)域64C (圖1)中的連接件結(jié)構(gòu)的俯視圖?？梢钥闯觯葱纬舌徑趦?nèi)部區(qū)域64C中的金屬焊盤40的偽圖案。另外，如圖1所示，在每個邊緣區(qū)域64B和角部區(qū)域64A中，可以存在不具有鄰近的偽圖案的金屬焊盤40。在圖3A至4D中，金屬焊盤40和金屬柱50不具有伸長的形狀(在俯視圖中)。在可選實施例中，金屬焊盤40和金屬柱50可以具有伸長的形狀，并且長軸明顯大于短軸(例如，至少百分之二十)。圖7示出的是示例性連接件結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)與圖4A中所示的結(jié)構(gòu)類似，除了金屬焊盤40、金屬柱50以及偽圖案60的俯視圖形狀在一個方向上拉伸以外。該結(jié)構(gòu)可以用于形成跡線上凸塊結(jié)`構(gòu)。盡管沒有示出，但圖3A至圖3D和圖4B至圖4D中所示的每個連接件結(jié)構(gòu)都可以類似地在一個方向上拉伸，并且可能在相應(yīng)的箭頭66的方向上拉伸。在實施例中，通過形成鄰近于金屬焊盤的偽圖案，相應(yīng)的連接件結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)健，并且降低了出現(xiàn)鈍化碎裂的可能性。實驗性結(jié)果指出，鈍化碎裂(當出現(xiàn)時)更可能出現(xiàn)在遠離管芯中心的金屬焊盤的面上。在朝向管芯中心的面上，不太可能出現(xiàn)鈍化碎裂。因此，部分偽圖案環(huán)可以有效地減少鈍化碎裂。另外，即使出現(xiàn)了鈍化碎裂，也可能是出現(xiàn)在遠離管芯中心的偽圖案的面上，該偽圖案可以是電浮置的。因此，該鈍化碎裂可能不會對鄰近于鈍化碎裂的信號傳送金屬線(諸如，圖3A至圖3D中的線78)造成電干擾。根據(jù)實施例，一種管芯包括襯底；位于襯底上方的金屬焊盤；具有位于金屬焊盤上方的部分的鈍化層；以及設(shè)置鄰近于金屬焊盤的偽圖案，該偽圖案與金屬焊盤齊平，并且由與金屬焊盤相同的材料形成，該偽圖案形成包圍至少三分之一金屬焊盤的至少部分的環(huán)。根據(jù)其他實施例，一種管芯包括角部區(qū)域、邊緣區(qū)域以及被角部區(qū)域和邊緣區(qū)域包圍著的內(nèi)部區(qū)域。該管芯進一步包括襯底；位于該襯底上方以及角部區(qū)域之一中的第一金屬焊盤；具有位于第一金屬焊盤上方的部分的鈍化層；以及與第一金屬焊盤重疊并電連接至第一金屬焊盤的金屬柱，該金屬柱在管芯的表面介電層上方延伸。該管芯進一步包括鄰近于第一金屬焊盤的偽圖案，其中，一部分偽圖案以及管芯的中心位于第一金屬焊盤的相對兩面上；在襯底上方以及內(nèi)部區(qū)域中設(shè)置的第二金屬焊盤，其中，無偽圖案鄰近于第二金屬焊盤，第二偽圖案與第一金屬焊盤、第二金屬焊盤以及第一偽圖案齊平并且由與第一金屬焊盤、第二金屬焊盤以及第一偽圖案相同的材料形成。根據(jù)又一些實施例，一種管芯包括角部區(qū)域、邊緣區(qū)域以及被角部區(qū)域和邊緣區(qū)域包圍著的內(nèi)部區(qū)域。該管芯進一步包括襯底；位于該襯底上方以及管芯的第一個角部區(qū)域中的第一金屬焊盤；具有位于第一金屬焊盤上方的部分的鈍化層；位于襯底上方和管芯的第二個角部區(qū)域中的第二金屬焊盤；以及第一偽圖案和第二偽圖案，這兩者都是電浮置的，其中，第一和第二偽圖案與第一和第二金屬焊盤齊平，并且由與第一和第二金屬焊盤相同的材料形成。第一偽圖案和第二偽圖案中的每一個都分別形成包圍至少三分之一的第一和第二金屬焊盤的至少部分的環(huán)。盡管已經(jīng)詳細地描述了實施例及其優(yōu)勢，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實施例主旨和范圍的情況下，在其中做各種不同的改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明將很容易地理解，根據(jù)本發(fā)明可以利用現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求預期在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種器件，包括 管芯，包括 襯底； 金屬焊盤，位于所述襯底上方； 鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；以及 偽圖案，鄰近于所述金屬焊盤，其中，所述偽圖案與所述金屬焊盤齊平并且由與所述金屬焊盤相同的材料形成，并且其中，所述偽圖案形成包圍至少三分之一所述金屬焊盤的至少部分的環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述偽圖案和所述管芯的中心位于所述金屬焊盤的相對兩面上，并且其中，所述偽圖案不延伸至所述金屬焊盤與所述管芯的中心相同的面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進ー步包括使所述偽圖案與所述金屬焊盤相連接的其他偽圖案部分，并且其中，所述金屬焊盤、所述偽圖案、以及所述其他偽圖案部分限定區(qū)域，并且所述鈍化層包括在所述區(qū)域中設(shè)置的部分。
