專利名稱：制造半導(dǎo)體模塊的方法以及半導(dǎo)體模塊的制作方法
制造半導(dǎo)體模塊的方法以及半導(dǎo)體模塊
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造用樹脂密封的半導(dǎo)體模塊的方法以及半導(dǎo)體模塊。2.相關(guān)技術(shù)的描述諸如移動電話之類的電子器件的半導(dǎo)體模塊通常具有含有高頻半導(dǎo)體器件以及形成于其中的外圍電路的高頻電路。這需要阻斷(屏蔽)高頻噪聲等，且因此這樣的半導(dǎo)體模塊被完全地以金屬屏蔽外殼覆蓋。另一方面，隨著最近對于緊湊電子設(shè)備的日益增長的需求，存在對于越來越小以及越來越薄的半導(dǎo)體模塊的日益增長的需求。然而，在常規(guī)半導(dǎo)體模塊中，需要在模塊襯底上提供用于附連金屬屏蔽外殼的小塊(岸面)，這是實現(xiàn)更小和更薄的模塊的阻礙。 為了克服這個阻礙，已經(jīng)提出了沒有金屬屏蔽外殼的改進(jìn)的半導(dǎo)體模塊(較少金屬屏蔽外殼的結(jié)構(gòu))。接著，將參考相應(yīng)附圖而給出對于改進(jìn)的半導(dǎo)體模塊的描述。圖34是常規(guī)半導(dǎo)體模塊的示意剖面圖，且圖35到39是說明制造圖34中所示的半導(dǎo)體模塊的工藝的示意剖面圖。如圖34中所示，改進(jìn)的半導(dǎo)體模塊G包括模塊襯底91、電子組件92 (諸如安裝在模塊襯底的頂部表面(組件安裝表面)上的半導(dǎo)體器件、電容器和電阻器)、密封樹脂層93 (可由，例如，環(huán)氧樹脂制成并密封電子組件92)、以及形成在密封樹脂層93表面上的外部屏蔽94。信號導(dǎo)體911被形成在模塊襯底91的組件安裝表面上，且電子組件92經(jīng)由接合引線Bw連接至信號導(dǎo)體911或經(jīng)由其端子而直接連接至信號導(dǎo)體911。在模塊襯底內(nèi)，形成有接地線913，其包括在其下表面中的暴露部分。外部屏蔽94由導(dǎo)電材料形成來覆蓋密封樹脂層93的頂部和側(cè)部表面。外部屏蔽94在其面對模塊襯底91的側(cè)部部分處與接地線913相接觸。通過與接地線913相接觸，外部屏蔽94被接地。以此方式，可能阻礙(提供屏蔽于)由于例如電磁場或靜電所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)。該改進(jìn)的半導(dǎo)體模塊以如下工藝被制造。集合襯底910被切開為模塊襯底91之前，執(zhí)行安裝步驟來將電子組件92安裝在集合襯底910的頂部表面上(見圖35)。然后，通過使用諸如印刷法之類的常規(guī)已知方法，執(zhí)行密封步驟來形成密封樹脂層93，其用諸如環(huán)氧樹脂之類的絕緣樹脂密封集合襯底910的頂部表面(見圖36)。此處，集合襯底910具有以使多個單獨模塊部分(將被切開并被劃分為模塊襯底91)設(shè)置于其內(nèi)的結(jié)構(gòu)。然后，執(zhí)行第一切割步驟以從密封樹脂層93的頂部表面?zhèn)韧ㄟ^使用切割刀片來形成密封樹脂層93中的裂縫，對應(yīng)于單獨模塊部分之間的邊界。在所述第一切割步驟中，裂縫形成在密封樹脂層93中，且同時，將集合襯底910的一些部分切去來將形成在集合襯底910中的接地線910暴露于頂部表面?zhèn)?見圖37)。通過使用諸如印刷方法之類的常規(guī)已知方法，將導(dǎo)電膠裝填入形成于密封樹脂層93中的裂縫中(裝填步驟)。此時，裝填在裂縫中的導(dǎo)電膠與集合襯底910中的接地線913相接觸。進(jìn)一步，其中形成了裂縫(被填充了導(dǎo)電膠)的密封樹脂層93的頂部表面被涂層有導(dǎo)電膠(涂層步驟，見圖38)。如圖38中所示，通過被裝填入裂縫且被應(yīng)用于涂層密封樹脂層93的頂部表面從而被與接地線913相接觸，導(dǎo)電膠被接地。注意，導(dǎo)電膠層用作半導(dǎo)體模塊G的外部屏蔽94。執(zhí)行第二切割步驟，通過使用薄于裂縫寬度的切割刀片(該切割刀片薄于在第一切割步驟中使用的切割刀片)，來在模塊之間的邊界部分處(即，在被填充了導(dǎo)電膠的每一個裂縫的中間部分處)切開集合襯底910(見圖39)。因此，由于在第二切割步驟中所使用的切割刀片薄于在第一切割步驟中所使用的切割刀片，在第二切割步驟之后在所完成的半導(dǎo)體模塊G (見圖34)的側(cè)表面上形成外部屏蔽94，這使得可能安全地接地外部屏蔽94 (見JP-A-2004-172176)。圖40是示出集合襯底在第二切割步驟中被切開為半導(dǎo)體模塊之前的集合襯底的
平面圖。通過使用切割刀片(第二切割步驟)來切開集合襯底910而制造多個半導(dǎo)體模塊G，其中模塊被二維地設(shè)置。然而，在這個方法中制造半導(dǎo)體模塊(其中在第一切割步驟中形成的裂縫被填充導(dǎo)電膠)時，切割刀片和導(dǎo)電膠在第二切割步驟中在較大面積上彼此接觸。充填至裂縫中的導(dǎo)電膠含有金屬組分，且這在切割刀片在第二切割步驟中切開導(dǎo)電膠時，導(dǎo)致在切割刀片上施加較重負(fù)擔(dān)。此外，這導(dǎo)致源于切割刀片消除或切斷外部屏蔽(由導(dǎo)電膠制成)時的缺陷的很大風(fēng)險，由于與切割刀片的摩擦，外部屏蔽可能被剝落或切去。此外，在第二切割步驟中移除了大量導(dǎo)電膠。這些不便之處易于導(dǎo)致低產(chǎn)量和高成本。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況已作出本發(fā)明，且本發(fā)明的目的在于提供制造半導(dǎo)體模塊的方法，其使得可能安全地接地外部屏蔽并減少施加于切割刀片和外部密封上的負(fù)擔(dān)。本發(fā)明的另一個目的是提供不僅緊湊且薄而高度可生產(chǎn)的半導(dǎo)體模塊。為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，制造半導(dǎo)體模塊的方法包括在集合襯底的頂部表面的單獨模塊部分上安裝電子組件的安裝步驟；用密封樹脂層密封其上安裝了電子組件的頂部表面的密封步驟；洞孔形成步驟，用于形成從密封樹脂層的頂部表面延伸至提供在集合襯底處的接地引線的洞孔；成膜步驟，用于形成由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電膜從而覆蓋至少密封樹脂層的頂部表面、洞孔的內(nèi)部表面、以及接地線；以及分離步驟，用于將單獨模塊部分所包括的多個單獨模塊部分彼此分離。采用這個設(shè)置，可能減少導(dǎo)電膜和諸如切割刀片之類的切開裝置彼此接觸的面積，且這相應(yīng)地導(dǎo)致在切開裝置上施加較低負(fù)擔(dān)，以及相應(yīng)的較高的產(chǎn)生率。進(jìn)一步，通過在成膜步驟中同時在密封樹脂層的頂部表面和洞孔的內(nèi)部表面上形成導(dǎo)電膜，可能安全地接地導(dǎo)電膜，且這導(dǎo)致相應(yīng)被增強(qiáng)的阻礙電磁波等的(屏蔽)性質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中在單獨模塊部分中設(shè)置接地引線的襯底可被用作集合襯底。這防止在分離步驟中切開襯底等的切割刀片與接地引線(其由金屬制成(且堅硬))相接觸，且因此，可能不僅減少了金屬片散射還減少了在切割刀片上施加的負(fù)擔(dān)。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中提供多個接地引線作為每一個單獨模塊部分的接地引線的襯底可被用作集合襯底，且在優(yōu)選實施例中的洞孔形成步驟可形成達(dá)到接地引線的多個洞孔。采用這個設(shè)置，所制造的半導(dǎo)體模塊的導(dǎo)電膜連接至位于多個位置的接地引線。這使得有可能安全地接地導(dǎo)電膜。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中在最外面的引線層中設(shè)置接地引線的襯底可被用作集合襯底。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，作為集合襯底，其中在接地引線上形成阻焊劑的襯底可被用作集合襯底，且在洞孔形成步驟中可將密封樹脂層和阻焊劑從洞孔中移除。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中在內(nèi)部引線層中設(shè)置接地引線的襯底可被用作集 合襯底。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中在接地引線和密封樹脂層之間形成洞孔的區(qū)域處沒有形成其他弓I線的襯底可被用作集合襯底。為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，制造半導(dǎo)體模塊的方法包括在集合襯底的頂部表面的獨立模塊部分上安裝電子組件的安裝步驟；用密封樹脂層密封其上安裝有電子組件的頂部表面的密封步驟；洞孔形成步驟，用于形成穿透集合襯底與密封樹脂層的洞孔；成膜步驟，用于形成由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電膜從而覆蓋密封樹脂層的頂部表面以及洞孔的內(nèi)部表面；以及分離步驟，用于將單獨模塊部分所包括的多個單獨模塊部分彼此分離。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，洞孔形成步驟可形成洞孔，以使洞孔穿透集合襯底的沒有形成引線的部分。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，洞孔形成步驟可形成多個洞孔作為洞孔，從而這些多個洞孔中的至少一個被形成在單獨模塊部分的邊緣上。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，單獨模塊部分可具有矩形形狀，且洞孔形成步驟在單獨模塊部分的角落處可形成多個洞孔中的至少一個。