專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉和半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
最近幾年，在IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor :絕緣柵型雙極晶體管)中，為了實(shí)現(xiàn)高性能化和低成本化，正在推進(jìn)半導(dǎo)體晶片的薄型化。例如，提案有ー種技木，將半導(dǎo)體晶片的厚度減薄為50 μ m 100 μ m程度，或者其以下的厚度。在制造器件厚度薄的半導(dǎo)體器件中，例如，在半導(dǎo)體晶片的表面形成器件構(gòu)造后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片背面的背面研磨和/或硅蝕刻，使其變成規(guī)定的厚度。然后，對每個形成于半導(dǎo)體晶片的表面的器件構(gòu)造進(jìn)行切割，將半導(dǎo)體晶片切斷成各個半導(dǎo)體芯片。 另外，作為制造器件厚度薄的半導(dǎo)體器件的其他的方法，提案有以下的方法。在半導(dǎo)體晶片的表面形成器件構(gòu)造后，從半導(dǎo)體晶片的表面?zhèn)妊刂懈罹€，形成比半導(dǎo)體器件的器件厚度更深的槽。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片背面的背面研磨和/或硅蝕刻，將半導(dǎo)體晶片減薄至規(guī)定的厚度。通過形成于半導(dǎo)體晶片上的槽，半導(dǎo)體晶片被切斷成各個半導(dǎo)體芯片。作為制造器件厚度薄的半導(dǎo)體器件的其他方法，還提案有以下的方法。在半導(dǎo)體晶片的表面形成器件構(gòu)造后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片背面的背面研磨和/或硅蝕刻，在比半導(dǎo)體晶片的直徑窄的范圍僅使半導(dǎo)體晶片的中央部變薄。然后，留下半導(dǎo)體晶片的外周部(以下，作為肋部)，或者在除去了肋部后進(jìn)行切割，將半導(dǎo)體晶片切斷成各個半導(dǎo)體芯片。為了避免因切割而分離的半導(dǎo)體芯片飛散等問題，例如，有一種眾所周知的方法是，在半導(dǎo)體晶片的背面粘貼切割用膠帶等膠帶，然后進(jìn)行切割。在半導(dǎo)體晶片的背面粘貼膠帶然后進(jìn)行切割的情況下，將粘貼在膠帶上的半導(dǎo)體芯片從膠帶上拾起并分離成各個半導(dǎo)體芯片。作為從膠帶上拾起半導(dǎo)體芯片的方法，提案有以下的方法。例如利用針(needle)等將半導(dǎo)體芯片從粘貼有膠帶側(cè)的背面?zhèn)认蛏戏巾斊?，減少半導(dǎo)體芯片與膠帶的接觸面積。然后，利用吸引并吸附半導(dǎo)體芯片的例如夾頭(collet)等來吸引半導(dǎo)體芯片，從膠帶上拾起半導(dǎo)體芯片。但是，在被減薄的半導(dǎo)體芯片中應(yīng)用這種拾起方法的情況下，通過用針等頂起半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片的表面有可能受到損傷，或半導(dǎo)體芯片破損。作為解決這種問題的方法，提案有以下的方法。固定夾具包括在單面上具有多個突起物和側(cè)壁的夾具基臺；和層疊于具有夾具基臺的突起物的面上且與側(cè)壁的上表面粘結(jié)的粘合層。在具有夾具基臺的突起物的面上，由粘合層、突起物和側(cè)壁形成分區(qū)空間，利用貫穿孔與真空源連接。通過貫穿孔來吸引分區(qū)空間的空氣而使粘合層變形，并且吸附夾頭從芯片的上表面?zhèn)任酒?，從粘合層上拾起芯?例如，參照下述專利文獻(xiàn)I)。另外，作為其他的方法，提案有以下的方法。載置臺具有以覆蓋與芯片狀部件相對的區(qū)域的方式分布的多個吸引槽；和以相對于各個芯片狀部件至少在兩處部分地與其相對的方式位于這些吸引槽間的突起。在載置臺上載置保持片材，通過對吸引槽施加負(fù)壓，來使保持片材沿著突起變形，而從芯片狀部件剝離。此時(shí)，首先，進(jìn)ー步增強(qiáng)施加在與芯片狀部件的周緣部相対的吸引槽的負(fù)壓，將保持片材從芯片狀部件的周緣部剝離(例如，參照下述專利文獻(xiàn)2)。此外，作為其他的方法，提案有以下的方法。在通過吸附擋塊的切割用膠帶來載置半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)鹊拿嫔显O(shè)置有在上部呈凹狀且大致呈半球形狀，并且按照相同高度的多個突起分別垂直地豎立的方式設(shè)置的吸附面；遍及吸附面的外周部的整個周圍，寬
O.4mm以下，且高度與突起的高度相同或者與突起的高度之差未滿Imm的側(cè)壁。然后，從設(shè)置于突起彼此之間的谷部或者突起的側(cè)面或其兩者中的至少ー個以上的吸附孔吸附切割用膠帶(tape)，使其吸引靠近突起，利用夾頭從半導(dǎo)體芯片的表面?zhèn)仁捌鸢雽?dǎo)體芯片。當(dāng)從吸附孔吸附切割用膠帶時(shí)，在切割用膠帶的彈性的范圍內(nèi)，切割用膠帶在吸附擋塊的側(cè)壁與吸附面之間略微下沉(例如，參照下述專利文獻(xiàn)3)。另外，作為避免半導(dǎo)體芯片受到損傷等的拾起裝置，提案有以下的裝置。晶片載置臺具備在頂部通過膠帶來保持IC芯片的下表面的多個突起；形成于多個突起的谷部的吸引槽；真空裝置，其通過連接管與該吸引槽連結(jié)，在吸引槽中產(chǎn)生吸引力，由此將膠帶從IC 芯片上剝離而吸附在突起的谷部(例如，參照下述專利文獻(xiàn)4)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-103493號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開平11-54594號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2010-123750號公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開平5-335405號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，在上述各個專利文獻(xiàn)中，根據(jù)芯片尺寸和膠帶的成分，會產(chǎn)生以下的問題。例如，在半導(dǎo)體芯片與膠帶的粘合力比夾頭的吸引カ大的情況下，利用夾頭的吸引力有可能無法拾起被膠帶粘結(jié)在突起部上表面的半導(dǎo)體芯片。為了利用夾頭的吸引力可靠地拾起半導(dǎo)體芯片，在將夾頭向半導(dǎo)體芯片推壓的狀態(tài)下來吸引半導(dǎo)體芯片的情況下，因推壓夾頭，半導(dǎo)體芯片的表面有可能受到損傷。圖13是表示被保持在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造裝置的保持臺上的半導(dǎo)體芯片的截面圖。另ー方面，在半導(dǎo)體芯片與膠帶的粘合力弱的情況下，如圖13所示，在一個半導(dǎo)體芯片IOla的面內(nèi)剝離膠帶102的定時(shí)產(chǎn)生偏差。由此，半導(dǎo)體芯片IOla變成相對于保持臺111傾斜的狀態(tài)，有可能與相鄰的半導(dǎo)體芯片IOla接觸而出現(xiàn)缺損。另外，有可能在拾起半導(dǎo)體芯片IOla時(shí)碰撞夾頭(未圖示)，出現(xiàn)損傷。