專利名稱：熒光反射片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熒光反射片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，詳細來說，本發(fā)明涉及發(fā)光二極管裝置的制造方法、用于該發(fā)光二極管裝置的熒光反射片及利用發(fā)光二極管裝置的制造方法獲得的發(fā)光二極管裝置。
背景技術(shù)：
近年，作為能夠發(fā)出高能量的光的發(fā)光裝置，公知白色發(fā)光裝置。在白色發(fā)光裝置中例如設(shè)有二極管基板、層疊在該二極管基板上并發(fā)出藍色光的LED(發(fā)光二極管)、能夠?qū)⑺{色光變?yōu)辄S色光并覆蓋LED的熒光體層、用于密封LED的密封層。上述白色發(fā)光裝置利用透過了密封層及熒光體層的藍色光與在熒光體層中對一部分藍色光進行波長變換而 得到的黃色光的混色，發(fā)出高能量的白色光，該藍色光是由被密封層密封且由二極管基板供給電的LED發(fā)出的。作為制造上述白色發(fā)光裝置的方法，例如，提出了下述方法(例如，參照日本特開2005-191420 號公報)。S卩，首先，形成由基板部和從該基板部的周部向上側(cè)突出的白色的反射框部構(gòu)成的基體，接下來，在基板部的中央處在由反射框部形成的凹部的底部上，以與反射框部的內(nèi)側(cè)隔有間隔的方式引線接合半導(dǎo)體發(fā)光元件。接下來，利用涂敷在凹部中填充熒光體與液狀的環(huán)氧樹脂的混合物，接著，使熒光體自然沉降到凹部的底部，之后，使環(huán)氧樹脂加熱固化。在利用日本特開2005-191420號公報所提出的方法而獲得的白色發(fā)光裝置中，由沉降形成的以高濃度含有熒光體的熒光體層(波長改變層)形成在半導(dǎo)體發(fā)光元件的上側(cè)區(qū)域，以高濃度含有環(huán)氧樹脂的密封部形成在熒光體層的上側(cè)區(qū)域。而且，在該白色發(fā)光裝置中，半導(dǎo)體發(fā)光元件呈放射狀發(fā)出藍色光，其中，從半導(dǎo)體發(fā)光元件朝向上方發(fā)出的藍色光的一部分在熒光體層處被改變?yōu)辄S色光，并且使剩余部分的藍色光透過熒光體層。此外，從半導(dǎo)體發(fā)光元件朝向側(cè)方發(fā)出的藍色光被反射框部反射，繼續(xù)朝向上側(cè)照射。于是，日本特開2005-191420號公報的白色發(fā)光裝置利用上述藍色光及黃色光的混色來發(fā)出白色光。然而，在利用日本特開2005-191420號公報的制造方法獲得的白色發(fā)光裝置中，由于隔著間隔地配置半導(dǎo)體發(fā)光元件與反射框部，因此從半導(dǎo)體發(fā)光元件朝向側(cè)方發(fā)出的光的一部分在被反射框部反射之前，被密封部吸收。其結(jié)果，存在降低光取出效率的不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供能夠提高光取出效率的發(fā)光二極管裝置、該發(fā)光二極管裝置的制造方法及用于該發(fā)光二極管裝置的熒光反射片。本發(fā)明的熒光反射片是用于將熒光體層設(shè)在發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)、并將反射樹脂層設(shè)在上述發(fā)光二極管元件的側(cè)方的熒光反射片，其特征在于，該熒光反射片包括上述熒光體層及設(shè)在上述熒光體層的厚度方向一側(cè)的表面上的上述反射樹脂層，上述反射樹脂層以與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面相對配置的方式與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成。若以使反射樹脂層與基材相對配置并使熒光體層與發(fā)光二極管元件相對配置的方式將該熒光反射片層疊在基材上，則能夠使反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合。因此，在獲得的發(fā)光二極管裝置中，自發(fā)光二極管元件向側(cè)方發(fā)出的光在被其它構(gòu)件吸收之前被反射樹脂層反射。此外，能夠利用自發(fā)光二極管元件發(fā)出的、利用熒光體層進行波長變換的光的混色來發(fā)出高能量的白色光。 其結(jié)果，能夠提高光取出效率。此外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的特征在于，該發(fā)光二極管裝置的制造方法包括通過將反射樹脂層設(shè)在熒光體層的厚度方向一側(cè)的表面上來準備上述熒光反射片的工序；將發(fā)光二極管元件設(shè)在基材的上述厚度方向一側(cè)的表面上的工序；以貫穿上述厚度方向的方式在上述基材上形成貫穿孔的工序；以使上述反射樹脂層與上述貫穿孔相對配置并使上述熒光體層與上述發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)的表面相對配置的方式，將上述熒光反射片層疊在上述基材上的工序；對上述貫穿孔內(nèi)進行減壓的工序；使上述反射樹脂層與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合的工序。在該方法中，使反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合。因此，在獲得的發(fā)光二極管裝置中，自發(fā)光二極管元件向側(cè)方發(fā)出的光在被其它構(gòu)件吸收之前，被反射樹脂層反射。此外，由于使熒光體層與發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)的表面相對配置，因此，能夠利用自發(fā)光二極管元件向厚度方向一側(cè)發(fā)出的、利用熒光體層進行波長變換的光的混色來發(fā)出高能量的白色光。此外，若采用該方法，由于對貫穿孔內(nèi)進行減壓，因此，能夠防止反射樹脂層向發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)流入。因此，能夠?qū)晒怏w層可靠地層疊在發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)的表面上。其結(jié)果，能夠利用熒光體層有效地對光進行波長變換。