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，洞孔形成步驟可跨越多個獨立模塊部分中的兩個或更多個而形成多個洞孔中的至少一個。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，成膜步驟可在洞孔的內(nèi)表面上以導(dǎo)電材料不填充洞孔的方式形成導(dǎo)電膜。利用這個設(shè)置，可能減少在分離步驟中所使用的諸如切割刀片之類的切開裝置與導(dǎo)電膜彼此接觸的面積，且減少了導(dǎo)電材料的切割中的散射。還可能減少引線切割中的散射。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，可能進(jìn)一步包括凹槽形成步驟，用于在密封樹脂層中形成具有不到達(dá)集合襯底的深度的凹槽，在密封步驟之后但在成膜步驟之前執(zhí)行該凹槽形成步驟。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，可能進(jìn)一步包括凹槽形成步驟，用于在密封樹脂層中形成深至切斷集合襯底的部分的凹槽，在密封步驟之后但在成膜步驟之前執(zhí)行該凹槽形成步驟。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，成膜步驟同樣可在凹槽的內(nèi)表面上以導(dǎo)電膜不填充凹槽的方式形成導(dǎo)電膜。利用這個設(shè)置，可能減少在分離步驟中所使用的諸如切割刀片之類的切開裝置與導(dǎo)電膜彼此接觸的面積，且減少了導(dǎo)電材料的切割中的散射。還可能減少引線切割中的散射。利用這個設(shè)置，導(dǎo)電膜還用于減少水分流入密封樹脂層，且進(jìn)一步，通過形成深至切斷集合襯底的部分的導(dǎo)電膜，可能獲得減少水分等形式的水的侵入的效果。這有助于減少在回流焊接中發(fā)生的樹脂的破裂等的風(fēng)險。 利用這個設(shè)置，可能減少在分離步驟中所使用的諸如切割刀片之類的切開裝置與導(dǎo)電膜彼此接觸的面積，且減少了導(dǎo)電材料的切開中的散射。還可能減少引線切開中的散射。通過使用上述方法制造的半導(dǎo)體模塊的示例包括在設(shè)置有多個獨立操作的模塊部分的半導(dǎo)體模塊。


[圖I]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的示例的透視圖；[圖2]圖I中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖I的線II-II的剖面圖；[圖3]圖I中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖I的線III-III的剖面圖；[圖4]示出其中在集合襯底上安裝有電子組件的狀態(tài)的平面圖；[圖5]圖4中所示的集合襯底沿圖4的線V-V的剖面圖；[圖6]示出在密封步驟后的集合襯底的平面圖；[圖7]圖6中所示的集合襯底沿圖6的線VII-VII的剖面圖；[圖8]圖6中所示的集合襯底沿圖6的線VIII-VIII的剖面圖；[圖9]示意地示出洞孔形成步驟的平面圖；[圖10]在圖9中所示的洞孔形成步驟之后的集合襯底的剖面圖；[圖11]其中在洞孔形成步驟中形成金屬膜的狀態(tài)中的集合襯底的平面圖；[圖12]圖11中所示的集合襯底沿圖11的線XII-XII的剖面圖；[圖13]圖11中所示的集合襯底沿圖11的線XIII-XIII的剖面圖；[圖14]示出在切割步驟中切開的集合襯底的平面圖；[圖15]圖14中所示的集合襯底沿圖14的線XV-XV的剖面圖；[圖16]圖14中所示的集合襯底沿圖14的線XVI-XVI的剖面圖；[圖17]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的透視圖；[圖18]圖17中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖17的線XVIII-XVIII的剖面圖；[圖19]圖17中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖17的線XIX-XIX的剖面圖；[圖20]其中在密封步驟之后在密封樹脂的表面中形成凹槽的集合襯底的平面圖；[圖21]圖20中所示的集合襯底沿圖20的線XXI-XXI的剖面圖；[圖22]示意地示出洞孔形成步驟的平面圖；[圖23]在圖22中所示的洞孔形成步驟之后的集合襯底的剖面圖；[圖24]在其上形成膜之后的集合襯底的平面[圖25]圖24中所示的集合襯底沿圖24的線XXV-XXV的剖面圖；[圖26]圖24中所示的集合襯底沿圖24的線XXVI-XXVI的剖面圖；[圖27]示出在切割步驟中切開的集合襯底的剖面圖；[圖28]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的透視圖；[圖29]圖28中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖28的線XXIX-XXIX的剖面圖；[圖30]圖28中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖28的線XXX-XXX的剖面圖；[圖31]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的透視圖；[圖32]圖31中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面
[圖33]示出其中在安裝襯底上安裝了圖32中所示的半導(dǎo)體模塊的狀態(tài)的剖面圖；[圖34]常規(guī)半導(dǎo)體模塊的被改進(jìn)版本的示意剖面圖；[圖35]示出在制造常規(guī)半導(dǎo)體模塊中所執(zhí)行的安裝步驟的示意剖面圖；[圖36]示出在制造常規(guī)半導(dǎo)體模塊中所執(zhí)行的密封步驟的示意剖面圖；[圖37]示出在制造常規(guī)半導(dǎo)體模塊中所執(zhí)行的第一切割步驟的示意剖面圖；[圖38]示出在制造常規(guī)半導(dǎo)體模塊中所執(zhí)行的裝填步驟的示意剖面圖；[圖39]示出在制造常規(guī)半導(dǎo)體模塊中所執(zhí)行的第二切割步驟的示意剖面圖；[圖40]示出常規(guī)集合襯底的示意平面圖；[圖41]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的透視圖；[圖42]圖41中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖41的線XLII-XLII的剖面圖；[圖43]圖41中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖41的線XLIII-XLIII的剖面圖；[圖44]其中在密封步驟之后在密封樹脂的表面中形成有洞孔的集合襯底的平面圖；[圖45]圖44中所示的集合襯底沿圖44的線XLV-XLV的剖面圖；[圖46]示意地示出凹槽形成步驟的平面圖；[圖47]圖46中所示的集合襯底沿圖46的線XLVII-XLVII的剖面圖；[圖48]在其上形成膜之后的集合襯底的平面圖；[圖49]圖48中所示的集合襯底沿圖48的線XLIX-XLIX的剖面圖；[圖50]圖48中所示的集合襯底沿圖48的線L-L的剖面圖；[圖51]示出在切割步驟中被切開之后的集合襯底的剖面圖；[圖52]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的透視圖；[圖53]圖52中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖52的線LIII-LIII的剖面圖；[圖54]圖52中所示的半導(dǎo)體模塊沿圖52的線LIV-LIV的剖面圖；[圖55]其中在密封步驟之后在密封樹脂的表面中形成有凹槽的集合襯底的平面圖；[圖56]圖55中所示的集合襯底沿圖55的線LVI-LVI的剖面圖；[圖57]示意地示出洞孔形成步驟的平面圖；[圖58]在圖57中所示的洞孔形成步驟之后的集合襯底的剖面圖；[圖59]在其上形成膜之后的集合襯底的平面圖；[圖60]圖59中所示的集合襯底沿圖59的線LX-LX的剖面[圖61]圖59中所示的集合襯底沿圖59的線LXI-LXI的剖面圖；[圖62]示出在切割步驟中被切開之后的集合襯底的剖面圖。
具體實施例方式下文將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。部件的附圖標(biāo)記和(或)陰影有時可能被省略以便于描述，且在這樣的情況下，會涉及不同的附圖。(第一實施例)圖I是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的示例的示意透視圖，圖2是圖I中所示半導(dǎo)體模塊的沿圖I中的線II-II的剖面圖，且圖3是圖I中所示半導(dǎo)體模塊的沿圖I中的線III-III的剖面圖。首先，參考圖I到3，將給出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊A的設(shè)置的描述。 如圖I到3中所示，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊A從上面看(在平面圖中)具有正方形形狀。半導(dǎo)體模塊A包括模塊襯底I、安裝在模塊襯底I的頂部表面(主表面；下文可被稱為組件安裝表面)上的多個電子組件2、密封含有電子組件的模塊襯底I的頂部表面的密封樹脂層3、覆蓋密封樹脂層3的頂部表面的外部屏蔽4、以及和外部屏蔽4 一體地形成的連接部分5。模塊襯底I是本發(fā)明的“襯底”的示例，且，模塊襯底I可通過下文描述的切開集合襯底100而獲得。順便提及，在實際制造過程中，在電子組件被安裝且密封樹脂3、外部屏蔽4、連接部分5等被形成之后切開集合襯底100，且下文將描述集合襯底100的細(xì)節(jié)。模塊襯底I是具有預(yù)確定厚度的多層襯底，且在平面圖中具有正方形形狀。