另外，根據(jù)半導(dǎo)體芯片IOla背面的表面粗糙度和背面電極的有無，半導(dǎo)體芯片IOla與膠帶102的粘合力不同。此外，根據(jù)膠帶102的剛性，膠帶102的容易變形容易度不同。因此，難以將半導(dǎo)體芯片IOla與膠帶102的粘合力和膠帶102的變形控制在一定程度。因此，根據(jù)半導(dǎo)體芯片IOla的元件構(gòu)造和膠帶102的剛性，容易發(fā)生上述問題，難以使半導(dǎo)體芯片IOla不出現(xiàn)斷裂和殘缺地從膠帶102上剝離半導(dǎo)體芯片101a。本發(fā)明的目的在于為了解除上述現(xiàn)有技術(shù)的問題點(diǎn)，提供一種能夠減少從膠帶剝離時(shí)半導(dǎo)體芯片的殘缺和損傷的半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法。用于解決課題的方法為了解決上述課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，包括保持臺，具有設(shè)置于保持前述半導(dǎo)體芯片的面的多個槽和與前述槽連結(jié)的至少ー個通氣孔；第一槽，在前述槽之中，配置干與被保持在前述保持臺上的前述半導(dǎo)體芯片的外周部對應(yīng)的位置；第二槽，在前述槽之中，具有比前述第一槽窄的寬度，且配置干與被保持在前述保持臺上的前述半導(dǎo)體芯片的中央部對應(yīng)的位置；頂點(diǎn)部，由前述槽的開ロ部側(cè)的端部形成，與被保持在前述保持臺上的前述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸；減壓機(jī)構(gòu)，將前述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有前述膠帶的一側(cè)的面朝向前述保持臺側(cè)的方式被保持在前述頂點(diǎn)部后，經(jīng)由前述通氣孔對由前述槽和前述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓；和吸引機(jī)構(gòu)，在前述空間被前述減壓機(jī)構(gòu)減壓后，進(jìn)行吸引拾起被保持在前述頂點(diǎn)部的前述半導(dǎo)體芯片。
另外，為了解決上述課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在干，包括保持臺，具有設(shè)置于對前述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行保持的一側(cè)的面的多個槽和與前述槽連結(jié)的至少ー個通氣孔；頂點(diǎn)部，由前述槽的開ロ部側(cè)的端部形成，與被保持在前述保持臺上的前述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸；減壓機(jī)構(gòu)，在將前述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有前述膠帶的ー側(cè)的面朝向前述保持臺側(cè)的方式被保持在前述頂點(diǎn)部后，經(jīng)由前述通氣孔對由前述槽和前述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓；和吸引機(jī)構(gòu)，與被保持在前述頂點(diǎn)部的前述半導(dǎo)體芯片空開預(yù)先設(shè)定的間隔地配置，在前述空間被前述減壓機(jī)構(gòu)減壓后，進(jìn)行吸引拾起被保持在前述頂點(diǎn)部的前述半導(dǎo)體芯片。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，前述減壓機(jī)構(gòu)使粘貼在前述半導(dǎo)體芯片上的前述膠帶以沿著前述槽的內(nèi)壁的方式變形。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，前述減壓機(jī)構(gòu)對前述空間進(jìn)行減壓，直到前述半導(dǎo)體芯片與前述膠帶的接觸部分變成僅是與前述頂點(diǎn)部對應(yīng)的部分。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，還包括與前述保持臺的側(cè)面接觸、包圍前述保持臺的外壁部，前述外壁部的保持有前述半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的面與前述保持臺的保持前述半導(dǎo)體芯片ー側(cè)的面高度相同。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，前述頂點(diǎn)部由相鄰的前述槽的側(cè)壁所構(gòu)成的圓錐狀、四角錐狀或四角柱狀的突起部的頂點(diǎn)部構(gòu)成。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，前述半導(dǎo)體芯片的共有一個頂點(diǎn)的兩邊的尺寸比是O. 75以上I. 25以下。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，前述通氣孔在前述保持臺的保持ー個前述半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中至少設(shè)置四處。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，前述吸引機(jī)構(gòu)與被前述頂點(diǎn)部保持的前述半導(dǎo)體芯片空開O. 05mm以上O. 5mm以下的間隔地配置。另外，為了解決上述課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在干，包括在由設(shè)置于保持臺上的槽的開ロ部側(cè)的端部形成、且與被保持在前述保持臺上的前述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸的頂點(diǎn)部，將前述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有前述膠帶ー側(cè)的面朝向所述保持臺側(cè)的方式保持的保持エ序；在前述保持エ序后，對由前述槽和前述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓的減壓エ序，其中，前述槽由配置干與前述半導(dǎo)體芯片的外周部對應(yīng)的位置的第ー槽、和具有比前述第一槽窄的寬度且配置于前述保持臺的與前述半導(dǎo)體芯片的中央部對應(yīng)的位置的第二槽構(gòu)成；和，在前述減壓エ序后，進(jìn)行吸引來拾起被前述頂點(diǎn)部保持的前述半導(dǎo)體芯片的吸引エ序。另外，為了解決上述課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在干，包括在由設(shè)置于保持臺上的槽的開ロ部側(cè)的端部形成、且與被保持在前述保持臺上的前述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸的頂點(diǎn)部，將前述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有前述膠帶ー側(cè)的面朝向前述保持臺側(cè)的方式保持的保持エ序；在前述保持エ序后，對由前述槽和前述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓的減壓エ序；和，在前述減壓エ序后，利用以與被前述頂點(diǎn)部保持的前述半導(dǎo)體芯片空開預(yù)先設(shè)定的間隔的方式而配置的吸引機(jī)構(gòu)，進(jìn)行吸引來拾起前述半導(dǎo)體芯片的吸引ェ序。 