專利名稱：模塊和制造模塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及模塊和用于制造模塊的方法。
背景技術(shù)：
電子部件封裝一般是半導(dǎo)體器件制造的最后階段。電子部件可以合并到獨(dú)立保護(hù)封裝中、與其他部件一同安裝在混合或多部件模塊中或直接連接在印刷電路板(PCB)上。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種模塊包含第一半導(dǎo)體器件、布置在第一半導(dǎo)體器件上的框架以及布置在框架上的第二半導(dǎo)體器件，該框架包含腔，其中該第二半導(dǎo)體器件 密封該腔。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種制造方法包含將框架附著到射頻(RF)濾波器，該框架包含腔；以及通過附著半導(dǎo)體器件到該框架密封該腔。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種模塊包含凸塊鍵合到支撐基板的第一半導(dǎo)體器件以及凸塊鍵合到支撐基板的第二半導(dǎo)體器件。該模塊還包含框架，該框架包含布置在第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件之間的腔。


為了更透徹地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在對結(jié)合附圖的下面的描述做出參考，附圖中
圖Ia-Ic示出常規(guī)射頻(RF)濾波器獨(dú)立器件的剖面圖和頂視 圖2a_2b示出常規(guī)射頻(RF)模塊的頂視圖；以及 圖3a_3e示出射頻(RF)模塊的實(shí)施例的剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)討論當(dāng)前實(shí)施例的制備和使用。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明提供能夠在廣泛的各種特定語境中實(shí)施的很多可應(yīng)用的發(fā)明概念。討論的特定實(shí)施例僅是制備和使用本發(fā)明的特定方式的說明，且并不限制本發(fā)明的范圍。將參考特定語境中的實(shí)施例、即射頻模塊描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明也可以應(yīng)用于其他模塊。圖Ia-Ic示出常規(guī)射頻(RF)濾波器獨(dú)立器件100。RF濾波器102布置在引線框架104上。RF濾波器102包括框架106，該框架106具有布置在RF濾波器102上的腔107。腔107被蓋110覆蓋。蓋110可以是諸如半導(dǎo)電材料或金屬的機(jī)械剛性材料。RF濾波器102經(jīng)由引線鍵合112電連接到引線框架104。圖2a和2b示出常規(guī)射頻(RF)模塊200的頂視圖。在蓋206組裝之前(圖2a)和在放置蓋206之后(圖2b), RF模塊200包含薄小無引腳封裝(thin small non lead package,TSNP)引線框架上的兩個SAW濾波器202和低噪聲放大器(LNA)204。RF濾波器202和LNA204并排布置在TSNP引線框架上。包括有機(jī)蓋層(organic cover) 205的框架布置在每個SAff濾波器202上。蓋206放置在有機(jī)蓋層205中的每一個上。因?yàn)長NA 204和SAW濾波器202的并排布置，射頻(RF)模塊200包含大引線框架區(qū)域。本發(fā)明的實(shí)施例提供包括布置在RF濾波器上方的半導(dǎo)體器件的模塊。其他實(shí)施例可以通過直接連接第一半導(dǎo)體器件到RF濾波器提供半導(dǎo)體器件和RF濾波器之間的短電學(xué)連接。本發(fā)明的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省板空間、模塊足印(footprint)或封裝大小。在模塊的高度不增加或僅僅最低限度地增加的同時，能夠充分減小模塊的大小。另一優(yōu)點(diǎn)在于半導(dǎo)體器件可以增加框架/保護(hù)腔的機(jī)械穩(wěn)定性。半導(dǎo)體器件可以具有比常規(guī)蓋更加剛性的材料屬性。通過RF濾波器和半導(dǎo)體器件之間的短引線距離可以提供又一優(yōu)點(diǎn)。例如，較短的引線長度可以較不受串?dāng)_影響，提供更可控制的阻抗，較不受電磁干擾(EMI)影響，產(chǎn)生較少的EMI和/或向發(fā)送的信號引入較少的延遲。 諸如表面聲波(SAW)濾波器、體聲波(BAW)濾波器或薄膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器等的射頻濾波器需要具有諧振腔的封裝。這些諧振腔允許有聲學(xué)有源區(qū)域上方的自由表面。同時，限定腔的框架材料可以與半導(dǎo)體制造環(huán)境相兼容。