在模塊襯底I的頂部表面上，形成有頂部表面引線11，其為以預(yù)確定圖案形成的導(dǎo)電膜，且將電連接至電子組件2的端子。進(jìn)一步，在模塊襯底I的底部表面上，形成有底部表面引線12，其也為以預(yù)確定圖案形成的導(dǎo)電膜。另外，包括多個層的模塊襯底1，還具有形成在層間的內(nèi)層引線13。此處，頂部表面引線11、底部表面引線12、以及內(nèi)層引線13每一個都是由諸如銅之類的低電阻金屬薄膜形成的。頂部表面引線11包括連接至電子組件2的接地端子的頂部表面接地引線111。類似地，底部表面引線12包括底部表面接地引線121 ;當(dāng)半導(dǎo)體模塊A被安裝在沒有示出的安裝襯底上時，底部表面接地引線121連接至安裝襯底的接地線。頂部表面接地引線111和底部表面接地引線121通過通孔14彼此連接；因此，當(dāng)半導(dǎo)體模塊A被安裝在安裝襯底上時，底部表面接地引線121被接地且頂部表面接地引線111也被接地。注意，內(nèi)層引線13也可包括接地引線(未示出)。優(yōu)選的是將被包括在內(nèi)層引線13中的接地引線被形成在與其被形成之處的層盡可能一樣寬的區(qū)域上。通過以此方式在內(nèi)層引線13中形成大接地引線，可能阻礙(提供屏蔽于)由來自模塊襯底I的底部表面?zhèn)鹊碾姶艌?、靜電等引起的不利影響(諸如高頻噪聲)。頂部表面引線11和底部表面引線12、以及內(nèi)層引線13也用作用于傳輸電信號的引線。當(dāng)半導(dǎo)體模塊A被安裝在安裝襯底上時，位于半導(dǎo)體模塊A之外的設(shè)備和安裝在半導(dǎo)體模塊A上的電子組件2之間的信號的發(fā)送與接收經(jīng)由頂部表面引線11、底部表面引線
12、以及內(nèi)層引線13執(zhí)行。如圖2中所示，安裝在模塊襯底I的頂部表面上的多個電子組件2包括，例如，半導(dǎo)體器件21和諸如電阻器、電感器和電容器之類的無源組件22。根據(jù)目標(biāo)功能而適當(dāng)?shù)剡x擇多個電子組件2，且電子組件2被安裝在模塊襯底I的組件安裝表面上。例如，在其中半導(dǎo)體模塊A被用作移動電話的無線電傳輸/接收模塊的情況下，使用RF-IC (射頻集成電路)等作為半導(dǎo)體器件21。無源組件22是芯片類型的電子組件(芯片組件)。無源組件22被如此設(shè)置以使外部端子電極被形成在由例如煅燒陶瓷形成的主體的兩側(cè)上。上述的多個電子組件2各自被安裝在模塊襯底I的頂部表面上的預(yù)確定的位置處，且藉此，電子組件2經(jīng)由模塊襯底I的頂部表面引線11 (見圖2)連接至彼此或接地。以此方式，在半導(dǎo)體模塊A中形成集成電路。附帶地，在半導(dǎo)體模塊A中，被安裝在模塊襯底I的頂部表面上的半導(dǎo)體器件21是形成在WL-CSP(芯片級別芯片尺寸封裝)中的1C。進(jìn)一步，在一些情況下，如果必要的話，在模塊襯底I上還安裝有諸如BPF (帶通濾波器)或晶體振蕩器之類的組件。在其上安裝了電子組件2的模塊襯底I的頂部表面，如上已經(jīng)所述的，與電子組件2 一起，被覆蓋有密封樹脂層3。密封了電子組件2并用作絕緣層的密封樹脂層3，被形成為 覆蓋模塊襯底I的整個頂部表面。密封樹脂層3保護(hù)電子組件2和頂部表面引線11免受外部應(yīng)力、水分、和污染物的影響。密封樹脂層3由諸如環(huán)氧樹脂之類的絕緣樹脂形成。注意，這并不限制密封樹脂層3的組分，且可采用各種樹脂等的材料，只要它能密封模塊襯底I的頂部表面以及電子組件2。在半導(dǎo)體模塊A中，形成有凹槽Cg,每一個在截面上看是扇形的,位于半導(dǎo)體模塊A的四個角落，凹槽Cg從半導(dǎo)體模塊A的頂部表面延伸至底部表面。凹槽Cg，從半導(dǎo)體模塊A的頂部表面開始，穿透密封樹脂層3，且到達(dá)模塊襯底I的頂部表面。且，形成外部屏蔽4來覆蓋密封樹脂層3的頂部表面。外部屏蔽4是由例如銅、鎳等制成的導(dǎo)電金屬膜。在氧化物半導(dǎo)體模塊A中，外部屏蔽4完全地覆蓋了密封樹脂層3的頂部表面，且緊緊地固定于密封樹脂層3。進(jìn)一步，在凹槽Cg內(nèi)提供連接部分5 ;用與外部屏蔽4 一樣的金屬來形成連接部分5從而與外部屏蔽4 一體(電連接)。每一個連接部分5包括內(nèi)圓周部分51 (其被如此設(shè)置從而覆蓋相應(yīng)的凹槽Cg的內(nèi)圓周表面)、以及接觸部分52，其被形成在與位于外部屏蔽4 一側(cè)處的內(nèi)部圓周部分的另一端部相對的內(nèi)圓周部分的端部處且電連接至形成在模塊襯底I的頂部表面上的頂部表面接地引線111。由于連接部分5電連接至頂部表面接地引線111，形成為與連接部分5(內(nèi)圓周部分51) —體的外部屏蔽也被電連接至頂部表面接地引線111。此處，如圖3中所示，頂部表面接地引線111通過通孔14，連接至形成于模塊襯底I的底部表面上的底部表面接地引線121。且，通過底部表面接地引線被接地(例如，通過連接至安裝襯底的接地線)，外部屏蔽4也被接地。這容許外部屏蔽4用作電磁屏蔽，以阻礙(提供屏蔽于)由于例如電磁場或靜電所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)。此處，半導(dǎo)體模塊A的側(cè)表面沒有覆蓋有外部屏蔽4，不過半導(dǎo)體模塊4對于外部屏蔽4 (其沒有覆蓋側(cè)表面)而言足夠薄以施加令人滿意的屏蔽效果。此外，在半導(dǎo)體模塊A中，接觸部分52之一與設(shè)置在模塊襯底I的頂部表面上的頂部表面接地引線111相接觸。頂部表面接地引線111和接觸部分52都被形成為平面形狀，且這容許頂部表面接地引線111和接觸部分在較大面積上彼此接觸。這使得可能確保外部屏蔽4的接地。
頂部表面接地引線可被形成為位于從模塊襯底I邊緣向內(nèi)，像連接至圖3右側(cè)的另一個連接部分5的頂部表面接地引線112。涉及頂部表面接地引線112的特征以及效果與將在下文中給出的制造方法的描述一起給出。注意，盡管半導(dǎo)體模塊A具有形成在其四個角落處的連接部分5，這并不意味著限制，且連接部分5可被以任何方式形成在任何地方，只要外部屏蔽4可被安全地屏蔽。例如，連接部分5可被形成在四個角落的至少一個角落上，或可被形成在四個角落之外的其他位置處。接著，參考合適附圖，將給出制造本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊A的方法的描述。圖4到16是示意地示出在制造半導(dǎo)體模塊A過程中所執(zhí)行的步驟的圖。圖4是示出其中電子組件被安裝在集合襯底上的狀態(tài)的平面圖，而圖5是圖4中所示的集合襯底的剖視圖。盡管在圖4中沒有示出作為引線圖案的頂部表面引線11，實際可假設(shè)頂部表面引線11被等同地形成在每一個作為模塊襯底I的集合襯底100的每一個部分中。在圖4中，水平方向被稱為方向X，圖中與方向X垂直的方向被稱為方向Y。還有，在圖4中的集合襯底100中，在頂部表面引線11中，為簡潔起見僅示出了用作接地線的頂部表面接地引線。 首先，制備了集合襯底100，具有其中模塊襯底I被設(shè)置并被組合的形狀。集合襯底100是多層襯底，且集合襯底100包含在形狀上和尺寸上相同的多個獨立模塊部分101。此處，在圖4中，為了定義每一個獨立模塊部分101，用交替的點和劃線(邊界線)來指示邊界；然而，在實際的集合襯底100中，在獨立模塊部分101之間沒有形成邊界線。此處，獨立模塊部分101是將要彼此分離成為模塊襯底I且形狀為正方形的那些部分。之后，在切割步驟中，沿著在方向X和Y中的獨立模塊部分101之間所提供的切割線(未示出)而分割集合襯底100，獨立模塊部分101被彼此分離而成為模塊襯底I。注意，切割線可實際地形成在集合襯底100上，或者可以是在切割機(jī)的控制部分中存儲為定位信息(坐標(biāo)、長度等)的虛擬線。集合襯底10包括頂部表面引線11、底部表面引線12和內(nèi)層引線13。此處，在所有的獨立模塊部分101中，頂部表面引線11、底部表面引線12、以及內(nèi)層引線13在形狀和尺寸上分別都是相同的。如在圖4和5中所示，在具有其中模塊襯底I被設(shè)置與組合的形狀的集合襯底100的頂部表面(組件安裝表面)上，通過焊接安裝了諸如半導(dǎo)體器件21和無源組件22之類的多個電子組件2 (安裝步驟)。頂部表面引線11由多個引線圖案形成，且多個電子組件2的端子被安裝為每一個連接至頂部表面引線11的預(yù)確定的一個。頂部表面接地引線111被形成為部分地覆蓋獨立模塊部分101?，F(xiàn)在將給出關(guān)于頂部表面接地引線111的詳細(xì)描述。如圖4中所示，在平面圖上，頂部表面接地引線111是圓形的，且頂部表面接地引線111被設(shè)置為以使在獨立模塊部分101的每一個角落處有一個頂部表面接地引線111。在集合襯底100中，獨立模塊部分101是被兩維地設(shè)置的且彼此之間間隔均勻，且因此，在獨立模塊部分101的角落聚集處的每一個位置形成頂部表面接地引線111。此處，頂部表面接地引線111和獨立模塊部分101彼此覆蓋之處的每一個部分是扇形的。在之后所要描述的切割步驟中，集合襯底100被切開為其中設(shè)置有頂部表面引線111的狀態(tài)，使得在平面圖中具有扇形形狀的頂部表面接地引線111位于每一個模塊襯底I的四個角落處。