根據(jù)上述發(fā)明，當(dāng)對由膠帶和槽圍成的密閉的空間(以下作為密閉空間)進(jìn)行減壓時(shí)，由膠帶和第一槽形成的空間中的減壓損失比由膠帶和第二槽形成的空間中的減壓損失小。因此，當(dāng)對由膠帶和槽圍成的密閉空間進(jìn)行減壓從半導(dǎo)體芯片剝離膠帶時(shí)，能夠使半導(dǎo)體芯片的外周部側(cè)的膠帶比半導(dǎo)體芯片的中央部側(cè)的膠帶更早地剝離。因此，當(dāng)半導(dǎo)體芯片的外周部側(cè)的膠帶被剝離時(shí)，能夠使半導(dǎo)體芯片的中央部側(cè)充分地粘合在膠帶上。因此，即使從半導(dǎo)體芯片的外周部側(cè)剝離膠帶的定時(shí)產(chǎn)生偏差，也能夠避免半導(dǎo)體芯片變成相對于保持臺傾斜的狀態(tài)。進(jìn)而之后，在半導(dǎo)體芯片的中央部側(cè)的膠帶被剝離時(shí)，半導(dǎo)體芯片的外周部側(cè)的膠帶已被剝離。因此，在相對于保持臺平行地保持半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下，能夠剝離半導(dǎo)體芯片的中央部側(cè)的膠帯。由此，不受半導(dǎo)體芯片背面的表面粗糙度、背面電極的有無和膠帶的剛性的影響，在相對于保持臺平行地保持半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下，能夠可靠地從半導(dǎo)體芯片上剝離膠帶。另外，在由膠帶和槽圍成的密閉空間被減壓后，半導(dǎo)體芯片和膠帶成為在與由保持臺的槽的開ロ部側(cè)的端部所形成的頂點(diǎn)部對應(yīng)的部分點(diǎn)接觸的狀態(tài)，成為膠帶基本上從半導(dǎo)體芯片被剝離的狀態(tài)。因此，能夠使半導(dǎo)體芯片與膠帶的粘合力大致為零。因此，例如，不像過去那樣進(jìn)行利用針等頂起半導(dǎo)體芯片的處理，就能夠從半導(dǎo)體芯片上剝離膠帯。此外，由于能夠使半導(dǎo)體芯片與膠帶的粘合力大致為零，所以不向半導(dǎo)體芯片推壓吸引機(jī)構(gòu)，在吸引機(jī)構(gòu)與半導(dǎo)體芯片之間空開預(yù)先設(shè)定的間隔的狀態(tài)下，能夠從保持臺拾起半導(dǎo)體芯片。另外，由于能夠使半導(dǎo)體芯片與膠帶的粘合力大致為零，所以不會成為半導(dǎo)體芯片的一部分一直粘在膠帶上未被剝離的狀態(tài)。由此，利用吸引機(jī)構(gòu)的吸引力能夠可靠地拾起半導(dǎo)體芯片。這樣，不向半導(dǎo)體芯片推壓吸引機(jī)構(gòu)，且不讓半導(dǎo)體芯片相對于保持臺傾斜，能夠拾起保持臺上的半導(dǎo)體芯片。發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法，發(fā)揮能夠降低從膠帶剝離時(shí)的半導(dǎo)體芯片的殘缺和損傷這樣的效果。


圖I是表示在實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置中處理的半導(dǎo)體晶片的平面圖。圖2是表示圖I所示的半導(dǎo)體晶片的切割后的狀態(tài)的平面圖。圖3是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的截面圖。圖4是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的平面圖。圖5是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的平面圖。
圖6是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的平面圖。圖7是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的鳥瞰圖。圖8是表示被保持在實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置中的狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片的截面圖。圖9是順序表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的動作的截面圖。圖10是順序表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的動作的截面圖。圖11是示意性表示實(shí)施方式ニ的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的截面圖。圖12是表示被保持在實(shí)施方式ニ的半導(dǎo)體器件的制造裝置中的狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片的截面圖。圖13是表示被保持在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造裝置的保持臺上的半導(dǎo)體芯片的截面圖。符號說明I半導(dǎo)體晶片Ia半導(dǎo)體芯片2 膠帶3切割框10拾起裝置11保持臺12通氣孔13外壁部14密閉空間14a, 14b 空間(第一、ニ)20保持一個半導(dǎo)體芯片的區(qū)域21a，22a 槽(第一、ニ)23突起部
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法的最佳實(shí)施方式。而且，在以下的實(shí)施方式的說明和附圖中，同樣的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號，省略重復(fù)的說明。(實(shí)施方式一)圖I是表示在實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置中處理的半導(dǎo)體晶片的平面圖。圖2是表示圖I所示的半導(dǎo)體晶片的切割后的狀態(tài)的平面圖。對在實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置中處理之前的半導(dǎo)體晶片I進(jìn)行說明。如圖1、2所示，半導(dǎo)體晶片I在粘貼有膠帶(切割膠帶)2的狀態(tài)下被切割，被切斷成形成有器件的表面構(gòu)造(電子電路)的各個半導(dǎo)體芯片la。具體而言，例如如下所述切割半導(dǎo)體晶片I將其切斷成各個半導(dǎo)體芯片la。首先，如圖I所示，在半導(dǎo)體芯片的每個形成區(qū)域Ib中，在半導(dǎo)體晶片I的表面?zhèn)刃纬善骷谋砻鏄?gòu)造。半導(dǎo)體芯片的形成區(qū)域Ib例如等間隔地配置為島狀。在相鄰的半導(dǎo)體芯片的形成區(qū)域Ib之間形成切割線Ic等的標(biāo)記。