典型地，封裝中的腔可以由金屬、陶瓷或硅蓋密封。圖3a示出模塊300的第一實(shí)施例的剖面圖。模塊300包含支撐基板302、第一半導(dǎo)體器件304、包括腔307的框架306以及第二半導(dǎo)體器件308。第一半導(dǎo)體器件304和第二半導(dǎo)體器件308可以使用引線310電連接到支撐基板302。支撐基板302例如可以是引線框架、基于玻璃芯的基板或印刷電路板等。支撐基板302可以包含諸如鎳(Ni)或銅(Cu)的導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，支撐基板302可以電鍍有銀(Ag)或金(Au)，且在其他實(shí)施例中可以電鍍有諸如鈀/金(Pd/Au)的金屬層堆疊。備選地，支撐基板302可以是包含玻璃纖維和環(huán)氧樹脂以及預(yù)浸料坯(prepreg)芯基板的PCB板或玻璃載體。支撐基板302可以包含源于上述導(dǎo)電材料或源于諸如鎳(Ni )或鋁(Al)的另一導(dǎo)電材料的金屬化接觸墊。第一半導(dǎo)體器件304可以是諸如表面聲波(SAW)濾波器、體聲波(BAW)濾波器或薄膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器等的射頻(RF)器件。備選地，第一半導(dǎo)體器件304可以是其他濾波器、諧振器、振蕩器、變換器、傳感器或具有需要保護(hù)的區(qū)域的器件。第一半導(dǎo)體器件304可以包含多個濾波器和/或其他器件。例如，第一半導(dǎo)體器件304可以包含兩個或更多SAW濾波器或兩個或更多BAW濾波器。備選地，第一半導(dǎo)體器件304可以包含諸如BAff濾波器和SAW濾波器或傳感器和濾波器等的兩種或更多不同種類的器件。第一半導(dǎo)體器件304可以配置成接收信號、過濾信號、變換信號或提供信號。例如，半導(dǎo)體器件304可以配置成通過特定范圍內(nèi)信號的頻率、通過信號的高頻或通過信號的低頻。SAW器件一般制造在壓電和/或熱電基板上。SAW器件用于通過采用諸如石英、鈮酸鋰、鉭酸鋰、娃酸鎵鑭之類的材料的壓電效應(yīng)將聲波轉(zhuǎn)換成電信號或反之亦然。SAW器件典型地在高達(dá)約3GHz的頻率范圍中操作。BAW器件一般制造在娃基板上。BAW器件可以實(shí)現(xiàn)半階梯(half-ladder)、全階梯(full-ladder)、晶格或堆疊拓?fù)渲C振器。例如，BAW器件可以由諧振器的網(wǎng)絡(luò)形成。器件可以設(shè)計(jì)成避免不希望的頻率被發(fā)送，同時允許其他特定頻率被接收和發(fā)送。BAW濾波器典型地在約2GHz至約16GHz的頻率操作，且可以比等效的SAW濾波器更小或更薄。FBAR器件一般可以包含夾置在兩個電極之間且與周圍介質(zhì)聲學(xué)隔離的壓電材料。FBAR器件可以由厚度范圍從幾微米到十分之一微米的壓電薄膜制造。器件可以在大體約IOOMHz至約IOGHz的頻率范圍內(nèi)諧振。氮化鋁和氧化鋅是在FBAR中使用的兩種常見壓電材料。第一半導(dǎo)體器件304包含表面上應(yīng)當(dāng)被保護(hù)的區(qū)域。例如，諸如器件電路的有源區(qū)或SAW、BAW或FBAR的諧振器等的區(qū)域應(yīng)當(dāng)不被觸摸，因?yàn)檫@將減弱聲波或?qū)⒏淖優(yōu)V波器的操作頻率。具有該區(qū)域上方的保護(hù)腔307的框架306可以提供保護(hù)。例如，框架306可以圍繞該區(qū)域。框架306/保護(hù)腔307保護(hù)該區(qū)域以免污染(例如顆粒)、機(jī)械損壞(例如劃痕)、環(huán)境影響(例如濕度)或箝位。保護(hù)腔307可以是一個大的腔或可以是多個小的腔。例如，第一半導(dǎo)體器件304可以包含兩個濾波器且可以包含一個大的保護(hù)腔或可以包含兩個較小的腔。 框架306可以由諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、微楷化學(xué)(MiciX)Chem)制造的SU_8 或其他聚合物之類的有機(jī)材料制成。備選地，框架306可以由陶瓷或金屬制成。在一個示例中，框架306完全包住(encapsulate)保護(hù)腔307。在另一示例中，保護(hù)腔307的頂表面不被框架306覆蓋或僅被框架306部分地覆蓋。保護(hù)腔307例如可以是矩形、橢圓或圓形。第二半導(dǎo)體器件308可以位于框架306的頂部上且可以覆蓋保護(hù)腔307。在一個實(shí)施例中，保護(hù)腔307可以被氣密密封?？蚣?06和/或第二半導(dǎo)體器件308可以保護(hù)和密封保護(hù)腔307以免成型流(molding flow)。注意,如果第二半導(dǎo)體器件308不位于框架306的頂部上，保護(hù)腔307的框架306可能會由于高的成型壓力而破裂。在一個實(shí)施例中，保護(hù)腔307被密封，但不被氣密密封。第二半導(dǎo)體器件308可以使用管芯附著箔312、環(huán)氧粘合劑層312和絕緣聚酰亞胺312等附著到框架。