在設(shè)置于集合襯底100上的頂部表面接地引線中，圖中從右數(shù)第二個位于中間行中的引線可由頂部表面接地引線112所替代，頂部表面接地引線112的每一個被獨立地形成于獨立模塊部分101的相應(yīng)一個的角落中。注意，集合襯底100可如圖4中所示，包括頂部表面接地引線111和頂部表面接地引線112 二者，或者，集合襯底100可僅包括頂部表面接地引線111或者頂部表面接地引線112。在半導(dǎo)體模塊A中，電子組件2是表面安裝的，例如在如下程序中安裝電子組件。首先，通過使用印刷法，焊糊被施加在形成于集合襯底100頂部表面上的頂部表面引線11。然后，通過使用安裝機(jī)，設(shè)置多個電子組件2 (半導(dǎo)體器件21和無源組件22)以使其每一個端子連接至頂部表面引線11的預(yù)確定的一個。然后，其中設(shè)置了電子組件2的集合襯底100在回流爐中被加熱來融化焊料，且藉此，電子組件2被固定至頂部表面引線11。此處，阻焊劑可被形成在頂部表面接地引線111和112處從而減少頂部表面接地引線111或頂部表面接地引線112在回流焊接過程中被氧化。通過將接地引線放置在內(nèi)層中也可獲得相同 的效果。由絕緣樹脂制成的密封樹脂層3，被形成為集合襯底100的頂部表面上，其中多個電子組件2在安裝步驟中被安裝(密封步驟)。圖6是示出密封步驟之后的集合襯底的平面圖，圖7是沿圖6線VII-VII所取的圖6中所示的集合襯底的剖面圖，且圖8是沿圖6線VIII-VIII所取的圖6中所示的集合襯底的剖面圖。如圖6中所示，在安裝了電子組件2的集合襯底100的上表面上，通過例如轉(zhuǎn)移模制方法來形成由絕緣樹脂制成的密封樹脂層3。在密封步驟中所使用的絕緣樹脂的示例是環(huán)氧樹脂。作為熱固樹脂的環(huán)氧樹脂，被放置以覆蓋集合襯底100的頂部表面，然后被加熱以固化。在一些情況下，添加無機(jī)填充物以調(diào)節(jié)環(huán)氧樹脂的流動性(粘度)。如圖6中所示，密封樹脂層3完全覆蓋集合襯底100的頂部表面。在轉(zhuǎn)移模制方法中，硬模(例如，金屬或碳)被附著至集合襯底100，且環(huán)氧樹脂被充入硬模。通過對這個狀態(tài)中的硬模加熱，環(huán)氧樹脂被加熱。從硬模接收到熱，作為熱固樹脂的環(huán)氧樹脂被固化。在密封步驟之后，每一個剖面形狀為圓形的洞孔30，被形成于集合襯底100的密封樹脂層3中(洞孔形成步驟)。圖9是示意性地示出洞孔形成步驟的平面圖，且圖10是示出在圖9中所示的洞孔形成步驟之后的集合襯底的剖面圖。在洞孔形成步驟中，對預(yù)確定的部分施加激光Ls從而藉此在密封樹脂層3位于頂部表面接地引線111和頂部表面接地引線112上的位置處形成洞孔30。此處，未示出的處理機(jī)器，通過基于洞孔30將要形成的位置(將要施加激光Ls之處)的X和Y坐標(biāo)的值，將激光Ls施加至密封樹脂層3位于頂部表面接地引線111，形成洞孔30。注意，洞孔30是具有小于圓柱形頂部表面接地引線111的外部直徑的內(nèi)直徑的圓柱形洞孔，且洞孔30的底部端達(dá)到頂部表面接地引線111。即，通過形成洞孔30，移除了位于頂部表面接地引線111上的密封樹脂層3的部分。通過使用激光Ls形成了洞孔30，不過這并不意味著限制，可通過使用諸如鉆孔機(jī)之類的機(jī)器而機(jī)械地形成、或通過例如蝕刻方法形成洞孔30?？刹扇∵@些方法之外的任何方法，只要可準(zhǔn)確地形成洞孔30。形成于頂部表面接地引線112上的洞孔30中的一個的形狀和尺寸為其適配形成于頂部表面接地引線112的外側(cè)形成的正方形內(nèi)部。在其中在頂部表面接地引線111和頂部表面接地引線112處形成阻焊劑的情況下，通過在密封步驟中形成密封樹脂層3之后移除阻焊劑，可能確保頂部表面接地引線111和連接部分5的接觸部分52之間的電連接。至于如何移除阻焊劑，可能在洞孔形成步驟中通過使用激光移除密封樹脂層3的同時移除阻焊劑。如圖9中所示，洞孔30被形成在獨立模塊部分101的角落所在位置，即，切割線彼此交叉的部分。因此，通過形成一個洞孔30，可在四個獨立模塊部分101的每一個的角落處形成凹槽Cg，且這有助于獲得較高的生產(chǎn)效率。應(yīng)該注意的是，洞孔30并不一定要在切割線彼此交叉的位置處形成，不過替代地，它們每一個可被形成在獨立模塊部分101的相應(yīng)一個中，或可選地，它們每一個可被形成為位于跨相應(yīng)兩個獨立模塊部分101之間的邊界處。還應(yīng)該注意的是，盡管洞孔30此處被假設(shè)為剖面是圓形的，這并不意味著限制，且它們在剖面上可以是橢圓的，或可選地，它們可以是多邊形的，例如，在剖面上是正方形的、菱形的7等。在洞孔形成步驟中形成洞孔30之后，在密封樹脂層3的頂部表面上形成金屬膜(成膜步驟)。圖11是示出在成膜步驟中在其上形成金屬膜之后的集合襯底的平面圖，圖12是沿圖11線XII-XII所取的圖11中所示的集合襯底的剖面圖，且圖13是沿圖11線 XIII-XIII所取的圖11中所示的集合襯底的剖面圖。如圖11到13中所示，在其中形成了密封樹脂層3然后形成了洞孔30的集合襯底100的頂部表面上，即，在密封樹脂層3的頂部表面上，通過電鍍方法形成金屬膜。在成膜步驟中形成的金屬膜以均勻或基本均勻的方式完全覆蓋了密封樹脂層3的頂部表面。在成膜步驟中，不僅在密封樹脂層3的頂部表面上、還在洞孔30的內(nèi)圓周表面上形成金屬膜(見圖13)。進(jìn)一步，也在洞孔30的底部表面上形成金屬膜。即，在成膜步驟中形成的金屬膜的一些部分位于洞孔30的底部和內(nèi)圓周表面上，且洞孔30的底部表面上的金屬膜的一部分與頂部表面接地引線111和112相接觸。在成膜步驟中形成的金屬膜形成例如在圖I和3中所示的外部屏蔽4和連接部分5。如圖12和13中所示，外部屏蔽4覆蓋密封樹脂層3的頂部表面，即安裝了電子組件2的模塊襯底I (或者在切割步驟之前的集合襯底100)的頂部表面。且，外部屏蔽4經(jīng)由形成于洞孔30中的連接部分5的內(nèi)圓周部分51和接觸部分52電連接至頂部表面接地引線111和112。頂部表面接地引線111和112通過通孔14電連接至底部表面接地引線121，且因此，例如，當(dāng)獨立半導(dǎo)體模塊A被安裝在安裝襯底上時，底部表面接地引線121被接地，連接至底部表面接地引線121的頂部表面接地引線111、以及連接至頂部表面接地引線112的外部屏蔽4也被接地。優(yōu)選地，外部屏蔽4由諸如銅之類的低電阻金屬制成。在成膜步驟中外部屏蔽4和連接部分5所形成之處的集合襯底100被切開且分離(切割步驟分離步驟)。圖14是示出切割步驟中的集合襯底的平面圖，圖15是沿圖14線XV-XV所取的圖14中所示的集合襯底的剖面圖，且圖16是沿圖14線XVI-XVI所取的圖14中所示的集合襯底的剖面圖。在切割步驟中，通過移動切割刀Db(以高速旋轉(zhuǎn))沿著在獨立模塊部分101之間的邊界部分處形成的切割線，獨立模塊部分101被分開且彼此分離作為獨立半導(dǎo)體模塊A。具體地，在切割步驟中，形成在集合襯底100的頂部表面上的多個圓形頂部表面接地引線111每一個被分為四個相同的部分。為此目的，切割刀Db在切割步驟中沿其移動的線(切割線)每一個被設(shè)置為沿方向X或方向Y延伸從而穿過兩個相鄰頂部表面接地引線111之間的中心。通過以此方式設(shè)置切割線且通過沿切割線而移動旋轉(zhuǎn)的切割刀Db，可能獲得獨立半導(dǎo)體模塊A，每一個具有在其四個角落每一個處的在平面圖上形狀為扇形的一個頂部表面接地引線111。 在通過多個步驟形成的每一個半導(dǎo)體模塊A中，側(cè)表面是通過切割刀Db被切開而形成的切開表面。因此，在切割步驟中，可能減少金屬膜(外部屏蔽4)和切割刀彼此接觸的面積。這使得可能減少諸如由于金屬膜和切割刀之間的摩擦而引起的外部屏蔽的磨損和碎片之類的不便之處的風(fēng)險。進(jìn)一步，通過減少金屬膜(外部屏蔽4)和切割刀彼此接觸的面積，可能減少在切割刀上施加較重負(fù)擔(dān)的風(fēng)險，且因此延長了切割刀的壽命，這相應(yīng)地有助于增強(qiáng)制造半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)力。另外，頂部表面接地引線112被設(shè)置在獨立模塊部分101內(nèi)，且因此在切割步驟中不會被切割刀Db所切開。這有助于減少施加在切割刀Db上的負(fù)擔(dān)。此外，由于連接部分5形成在形成于密封樹脂層3的側(cè)表面中的凹槽Cg中，且外部屏蔽4經(jīng)由連接部分5連接至模塊襯底I的頂部表面接地引線111或頂部表面接地引線112，相比使用殼體的情況，可能獲得更薄且更緊湊的半導(dǎo)體模塊。此外，由于連接部分5的接觸部分52每一個均位于與頂部表面接地引線111的相應(yīng)一個相接觸的表面中，可防止這個接觸變得不穩(wěn)定。進(jìn)一步，由于連接部分5被形成在獨立模塊部分101的每一個的全部四個角落中，可能確保外部屏蔽4的接地，且因此可增強(qiáng)阻隔(提供屏蔽于)由于例如電磁場或靜電所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)的效果。因此，可以較高的生產(chǎn)率而制造本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊A，其緊湊且薄并可以更少的材料制成，。(第二實施例)參考相應(yīng)附圖，可給出關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的描述。圖17是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的透視圖，圖18是沿圖17線XVIII-XVIII所取的圖17中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖，且圖19是沿圖17線XIX-XIX所取的圖17中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖注意，在這些附圖中所示的半導(dǎo)體模塊B具有與半導(dǎo)體模塊A相同的設(shè)置，除了在圖19中右側(cè)所示的外部屏蔽4b和連接部分5連接至被包括在形成于模塊襯底I中的內(nèi)引線13中的接地引線(內(nèi)層接地引線131)。在形成半導(dǎo)體模塊B的部件中，與形成半導(dǎo)體模塊A的相似物基本一樣的部件被用相同的標(biāo)記表不且它們的詳細(xì)描述被省略。如圖17中所示，外部屏蔽4b包括覆蓋密封樹脂層3的頂部表面的頂部表面屏蔽41b以及覆蓋密封樹脂層3的側(cè)表面的側(cè)表面屏蔽42b。更具體地，頂部表面屏蔽41b與半導(dǎo)體模塊A的外部屏蔽4具有相同的形狀，S卩，頂部表面屏蔽41b是在其四個角落形成為具有扇形截面的正方形平板元件。如附圖中所示，側(cè)表面屏蔽42b是矩形板元件，其被形成為覆蓋密封樹脂層3的側(cè)表面，從而其長度方向的兩端每一個連接至連接部分5的相應(yīng)一個。