此外，通過對貫穿孔內(nèi)進行減壓，從而能夠除去反射樹脂層中的氣泡(空隙)。因此，能夠形成可靠性優(yōu)良的反射樹脂層。由此，能夠利用反射樹脂層有效地反射光。其結(jié)果，能夠提高光取出效率。 此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，上述基材是二極管基板，在將上述發(fā)光二極管元件設(shè)在上述基材上的工序中，優(yōu)選將上述發(fā)光二極管元件倒裝安裝在上述基材上。在該方法中，將發(fā)光二極管元件倒裝安裝在作為二極管基板的基材上，使反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合。因此，能夠簡便地制造發(fā)光二極管裝置。此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，上述基材是離型基材，優(yōu)選該發(fā)光二極管裝置的制造方法還包括自上述發(fā)光二極管元件及上述反射樹脂層剝下上述基材的工序；將上述發(fā)光二極管元件倒裝安裝在二極管基板上的工序。
在上述方法中，自發(fā)光二極管元件及反射樹脂層剝下作為離型基材的基材，將側(cè)表面與反射樹脂層緊密貼合的發(fā)光二極管元件倒裝安裝在二極管基板上。因此，能夠簡單可靠地制造發(fā)光二極管裝置。此外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的特征在于，該發(fā)光二極管裝置包括二極管基板；發(fā)光二極管元件，其倒裝安裝在上述二極管基板上；熒光體層，其層疊在上述發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)的表面上；反射樹脂層，其與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼
口 o在該發(fā)光二極管裝置中，自發(fā)光二極管元件向側(cè)方發(fā)出的光在被其它構(gòu)件吸收之前，被反射樹脂層反射。此外，能夠利用自發(fā)光二極管元件向厚度方向一側(cè)發(fā)出的、利用熒光體層進行波長變換的光的混色來發(fā)出高能量的白色光。 其結(jié)果，能夠提高光取出效率。


圖I表示本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的一實施方式的仰視圖。圖2是用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一實施方式的制造工序圖，圖2的(a)表示準備熒光反射片的工序，圖2的(b)表示在二極管基板上形成貫穿孔及發(fā)光二極管元件的工序，圖2的(C)表示將熒光反射片層疊在二極管基板上的工序。圖3是接著圖2用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一實施方式的制造工序圖，圖3的(d)表示使發(fā)光二極管元件個體化的工序，圖3的(e)表示獲得個體化的發(fā)光二極管裝置的工序。圖4是用于說明準備圖2的(a)的熒光反射片的工序的制造工序圖，圖4的(a)表示準備熒光體層的工序，圖4的(b)表示將掩模配置在熒光體層上的工序，圖4的(C)表示隔著掩模將反射樹脂組合物涂敷在熒光體層上的工序，圖4的(d)表示除去掩模的工序。圖5表示圖4的(b)的工序中配置的掩模的俯視圖。圖6是用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(使用第2離型基材的方法)的制造工序圖，圖6的(a)表示準備第2離型基材的工序，圖6的(b)表示在第2離型基材上形成貫穿孔及發(fā)光二極管元件的工序，圖6的(C)表不將突光反射片層疊在第2離型基材上的工序。圖7是接著圖6用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(使用第2離型基材的方法)的制造工序圖，圖7的(d)表示使發(fā)光二極管元件個體化的工序，圖7的(e)表示剝下第2離型基材的工序，
圖7的(f)表示將發(fā)光二極管元件倒裝安裝在二極管基板上的工序。
具體實施例方式圖I是本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的一實施方式的仰視圖，圖2及圖3是用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一實施方式的制造工序圖，圖4是用于說明準備圖2的(a)的熒光反射片的工序的制造工序圖，圖5表示圖4的(b)的工序中配置的掩模的俯視圖。在圖I及圖2的(C)中，該發(fā)光二極管裝置I包括作為基材的二極管基板2、倒裝安裝(倒裝安裝也稱為倒裝芯片安裝)在二極管基板2上的發(fā)光二極管元件3、設(shè)在發(fā)光二極管元件3的側(cè)方的反射樹脂層4、層疊在發(fā)光二極管元件3的上(厚度方向一側(cè)，圖I中的紙面外側(cè))表面上的熒光體層5。此外，發(fā)光二極管裝置I在面方向(具體來說為圖I的箭頭所示的紙面左右方向及紙面前后方向)上彼此隔著間隔地設(shè)有多個。也就是說，多個發(fā)光二極管裝置I具有共 用的二極管基板2及共用的熒光體層5，在一個二極管基板2及一個熒光體層5之間設(shè)有多個發(fā)光二極管元件3及設(shè)在其側(cè)方的反射樹脂層4，多個發(fā)光二極管裝置I形成為集合體片24。然后，通過如圖I的單點劃線及圖3的(d)的單點劃線所示地對各發(fā)光二極管元件3之間的二極管基板2、反射樹脂層4及熒光體層5進行切割加工(dicing)而獲得個體化的發(fā)光二極管裝置I。如圖I及圖2的(C)所示，二極管基板2為大致矩形平板狀，具體來說，由在絕緣基板之上層疊有作為電路圖案的導(dǎo)體層的層疊板形成上述二極管基板2。絕緣基板例如由硅基板、陶瓷基板、聚酰亞胺樹脂基板等構(gòu)成，優(yōu)選由陶瓷基板構(gòu)成，具體來說，由藍寶石(Al2O3)基板構(gòu)成。導(dǎo)體層例如由金、銅、銀、鎳等導(dǎo)體形成。上述導(dǎo)體能夠單獨使用或者并用。此外，如圖2的(C)所示，導(dǎo)體層含有端子6。端子6在絕緣基板的上表面上在面方向上隔有間隔地形成，形成為與后述的電極部8相對應(yīng)的圖案。此外，雖未圖示，端子6借助導(dǎo)體層與電供給部電連接。