接著，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片I背面的背面研磨和/或硅蝕刻，將半導(dǎo)體晶片I減薄至規(guī)定的厚度。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片I既可以是背面平坦的晶片，也可以是留下了背面?zhèn)鹊耐庵懿?肋部)的肋晶片。接著，在被減薄(薄化)的半導(dǎo)體晶片I的背面?zhèn)日迟N膠帶2。接著，在膠帶2的半導(dǎo)體晶片I側(cè)的面上粘貼切割框3，由此在切割框3上固定半導(dǎo)體晶片I。接著，從半導(dǎo)體晶片I的表面?zhèn)妊刂懈罹€Ic來切割半導(dǎo)體晶片I。此時(shí)，以切割的切深不貫穿膠帶2的方式進(jìn)行切割。由此，如圖2所示，半導(dǎo)體晶片I被切斷成各個半導(dǎo)體芯片la。由于半導(dǎo)體芯片Ia被粘貼在膠帶2上，因此利用實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置將其從膠帶2上拾起并分離成各個半導(dǎo)體芯片la。即，實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置是將粘貼在膠帶2上的半導(dǎo)體芯片Ia從膠帶2上拾起的拾起裝置。接著，對用實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置拾起的半導(dǎo)體芯片Ia的最佳條件進(jìn)行說明。半導(dǎo)體芯片Ia具有矩形的平面形狀。半導(dǎo)體芯片Ia例如優(yōu)選具有大致正方形的平面形狀。具體而言，半導(dǎo)體芯片Ia的共有一個頂點(diǎn)的兩邊的尺寸比例如優(yōu)選O. 75以上I. 25以下(芯片尺寸的縱橫比是1±0. 25以內(nèi))。其原因是，能夠最大地降低利用實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置拾起半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)的半導(dǎo)體芯片Ia的缺損和損傷的發(fā)生率。膠帶2優(yōu)選由以下兩部分構(gòu)成由聚氯こ烯(PVC :Polyvinyl Chloride)構(gòu)成的基材；和由通過照射紫外線(UV Ultra Violet)來進(jìn)行軟化的例如丙烯(acryl)類UV硬化樹脂構(gòu)成的粘著層。基材的硬度例如可以是5MPa以上15MPa以下?；牡膹幮月世缈梢允荌OOMPa以上300MPa以下。UV照射前的粘著層的粘著力例如可以是3N/20mm。UV照射后的粘著層的粘著力例如可以是O. 05N/20mm以上O. 2N/20mm以下。通過采用由PVC構(gòu)成的基材來構(gòu)成膠帶2，能夠提高膠帶2對于例如由肋晶片背面的中央部和肋部形成的階梯部等在半導(dǎo)體晶片I的表面產(chǎn)生的階梯部分的粘貼性。此外，通過采用由PVC構(gòu)成的基材來構(gòu)成膠帶2，能夠加熱膠帶2使其軟化。由此，利用實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置，能夠容易地從半導(dǎo)體芯片Ia剝離膠帶2。在后面對實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的動作進(jìn)行闡述。另外，通過采用由UV硬化型樹脂構(gòu)成的粘著層來構(gòu)成膠帶2，照射UV能夠降低粘著層的粘著力。因此，當(dāng)從半導(dǎo)體芯片Ia上剝離膠帶2吋，能夠避免成為半導(dǎo)體芯片Ia的一部分一直粘貼在膠帶2上的狀態(tài)。由此，當(dāng)利用夾頭(吸引機(jī)構(gòu))進(jìn)行吸引拾起保持臺11上的半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，能夠避免半導(dǎo)體芯片Ia成為傾斜的狀態(tài)。此外，通過采用由UV硬化型樹脂構(gòu)成的粘著層來構(gòu)成膠帶2，照射UV能夠降低粘著層的粘著力。因此，在拾起半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，用小的吸引力就能拾起半導(dǎo)體芯片la。下面，對實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置(以下稱作拾起裝置)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的截面圖。圖4 圖6是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的平面圖。圖7是示意性表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的鳥瞰圖。另外，圖8是表示被保持在實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置中的狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片的截面圖。在圖3中表示拾起裝置10的保持臺11的截面圖。在圖4中表示拾起裝置10的保持臺11的平面圖。在圖5中表示圖4所示的保持臺11的一部分Ila的放大圖。在圖6中表示當(dāng)保持半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)圖4所示的保持臺11的一部分Ila的放大圖。在圖7中示意性表示保持臺11的保持半導(dǎo)體芯片Ia —側(cè)的表面(以下稱作上表面)。在圖8中表示在圖3所示的拾起裝置10中保持半導(dǎo)體芯片Ia的狀態(tài)。
如圖3、8所示，拾起裝置10包括以半導(dǎo)體芯片Ia的粘貼有膠帶2的一側(cè)的面朝向保持臺11側(cè)的方式來保持半導(dǎo)體芯片Ia的保持臺11 ;對在保持臺11的上表面保持半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)由膠帶2和保持臺11圍成的空間14進(jìn)行減壓的減壓機(jī)構(gòu)(未圖示);和吸引拾取(拾起)保持臺11上的半導(dǎo)體芯片Ia的夾頭(吸引機(jī)構(gòu)未圖示)。保持臺11具有設(shè)置于保持臺11的上表面的多個槽；與槽連結(jié)的至少ー個以上的通氣孔12 ;和與保持臺11的側(cè)面接觸且包圍保持臺11的外壁部13。具體而言，保持臺11的槽由第一槽21a和具有比第一槽21a窄的寬度的第二槽22a構(gòu)成。另外，通氣孔12與槽的底部連結(jié)，貫穿保持臺11與減壓機(jī)構(gòu)連結(jié)。設(shè)置越多的通氣孔12，利用減壓機(jī)構(gòu)對在保持臺11的上表面保持膠帶2(未圖示)時(shí)所形成的由膠帶2、第一槽21a、第二槽22a和外壁部13圍成的空間(密閉空間)14的空氣進(jìn)行減壓時(shí)的吸引力就越大。因而，優(yōu)選設(shè)置多個通氣孔12，但是設(shè)置越多的通氣孔12成本就越高。因此，通氣孔12在保持一個半導(dǎo)體芯片Ia的區(qū)域20中至少設(shè)置四處即可。例如，也可以分別設(shè)置通氣孔12，它和配置干與半導(dǎo)體芯片Ia的各個頂點(diǎn)附近對應(yīng)的部分的第一槽21a連結(jié)。通氣孔12的直徑例如可以是O. 4mm。減壓機(jī)構(gòu)對當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia借助膠帶2被保持在保持臺11的上表面時(shí)而形成的由膠帶2、第一槽21a、第二槽22a和外壁部13圍成的密閉空間14進(jìn)行減壓。在保持ー個半導(dǎo)體芯片Ia的區(qū)域20中，由膠帶2和第一槽21a形成的第一空間14a、與由膠帶2和第ニ槽22a形成的第二空間14b構(gòu)成密閉空間14。外壁部13設(shè)計(jì)為其上表面與保持臺11的上表面相同高度。即，外壁部13設(shè)計(jì)為從外壁部13的上表面跨保持臺11的上表面并且平坦。在外壁部13的上表面不設(shè)置第一槽21a和第二槽22a。由此，當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia借助膠帶2被保持在保持臺11上時(shí)，形成由膠帶2、第一槽21a、第二槽22a和外壁部13圍成的密閉空間14。外壁部13的寬度例如也可以是O. 3mm以上3mm以下。還可以采用不設(shè)置外壁部