側(cè)表面屏蔽42b在其長側(cè)中的一個處連接至頂部表面屏蔽41b(見圖17和18)。此處，在附圖中所示的外部屏蔽4b中，頂部表面屏蔽41b和側(cè)表面屏蔽42b彼此一體地形成。類似地，側(cè)表面屏蔽42b和連接部分5也被一體地形成。在半導(dǎo)體模塊B中，如在半導(dǎo)體模塊A中一樣，連接部分5電連接至形成于模塊襯底I的頂部表面上的頂部表面接地引線111。藉此，外部屏蔽4b被接地，S卩，頂部表面屏蔽41b和側(cè)表面屏蔽42b被接地。這使得可能改進(jìn)外部屏蔽4b阻隔(提供屏蔽于)由于例如電磁場或靜電所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)的效果。進(jìn)一步，由于由絕緣層制成的密封樹脂層3被置于模塊襯底I和側(cè)表面屏蔽42b之間，可能，在將半導(dǎo)體模塊焊接至安裝襯底(未示出)中，減少焊料與側(cè)表面屏蔽42b接觸，且因此減少電路的短路。還有，如圖19中所示，連接部分5連接至被包括在安裝襯底I的內(nèi)層引線13中的接地引線(內(nèi)層接地引線131)。典型多層襯底一般包括大面積內(nèi)層接地引線131。通過將連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131，外部屏蔽4可以其之間最短距離被連接至大面積接地引線，且這有助于增強(qiáng)外部屏蔽4b的屏蔽效果。進(jìn)一步，由于還可能省略頂部表面接地引線111，可能減少半導(dǎo)體模塊B的尺寸。附帶地，在圖19中，僅右邊的連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131，不過這并不意味著限制，且位于全部四個角落的連接部分5可被連接至內(nèi)層接地引線131，或，位于全部四個角落的連接部分5可被連接至頂部表面接地引線111?？蛇x地，可提供至少一個連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131以及至少一個連接部分5連接至頂部表面接地引線111。又可選地，連接部分5可被連接至底部表面接地引線121。接著，參考合適附圖，將給出制造圖17中所示的半導(dǎo)體模塊B的工藝的描述。圖20到26是示意地示出制造圖12中所示半導(dǎo)體模塊的工藝的部分的圖。在制造半導(dǎo)體模塊B的工藝中的步驟和制造半導(dǎo)體模塊A的步驟相同直到安裝步驟和密封步驟。S卩，將多個電子組件2安裝在集合襯底100的上表面上，且然后用絕緣樹脂密封集合襯底100的頂部表面。圖20是其中在密封步驟后在密封樹脂的表面中形成凹槽的集合襯底的平面圖，且圖21是沿圖20的線XXI-XXI所取的示出圖20中所示的集合襯底的剖面圖。在密封步 驟中在集合襯底100的頂部表面上形成密封樹脂層3之后(見圖6)，線狀凹槽31被形成在密封樹脂層3的頂部表面中、被放置(laid)為穿過相鄰頂部表面接地引線111。如圖21中所示，凹槽31的深度在上下方向中不大于密封樹脂層3的厚度，S卩，厚度被如此設(shè)置從而凹槽31的底部表面并不達(dá)到集合襯底100。利用這個設(shè)置，可能防止形成在集合襯底100的頂部表面上的頂部表面引線11從凹槽31中被暴露。這有助于防止在之后描述的成膜步驟中形成的金屬膜與頂部表面引線11電連接。在凹槽形成步驟中形成凹槽31之后，洞孔30被形成在凹槽31彼此交叉的區(qū)域中，即，位于頂部表面接地引線111上(洞孔形成步驟)。圖22是示意性地示出洞孔形成步驟的平面圖，且圖23是示出在圖22中所示的洞孔形成步驟之后的集合襯底的剖面圖。在洞孔形成步驟中，對位于頂部表面接地引線111上的密封樹脂層3的部分施加激光Ls，從而藉此形成洞孔30 (見圖23)。洞孔30被形成為深于凹槽31，從而洞孔30達(dá)到頂部表面接地引線111 (見圖23)。在洞孔形成步驟中形成洞孔30之后，形成金屬膜以覆蓋含有密封樹脂層3的集合襯底100的頂部表面。圖24是示出在其上成膜之后的集合襯底的平面圖，圖25是沿圖24線XXV-XXV所取的圖24中所示的集合襯底的剖面圖，且圖26是沿圖24線XXVI-XXVI所取的圖24中所示的集合襯底的剖面圖。在其中形成了洞孔30和凹槽31的密封樹脂層3的頂部表面上形成導(dǎo)電金屬膜(成膜步驟)。注意，此處的成膜步驟采用了和制造半導(dǎo)體模塊A的工藝中所執(zhí)行的成膜步驟所采取的一樣的成膜方法。在成膜步驟中，不僅在密封樹脂層3的頂部表面上、還在洞孔30和凹槽31的底部和內(nèi)壁表面上形成金屬膜(見圖24、25和26)。形成在洞孔30的底部表面上的金屬膜的部分與頂部表面接地引線111相接觸。在成膜步驟中形成的金屬膜在此形成例如在圖17、18和19中所示的外部屏蔽4和連接部分5。集合襯底100，在外部屏蔽4和連接部分5形成在其上之后，被切開并被分離(切割步驟)。圖27是示出在切割步驟中被分開之后的集合襯底的剖面圖。切割步驟等同于獲得獨立半導(dǎo)體模塊A的步驟。切割刀Db在其上移動的切 割線在凹槽31的底部表面的中間部分中延伸，且切割刀Db切開凹槽31的底部表面和洞孔30的底部表面。在切割步驟中，其中凹槽31的底部表面和洞孔30的底部表面被切開，切割刀Db和金屬膜(外部屏蔽4b)之間的接觸表面僅僅是對應(yīng)于金屬膜(外部屏蔽4b)的厚度的表面。因此，在切割步驟中，金屬膜(外部屏蔽4b)和切割刀之間的接觸面積可被減少，且這有助于減少產(chǎn)生諸如由于金屬膜和切割刀之間的摩擦引起的外部屏蔽的磨損和碎片之類的不便之處。進(jìn)一步，通過減少金屬膜(外部屏蔽4)和切割刀之間的接觸面積，可能減少在切割刀上施加較重負(fù)擔(dān)，且因此延長了切割刀的壽命，這相應(yīng)地有助于增強(qiáng)制造半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)力。另外，由于在凹槽形成步驟中形成凹槽31以使其不接觸到集合襯底100，密封樹脂層3仍保留在形成于凹槽31的底部表面上的金屬膜的部分和集合襯底100之間。且，由于切割刀Db切穿在凹槽形成步驟中形成于凹槽31的底部表面上的金屬膜的部分，密封樹脂層3從位于半導(dǎo)體模塊B的側(cè)表面(其是切開端部表面)的中間部分處的每一個側(cè)表面屏蔽42b和模塊襯底I之間暴露出來。當(dāng)密封樹脂層3以此方式被暴露，可能，如上所述，來防止當(dāng)半導(dǎo)體模塊B被安裝在且焊接至安裝襯底(未示出)時由于焊料不期望地被粘合至半導(dǎo)體模塊B的側(cè)表面而使外部屏蔽4b被連接至接地線之外的信號線的不便之處。第二個實施例的其它效果與上述第一實施例的其它效果一樣。(第三實施例)參考合適附圖，可給出關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的描述。圖28是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的透視圖，圖29是沿圖28線XXIX-XXIX所取的圖28中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖，且圖30是沿圖28線XXX-XXX所取的圖28中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖如圖28、29和30中所示的半導(dǎo)體模塊C是包括第一模塊部分Cl和第二模塊部分C2的組合模塊。半導(dǎo)體模塊C具有與第二實施例的半導(dǎo)體模塊B —樣的設(shè)置，除了外部屏蔽4c和連接部分5c，且與半導(dǎo)體模塊B的類似部件基本一樣的部件被用相同的標(biāo)記標(biāo)識，且將省略其詳細(xì)描述。如圖28中所示，半導(dǎo)體模塊C在平面圖中為矩形，且具有在其四個角落每一個處形成的連接部分5c。半導(dǎo)體模塊C包括第一模塊部分Cl和第二模塊部分C2,且在第一和第二模塊部分Cl和C2之間形成凹槽部分6。在凹槽部分6的中間部分，形成有圓柱形的連接部分7。g卩，在半導(dǎo)體模塊C中，連接部分5c和7在總共五個位置處被形成，即在四個角落和其中間部分處。連接部分5c和7確保外部屏蔽4c的接地。進(jìn)一步，通過在中間部分形成連接部分7，可能增強(qiáng)外部屏蔽4c的阻隔性質(zhì)。如圖29和30中所示，在凹槽部分6的底部表面和內(nèi)壁上，形成金屬膜(外部屏蔽4c的部分)來阻隔(提供屏蔽于)由于例如來自安裝在第一模塊部分Cl上的電子組件2的電磁場或靜電等所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)，從而藉此減少安裝在第二模塊部分C2上的電子組件2的故障。且反之，可能阻隔(提供屏蔽于)由于例如來自安裝在第二模塊部分C2上的電子組件2的電磁場或靜電等所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)，從而藉此減少安裝在第一模塊部分Cl上的電子組件2的故障。通過以此方式將多個功能集合在一個模塊中，相比其中多個功能被分離地形成的情況，可能改進(jìn)緊湊性。進(jìn)一步，半導(dǎo)體模塊C可以減少的步驟被制造，且這有助于獲得較短的節(jié)拍時間(tact time)以及相應(yīng)較高的生產(chǎn)率。在這個實施例中所采用的制造方法與第二個實施例中所采用的方法一樣。S卩，電子組件被安裝在集合襯底的一些區(qū)域(第一模塊部分Cl將要被形成在其中)上以及在集合襯底的一些部分(第二模塊部分C2將要被形成其中)上，對其施加樹脂密封，且然后在切割線上形成凹槽31。此時，在第一模塊部分Cl和第二模塊部分C2之間的邊界處也形成凹槽31。然后，在樹脂密封的頂部形成金屬膜之后，沿著切割線移動切割刀從而將半導(dǎo)體模塊C彼此分離。通過以此方式制造獨立半導(dǎo)體模塊C，如圖28中所示，在每一個半導(dǎo)體模塊C中，頂部表面由頂部表面屏蔽41c所屏蔽、側(cè)表面由側(cè)表面屏蔽42c所屏蔽、且第一和第二模塊部分Cl和C2之間的邊界部分由形成于凹槽部分6中的金屬膜的部分所屏蔽，且 這有助于確保第一模塊部分Cl和第二模塊部分C2的操作。