此外，如圖I及圖2的(C)所示，在使發(fā)光二極管元件3實現(xiàn)個體化之前的多個發(fā)光二極管裝置I (集合體片24)中，在二極管基板2中形成有貫穿厚度方向的貫穿孔9。貫穿孔9與發(fā)光二極管元件3相對應(yīng)地、在面方向上與上述導(dǎo)體層(包含端子6)隔著間隔地設(shè)置，具體來說，在用于形成發(fā)光二極管元件3的區(qū)域的周圍處設(shè)有多個貫穿孔9。詳細來說，貫穿孔9在用于形成發(fā)光二極管元件3的區(qū)域的右方、左方、前方及后方分別形成有一個。各貫穿孔9以俯視大致圓形狀開口，分別排列配置在上述發(fā)光二極管元件3的左右方向及前后方向上。各貫穿孔9的內(nèi)徑例如為25 ii m 500 u m,優(yōu)選為50 ii m 100 u m。此外，二極管基板2的厚度例如為25 ii m 2000 u m,優(yōu)選為50 y m 1000 u m。發(fā)光二極管元件3設(shè)在二極管基板2的上表面(厚度方向一側(cè)的表面)上，形成為俯視大致矩形狀。此外，在一個二極管基板2的上表面上，發(fā)光二極管元件3在面方向(左右方向及前后方向)上彼此隔著間隔地排列配置有多個。
如圖2的(c)所示，發(fā)光二極管元件3包括光半導(dǎo)體層7和形成在該光半導(dǎo)體層7的下表面上的電極部8。光半導(dǎo)體層7形成為與發(fā)光二極管元件3的外形形狀相對應(yīng)的俯視大致矩形狀，形成為在面方向上較長的剖視大致矩形狀。雖未圖示，光半導(dǎo)體層7例如包括在下方依次層疊的緩沖層、N形半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P形半導(dǎo)體層。光半導(dǎo)體層7是由公知的半導(dǎo)體材料形成的，利用外延生長法等公知的生長法形成。光半導(dǎo)體層7的厚度例如為0. I ii m 500 V- m,優(yōu)選為0. 2 y m 200 V- m。電極部8與光半導(dǎo)體層7電連接，該電極部8在向 厚度方向投影時被光半導(dǎo)體層7包含。此外，電極部8例如包括與P形半導(dǎo)體層相連接的陽電極(anode)和形成在N形半導(dǎo)體層上的陰電極(cathode)。電極部8是由公知的導(dǎo)體材料形成的,其厚度例如為IOnm lOOOnm。在二極管基板2的上表面上，反射樹脂層4在向厚度方向投影時至少形成在欲形成發(fā)光二極管元件3 (具體來說為電極部8)的區(qū)域以外的區(qū)域中。也就是說，反射樹脂層4以包圍發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面且覆蓋自電極部8暴露出的光半導(dǎo)體層7的下表面的方式配置。具體來說，如圖I所示，反射樹脂層4在各發(fā)光二極管元件3的左右方向兩外側(cè)及前后方向兩外側(cè)形成為大致矩形框狀，通過使上述框部分在左右方向及前后方向的范圍內(nèi)連續(xù)地排列配置，從而在一個二極管基板2的上表面上形成為俯視大致網(wǎng)格狀。此外，如圖2的(C)所示，反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的外側(cè)表面、具體來說與各發(fā)光二極管元件3的左表面、右表面、前表面(參照圖I)及后表面(參照圖I)的各表面緊密貼合。由此，反射樹脂層4使發(fā)光二極管元件3的上表面暴露出。此外，在光半導(dǎo)體層7的下側(cè)形成有與電極部8的厚度相對應(yīng)的間隙12(參照圖2的(b))，在該間隙12中也填充反射樹脂層4，由此，反射樹脂層4也與自電極部8暴露出的光半導(dǎo)體層7的下表面及電極部8的側(cè)表面緊密貼合。反射樹脂層4的上表面形成為與發(fā)光二極管元件3的上表面在面方向上實質(zhì)上共面。另一方面,反射樹脂層4的下表面的與二極管基板2的貫穿孔9相對應(yīng)的部分面對貫穿孔9內(nèi)，成為向下側(cè)稍微突出的突起部10。上述反射樹脂層4例如含有光反射成分，具體來說，反射樹脂層4由含有樹脂、光反射成分的反射樹脂組合物形成。作為樹脂，例如能夠舉出熱固化性有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、熱固化性聚酰亞胺樹月旨、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、熱固化性聚氨酯樹脂等熱固化性樹脂，優(yōu)選舉出熱固化性有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂。光反射成分例如為白色的化合物，作為上述白色的化合物，具體來說，能夠舉出白色顏料。作為白色顏料，例如能夠舉出白色無機顏料，作為上述白色無機顏料，例如舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物，例如舉出鉛白(碳酸鉛)、碳酸鈣等碳酸鹽，例如舉出高嶺土(聞嶺石)等黏土礦物等。作為白色無機顏料，優(yōu)選舉出氧化物，進一步優(yōu)選舉出氧化鈦。
采用氧化鈦，能夠獲得較高的白度、較高的光反射性、優(yōu)良的遮蓋性(遮蓋力)、優(yōu)良的著色性(著色能力)、較高的分散性、優(yōu)良的耐候性、較高的化學(xué)穩(wěn)定性等特性。 上述氧化鈦具體來說為TiO2 (氧化鈦(IV)，二氧化鈦)。并不對氧化鈦的晶體構(gòu)造進行特別限定，例如為金紅石、板鈦礦(板鈦石)、銳鈦礦(anatase)等,優(yōu)選為金紅石。此外，并不對氧化鈦的品系進行特別限定，例如為四方晶系、斜方晶系等，優(yōu)選為四方晶系。若氧化鈦的晶體構(gòu)造及晶系采用金紅石及四方晶系，則即使在使反射樹脂層4處 于長時間高溫的情況下，也能夠有效地防止該反射樹脂層4對光(具體來說為可見光，特別是波長450nm附近的光)的反射率降低的情況。光反射成分為顆粒狀，但是并不限定其形狀，例如舉出球狀、板狀、針狀等。光反射成分的最大長度的平均值(在作為球狀的情況下為其平均粒徑)例如為Inm lOOOnm。最大長度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布儀測定的。光反射成分的調(diào)和比例是相對于100質(zhì)量份樹脂例如采用0. 5質(zhì)量份 90質(zhì)量份的光反射成分，從著色性、光反射性及反射樹脂組合物的處理性的觀點來說，優(yōu)選該光反射成分為I. 5質(zhì)量份 70質(zhì)量份。將上述光反射成分均勻地分散混合到樹脂中。