13、在保持臺11的外周部不設(shè)置第一槽21a和第二槽22a的結(jié)構(gòu)。在此情況下，保持臺11的外周部的不設(shè)置第一槽21a和第二槽22a的部分作為外壁部13發(fā)揮功能，由膠帶2、第一槽21a和第二槽22a圍成的空間是密閉空間14。
第一槽21a配置干與被保持在保持臺11上表面的半導(dǎo)體芯片Ia的外周部對應(yīng)的位置。即，第一槽21a配置于保持臺11的保持一個半導(dǎo)體芯片Ia的區(qū)域20的外周部(以下，稱作第一槽配置區(qū)域)21。具體而言，如圖4所示，第一槽配置區(qū)域21配置干與粘貼在膠帶2上的所有的半導(dǎo)體芯片Ia的外周部對應(yīng)的位置，因此成柵格狀配置(圖4的斜線部分)。另外，如圖5、6所示，第一槽配置區(qū)域21配置為當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia被保持在保持臺11的上表面時(shí)，各個半導(dǎo)體芯片Ia的外周端部四邊位于第一槽21a上。在圖4 圖6中，省略第一槽21a和第二槽22a的圖示。第二槽22a配置于與被保持在保持臺11上表面的半導(dǎo)體芯片Ia的中央部對應(yīng)的位置。即，第二槽22a配置于保持臺11的保持一個半導(dǎo)體芯片Ia的區(qū)域20的中央部(以下，稱作第二槽配置區(qū)域)22。具體而言，如圖4所示，第二槽配置區(qū)域22配置干與粘貼在膠帶2上的所有的半導(dǎo)體芯片Ia的中央部對應(yīng)的位置，因此被成柵格狀配置的第一槽配置區(qū)域21包圍，成島狀配置(被圖4的斜線部分包圍的白地部分)。因此，當(dāng)在保持臺11保持半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，如圖6所示，各個第二槽配置區(qū)域22成為分別被一個半導(dǎo)體芯片Ia覆蓋的狀態(tài)。另外，第一槽配置區(qū)域21的第二槽配置區(qū)域 22 ー側(cè)的一部分成為被半導(dǎo)體芯片Ia的外周部覆蓋的狀態(tài)(圖6中，用虛線表示第一槽配置區(qū)域21和第二槽配置區(qū)域22的交界線)。這樣，第一槽21a和第二槽22a根據(jù)成柵格狀粘貼在膠帶2上的半導(dǎo)體芯片Ia的芯片尺寸和個數(shù)，交替重復(fù)地配置。第一槽21a也可以在第一槽配置區(qū)域21設(shè)置多個。第二槽22a也可以在第二槽配置區(qū)域22設(shè)置多個。例如，保持臺11也可以采用以下結(jié)構(gòu)交替重復(fù)地設(shè)置在第一槽配置區(qū)域21配置有四個第一槽21a并且在其相鄰的第二槽配置區(qū)域22配置有七個第二槽22a的區(qū)域。設(shè)置于第一槽配置區(qū)域21的第一槽21a的數(shù)量和設(shè)置于第二槽配置區(qū)域22的第二槽22a的數(shù)量，分別根據(jù)一個半導(dǎo)體芯片Ia的芯片尺寸來決定。另外，第一槽21a和第二槽22a具有朝著保持臺11的深度方向?qū)挾戎饾u變窄的截面形狀。具體而言，第一槽21a和第二槽22a具有開ロ部的寬度比底部寬的三角形的截面形狀。第一槽21a的開ロ部的寬度tl例如也可以是O. 5mm以上3mm以下。第二槽22a的開ロ部的寬度t2比第一槽21a的開ロ部的寬度tl窄。第二槽22a的開ロ部的寬度t2例如具有第一槽21a的開ロ部的寬度tl的1/3或1/2程度的寬度。因此，由膠帶2和第二槽22a形成的第二空間14b的截面積比由膠帶2和第一槽21a形成的第一空間14a的截面積小。由此，當(dāng)密閉空間14被減壓機(jī)構(gòu)進(jìn)行了減壓時(shí)，在第一空間14a中的壓カ損失比在第二空間14b中的壓カ損失小。因此，在第一空間14a中的減壓比在第二空間14b中的減壓大。因此，膠帶2的形成第一空間14a的部分比膠帶2的形成第二空間14b的部分更早地變形，從半導(dǎo)體芯片Ia剝離。由膠帶2和第一槽21a形成的第一空間14a的截面積是具有以第一槽21a的開ロ部的寬度tl作為底面部分并且第一槽21a的深度作為高度部分的倒三角形的截面形狀的第一槽21a的截面積。由膠帶2和第二槽22a形成的第二空間14b的截面積是具有以第二槽22a的開ロ部的寬度t2作為底面部分并且第二槽22a的深度作為高度部分的倒三角形的截面形狀的第二槽22a的截面積。如圖7所示，通過設(shè)置于保持臺11的多個槽(第一槽21a和第二槽22a)的開ロ部側(cè)的端部，形成與被保持在保持臺11的粘貼有半導(dǎo)體芯片Ia的膠帶2的背面點(diǎn)接觸的頂點(diǎn)部。即，該頂點(diǎn)部是由相鄰的槽的側(cè)壁構(gòu)成的圓錐狀或四角錐狀的突起部23的頂點(diǎn)部。被保持在保持臺11的半導(dǎo)體芯片Ia僅在突起部23的頂點(diǎn)部被保持。由第一槽21a的側(cè)壁構(gòu)成的突起部23的頂點(diǎn)部間的距離是第一槽21a的開ロ部的寬度tl。由第一槽21a的側(cè)壁和第二槽22a的側(cè)壁構(gòu)成的突起部23的頂點(diǎn)部間的距離、和由第二槽22a的側(cè)壁構(gòu)成的突起部23的頂點(diǎn)部間的距離是第二槽22a的開ロ部的寬度t2。被保持在保持臺11的多個半導(dǎo)體芯片Ia分別被至少四個突起部23的頂點(diǎn)部保持。第一槽配置區(qū)域21和第二槽配置區(qū)域22中的突起部23的尺寸各異，但在圖7中省略其圖