附帶地，盡管圖28中所示的半導(dǎo)體模塊C包括形成于第一和第二模塊部分Cl和C2之間的邊界部分中間的圓柱形連接部分7，如果外部屏蔽4c的接地由形成于半導(dǎo)體模塊C的四個角落處的連接部分5c所確保，可省略連接部分7。此外，通過在除了相鄰獨立模塊部分之間的凹槽31，在凹槽31處切開如圖24中所示的集合襯底100，可能制造半導(dǎo)體模塊C。進(jìn)一步，這個實施例作為示例涉及處理設(shè)置有兩個獨立地操作的模塊部分的半導(dǎo)體模塊，不過這并不意味著限制，可提供三個或更多個模塊部分。此處，凹槽部分6可如本實施例中那樣在相鄰模塊部分之間的所有邊界處形成被屏蔽，或可選地，凹槽部分6可僅在影響彼此的這些模塊部分之間的邊界處形成被屏蔽。第三個實施例的其它優(yōu)勢與上述第一和第二實施例的其它優(yōu)勢一樣。(第四實施例)參考相應(yīng)附圖，可給出關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的描述。圖31是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的又一個示例的透視圖，圖32是圖31中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖，且圖33是示出其中圖32中所示的半導(dǎo)體模塊被安裝在安裝板上的狀態(tài)的剖面圖。圖31中所示的半導(dǎo)體模塊D具有與第一個實施例的半導(dǎo)體模塊A —樣的設(shè)置，除了連接部分5d，且在半導(dǎo)體模塊D的諸部件中，與半導(dǎo)體模塊A的類似部件基本一樣的那些部件被用相同的標(biāo)記標(biāo)識，且將省略其詳細(xì)描述。進(jìn)一步，半導(dǎo)體模塊D以與半導(dǎo)體模塊A類似的制造工藝而被制造，除了在洞孔形成步驟中形成通孔，且因此將省略其詳細(xì)描述。如圖31和32中所示，半導(dǎo)體模塊D包括從頂部表面延伸穿過半導(dǎo)體模塊D的底部表面的凹槽Cgd，且在凹槽Cgd的側(cè)壁上，用與外部屏蔽4相同的金屬膜形成連接部分5d。且，如圖33中所示，連接部分5d被直接地焊接至安裝襯底Tb的接地引線Pe。這使得可能從模塊襯底I的頂部表面上省略掉頂部表面接地引線111，從模塊襯底I的底部表面上省略掉底部表面接地引線121，并且省略掉連接頂部表面接地引線111和底部表面接地引線121的通孔14。因此，由于頂部表面接地引線111和(或)底部表面接地引線121沒有被提供，模塊襯底I可被制造得緊湊且簡單。進(jìn)一步，在制造工藝中，由于在洞孔形成步驟中形成通孔，沒有必要控制洞孔的深度，這相應(yīng)導(dǎo)致更簡單的制造。另外，由于沒有形成平的底部表面的必要，可使用鉆孔機(jī)執(zhí)行洞孔形成步驟。第四個實施例的其它優(yōu)勢與上述第一到第三個實施例的其它優(yōu)勢一樣。(第五實施例)參考相應(yīng)附圖，可給出關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的描述。圖41是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的透視圖，圖42是沿圖41線XLII-XLII所取的圖41中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖，且圖43是沿圖41線XLIII-XLIII所取的圖41中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖注意，在這些附圖中所示的半導(dǎo)體模塊E具有與半導(dǎo)體模塊A相同的設(shè)置，除了在圖43中右側(cè)所示的外部屏蔽4e和連接部分5連接至被包括在形成于模塊襯底I中的內(nèi)引線13中的接地引線(內(nèi)層接地引線131)。在形成半導(dǎo)體模塊E的諸部件中，與形 成半導(dǎo)體模塊A的相似物基本一樣的部件被用相同的標(biāo)記表不且它們的詳細(xì)描述被省略。如圖41中所示，外部屏蔽4e包括覆蓋密封樹脂層3的頂部表面的頂部表面屏蔽41e以及覆蓋密封樹脂層3的側(cè)表面的側(cè)表面屏蔽42e。更具體地，頂部表面屏蔽41e與半導(dǎo)體模塊A的外部屏蔽4具有相同的形狀，S卩，頂部表面屏蔽41e是在其四個角落形成為具有扇形截面的正方形平板元件。如附圖中所示，側(cè)表面屏蔽42e是矩形板元件被形成為覆蓋密封樹脂層3的側(cè)表面，從而其長度方向的兩端每一個連接至連接部分5的相應(yīng)一個。側(cè)表面屏蔽42e還在其長側(cè)中的一個處連接至頂部表面屏蔽41e(見圖41和42)。此處，在附圖中所示的外部屏蔽4e中，頂部表面屏蔽41e和側(cè)表面屏蔽42e彼此一體地形成。類似地，側(cè)表面屏蔽42e和連接部分5也被彼此一體地形成。且，側(cè)表面屏蔽42e每一個具有沿其長側(cè)的另一個而形成的屏蔽下端部分421e。屏蔽下端部分421e向外突出，且連接至模塊襯底I。在半導(dǎo)體模塊E中，如在半導(dǎo)體模塊A中一樣，連接部分5電連接至形成于模塊襯底I的頂部表面上的頂部表面接地引線111。藉此，外部屏蔽4e被接地，S卩，頂部表面屏蔽41e和側(cè)表面屏蔽42e被接地。這使得可能改進(jìn)外部屏蔽4e阻隔(提供屏蔽于)由于例如電磁場或靜電所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)的效果。進(jìn)一步，通過形成側(cè)表面屏蔽42e延伸進(jìn)入模塊襯底I的部分，可能減少水例如以水分形式進(jìn)入密封樹脂層3，且因此減少在回流焊接時在密封樹脂層3中裂紋等發(fā)生的風(fēng)險。注意，在30°C /60% RH/192H條件下進(jìn)行的屏蔽測試的實驗結(jié)果表明，通過將側(cè)表面屏蔽42e形成到模塊襯底I的部分中，在屏蔽測試后的重量增加被從0. 083%減少為0. 017%。還有，如圖43中所示，連接部分5連接至被包括在安裝襯底I的內(nèi)層引線13中的接地引線(內(nèi)層接地引線131)。典型多層襯底一般包括大面積內(nèi)層接地引線131。通過將連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131，外部屏蔽4可被以其間最小距離連接至大面積接地引線。這使得可能增強(qiáng)外部屏蔽4e的屏蔽效果。這還使得可能省略掉頂部表面接地引線111，且因此使得半導(dǎo)體模塊E緊湊。應(yīng)該注意的是，盡管僅位于圖43中的右側(cè)的連接部分5中的一個連接至內(nèi)層接地引線131，這并不意味著限制。例如，位于全部四個角落處的連接部分5可連接至內(nèi)層接地引線131，或者位于全部四個角落處的連接部分5可連接至頂部表面接地引線111?？蛇x地，可提供至少一個連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131以及至少一個連接部分5連接至頂部表面接地引線111。又可選地，連接部分5可被連接至底部表面接地引線121。接著，參考合適附圖，將給出制造圖41中所示的半導(dǎo)體模塊E的工藝的描述。圖44到50是示意地示出制造圖41中所示半導(dǎo)體模塊的工藝的部分的圖。制造半導(dǎo)體模塊E的工藝和制造半導(dǎo)體模塊A的步驟相同直到安裝步驟和密封步驟。即，將多個電子組件2安裝在集合襯底100的上表面上，且然后用絕緣樹脂密封集合襯底100的頂部表面。圖44是其中在密封步驟后在密封樹脂的表面中形成圓形洞孔的集合襯底的平面圖，且圖45是沿圖44的線XLV-XLV所取的示出圖44中所示的集合 襯底的剖面圖。在密封步驟(見圖6)之后，在每一個剖面形狀為圓形的洞孔30，被形成于密封樹脂層3所形成之處的集合襯底100的頂部表面中(洞孔形成步驟)。在洞孔形成步驟中，激光Ls被施加在密封樹脂層3的頂部表面的部分上，在這些部分下于之后描述的凹槽形成步驟中形成的凹槽31 (用雙點劃線來表示)彼此交叉。在集合襯底100的頂部表面的其中凹槽彼此交叉的部分處，設(shè)置有頂部表面接地引線111 (見圖44)，且通過施加激光Ls，形成洞孔30以接觸頂部表面接地引線111 (見圖45)。附帶地，在連接部分5直接連接至內(nèi)層接地引線131的情況下，在洞孔形成步驟中，形成洞孔30以達(dá)到內(nèi)層接地引線131。進(jìn)一步，在連接部分5直接連接至底部表面接地引線121的情況下，在洞孔形成步驟中，形成洞孔30以達(dá)到底部表面接地引線121。圖46是示意地示出凹槽形成步驟的平面圖，且圖47是沿圖44的線XLVII-XLVII所取的示出圖46中所示的集合襯底的剖面圖。在洞孔形成步驟中在密封樹脂層3中形成洞孔30 (見圖44和45)之后，形成線狀凹槽31來穿過相鄰的頂部表面接地引線111和洞孔30。如圖47中所示，每一個凹槽31的底部表面達(dá)到集合襯底100(內(nèi)部)。注意，半導(dǎo)體模塊E的制造工藝不同于半導(dǎo)體模塊B的制造工藝之處在于以相反順序來執(zhí)行洞孔形成步驟和凹槽形成步驟。以相反順序來執(zhí)行洞孔形成步驟和凹槽形成步驟的理由如下。假設(shè)凹槽31被形成于洞孔31之前。如上所述凹槽31被形成為穿過頂部表面接地引線111，從而凹槽31也被形成在頂部表面接地弓丨線111處。在洞孔形成步驟中，輻射直徑等同于洞孔30的內(nèi)徑的激光Ls被施加，從而藉此形成到達(dá)頂部表面接地引線111的洞孔30。然后，在激光Ls將被施加的區(qū)域中，密封樹脂層3在已經(jīng)形成凹槽31的部分處相比其他部分更薄，且因此在這些部分處，激光需要行進(jìn)而到達(dá)頂部表面接地引線的距離短于在沒有形成凹槽31的其他部分處的距離。如果在這個狀態(tài)中施加激光Ls且形成洞孔30，則存在洞孔30在已經(jīng)被形成凹槽31的部分處穿透集合襯底100的風(fēng)險。