此外，也能夠在反射樹脂組合物中進一步添加填充劑。也就是說，能夠并用填充劑與光反射成分(具體來說為白色顏料)。作為填充劑，除上述的白色顏料之外，可以舉出公知的填充劑，具體來說，舉出無機填充劑，作為上述無機填充劑例如舉出二氧化硅粉末、滑石粉末、氧化鋁粉末、氮化鋁粉末、氮化硅粉末等。作為填充劑，從降低反射樹脂層4的線膨脹率的觀點來說，優(yōu)選舉出二氧化硅粉末。 作為二氧化硅粉末，例如舉出熔融二氧化硅粉末、晶體二氧化硅粉末等，優(yōu)選舉出熔融二氧化硅粉末(即石英玻璃粉末)。作為填充劑的形狀，例如舉出球狀、板狀、針狀等。從優(yōu)良的填充性及流動性的觀點來說，優(yōu)選舉出球狀。從而，作為二氧化硅粉末，優(yōu)選舉出球狀熔融二氧化硅粉末。填充劑的最大長度的平均值(作為球狀的情況下為平均粒徑)例如為5iim 60 V- m,優(yōu)選為15 ii m 45 ii m。最大長度的平均值是用激光衍射散射式粒度分布儀測定的。將填充劑的添加比例調(diào)整為例如填充劑及光反射成分的總量相對于100質(zhì)量份的樹脂為10質(zhì)量份 80質(zhì)量份，從降低線膨脹率及確保流動性的觀點來說，優(yōu)選將填充劑的添加比例調(diào)整為填充劑及光反射成分的總量相對于100質(zhì)量份的樹脂為25質(zhì)量份 75質(zhì)量份，進一步優(yōu)選調(diào)整為為40質(zhì)量份 60質(zhì)量份。反射樹脂組合物是通過調(diào)和上述樹脂、光反射成分、根據(jù)需要添加的填充劑而使上述物質(zhì)均勻混合來制備的。此外，將反射樹脂組合物制備為B階段狀態(tài)。上述反射樹脂組合物例如形成為液狀或者半固體狀,其運動粘度例如為IOmm2/s 30mm2/s。反射樹脂層4(除突起部10之外的部分)的厚度與發(fā)光二極管元件3的厚度實質(zhì)上相同。此外，根據(jù)后述的貫穿孔9內(nèi)的減壓程度(壓力)，將突起部10的突出長度調(diào)整為適當?shù)拈L度，例如，該突起部10的突出長度相對于二極管基板2的厚度例如為20% 100%。如圖I及圖2的(C)所示，熒光體層5形成為與集合體片24的外形形狀相對應(yīng)的俯視大致矩形片(薄膜)狀，該熒光體層5形成在發(fā)光二極管元件3及反射樹脂層4的整個上表面(厚度方向一側(cè)的表面)上。熒光體層5例如由含有熒光體的熒光體組合物等形成。熒光體組合物例如含有熒光體及樹脂。
作為熒光體，例如舉出能夠?qū)⑺{色光改變?yōu)辄S色光的黃色熒光體。作為上述熒光體，例如舉出在復(fù)合金屬氧化物、金屬硫化物等中例如摻雜有鈰(Ce)、銪(Eu)等金屬原子的熒光體。具體來說，作為熒光體，例如舉出Y3Al5012:Ce(YAG(釔鋁石榴石)Ce)、(Y，GcO3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2 (Si, Ge)3012:Ce 等具有石榴石型晶體構(gòu)造的石槽石型突光體，例如(Sr, Ba)2Si04:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu> Li2SrSi04:Eu>Ca3Si2O7 = Eu等娃酸鹽突光體,例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等招酸鹽突光體,例如ZnS: Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu 等硫化物熒光體，例如 CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi202N2:Eu、Ca-a -SiAlON 等氮氧化物熒光體，例如 CaAlSiN3: Eu、CaSi5N8: E u 等氮化物熒光體，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6IMn等氟化物類熒光體等。優(yōu)選舉出石榴石型熒光體，進一步優(yōu)選舉出 Y3Al5O12: Ce (YAG)。熒光體可單獨使用或者兩種以上并用。熒光體組合物中的熒光體的調(diào)和比例例如為質(zhì)量比1% 50%，優(yōu)選為質(zhì)量比5% 30%。此外，熒光體相對于100質(zhì)量份樹脂的調(diào)和比例例如為I質(zhì)量份 100質(zhì)量份，優(yōu)選為5質(zhì)量份 40質(zhì)量份。樹脂是使熒光體分散的基質(zhì)，例如舉出有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂等透明樹脂等。從耐久性的觀點來說，優(yōu)選舉出有機硅樹脂。有機硅樹脂主要在分子內(nèi)具有由硅氧烷鍵(-Si-O-Si-)構(gòu)成的主鏈和與主鏈的娃原子(Si)相結(jié)合的、由燒基(例如甲基等)或者燒氧基(例如甲氧基)等有機基構(gòu)成的側(cè)鏈。具體來說，作為有機硅樹脂，例如舉出脫水縮合型有機硅樹脂、附加反應(yīng)型有機硅樹脂、過氧化物固化型有機硅樹脂、濕氣固化型有機硅樹脂、固化型有機硅樹脂等。優(yōu)選舉出附加反應(yīng)型有機硅樹脂等。有機硅樹脂的25°C時的運動粘度例如為10mm2/s 30mm2/s。樹脂可單獨使用或者兩種以上并用。樹脂的調(diào)和比例是相對于突光體組合物、例如為質(zhì)量比50% 99%,優(yōu)選為質(zhì)量比 70% 95%。熒光體組合物是通過以上述調(diào)和比例調(diào)和熒光體及樹脂并進行攪拌混合來制備的。