/Jn ο另外，突起部23的頂點(diǎn)部的高度相等。由此，在半導(dǎo)體芯片Ia以其粘貼有膠帶2的一側(cè)的面朝下的方式被保持在保持臺11的上表面時(shí)，形成由膠帶2、第一槽21a和第二槽22a圍成的密閉空間14。另外，第一槽21a和第二槽22a設(shè)置為例如不從保持臺11的上表面到達(dá)保持臺11的上表面的相反一側(cè)的面的深度。只要能夠使第二空間14b的截面積比第一空間14a的截面積小，第一槽21a和第二槽22a的深度也可以各不相同。 在密閉空間14被減壓機(jī)構(gòu)減壓后，夾頭進(jìn)行吸引吸附半導(dǎo)體芯片la，從保持臺11上拾起半導(dǎo)體芯片la。具體而言，在半導(dǎo)體芯片Ia與膠帶2的接觸部分僅是與突起部23的頂點(diǎn)部對應(yīng)的部分，即直到與第一、ニ槽21a、22a對應(yīng)的部分的膠帶2從半導(dǎo)體芯片Ia的背面剝離，膠帶2進(jìn)行變形，之后夾頭進(jìn)行吸引拾起半導(dǎo)體芯片la。另外，夾頭配置為與被保持在保持臺n上的半導(dǎo)體芯片Ia空開預(yù)先設(shè)定的間隔。具體而言，夾頭的吸附半導(dǎo)體芯片Ia的面與被保持在保持臺11上的半導(dǎo)體芯片Ia的間隔(以下，為夾頭與半導(dǎo)體芯片Ia的間隔)h優(yōu)選O. 05mm以上O. 5mm以下。其理由如下所述。通過使夾頭與半導(dǎo)體芯片Ia的間隔h在O. 05mm以上,夾頭不會被向半導(dǎo)體芯片Ia推壓，因此能夠防止形成于半導(dǎo)體芯片Ia的表面的元件構(gòu)造等受到損傷。此外，通過使夾頭與半導(dǎo)體芯片Ia的間隔h在O. 05mm以上，即使當(dāng)從半導(dǎo)體芯片Ia剝離了膠帶2時(shí)在半導(dǎo)體芯片Ia上產(chǎn)生翹曲，也能夠避免半導(dǎo)體芯片Ia接觸夾頭。另外，通過使夾頭與半導(dǎo)體芯片Ia的間隔h在O. 5mm以下，能夠?qū)A頭的吸引力維持在能夠進(jìn)行吸引吸附半導(dǎo)體芯片Ia的程度。拾起裝置10還可以具備加熱膠帶2的加熱機(jī)構(gòu)(未圖示)。利用加熱機(jī)構(gòu)來加熱膠帶2，由此膠帶2就容易變形。具體而言，加熱機(jī)構(gòu)例如也可以是加熱由膠帶2、第一槽21a、第二槽22a和外壁部13圍成的密閉空間14的加熱器。構(gòu)成拾起裝置10的減壓機(jī)構(gòu)、夾頭和加熱機(jī)構(gòu)的控制，例如是通過使用記錄在拾起裝置10中的ROM、RAM、磁盤、光盤等中的程序和數(shù)據(jù)，由CPU實(shí)施規(guī)定的程序來進(jìn)行的。下面，對拾起裝置10的拾起半導(dǎo)體芯片Ia的拾起方法進(jìn)行說明。圖9、10是順序表示實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的動作的截面圖。首先，如圖8所示，在保持臺11的上表面，以粘貼有膠帶2的一側(cè)的面朝下的方式載置被固定在切割框上的半導(dǎo)體芯片Ia(參照圖I)。各個半導(dǎo)體芯片Ia成為通過膠帶2被分別保持在突起部23的頂點(diǎn)部的狀態(tài)。由此，在膠帶2與保持臺11之間，形成由膠帶2、第一槽21a、第二槽22a和外壁部13圍成的密閉空間14。接著，利用減壓機(jī)構(gòu)(未圖示)通過通氣孔12對密閉空間14進(jìn)行減壓。由此，在粘貼于半導(dǎo)體芯片Ia的膠帶2上產(chǎn)生負(fù)壓。如上所述，第一空間14a的寬度比第二空間14b的寬度大，第一空間14a的截面積比第二空間14b的截面積大。由此,與第二空間14b相比，在第一空間14a中減壓變大，所以如圖9 (a)所示，只有處于平坦?fàn)顟B(tài)的膠帶2的形成第一空間14a的部分如圖9 (b)所示，沿著第一槽21a的內(nèi)壁進(jìn)行變形。膠帶2的形成第二空間14b的部分并未變形。S卩，膠帶2僅從半導(dǎo)體芯片Ia的外周部側(cè)被剝離。另ー方面，半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)成為粘貼在膠帶2上的狀態(tài)。因此，半導(dǎo)體芯片Ia在半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)充分地與膠帶2粘合，被保持在保持臺11的上表面。然后，繼續(xù)減壓機(jī)構(gòu)對密閉空間14的減壓，由此如圖10 (a)所示，膠帶2的形成第二空間14b的部分沿著第二槽22a的內(nèi)壁變形。由此，半導(dǎo)體芯片Ia和膠帶2成為僅在與突起部23的頂點(diǎn)部對應(yīng)的部分接觸的狀態(tài)。因此，成為膠帶2基本上從半導(dǎo)體芯片Ia被剝離的狀態(tài)，半導(dǎo)體芯片Ia與膠帶2的粘著力大致為零。另外，通過利用減壓機(jī)構(gòu)繼續(xù)對密閉空間14進(jìn)行減壓，膠帶2被維持在與第一槽21a和第二槽22a的內(nèi)壁接觸的狀態(tài)。由此，當(dāng)利用夾頭拾起半導(dǎo)體芯片Ia吋，從半導(dǎo)體芯片Ia上剝離的膠帶2不會與半導(dǎo)體芯片Ia —同被夾頭拾起。 接著，如圖10 (b)所示，利用與被突起部23的頂點(diǎn)部所保持的半導(dǎo)體芯片Ia空開預(yù)先設(shè)定的間隔h配置于半導(dǎo)體芯片Ia的上方的夾頭31，進(jìn)行吸引吸附半導(dǎo)體芯片la，從保持臺11上拾起半導(dǎo)體芯片la。夾頭31與半導(dǎo)體芯片Ia的間隔h優(yōu)選O. 05mm以上
O.5mm以下。其原因如上所述。由此，利用拾起裝置10進(jìn)行的半導(dǎo)體芯片Ia的拾起結(jié)束。在拾起裝置10具備加熱機(jī)構(gòu)的情況下，也可以利用加熱機(jī)構(gòu)加熱膠帶2，并且利用減壓機(jī)構(gòu)對密閉空間14進(jìn)行減壓。通過利用加熱機(jī)構(gòu)加熱膠帶2，膠帶2容易變形。因此，膠帶2容易沿著第一槽21a和第二槽22a的內(nèi)壁變形，從半導(dǎo)體芯片Ia剝離。如以上所說明的那樣，根據(jù)實(shí)施方式一，在對保持臺11的半導(dǎo)體芯片Ia進(jìn)行保持的一側(cè)的面(上表面)設(shè)置第一槽21a和第二槽22a。由此，當(dāng)利用減壓機(jī)構(gòu)對由膠帶、第一槽21a和第二槽22a圍成的密閉空間14進(jìn)行減壓時(shí)，在由膠帶2和第一槽21a形成的第一空間14a中的減壓損失，比在由膠帶2和第二槽22a形成的第二空間14b中的減壓損失小。因此，當(dāng)對密閉空間14進(jìn)行減壓從半導(dǎo)體芯片Ia剝離膠帶2時(shí)，能夠使半導(dǎo)體芯片Ia的外周部側(cè)的膠帶2比半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)的膠帶2更早地剝離。因此，當(dāng)剝離半導(dǎo)體芯片Ia的外周部側(cè)的膠帶2吋，能夠使半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)充分地緊貼膠帶2。因此，即使從半導(dǎo)體芯片Ia的外周部側(cè)剝離膠帶2的定時(shí)產(chǎn)生偏差，也能避免半導(dǎo)體芯片Ia成為相對于保持臺11傾斜的狀態(tài)。進(jìn)而之后，當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)的膠帶2被剝離時(shí)，半導(dǎo)體芯片Ia的外周部側(cè)的膠帶2已經(jīng)被剝離。因此，在將半導(dǎo)體芯片Ia保持在相對于保持臺11平行的狀態(tài)下，能夠剝離半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)的膠帶2。由此，不受半導(dǎo)體芯片Ia背面的表面粗糙度、背面電極的有無和膠帶的剛性的影響，在將半導(dǎo)體芯片Ia保持在相對于保持臺11平行的狀態(tài)下，能夠可靠地從半導(dǎo)體芯片Ia剝離膠帶2。另外，在利用減壓機(jī)構(gòu)對由膠帶2、第一槽21a和第二槽22a所圍成的密閉空間14進(jìn)行減壓后，半導(dǎo)體芯片Ia和膠帶2成為在與突起部23的頂點(diǎn)部對應(yīng)的部分點(diǎn)接觸的狀態(tài)，且成為膠帶基本上從半導(dǎo)體芯片被剝離的狀態(tài)。因此，能夠使半導(dǎo)體芯片Ia與膠帶2的粘著力大致為零。因此，例如不像現(xiàn)有技術(shù)那樣進(jìn)行利用針等頂起半導(dǎo)體芯片Ia的處理，就能夠從半導(dǎo)體芯片上剝離膠帶2。此外，由于能夠使半導(dǎo)體芯片Ia與膠帶2的粘著力大致為零，所以不向半導(dǎo)體芯片Ia推壓夾頭31，在夾頭31與半導(dǎo)體芯片Ia之間空開預(yù)先設(shè)定的間隔h的狀態(tài)下，能夠從保持臺11上拾起半導(dǎo)體芯片la。另外，由于能夠使半導(dǎo)體芯片Ia與膠帶2的粘著力大致為零，所以不會成為半導(dǎo)體芯片Ia的一部分一直粘在膠帶2上的狀態(tài)。由此，利用夾頭31的吸引力，能夠可靠地拾起半導(dǎo)體芯片la。這樣，不向半導(dǎo)體芯片Ia推壓夾頭31，且不使半導(dǎo)體芯片Ia相對于保持臺11傾斜，能夠拾起保持臺11上的半導(dǎo)體芯片la。因此，能夠降低從膠帶2上剝離時(shí)的半導(dǎo)體芯片Ia的殘缺和損傷。另外，利用拾起裝置10能夠拾起被減薄(薄化)的半導(dǎo)體芯片la，并且能夠安全地搬運(yùn)被減薄的半導(dǎo)體芯片la。(第二實(shí)施方式)