如果激光Ls以此方式形成洞孔30中任何一個為穿透，當(dāng)在之后描述的成膜步驟中使用濕電鍍法時，電鍍液到達(dá)集合襯底100的后表面且污染了后表面，這是不利的。為了防止對于后表面的這樣的污染，在這個實施例中，在凹槽形成步驟之前執(zhí)行洞孔形成步驟。且，在凹槽形成步驟中形成凹槽31之后，形成金屬膜(成膜)來覆蓋含有密封樹脂層3的集合襯底100的頂部表面。圖48是示出在其上成膜之后的集合襯底的平面圖，圖49是沿圖48線XLIX-XLIX所取的圖48中所示的集合襯底的剖面圖，且圖50是沿圖48線L-L所取的圖48中所示的集合襯底的剖面圖。在其中形成了洞孔30和凹槽31的密封樹脂層3的頂部表面上形成導(dǎo)電金屬膜(成膜步驟)。注意，在成膜步驟中所采用的形成金屬膜的方法與在制造半導(dǎo)體模塊A的工藝中執(zhí)行的成膜步驟中所采用的方法一樣。在成膜步驟中，不僅在密封樹脂層3的頂部表面上、還在洞孔30和凹槽31的底部表面和內(nèi)壁表面上形成金屬膜(見圖48、49、以及50)。形成在洞孔30的底部表面上的金屬膜的部分與頂部表面接地引線111相接觸。注意，在成膜步驟中形成的金屬膜形成在諸如圖41、42和43之類的圖中所示的外部屏蔽4和連接部分5。集合襯底100，在外部屏蔽4和連接部分5形成在其上之后，被切開并被分離(切割步驟)。圖51是示出在切割步驟中被切開的集合襯底的剖面圖。切割步驟等于是獲得獨立半導(dǎo)體模塊A的步驟。切割刀Db在其上移動的切割線位于凹槽31的底部表面的中間部分中，且切割刀Db切開凹槽31的底部表面和洞孔30的底部表面。在切割步驟中，其中凹槽31和洞孔30的底部表面被切開，切割刀Db和金屬膜(夕卜部屏蔽4e)之間的接觸表面僅僅是對應(yīng)于金屬膜(外部屏蔽4e)的厚度的表面。因此，在切割步驟中，金屬膜(外部屏蔽4e)和切割刀之間的接觸面積可被減少，且這有助于減少產(chǎn)生 諸如由于金屬膜和切割刀之間的摩擦引起的外部屏蔽的磨損和碎片之類的不便之處。進(jìn)一 步，通過減少金屬膜(外部屏蔽4e)和切割刀之間的接觸面積，可能減少在切割刀上施加較重負(fù)擔(dān)，且因此延長了切割刀的壽命，這相應(yīng)地有助于增強(qiáng)用其制造半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)力。這些特征有助于增強(qiáng)制造半導(dǎo)體模塊E的生產(chǎn)率。在凹槽形成步驟中，通過形成部分地延伸進(jìn)入集合襯底100的凹槽31,導(dǎo)電金屬膜還作用于減少水分等形式的水進(jìn)入密封樹脂層3。進(jìn)一步，通過切去襯底的部分來形成金屬膜，模塊襯底I和位于半導(dǎo)體模塊E的側(cè)表面上的密封樹脂層3之間的邊界部分被金屬膜所覆蓋。這有助于增強(qiáng)減少水進(jìn)入的效果，且因此可能減少在回流焊接中發(fā)生的樹脂的裂紋等的風(fēng)險。第五個實施例的其它優(yōu)勢與上述第一實施例的其它優(yōu)勢一樣。(第六實施例)參考相應(yīng)附圖，將給出關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的描述。圖52是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的另一個示例的透視圖，圖53是沿圖52線LIII-LIII所取的圖52中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖，且圖54是沿圖52線LIV-LIV所取的圖52中所示的半導(dǎo)體模塊的剖面圖。注意附圖中所示的半導(dǎo)體模塊F具有與半導(dǎo)體模塊E—樣的設(shè)置。在形成半導(dǎo)體模塊F的諸部件中，與形成半導(dǎo)體模塊E的對應(yīng)件基本一樣的部件被用相同的標(biāo)記表不且它們的詳細(xì)描述被省略。如圖52中所示，外部屏蔽4e包括覆蓋密封樹脂層3的頂部表面的頂部表面屏蔽41e以及覆蓋密封樹脂層3的側(cè)表面的側(cè)表面屏蔽42e。半導(dǎo)體模塊F具有與半導(dǎo)體模塊E類似的設(shè)置，且因此將省略其中的詳細(xì)描述。在半導(dǎo)體模塊F中，如在半導(dǎo)體模塊E中一樣，連接部分5電連接至形成于模塊襯底I的頂部表面上的頂部表面接地引線111。藉此，外部屏蔽4e被接地，S卩，頂部表面屏蔽41e和側(cè)表面屏蔽42e被接地。這使得可能改進(jìn)外部屏蔽4e阻隔(提供屏蔽于)由于例如電磁場或靜電所引起的不利影響(諸如高頻噪聲)的效果。進(jìn)一步，通過形成側(cè)表面屏蔽42e進(jìn)入模塊襯底I的部分，可能減少水例如以水分形式進(jìn)入密封樹脂層3，且因此減少在回流焊接時在密封樹脂層3中裂紋等發(fā)生的風(fēng)險。注意，在30°C /60% RH/192H條件下進(jìn)行的屏蔽測試的實驗結(jié)果表明，通過將側(cè)表面屏蔽42e形成倒模塊襯底I的部分中，在屏蔽測試后的重量增加被從0. 083%減少為0. 017%。還有，如圖54中所示，連接部分5連接至被包括在安裝襯底I的內(nèi)層引線13中的接地引線(內(nèi)層接地引線131)。典型多層襯底一般包括大面積內(nèi)層接地引線131。通過將連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131，外部屏蔽4可被以其間最小距離連接至大面積接地引線。這使得可能增強(qiáng)外部屏蔽4e的屏蔽效果。這還使得可能省略頂部表面接地引線111，且因此使得半導(dǎo)體模塊E緊湊。應(yīng)該注意的是，盡管僅位于圖54中的右側(cè)的連接部分5的一個連接至內(nèi)層接地引線131，這并不意味著限制。例如，位于全部四個角落處的連接部分5可連接至內(nèi)層接地引線131，或者位于全部四個角落處的連接部分5可連接至頂部表面接地引線111?？蛇x地，可提供至少一個連接部分5連接至內(nèi)層接地引線131以及至少一個連接部分5連接至頂部表面接地引線111。又可選地，連接部分5可被連接至底部表面接地引線121。
接著，參考合適附圖，將給出制造圖52中所示的半導(dǎo)體模塊E的工藝的描述。圖55到61是示意地示出制造圖52中所示半導(dǎo)體模塊的工藝的部分的圖。在制造半導(dǎo)體模塊F的工藝和制造半導(dǎo)體模塊E的步驟相同直到安裝步驟和密封步驟。S卩，將多個電子組件2安裝在集合襯底100的上表面上，且然后用絕緣樹脂密封集合襯底100的頂部表面。圖55是其中在密封步驟后在密封樹脂的表面中形成凹槽的集合襯底的平面圖，且圖56是沿圖55的線LVI-LVI所取的示出圖55中所示的集合襯底的剖面圖。在密封步驟中在集合襯底100的頂部表面上形成密封樹脂層3之后(見圖6)，線狀凹槽31被形成在密封樹脂層3的頂部表面中以連接相鄰頂部表面接地引線111并位于頂部表面接地引線111上。如圖56中所示，每一個凹槽31的底部表面達(dá)到集合襯底100。在凹槽形成步驟中形成凹槽31之后，洞孔30被形成在凹槽31彼此交叉的區(qū)域中，即，位于頂部表面接地引線111上(洞孔形成步驟)。圖57是示意性地示出洞孔形成步驟的平面圖，且圖58是示出在圖22中所示的洞孔形成步驟之后的集合襯底的剖面圖。在洞孔形成步驟中，對位于頂部表面接地引線111上的密封樹脂層3的部分施加激光Ls，從而藉此形成洞孔30(見圖58)。此處，通過施加小光束直徑的激光Ls至密封樹脂層3的扇形部分，從而激光Ls未被施加至凹槽31，洞孔30被形成以達(dá)到頂部表面接地引線111 (見圖58)。附帶地，在連接部分5與內(nèi)層接地引線131相接觸的情況下，在洞孔形成步驟中，形成洞孔30以達(dá)到內(nèi)層接地引線131。進(jìn)一步,在連接部分5直接連接至底部表面接地引線121的情況下，在洞孔形成步驟中，形成洞孔30以達(dá)到底部表面接地引線121。在制造半導(dǎo)體模塊F的工藝中的洞孔形成步驟中形成的洞孔的形狀不同于在制造半導(dǎo)體模塊B的制造工藝中的洞孔形成步驟中形成的洞孔的形狀；具體地，在制造半導(dǎo)體模塊F的制造工藝中的洞孔形成步驟中形成的洞孔是扇形的。通過在扇形形狀中形成洞孔，可能減少到達(dá)覆蓋頂部表面接地引線111的凹槽31的部分的激光的量，且因此減少了凹槽31的覆蓋頂部表面接地引線111的部分被挖得更深的量。即，可能減少了在覆蓋凹槽31的頂部表面接地引線111的部分用激光Ls形成洞孔30從而洞孔30穿透集合襯底111的風(fēng)險。這使得可能，在之后描述的成膜步驟中使用濕電鍍法的情況下，來減少電鍍液到達(dá)集合襯底100的后表面從而污染后表面(這是不利的)的風(fēng)險。在凹槽形成步驟中形成凹槽31之后，形成金屬膜來覆蓋含有密封樹脂層3的集合襯底100的頂部表面。圖59是示出在其上成膜之后的集合襯底的平面圖，圖60是沿圖59線LX-LX所取的圖59中所示的集合襯底100的剖面圖，且圖61是沿圖59線LXI-LXI所取的圖59中所示的集合襯底100的剖面圖。在其中形成了洞孔30和凹槽31的密封樹脂層3的頂部表面上形成導(dǎo)電金屬膜(成膜步驟)。注意，在成膜步驟中所采用的形成金屬膜的方法與在制造半導(dǎo)體模塊A的工藝中執(zhí)行的成膜步驟中所采用的方法一樣。在成膜步驟中，不僅在密封樹脂層3的頂部表面上、還在洞孔30和凹槽31的底部表面和內(nèi)壁表面上形成金屬膜(見圖59、60、以及61)。形成在洞孔30的底部表面上的金屬膜的部分與頂部表面接地引線111相接觸。注意，在成膜步驟中形成的金屬膜形成在諸如圖52、53和54之類的圖中所示的外部屏蔽4和連接部分5。集合襯底100，在外部屏蔽4和連接部分5形成在其上之后，被切開并被分離(切 割步驟)。圖62是示出在切割步驟中被切開的集合襯底的剖面圖。切割步驟等同于制造獨立半導(dǎo)體模塊A的工藝的切割步驟。切割刀Db在其上移動的切割線位于凹槽31的底部表面的中間部分中，且切割刀Db切開凹槽31的底部表面和洞孔30的底部表面。在切割步驟中，其中凹槽31和洞孔30的底部表面被切開，切割刀Db和金屬膜(夕卜部屏蔽4e)之間的接觸表面僅僅是對應(yīng)于金屬膜(外部屏蔽4e)的厚度的表面。