此外，例如也能夠由熒光體的陶瓷(熒光體陶瓷板)形成熒光體層5。在該情況下，通過使上述熒光體為陶瓷材料，并燒結(jié)該陶瓷材料，從而獲得熒光體層5 (熒光體陶瓷)。熒光體層5的厚度例如為ΙΟΟμπι ΙΟΟΟμπι，優(yōu)選為200 μ m 700 μ m，進一步優(yōu)選為 300 μ m 500 μ m。接下來，參照圖I 圖5對制造上述發(fā)光二極管裝置I的方法進行說明。在該方法中，首先，如圖2的(a)所示，準備熒光反射片13。熒光反射片13是用于將熒光體層5設(shè)在發(fā)光二極管元件3 (參照圖2的(b))之上(厚度方向一側(cè))、將反射樹脂層4設(shè)在發(fā)光二極管元件3的側(cè)方的層疊片。突光反射片13包括突光體層5和設(shè)在突光體層5的上表面(厚度方向一側(cè)的表面)上的反射樹脂層4。 上述熒光反射片13是通過將反射樹脂層4設(shè)在熒光體層5的上表面(厚度方向一側(cè)的表面)上而準備的。為了將反射樹脂層4設(shè)在熒光體層5的上表面上，例如，首先，如圖4的(a)所示，準備突光體層5。為了準備熒光體層5，在由熒光體組合物形成熒光體層5的情況下，例如，將上述熒光體組合物涂敷在假想線所示的第I離型基材21的整個上表面上，形成熒光體皮膜(未圖示)。第I離型基材21由例如聚烯烴(具體來說為聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等乙烯共聚物、例如聚對苯二甲酸乙酯、聚碳酸酯等聚酯、例如聚四氟乙烯等氟樹脂等樹脂材料等形成。此外，第I尚型基材21例如也可以由鐵、招、不鎊鋼等金屬材料等形成。第I離型基材21的厚度例如為10 μ m 1000 μ m。在將熒光體組合物涂敷在第I離型基材21上之后，例如，通過在50°C 150°C下對形成的熒光體皮膜進行加熱而使其干燥，從而獲得片狀的熒光體層5。此外，在由熒光體的陶瓷(熒光體陶瓷板)形成熒光體層5的情況下，例如，通過使上述熒光體為陶瓷材料，并呈片狀成形后，對其進行燒結(jié)，從而獲得片狀的熒光體層5 (熒光體陶瓷)。接下來，如圖4的(b)所示，將掩模20配置在熒光體層5之上。如圖5所示，掩模20形成為一體地包括框部17、隔著間隔地配置在框部17的面方向內(nèi)側(cè)的覆蓋部18、用于架設(shè)框部17及覆蓋部18的架設(shè)部19的圖案?？虿?7形成為俯視大致矩形框狀。此外，框部17以能夠借助架設(shè)部19支承覆蓋部18的寬度(能夠確保強度的寬度)形成。覆蓋部18以與上述發(fā)光二極管元件3 (參照圖I的虛線)相對應(yīng)的方式彼此隔著間隔地配置有多個。也就是說，各覆蓋部18獨立地形成。在俯視下，各覆蓋部18的外形形狀形成為與發(fā)光二極管元件3 (參照圖I的虛線)的外形形狀相對應(yīng)的形狀(具體來說為俯視大致矩形狀)。架設(shè)部19用于架設(shè)框部17及覆蓋部18,并且用于架設(shè)在面方向上相鄰接的覆蓋部18彼此。各架設(shè)部19成為俯視大致X字狀，例如，各架設(shè)部19是以將面方向上相鄰接的四個覆蓋部18(18A、18B、18C&18D)的左右方向及前后方向端部連接起來的方式進行架設(shè)的。
此外，架設(shè)部19例如由電線等線狀構(gòu)件構(gòu)成，該架設(shè)部19的寬度顯著窄于覆蓋部18的寬度,具體來說,該寬度例如為100 μ m以下,優(yōu)選為50 μ m以下,通常,例如為25 μ m以上。掩模20例如由不銹鋼、鐵等金屬材料，例如聚對苯二甲酸乙酯等樹脂材料等形成。優(yōu)選由金屬材料形成該掩模20。掩模20例如通過蝕刻、激光加工等公知的圖案形成法而形成為上述圖案。掩模20的厚度例如為25 μ m 500 μ m。如圖4的(b)所示，以使覆蓋部18和與發(fā)光二極管元件3相對應(yīng)的熒光體層5 (參照圖I及圖2的(b))在厚度方向上相對配置的方式，在熒光體層5的上表面上配置(載 置)上述掩模20。接著，在該方法中，如圖4的(C)所示，隔著掩模20將反射樹脂組合物涂敷在熒光體層5之上。為了涂敷反射樹脂組合物，例如，使用印刷、分配器(dispense)等涂敷方法。由此，在熒光體層5的上表面上以掩模20的相反圖案形成由反射樹脂組合物構(gòu)成的反射皮膜22。接下來，如圖4的(C)的假想線的箭頭所示，自熒光體層5除去掩模20。具體來說，向上方提起掩模20。通過向上方提起掩模20，從而除去形成在覆蓋部18的上表面上的反射皮膜22。此外，通過提起上述掩模20，使架設(shè)部19 (參照圖5)的周圍的反射皮膜22 (具體來說為形成在架設(shè)部19的側(cè)表面上的反射樹脂組合物)稍微流動，由此，不會使曾配置有架設(shè)部19的區(qū)域暴露出，利用反射皮膜22覆蓋(填充)該區(qū)域。由此，如圖2的(a)及圖4的(d)所示，以覆蓋部18(參照圖4的(C))的相反圖案形成反射皮膜22。由此，獲得由上述圖案的反射皮膜22構(gòu)成的反射樹脂層4。此外，通過加熱上述圖案的反射皮膜22，從而使反射樹脂層4處于B階段狀態(tài)。作為加熱條件，加熱溫度例如為40°C 150°C，優(yōu)選為50°C 140°C，加熱時間例如為I分鐘 60分鐘，優(yōu)選為3分鐘 20分鐘。反射樹脂層4形成為下述圖案，S卩，參照后述的圖2的(b)的虛線，在使熒光反射片13上下翻轉(zhuǎn)、并使上下翻轉(zhuǎn)了的熒光反射片13與二極管基板2相對配置時，熒光體層5的自反射樹脂層4暴露出的下表面在向厚度方向投影時包含發(fā)光二極管元件3。另外，參照后述的圖2的(c)，在將熒光反射片13層疊在二極管基板2上時，反射樹脂層4形成為以與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面相對配置的方式與發(fā)光二極管3相對應(yīng)的圖案。之后，在由熒光體組合物形成熒光體層5的情況下，如圖4的(d)的假想線的箭頭所示，自熒光體層5剝下第I離型基材21。由此，如圖2的(b)的上部所示，準備包括反射樹脂層4及熒光體層5的熒光反射片13。另一方面，在該方法中，如圖2的(b)的下部所示，準備二極管基板2，在準備的二極管基板2的上表面(厚度方向一側(cè)的表面)上設(shè)置發(fā)光二極管元件3。為了準備二極管基板2，在俯視大致矩形狀的絕緣基板之上形成含有端子6的導(dǎo)體層。為了將發(fā)光二極管元件3設(shè)在二極管基板2上，電連接電極部8和端子6，將發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上。此外，在二極管基板2中形成貫穿孔9。貫穿孔9例如以利用蝕刻、鉆頭穿孔等開口法貫穿二極管基板2的厚度方向的方式在二極管基板2中形成。接下來，在該方法中，如圖2的(b)所示，將熒光反射片13相對配置在二極管基板2的上方。具體來說，首先，將熒光反射片13自圖2的(a)的狀態(tài)上下翻轉(zhuǎn)。