第二半導(dǎo)體器件308可以是分立或獨(dú)立器件或集成電路。例如，第二半導(dǎo)體器件308可以是功率放大器、低噪聲放大器(LNA)或開關(guān)。備選地，第二半導(dǎo)體器件308可以包含這些器件和/或晶體管或電容器的組合。第二半導(dǎo)體器件308可以配置成處理信號、放大信號、切換信號或發(fā)送信號。例如，半導(dǎo)體器件308可以配置成放大特定頻率范圍內(nèi)的信號、放大具有高頻率的信號或者放大具有低頻率的信號。第一半導(dǎo)體器件304可以管芯鍵合到支撐基板302。在一個實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體器件304和支撐基板302之間的連接可以是非導(dǎo)電鍵合。例如，非導(dǎo)電鍵合可以通過使用環(huán)氧粘合劑或絕緣聚酰亞胺形成。備選地，第一半導(dǎo)體器件304使用管芯附著箔附著到支撐基板302。在一個實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體器件304和支撐基板302之間的連接可以是導(dǎo)電鍵合。導(dǎo)電鍵合可以通過使用金/錫共晶體、銅/錫金屬層、金屬填充的環(huán)氧物或?qū)щ娋埘啺沸纬?。第二半?dǎo)體器件308可以附著到框架306。例如，第二半導(dǎo)體器件308可以管芯鍵合到框架306，使得腔307被密封。第二半導(dǎo)體器件308可以經(jīng)由諸如管芯附著箔、環(huán)氧粘合劑或絕緣聚酰亞胺之類的非導(dǎo)電鍵合連接到框架306。第一半導(dǎo)體器件304和第二半導(dǎo)體器件308然后可以使用引線310引線鍵合到支撐基板302。引線310可以直接鍵合到支撐基板302或鍵合到布置在支撐基板302的頂面上的鍵合墊。引線310可以首先鍵合到第一半導(dǎo)體器件304的鍵合墊，然后穿越支撐基板302且然后被夾住。備選地，引線310可以通過在引線的末端形成球鍵合到支撐基板302或鍵合墊。引線 310的末端在為支撐基板302或鍵合墊安排好預(yù)算的溫度下被超聲按壓。該工藝對于第一半導(dǎo)體器件304的所有鍵合墊和第二半導(dǎo)體器件308的所有鍵合墊重復(fù)。用于引線鍵合的合適的材料可以是銅(Cu)、金(Au)或鋁(Al)。在一個實(shí)施例中，在第二半導(dǎo)體器件308附著到第一半導(dǎo)體器件304的框架306之前，第一半導(dǎo)體器件304可以鍵合到支撐基板302。這在圖3b中示出。第二半導(dǎo)體器件308可以與第一半導(dǎo)體器件304大小相同或比第一半導(dǎo)體器件304大。在執(zhí)行第一半導(dǎo)體器件304的引線鍵合之后，第二半導(dǎo)體器件308附著到框架306。在附著第二半導(dǎo)體器件308之后，器件308然后僅引線鍵合到支撐基板302。圖3c示出模塊300的實(shí)施例，其中第二半導(dǎo)體器件308直接鍵合到第一半導(dǎo)體器件304。例如，引線310從第一半導(dǎo)體器件304的第一鍵合墊鍵合到第二半導(dǎo)體器件308的第二鍵合墊。在射頻應(yīng)用中，兩個半導(dǎo)體器件304、308之間的較短的電引線距離可以提供模塊的改善了或優(yōu)越的性能。此外，從圖3c可以看出，第二半導(dǎo)體器件308布置在完全包住(encapsulate)保護(hù)腔307的框架306上。在所有實(shí)施例中，框架306可以或可以不完全包住保護(hù)腔307。模塊300可以使用諸如樹脂或塑料的模塑料(molding compound)封裝。例如,燒鑄材料可以封裝第一半導(dǎo)體器件304、第二半導(dǎo)體器件308、框架306以及例如引線框架、基于玻璃芯的基板或印刷電路板(PCB)等的支撐基板302的至少一部分。圖3d和3e不出模塊320的其他實(shí)施例。第一半導(dǎo)體器件324和第二半導(dǎo)體器件328可以被焊接到支撐基板322。在圖3d中，較小的第一半導(dǎo)體器件324可以是獨(dú)立器件或集成電路，如參照圖3a所述。較大的第二半導(dǎo)體器件328可以是濾波器(SAW、BAW、FBAR)、諧振器、振蕩器、變換器、傳感器、具有應(yīng)當(dāng)保護(hù)的區(qū)域的器件或其組合。對照地，在圖3e中，較小的第一半導(dǎo)體器件324可以是濾波器(SAW、BAff, FBAR)、諧振器、振蕩器、變換器、傳感器、具有需要保護(hù)的區(qū)域的器件或其組合。較大的第二半導(dǎo)體器件328可以是獨(dú)立器件或集成電路。第一半導(dǎo)體器件324可以使用倒裝芯片技術(shù)焊接到支撐基板322。焊料凸塊(bump)或柱狀凸塊330用于電連接第一半導(dǎo)體器件324到支撐基板322。在一個實(shí)施例中，可回流的焊料凸塊330可以包含諸如錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)、銀(Ag)、銅(Cu)等金屬或其組合。備選地，可回流的焊料基本由錫(Sn)或銀/錫(SnAg)組成。