圖11是表示實(shí)施方式ニ的半導(dǎo)體器件的制造裝置的主要部分的截面圖。另外，圖12是表示被保持在實(shí)施方式ニ的半導(dǎo)體器件的制造裝置中的狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片的截面圖。在實(shí)施方式ニ的半導(dǎo)體器件的制造裝置(拾起裝置)40中，與實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置的不同之處在于，第一槽51a和第二槽52a的截面形狀為矩形。如圖11所示，拾起裝置40的保持臺11具有設(shè)置于保持臺11的上表面的第一槽51a和第二槽52a ;與第一槽51a和第二槽52a連結(jié)的至少ー個以上的通氣孔12 ;和與保持臺11的側(cè)面接觸并包圍保持臺11的外壁部13。通氣孔12例如與第一槽51a或第二槽52a的底部連結(jié)。另外，通氣孔12貫穿保持臺11，與減壓機(jī)構(gòu)連結(jié)。第一槽51a和第二槽52a與配置于實(shí)施方式一的拾起裝置的保持臺上的第一槽和第二槽同樣，配置于第一槽配置區(qū)域51和第二槽配置區(qū)域52。第一槽51a和第二槽52a具有大致矩形的截面形狀。第一槽51a的寬度t3與實(shí)施方式一的第一槽的開ロ部的寬度相同。第二槽52a的寬度t4與實(shí)施方式一的第二槽的開ロ部的寬度相同。因此，如圖12所示，由膠帶2和第二槽52a形成的第二空間44b的截面積比由膠帶2和第一槽51a形成的第一空間44a的截面積小。因此，當(dāng)由膠帶2、第一槽51a、第二槽52a和外壁部13所圍成的密閉空間44被減壓機(jī)構(gòu)進(jìn)行了減壓吋，與第二空間44b相比，在第一空間44a中減壓變大。因此，與實(shí)施方式一同樣，半導(dǎo)體芯片Ia的外周部側(cè)的膠帶2比半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)的膠帶2更早地被剝離。之后，通過繼續(xù)利用減壓機(jī)構(gòu)對密閉空間44的減壓，半導(dǎo)體芯片Ia的中央部側(cè)的膠帶2也被剝離，膠帶2沿著第一槽51a和第二槽52a的內(nèi)壁(側(cè)壁和底面)變形，被保持在保持臺11的上表面。由設(shè)置于保持臺11的多個槽(第一槽51a和第二槽52a)的開ロ部側(cè)的端部，形成與粘貼有被保持在保持臺11上的半導(dǎo)體芯片Ia的膠帶2的背面點(diǎn)接觸的頂點(diǎn)部。即，該頂點(diǎn)部是由相鄰的槽的側(cè)壁構(gòu)成的四角柱狀的突起部53的頂點(diǎn)部。被保持在保持臺11上的半導(dǎo)體芯片Ia僅被突起部53的頂點(diǎn)部保持。突起部53形成為突起部53的頂點(diǎn)部與半導(dǎo)體芯片Ia的接觸面積小。由第一槽51a的側(cè)壁構(gòu)成的突起部53的頂端部間的距離，是第一槽51a的開ロ部的寬度t3。由第一槽51a的側(cè)壁與第二槽52a的側(cè)壁構(gòu)成的突起部53的頂點(diǎn)部間的距離、和由第二槽52a的側(cè)壁構(gòu)成的突起部53的頂點(diǎn)部間的距離，是第二槽52a的開ロ部的寬度t4。被保持在保持臺11上的多個半導(dǎo)體芯片la分別被至少4個突起部53的頂點(diǎn)部保持。拾起裝置40的第一槽51a和第二槽52a以外的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式一的拾起裝置的結(jié)構(gòu)相同。另外，利用拾起裝置40進(jìn)行的半導(dǎo)體芯片Ia的拾起方法與實(shí)施方式一的拾起裝置相同。如以上所說明的那樣，根據(jù)實(shí)施方式ニ，能夠獲得與實(shí)施方式一的半導(dǎo)體器件的制造裝置(拾起裝置)和半導(dǎo)體器件的制造方法(拾起方法)相同的效果。在以上的本發(fā)明中，以在保持臺上設(shè)置第一、ニ槽的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了說明，但是并非限定于上述實(shí)施方式，也可以采用在保持臺上還增加具有與第一、ニ槽不同的寬度的槽的結(jié)構(gòu)。具體而言，例如，也可以與上述實(shí)施方式同樣地在保持臺上設(shè)置第一、ニ槽，此外還可以在與被保持在保持臺上的半導(dǎo)體芯片的中央部對應(yīng)的位置的、與第二槽相比更靠近半導(dǎo)體芯片的中心側(cè)，配置具有比第二槽窄的寬度的第三槽。即，還可以在與被保持在保持臺 上的半導(dǎo)體芯片的外周部對應(yīng)的位置設(shè)置寬度最寬的槽，按照從與被保持在保持臺上的半導(dǎo)體芯片的外周部對應(yīng)的位置至與半導(dǎo)體芯片的中心對應(yīng)的位置，槽的寬度變窄的方式，配置具有不同的寬度的多個槽。另外，本發(fā)明，在被減薄的半導(dǎo)體芯片的背面粘貼膠帶之前，在半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)刃纬杀趁骐姌O等的情況下，也能得到同樣的效果。エ業(yè)上的可利用性如以上那樣，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法，在將被切割的半導(dǎo)體芯片從膠帶拾起分離成各個半導(dǎo)體芯片時(shí)有用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造裝置，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，包括保持臺，具有設(shè)置于保持所述半導(dǎo)體芯片的面的多個槽和與所述槽連結(jié)的至少ー個通氣孔；第一槽，在所述槽之中，配置干與被保持在所述保持臺上的所述半導(dǎo)體芯片的外周部對應(yīng)的位置；第二槽，在所述槽之中，具有比所述第一槽窄的寬度，并且配置干與被保持在所述保持臺上的所述半導(dǎo)體芯片的中央部對應(yīng)的位置；頂點(diǎn)部，由所述槽的開ロ部側(cè)的端部形成，與被保持在所述保持臺上的所述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸；減壓機(jī)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有所述膠帶的一側(cè)的面朝向所述保持臺側(cè)的方式被保持在所述頂點(diǎn)部后，經(jīng)由所述通氣孔對由所述槽和所述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓；和吸引機(jī)構(gòu)，在所述空間被所述減壓機(jī)構(gòu)減壓后，進(jìn)行吸引來拾起被保持在所述頂點(diǎn)部的所述半導(dǎo)體芯片。