接下來，以使反射樹脂層4與貫穿孔9相對，并使自反射樹脂層4暴露出的熒光體層5與發(fā)光二極管元件3的上表面(厚度方向一側(cè)的表面)相對的方式配置上述熒光反射片13。接下來，在該方法中，如圖2的(C)所示，將熒光反射片13層疊在二極管基板2上。具體來說，使反射樹脂層4的下表面與貫穿孔9的周圍的二極管基板2相接觸，并且使熒光體層5與發(fā)光二極管元件3的上表面相接觸。由此，在厚度方向上將反射樹脂層4及發(fā)光二極管元件3共同夾在熒光體層5及二極管基板2之間。此外,反射樹脂層4的下表面的一部分面對貫穿孔9。之后，在該方法中按壓反射樹脂層4。具體來說，隔著熒光體層5和/或二極管基板2在厚度方向上按壓反射樹脂層4。由此，由于反射樹脂層4被熒光體層5及二極管基板2夾持，因此，在厚度方向上對反射樹脂層4施加的按壓力向側(cè)方、具體來說向面方向外側(cè)(左側(cè)、右側(cè)、前側(cè)及后側(cè))傳遞。由此，使反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面(左表面、右表面、前表面及后表面)緊密貼合。另外，此時反射樹脂層4也可以在光半導(dǎo)體層7的下側(cè)填充到與電極部8的厚度相對應(yīng)地形成的間隙12(參照圖2的(b))中，由此，反射樹脂層4與光半導(dǎo)體層7的下表面及電極部8的側(cè)表面緊密貼合。在按壓上述反射樹脂層4的同時，對貫穿孔9內(nèi)進行減壓。具體來說，通過借助未圖示的連接構(gòu)件將貫穿孔9與未圖示的吸引泵(或者是減壓泵或真空泵)等連接起來，從而使貫穿孔9內(nèi)處于減壓狀態(tài)。貫穿孔9內(nèi)的氣壓例如為300Pa 2000Pa，優(yōu)選為 300Pa lOOOPa。通過對貫穿孔9內(nèi)進行減壓，從而使反射樹脂層4的與貫穿孔9相面對的部分進入(引入)到貫穿孔9內(nèi)，在貫穿孔9內(nèi)形成突起部10。與此同時，可防止與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面緊密貼合的反射樹脂層4 (的上端部)流入到發(fā)光二極管元件3及熒光體層5之間。由此，如圖I所示，獲得由排列配置多個的發(fā)光二極管裝置I構(gòu)成的集合體片24。之后，如圖I的單點劃線及圖3的(d)的單點劃線所示，在彼此鄰接的發(fā)光二極管元件3之間，沿厚度方向?qū)ΧO管基板2、反射樹脂層4及熒光體層5進行切割加工(dicing)。具體來說，以沿著連接在左右方向上排列的各貫穿孔9的線段和連接在前后方向上鄰接的各貫穿孔9的線段將各貫穿孔9 二等分的方式在厚度方向上對二極管基板2、反射樹脂層4及熒光體層5進行切割加工。由此，切分為多個發(fā)光二極管元件3。即，使發(fā)光二極管元件3個體化(單片化)。由此，如圖3的(e)所示，獲得具有個體化的發(fā)光二極管元件3的發(fā)光二極管裝置
Io而且，在上述方法中，使反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面緊密貼合。因此，在獲得的發(fā)光二極管裝置I中，自發(fā)光二極管元件3向側(cè)方發(fā)出的光在被其它構(gòu)件吸收之前，被反射樹脂層4反射。此外，由于使熒光體層5與發(fā)光二極管元件3的上表面相對配置，因此，能夠利用自發(fā)光二極管元件3向上方發(fā)出的、通過熒光體層5的藍色光與利用熒光體層5進行波長變換而得到的黃色光的混色，發(fā)出高能量的白色光。此外，若采用該方法，由于對貫穿孔9內(nèi)進行減壓，因此能夠防止反射樹脂層4流入到發(fā)光二極管元件3的上方。因此，能夠?qū)晒怏w層5可靠地層疊在發(fā)光二極管元件3的上表面上。此外，通過對上述的貫穿孔9內(nèi)進行減壓，能夠除去反射樹脂層4中的氣泡(空隙)。因此，能夠形成可靠性優(yōu)良的反射樹脂層4。由此，能夠利用反射樹脂層4有效地反射光。其結(jié)果，能夠提高光取出效率。此外，雖然在圖4的(b) 圖4的(d)的實施方式中，利用掩模20形成反射樹脂層4，但是，例如也能夠在樹脂為粉末狀的情況下，通過利用壓縮成形機一邊對樹脂組合物進行加熱一邊進行壓縮成形，從而使該樹脂組合物固化并形成在熒光體層5的整個上表面上后，利用蝕刻等使反射樹脂層4形成為上述圖案。此外，雖然在圖2及圖3的實施方式中，以二極管基板2為例說明了本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中的基材，但是，例如，也能夠如圖6及圖7所示，通過將第2離型基材23作為基材并另外準備二極管基板2 (參照圖7的(f))，從而獲得發(fā)光二極管裝置I。圖6及圖7表示用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(采用第2離型基材的方法)的制造工序圖。此外，在圖6及圖7中，對與上述各部分相對應(yīng)的構(gòu)件標注相同的附圖標記，省略其詳細說明。接下來，參照圖6及圖7對采用第2離型基材23制造發(fā)光二極管裝置I的方法進行說明。首先，在該方法中，如圖6的(a)所示，準備作為基材的第2離型基材(離型基材)23。第2離型基材23由與上述第I離型基材21 (參照圖4的(a) 圖4的(d)的假想線)相同的材料形成。此外，也能夠由熱剝離片形成第2離型基材23，該熱剝離片能夠利用加熱容易地自發(fā)光二極管元件3剝離。如圖6的(a)的假想線所示，熱剝離片例如包括支承層15和層疊在支承層15的上表面上的粘合層16。支承層15例如由聚酯等耐熱性樹脂形成。粘合層16例如由在常溫(25°C )下具有粘合性、在加熱時粘合性降低(或者喪失、粘合性)的熱膨脹性粘合劑等形成。作為上述熱剝離片，能夠使用市面上販賣的商品，具體來說，能夠使用REVALPHA Series (注冊商標，日東電工株式會社制)等。熱剝離片利用支承層15隔著粘合層16可靠地支承發(fā)光二極管元件3 (參照圖6的(b))，并且基于由之后的加熱及熱膨脹產(chǎn)生的粘合層16的粘合性下降，自發(fā)光二極管元件3剝離該熱剝離片。第2離型基材23的厚度例如為10 μ m 1000 μ m。接下來，如圖6的(b)的下部所示，將發(fā)光二極管元件3設(shè)在第2離型基材23的上表面上。此外，在第2離型基材23中形成貫穿孔9。貫穿孔9例如以利用蝕刻、鉆頭穿孔等開口法貫穿第2離型基材23的厚度方向的方式在第2離型基材23中形成。