在一個實(shí)施例中，柱狀凸塊330可以包含銅(Cu)，其中焊頂(solder top)包含可回流的焊料凸塊的材料。焊料凸塊或柱狀凸塊330布置在或形成在第一半導(dǎo)體器件324上。第一半導(dǎo)體器件324然后翻轉(zhuǎn)且使得凸塊330與支撐基板322的接觸墊332接觸。可以應(yīng)用或不應(yīng)用助焊劑(flux)。第一半導(dǎo)體器件324和支撐基板322被置入回流爐中，其中該布置被加熱到熔化溫度以上，且凸塊或凸塊的頂部熔化以形成接觸。備選地，接觸可以通過在支撐基板322的加熱的接觸墊332上按壓柱狀凸塊330形成。柱狀凸塊的焊頂熔化且與柱狀材料和支撐基板322/接觸墊322材料形成合金。在一個實(shí)施例中，接觸的合金可以是在接觸墊332上形成的二元錫/銀(Sn/Ag)合金層和在二元錫/銀(Sn/Ag)合金層上方在柱狀凸塊的尖端下方或附近形成的二元銅/錫(Cu/Sn)合金層。三元銅/錫/銀(Cu/Sn/Ag)合金層可以在二元錫/銀(Sn/Ag)合金層和二元銅/錫(Cu/Sn)合金層之間形成。在另一實(shí)施例中，接觸的合金可以是在接觸墊332上形成的二元錫/金(Sn /Au)合金層和在二元錫/金(Sn/Au)合金層上方的柱狀凸塊的尖端下方或附近形成的二元銅/錫(Cu/Sn)合金層。在一個實(shí)施例中，可以在二兀錫/金(Sn/Au)合金層和二兀銅/錫(Cu/Sn)合金層之間形成三元銅/錫/金(Cu/Sn/Au)合金層。在又一實(shí)施例中，接觸的合金可以是兩個二元銅/錫(Cu/Sn)合金層。 包含保護(hù)腔327的框架326在第一半導(dǎo)體器件324是RF濾波器時在第一半導(dǎo)體器件324上形成，且在第二半導(dǎo)體器件328是RF濾波器時在第二半導(dǎo)體器件328上形成?？?架326可以或可以不完全包住保護(hù)腔327。管芯附著箔可以用于連接第一半導(dǎo)體器件324或第二半導(dǎo)體器件328到框架326。第二半導(dǎo)體器件328然后可以使用倒裝芯片技術(shù)焊接到支撐基板322。焊料凸塊或柱狀凸塊334用于電連接第二半導(dǎo)體器件328到支撐基板322的接觸墊336。第二半導(dǎo)體器件328和接觸墊336之間形成的接觸可以與第一半導(dǎo)體器件324和接觸墊332之間形成的接觸相同或可以不同。例如，第一接觸和第二接觸可以均是焊料凸塊、均是柱狀凸塊、或者是柱狀凸塊和焊料凸塊的組合。第二半導(dǎo)體器件328可以密封保護(hù)腔327。密封可以是或可以不是氣密密封。在一個實(shí)施例中，液體焊料的吸引力可以向下拉第二半導(dǎo)體器件328，從而將第二半導(dǎo)體器件328壓在框架326上，由此密封保護(hù)腔327。模塊320最后可以使用諸如樹脂或塑料的模塑料封裝。例如，澆鑄材料可以封裝第一半導(dǎo)體器件324、第二半導(dǎo)體器件328、框架326以及例如引線框架、基于玻璃芯的基板或印刷電路板(PCB)等的支撐基板322的至少一部分。注意第一半導(dǎo)體器件324和第二半導(dǎo)體器件328能夠同時或不同時地焊接到支撐基板322。盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)當(dāng)理解，此處在不偏離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以做出各種改變、替換和變更。此外，本申請的范圍并不旨在限制于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、方式、方法和步驟的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員從本發(fā)明的公開應(yīng)當(dāng)意識到，根據(jù)本發(fā)明，可以利用與此處描述的相應(yīng)實(shí)施例基本執(zhí)行相同功能或基本實(shí)現(xiàn)相同結(jié)果的現(xiàn)有或以后發(fā)展的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、方式、方法或步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在其范圍內(nèi)包括這種工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、方式、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種模塊,包含 第一半導(dǎo)體器件； 布置在第一半導(dǎo)體器件上的框架，該框架包含腔；以及 