2.—種半導(dǎo)體器件的制造裝置，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于，包括保持臺，具有設(shè)置于對所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行保持的一側(cè)的面的多個槽和與所述槽連結(jié)的至少ー個通氣孔；頂點(diǎn)部，由所述槽的開ロ部側(cè)的端部形成，與被保持在所述保持臺上的所述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸；減壓機(jī)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有所述膠帶的一側(cè)的面朝向所述保持臺側(cè)的方式被保持在所述頂點(diǎn)部后，經(jīng)由所述通氣孔對由所述槽和所述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓；和吸引機(jī)構(gòu)，與被保持在所述頂點(diǎn)部的所述半導(dǎo)體芯片空開預(yù)先設(shè)定的間隔地配置，在所述空間被所述減壓機(jī)構(gòu)減壓后，進(jìn)行吸引來拾起被保持在所述頂點(diǎn)部的所述半導(dǎo)體芯片。
3.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于所述減壓機(jī)構(gòu)，使粘貼在所述半導(dǎo)體芯片上的所述膠帶以沿著所述槽的內(nèi)壁的方式變形。
4.如權(quán)利要求I 3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于所述減壓機(jī)構(gòu)對所述空間進(jìn)行減壓，直到所述半導(dǎo)體芯片與所述膠帶的接觸部分變成僅是與所述頂點(diǎn)部對應(yīng)的部分。
5.如權(quán)利要求I 4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于還包括與所述保持臺的側(cè)面接觸、包圍所述保持臺的外壁部，所述外壁部的保持有所述半導(dǎo)體芯片的ー側(cè)的面，與所述保持臺的保持所述半導(dǎo)體芯片ー側(cè)的面高度相同。
6.如權(quán)利要求I 5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于所述頂點(diǎn)部由相鄰的所述槽的側(cè)壁構(gòu)成的圓錐狀、四角錐狀或四角柱狀的突起部的頂點(diǎn)部構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求I 6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片的共有一個頂點(diǎn)的兩邊的尺寸比是O. 75以上I. 25以下。
8.如權(quán)利要求I 7中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于所述通氣孔在所述保持臺的保持一個所述半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中至少設(shè)置四處。
9.如權(quán)利要求I 8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于所述吸引機(jī)構(gòu)，與被所述頂點(diǎn)部保持的所述半導(dǎo)體芯片空開O. 05mm以上O. 5mm以下的間隔地配置。
10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括在由設(shè)置于保持臺上的槽的開ロ部側(cè)的端部形成、且與被保持在所述保持臺上的所述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸的頂點(diǎn)部，將所述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有所述膠帶一側(cè)的面朝向所述保持臺側(cè)的方式保持的保持エ序；在所述保持エ序后，對由所述槽和所述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓的減壓エ序，其中，所述槽由配置干與所述半導(dǎo)體芯片的外周部對應(yīng)的位置的第一槽、和具有比所述第一槽窄的寬度且配置于所述保持臺的與所述半導(dǎo)體芯片的中央部對應(yīng)的位置的第二槽構(gòu)成；和在所述減壓エ序后，進(jìn)行吸引來拾起被所述頂點(diǎn)部保持的所述半導(dǎo)體芯片的吸引エ序。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，是從膠帶上拾起通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括在由設(shè)置于保持臺上的槽的開ロ部側(cè)的端部形成、且與被保持在所述保持臺上的所述半導(dǎo)體芯片點(diǎn)接觸的頂點(diǎn)部，將所述半導(dǎo)體芯片以其粘貼有所述膠帶一側(cè)的面朝向所述保持臺側(cè)的方式保持的保持エ序；在所述保持エ序后，對由所述槽和所述膠帶圍成的空間進(jìn)行減壓的減壓エ序；和在所述減壓エ序后，利用以與被所述頂點(diǎn)部保持的所述半導(dǎo)體芯片空開預(yù)先設(shè)定的間隔的方式而配置的吸引機(jī)構(gòu)，進(jìn)行吸引來拾起所述半導(dǎo)體芯片的吸引エ序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠減低從膠帶上剝離時(shí)的半導(dǎo)體芯片的殘缺和損傷的半導(dǎo)體器件的制造裝置和半導(dǎo)體器件的制造方法。拾起裝置(10)具備保持被粘貼在膠帶上的狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片的保持臺(11)。在保持臺(11)的保持有半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的面設(shè)置有第一槽(21a)和第二槽(22a)。在第一槽(21a)和第二槽(22a)連結(jié)至少一個以上的通氣孔(12)。第二槽的開口部的寬度(t2)比第一槽的開口部的寬度(t1)窄。拾起裝置(10)，將半導(dǎo)體芯片以使粘貼有膠帶的一側(cè)朝下的方式保持在第一、二槽的頂點(diǎn)部，利用減壓機(jī)構(gòu)對由膠帶、第一槽和第二槽圍成的密閉空間進(jìn)行減壓后，利用夾頭從保持臺拾起半導(dǎo)體芯片。
文檔編號H01L21/683GK102832158SQ201210182709
公開日2012年12月19日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者田中陽子 申請人:富士電機(jī)株式會社