接下來，如圖6的(b)所示，將熒光反射片13相對配置在第2離型基材23的上方。接下來，在該方法中，如圖6的(C)所示，將熒光反射片13層疊在第2離型基材23上。之后，按壓反射樹脂層4并對貫穿孔9內(nèi)進行減壓。接下來，在該方法中，如圖7的(d)的單點劃線所示，在彼此鄰接的發(fā)光二極管元件3之間，沿厚度方向?qū)Φ?離型基材23、反射樹脂層4及熒光體層5進行切割加工(dicing)。具體來說，以沿著連接各貫穿孔9的線段二等分各貫穿孔9的方式在厚度方向上對第2離型基材23、反射樹脂層4及熒光體層5進行切割加工。由此，切分為多個發(fā)光二極管元件3。即，使發(fā)光二極管元件3個體化(單片化)。之后，在該方法中，如圖7的(e)的假想線所示，自發(fā)光二極管元件3及反射樹脂層4剝下第2離型基材23。此外，在第2離型基材23為熱剝離片的情況下，利用加熱，自發(fā)光二極管元件3及反射樹脂層4剝下第2離型基材23。由此，獲得側(cè)表面與反射樹脂層4緊密貼合、且上表面與熒光體層5相層疊的發(fā)光二極管元件3。之后，如圖7的(f)所示，將發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上。由此，獲得發(fā)光二極管裝置I。在該方法中，自發(fā)光二極管元件3及反射樹脂層4剝下第2離型基材23，將側(cè)表面與反射樹脂層4緊密貼合、且上表面與熒光體層5相層疊的發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上。因此，能夠簡單可靠地制造發(fā)光二極管裝置I。另一方面，在圖2及圖3的實施方式中，該發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上，反射樹脂層4與該發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面緊密貼合。因此，不使用第2離型基材23(圖6及圖7)，不需要自發(fā)光二極管元件3、反射樹脂層4剝下上述第2離型基材23，因此，能夠簡便地制造發(fā)光二極管裝置I (及集合體片24)。實施例以下表示實施例，進一步具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不被下述實施例所限定。實施例I (圖2及圖3的方式)首先，準備熒光反射片(參照圖2的(a))。
即，首先，準備由聚對苯二甲酸乙酯構(gòu)成的厚度50 μ m的第I離型基材。接下來，通過調(diào)和26質(zhì)量份由Y3Al5O12 = Ce構(gòu)成的熒光體顆粒(球形狀,平均粒徑8 μ m)及74質(zhì)量份有機硅樹脂(附加反應(yīng)型有機硅樹脂，運動粘度(25°C )20mm2/s，旭化成瓦克有機硅株式會社制)并進行均勻攪拌，從而制備了熒光體組合物，將該熒光體組合物涂敷在準備好的第I離型基材的整個上表面上而形成熒光體皮膜。之后，以100°C使熒光體皮膜干燥，在第I離型基材的整個上表面上形成了熒光體層(參照圖4的(a))。接下來，將由不銹鋼構(gòu)成的厚度100 μ m的掩模配置在熒光體層的上表面上(參照圖4的(b))。掩模形成為一體地包括框部、覆蓋部及架設(shè)部的圖案(參照圖5)。接下來，通過均勻地混合100質(zhì)量份熱固化性有機硅樹脂及20質(zhì)量份球狀的平均粒徑300nm的氧化鈦(TiO2:金紅石的四方晶系)顆粒來制備反射樹脂組合物，利用印刷，隔著掩模將制備出的反射樹脂組合物涂敷在熒光體層之上(參照圖4的(c))。由此，以掩模的相反圖案形成由反射樹脂組合物構(gòu)成的反射皮膜。
接下來，自熒光體層除去掩模(參照圖4的(C)的假想線的箭頭)。由此，通過使架設(shè)部的周圍的反射皮膜稍微流動，從而將反射皮膜填充到曾配置有架設(shè)部的區(qū)域中。由此，以覆蓋部的相反圖案形成反射皮膜。此外，利用加熱使反射皮膜處于B階段狀態(tài)。之后，自熒光體層剝離第I離型基材(參照圖4的(d)的假想線的箭頭)。由此，準備了包括熒光體層及由反射皮膜構(gòu)成的反射樹脂層的熒光反射片(層疊片)(參照圖2的(a))。接下來，使熒光反射片上下翻轉(zhuǎn)(參照圖2的(b)的上部)。另一方面，將厚度O. Imm的發(fā)光二極管元件倒裝安裝在厚度1_的二極管基板的上表面上(參照圖2的(b)的下部)，該發(fā)光二極管元件包括含有緩沖層(GaN)、N形半導(dǎo)體層(n-GaN)、發(fā)光層(InGaN)及P形半導(dǎo)體層(p_GaN:Mg)的光半導(dǎo)體層和含有陽電極及陰電極的電極部。此外，二極管基板包括由藍寶石構(gòu)成的絕緣基板和在其上表面上包含由銅、鎳及金構(gòu)成的端子的導(dǎo)體層。此外，在二極管基板上，利用鉆頭穿孔在發(fā)光二極管元件的周圍處形成內(nèi)徑100 μ m的俯視圓形狀的貫穿孔。之后，以使反射樹脂層與貫穿孔相對并使熒光體層與發(fā)光二極管元件的上表面相對的方式，將上下翻轉(zhuǎn)的熒光反射片相對配置在二極管基板的上方(參照圖2的(b))。接下來，將熒光反射片層疊到二極管基板上(參照圖2的(C))。具體來說，使反射樹脂層的下表面與貫穿孔的周圍的二極管基板相接觸，并使熒光體層與發(fā)光二極管元件的上表面相接觸。接下來，按壓反射樹脂層并將貫穿口內(nèi)的壓力減壓到300Pa。由此，使反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合，并且在反射樹脂層中將面對貫穿孔的部分引入到貫穿孔中，形成了突起部。由此，獲得了由多個排列配置的二極管裝置構(gòu)成的集合體片(參照圖I)。之后，在彼此鄰接的發(fā)光二極管元件之間，以沿著連接各貫穿孔的線段二等分各貫穿孔的方式，對二極管基板、反射樹脂層及熒光體層進行切割加工(參照圖I的單點劃線及圖3的(d)的單點劃線)。由此，切分為多個發(fā)光二極管元件，使發(fā)光二極管元件個體化。由此，獲得了具有個體化的發(fā)光二極管元件的發(fā)光二極管裝置(參照圖3的(e))。
實施例2(圖6及圖7的方式)準備由熱剝離片(商品名“REVALPHA”，日東電工株式會社制)構(gòu)成的厚度IOOym的第2離型基材(參照圖6的(a))。接下來，將厚度O. Imm的發(fā)光二極管元件設(shè)在第2離型基材的上表面上(參照圖6的(b)的下部)，該發(fā)光二極管元件包括含有緩沖層(GaN)、N形半導(dǎo)體層(n-GaN)、發(fā)光層(InGaN)及P形半導(dǎo)體層(P_GaN:Mg)的光半導(dǎo)體層和含有陽電極及陰電極的電極部。此外，利用鉆頭穿孔在第2離型基材上形成內(nèi)徑100 μ m的俯視圓形狀的貫穿孔。