4.ー種器件，包括 管芯，包括角部區(qū)域、邊緣區(qū)域、以及被所述角部區(qū)域和所述邊緣區(qū)域包圍著的內(nèi)部區(qū)域，其中，所述管芯進ー步包括 襯底； 第一金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述角部區(qū)域之一中； 鈍化層，包括位于所述第一金屬焊盤上方的部分； 金屬柱，與所述第一金屬焊盤重疊并且電連接至所述第一金屬焊盤，其中，所述金屬柱在所述管芯的表面介電層上方延伸； 第一偽圖案，鄰近于所述第一金屬焊盤，其中，一部分所述第一偽圖案以及所述管芯的中心位于所述第一金屬焊盤的相對兩面上；以及 第二金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述內(nèi)部區(qū)域中，其中，沒有偽圖案鄰近于所述第二金屬焊盤，其中，所述第一偽圖案與所述第一金屬焊盤、所述第二金屬焊盤以及所述第ー偽圖案齊平并且由與所述第一金屬焊盤、所述第二金屬焊盤以及所述第一偽圖案相同的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進ー步包括 第三金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述邊緣區(qū)域之一中；以及第二偽圖案，鄰近于所述第三金屬焊盤，其中，一部分所述第二偽圖案和所述管芯的中心位于所述第三金屬焊盤的相對兩面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進ー步包括 第三金屬焊盤，位于所述襯底上方，其中，所述第一金屬焊盤和所述第三金屬焊盤位于不同的所述角部區(qū)域中；以及 第二偽圖案，鄰近于所述第三金屬焊盤，其中，一部分所述第二偽圖案和所述管芯的中心位于所述第三金屬焊盤的相對兩面上，并且其中，所述第一偽圖案和所述第二偽圖案中的每ー個都分別形成包圍至少三分之一所述第一金屬焊盤和所述第三金屬焊盤的至少部分的環(huán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進ー步包括凸塊下金屬化層(UBM)，所述UBM具有與所述金屬柱的相應(yīng)邊緣對準的邊緣，其中，所述UBM的頂面和底面分別與所述金屬柱和所述金屬焊盤物理接觸。
8.ー種器件，包括 管芯，包括角部區(qū)域、邊緣區(qū)域以及被所述角部區(qū)域和所述邊緣區(qū)域包圍著的內(nèi)部區(qū)域，其中，所述管芯進ー步包括 襯底； 第一金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述管芯的第一個所述角部區(qū)域中； 鈍化層，包括位于所述第一金屬焊盤上方的部分； 第二金屬焊盤，位于所述襯底上方以及所述管芯的第二個所述角部區(qū)域中；以及 第一偽圖案和第二偽圖案，所述第一偽圖案和第二偽圖案都是電浮置的，其中，所述第一偽圖案和第二偽圖案與所述第一金屬焊盤和 所述第二金屬焊盤齊平，并且由與所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤相同的材料形成，并且其中，所述第一偽圖案和所述第二偽圖案中的每ー個分別形成包圍至少三分之一的所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤的至少部分的環(huán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，進ー步包括第三金屬焊盤，所述第三金屬焊盤位于所述襯底上方以及所述內(nèi)部區(qū)域中，其中，無與所述第一金屬焊盤齊平的偽圖案鄰近于所述第三金屬焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，進ー步包括第三金屬焊盤，所述第三焊盤位于所述管芯的邊緣行中，并且所述邊緣行與所述管芯的邊緣最為接近，并且其中，沒有形成部分地包圍所述第三金屬焊盤的偽圖案。
全文摘要
一種管芯包括襯底；位于襯底上方的金屬焊盤部分；位于金屬焊盤上方的鈍化層；以及設(shè)置鄰近于金屬焊盤的偽圖案，該偽圖案與金屬焊盤齊平，并且由與金屬焊盤相同的材料形成，該偽圖案形成包圍至少三分之一金屬焊盤的至少部分的環(huán)。本發(fā)明提供了管芯中的金屬焊盤結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L23/488GK103035599SQ20121019040
公開日2013年4月10日 申請日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者莊曜群, 莊其達, 郭正錚, 陳承先 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司