布置在框架上的第二半導(dǎo)體器件，其中第二半導(dǎo)體器件密封該腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，其中第一半導(dǎo)體器件是射頻(RF)濾波器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，其中第一半導(dǎo)體器件包含配置成被保護(hù)以免受外部損壞的有源區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，其中第一半導(dǎo)體器件選自由表面聲波(SAW)濾波器、體聲波(BAW)濾波器和薄膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器組成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，其中第二半導(dǎo)體器件包含功率放大器、低噪聲放大器(LNA)或開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，其中第二半導(dǎo)體器件配置成從第一半導(dǎo)體器件接收射頻(RF)信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，其中框架包含有機(jī)材料、金屬或陶瓷。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，還包含支撐基板，且其中第一半導(dǎo)體器件布置在支撐基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，還包含引線，其中該引線連接第二半導(dǎo)體器件到第一半導(dǎo)體器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊，還包含封裝模塊的模塑料。
11.一種制造模塊的方法，該方法包含 形成到射頻(RF)濾波器的框架，該框架包含腔；以及 通過附著半導(dǎo)體器件到框架密封該腔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包含在支撐基板上管芯鍵合RF濾波器。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中密封腔包含在框架上管芯鍵合半導(dǎo)體器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包含將RF濾波器和半導(dǎo)體器件引線鍵合到支撐基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在第一步驟中，RF濾波器被管芯鍵合在支撐基板上，其中在第二步驟中，RF濾波器被引線鍵合到支撐基板，其中在第三步驟中，半導(dǎo)體器件放置在框架上，且其中在第四步驟中，半導(dǎo)體器件被引線鍵合到支撐基板。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包含使用模塑料封裝RF濾波器、框架和半導(dǎo)體器件。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包含將半導(dǎo)體器件引線鍵合到RF濾波器。
18.—種模塊,包含 凸塊鍵合到支撐基板的第一半導(dǎo)體器件； 凸塊鍵合到支撐基板的第二半導(dǎo)體器件；以及 包含布置在第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件之間的腔的框架。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的模塊，其中第一半導(dǎo)體器件是RF濾波器，且第二半導(dǎo)體器件包含功率放大器、低噪聲放大器(LNA )、開關(guān)或集成電路。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的模塊,其中第一半導(dǎo)體器件包含功率放大器、低噪聲放大器(LNA)、開關(guān)或集成電路，且第二半導(dǎo)體器件是RF濾波器。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的模塊，還包含包住第一半導(dǎo)體器件、框架和第二半導(dǎo)體器件的模塑材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的模塊，其中凸塊鍵合包含包括柱狀凸塊的互連。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的模塊，其中凸塊鍵合包含包括銅/錫(Cu/Sn)合金、錫/銀(Sn/Ag)合金和/或錫/金(Sn/Au)合金層的互連。
全文摘要
公開了一種模塊和制造模塊的方法。模塊的實(shí)施例包含第一半導(dǎo)體器件、布置在第一半導(dǎo)體器件上的框架以及布置在框架上的第二半導(dǎo)體器件，框架包含腔，其中第二半導(dǎo)體器件密封腔。
文檔編號H01L23/31GK102800660SQ20121016549
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者T.Y.欣, D.克雷爾, U.克魯拜因, S.馬滕斯, B.K.薛, H.特伊斯, H.韋特肖爾克 申請人:英飛凌科技股份有限公司