接下來，準備熒光反射片(參照圖6的(b)的上部)。S卩，首先，通過在按照以下所述而準備的熒光體層的上表面上與實施例I相同地隔著掩模涂敷反射樹脂組合物，從而準備了包括熒光體層及反射樹脂層的熒光反射片(層疊片)。準備熒光體層將由Y3Al5O12 = Ce構(gòu)成的熒光體顆粒(球形狀，平均粒徑95nm) 4g、作為粘結(jié)劑樹脂的 poly (vinyl butyl-co-vinyl alcohol co vinyl alcohol) (Sigma-Aldrich 社制，平均相對分子質(zhì)量90000 120000)0. 21g、作為燒結(jié)助劑的二氧化硅粉末(Cabot Corporation 社制，商品名“CAB-0-SIL HS-5”)0. 012g及甲醇IOmL在乳缽中混合而使其成為漿料，利用干燥機從獲得的漿料中除去甲醇，獲得干燥粉末。將該干燥粉末700mg填充到20mmX 30mm尺寸的單軸壓制模具中之后,通過利用液壓式壓力機加壓至大約10噸，從而獲得了成形為厚度大約350 μ m的矩形狀的板狀坯體。利用氧化鋁制管狀電爐，將獲得的坯體在空氣中以2°C /min的升溫速度加熱到800°C，在分解除去粘結(jié)劑樹脂等有機成分之后，緊接著利用回轉(zhuǎn)泵對電爐內(nèi)進行真空排氣，以1500°C加熱5小時，從而準備了厚度大約280μπι的由YAG = Ce熒光體的陶瓷板(YAG-CP)構(gòu)成的熒光體層。將如上所述地準備的熒光反射片(層疊片)層疊在第2離型基材上，接下來，按壓反射樹脂層并將貫穿口內(nèi)減壓到300Pa(參照圖7的(d))。接下來，在彼此鄰接的發(fā)光二極管元件之間，以沿著連接各貫穿孔的線段二等分各貫穿孔的方式對第2離型基材、反射樹脂層及熒光體層進行切割。由此，切分為多個發(fā)光二極管元件，使發(fā)光二極管元件個體化(參照圖7的(d)的單點劃線)。接下來，利用加熱，自發(fā)光二極管元件及反射樹脂層剝下第2離型基材(參照圖7的(e)的假想線)。之后，將側(cè)表面與反射樹脂層緊密貼合、上表面與熒光體層相層疊的發(fā)光二極管元件倒裝安裝在發(fā)光二極管基板上，該發(fā)光二極管基板包括由藍寶石構(gòu)成的絕緣基板和在其上表面上含有由銅、鎳及金構(gòu)成的端子的導(dǎo)體層(參照圖7的(f))。由此，獲得了發(fā)光二極管裝置(參照圖7的(f))。此外，上述說明是作為本發(fā)明的示例的實施方式提供的，但上述說明只是示例，不能對本發(fā)明進行限定性解釋。對于本技術(shù)領(lǐng)域的從業(yè)人員來說明顯可知的本發(fā)明的變形例，包含在后述的權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.一種熒光反射片，該熒光反射片用于將熒光體層設(shè)在發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)、將反射樹脂層設(shè)在上述發(fā)光二極管元件的側(cè)方，其特征在干， 該滅光反射片包括 上述突光體層； 上述反射樹脂層，其設(shè)在上述熒光體層的厚度方向ー側(cè)的表面上； 上述反射樹脂層以與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面相對配置的方式與上述發(fā)光二扱管元件相對應(yīng)地形成。
2.ー種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在干， 該發(fā)光二極管裝置的制造方法包括 通過將反射樹脂層設(shè)在熒光體層的厚度方向ー側(cè)的表面上來準備如下所述的熒光反射片的エ序，在該熒光反射片中，上述反射樹脂層以與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面相對配置的方式與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成； 將發(fā)光二極管元件設(shè)在基材的上述厚度方向ー側(cè)的表面上的エ序； 以貫穿上述厚度方向的方式在上述基材上形成貫穿孔的エ序； 以使上述反射樹脂層與上述貫穿孔相對配置、并使上述熒光體層與上述發(fā)光二極管元件的厚度方向ー側(cè)的表面相對配置的方式，將上述熒光反射片層疊在上述基材上的エ序；對上述貫穿孔內(nèi)進行減壓的エ序； 使上述反射樹脂層與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合的エ序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在干， 上述基材是ニ極管基板， 在將上述發(fā)光二極管元件設(shè)在上述基材上的エ序中， 將上述發(fā)光二極管元件倒裝安裝在上述基材上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在干， 上述基材是離型基材， 該發(fā)光二極管裝置的制造方法還包括 自上述發(fā)光二極管元件及上述反射樹脂層剝下上述基材的エ序； 將上述發(fā)光二極管元件倒裝安裝在ニ極管基板上的エ序。
5.ー種發(fā)光二極管裝置，其特征在于， 該發(fā)光二極管裝置包括 ニ極管基板； 發(fā)光二極管元件，其倒裝安裝在上述ニ極管基板上； 熒光體層，其層疊在上述發(fā)光二極管元件的厚度方向ー側(cè)的表面上， 反射樹脂層，其與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面緊密貼合。
全文摘要
本發(fā)明提供熒光反射片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。該熒光反射片是用于將熒光體層設(shè)在發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)、并將反射樹脂層設(shè)在發(fā)光二極管元件的側(cè)方的熒光反射片。熒光反射片包括熒光體層及設(shè)在熒光體層的厚度方向一側(cè)的表面上的反射樹脂層。反射樹脂層以與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面相對配置的方式與發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成。
文檔編號H01L33/50GK102738368SQ201210111099
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月14日
發(fā)明者伊藤久貴, 內(nèi)藤俊樹, 大藪恭也, 西岡務(wù) 申請人:日東電工株式會社