因此，在切割步驟中，金屬膜(外部屏蔽4e)和切割刀之間的接觸面積可被減少，且這有助于減少產(chǎn)生諸如由于金屬膜和切割刀之間的摩擦引起的外部屏蔽的磨損和碎片之類的不便之處。進(jìn)一步，通過減少金屬膜(外部屏蔽4e)和切割刀之間的接觸面積，可能減少在切割刀上施加的較重負(fù)擔(dān)，且因此延長了切割刀的壽命，這相應(yīng)地有助于增強(qiáng)制造半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)力。通過在凹槽形成步驟中形成部分地延伸進(jìn)入集合襯底100的凹槽31,導(dǎo)電金屬膜還用于減少水分等形式的水進(jìn)入密封樹脂層3。進(jìn)一步，通過切去襯底的部分來形成金屬膜，模塊襯底I和位于半導(dǎo)體模塊E的側(cè)表面上的密封樹脂層3之間的邊界部分被金屬膜所覆蓋。這有助于增強(qiáng)減少水進(jìn)入的效果，且因此可能減少在回流焊接中發(fā)生的樹脂的裂紋等的風(fēng)險。第六實施例不同于第五實施例之處在于在洞孔形成步驟之前執(zhí)行凹槽形成步驟。在第六實施例中，由于在凹槽形成步驟中凹槽31被形成為部分地延伸進(jìn)入集合襯底100，在覆蓋頂部表面接地引線111的部分處形成凹槽31。如果，此后，其斑直徑等于洞孔直徑的激光Ls被施加，激光Ls也到達(dá)覆蓋凹槽31的洞孔30的一些部分。在這個狀態(tài)中，如果執(zhí)行洞孔形成步驟直到不覆蓋凹槽31的洞孔的部分到達(dá)頂部表面接地引線111，存在覆蓋凹槽31的洞孔30的部分可穿透集合襯底100的風(fēng)險。為了防止這個情況，在第六實施例中，在洞孔形成步驟中，激光輻射的范圍受限于使用較小斑直徑的激光Ls，從而凹槽31沒有被用激光Ls所輻射。注意，在第五實施例中，如上所述，通過在凹槽形成步驟之前執(zhí)行洞孔形成步驟，防止了上述不便之處。第六個實施例的其它優(yōu)勢與上述第一實施例的其它優(yōu)勢一樣。至此所描述的本發(fā)明的實施例并不意味著限制本發(fā)明。除了上述實施例外，在本發(fā)明的精神范圍內(nèi)可能有很多修改和變形。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊被應(yīng)用于諸如導(dǎo)航設(shè)備、手機(jī)終端、數(shù)碼相機(jī)、和個人數(shù)字助理之類的電子器件。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體模塊的方法，包括 安裝步驟，用于在集合襯底的頂部表面的獨立模塊部分上安裝電子組件； 密封步驟，用于用絕緣密封樹脂層密封安裝了電子組件的所述頂部表面； 洞孔形成步驟，用于形成從所述密封樹脂層的頂部表面延伸至提供在所述集合襯底處的接地引線的洞孔； 成膜步驟，用于形成由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電膜從而覆蓋至少所述密封樹脂層的頂部表面、所述洞孔的內(nèi)部表面、以及接地線；以及 分離步驟，用于將獨立模塊部分所包括的多個獨立模塊部分彼此分離。
2.如權(quán)利要求I所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 其中在所述獨立模塊部分中設(shè)置有接地引線的襯底被用作所述集合襯底。
3.如權(quán)利要求I或2所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 其中為每一個所述獨立模塊部分而提供多個接地引線作為接地引線的襯底被用作所述集合襯底；且 所述洞孔形成步驟形成達(dá)到所述接地引線的多個洞孔。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 其中在最外面引線層中設(shè)置有接地引線的襯底被用作所述集合襯底。
5.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 其中在所述接地引線上形成阻焊劑的襯底被用作所述集合襯底；且 所述洞孔形成步驟中，所述密封樹脂層和所述阻焊劑被從所述洞孔中移除。
6.如權(quán)利要求I至3中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 其中在內(nèi)引線層中設(shè)置有接地弓I線的襯底被用作所述集合襯底。
7.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 其中在形成所述洞孔的區(qū)域處在所述接地引線和所述密封樹脂層之間沒有其他引線形成的襯底被用作所述集合襯底。
8.—種制造半導(dǎo)體模塊的方法，包括 安裝步驟，用于在集合襯底的頂部表面的獨立模塊部分上安裝電子組件； 密封步驟，用于用絕緣密封樹脂層密封其上安裝了電子組件的所述頂部表面； 洞孔形成步驟，用于形成穿透所述集合襯底與所述密封樹脂層的洞孔； 成膜步驟，用于形成由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電膜從而覆蓋所述密封樹脂層的頂部表面和所述洞孔的內(nèi)部表面；以及 分離步驟，用于將獨立模塊部分所包括的多個獨立模塊部分彼此分離。
9.如權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中所述洞孔形成步驟形成洞孔以使所述洞孔穿透集合襯底的沒有引線形成的部分。
10.如權(quán)利要求I至9中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述洞孔形成步驟形成多個洞孔作為所述洞孔，以使所述多個洞孔中的至少一個被形成于所述獨立模塊部分的邊緣處。
11.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述獨立模塊部分具有矩形形狀；且 所述洞孔形成步驟在所述獨立模塊部分的角落處形成所述多個洞口的至少一個。
12.如權(quán)利要求10或11所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述洞孔形成步驟跨所述多個所述獨立模塊部分中的兩個或更多個而形成所述多個洞口的至少一個。
13.如權(quán)利要求I至12中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法，其特征在于，還包括 凹槽形成步驟，在所述密封樹脂層中形成具有未達(dá)到所述集合襯底的厚度的凹槽， 所述凹槽形成步驟在所述密封步驟之后但在所述成膜步驟之前被執(zhí)行。
14.如權(quán)利要求I至12中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法，其特征在于，還包括 凹槽形成步驟，在所述密封樹脂層中形成具有達(dá)到所述集合襯底內(nèi)部的厚度的凹槽， 所述凹槽形成步驟在所述密封步驟之后但在所述成膜步驟之前被執(zhí)行。
15.如權(quán)利要求13或14所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述洞孔形成步驟形成多個洞孔作為所述洞孔，以使所述多個洞孔中的至少一個被形成于所述獨立模塊部分的角落上，避開形成于所述密封樹脂層和所述集合襯底上的凹槽。
16.如權(quán)利要求13至15中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述成膜步驟還在所述凹槽的內(nèi)表面上形成導(dǎo)電膜，從而導(dǎo)電材料不填充所述凹槽。
17.如權(quán)利要求13至16中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述成膜步驟在所述洞孔的內(nèi)表面上形成導(dǎo)電膜，從而導(dǎo)電材料不填充所述洞孔。
18.如權(quán)利要求I至12中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法， 其特征在于，其中 所述成膜步驟在所述洞孔的內(nèi)表面上形成導(dǎo)電膜，從而導(dǎo)電材料不填充所述洞孔。
19.根據(jù)如權(quán)利要求I到18中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法而被制造的半導(dǎo)體模塊。
20.根據(jù)如權(quán)利要求13到17中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法而被制造的半導(dǎo)體模塊， 其特征在于，其中 在所述密封樹脂層的頂部和側(cè)表面上形成外部屏蔽。
21.根據(jù)如權(quán)利要求13到17中任一項所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法而被制造的半導(dǎo)體模塊，所述半導(dǎo)體模塊包括獨立于彼此 而操作且以凹槽作為其間邊界的的多個模塊部分。
全文摘要
為了可靠地將外部屏蔽接地并減少施加在切割刀和外部屏蔽上的負(fù)擔(dān)，用于制造半導(dǎo)體模塊的方法包括形成從密封樹脂層3的頂部表面延伸至提供在集合襯底100上的接地引線111(112)的洞孔30的洞孔形成步驟，形成由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電膜從而覆蓋至少密封樹脂層3的頂部表面、洞孔的內(nèi)表面20、以及接地引線111(112)的成膜步驟，以及將獨立模塊部分所包括的多個獨立模塊部分彼此分離的分離步驟。
文檔編號H01L23/48GK102779762SQ20121015832
公開日2012年11月14日 申請日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者天野義久, 得能真一, 村上雅啟, 櫛野正彥, 阪井孝江 申請人:夏普株式會社