專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，特別是涉及一種具有導(dǎo)電柱的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light-emitting Diode ；LED)目前已經(jīng)廣泛地使用在光學(xué)顯示裝置、交通號(hào)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材上。如圖11所示，LED具有一n型半導(dǎo)體層1104、一主動(dòng)層1106與一 p型半導(dǎo)體層1108依序形成于一基板1102之上，部分P型半導(dǎo)體層1108與主動(dòng)層1106被移除以曝露部分n型半導(dǎo)體層1104，一 p型電極al與一 n型電極a2分別形成于p型半導(dǎo)體層1108與n型半導(dǎo)體層1104之上。因?yàn)閚型電極a2需要足夠的面積以利后續(xù)制作工藝進(jìn)行，例如打線，所以大部分的主動(dòng)層1106被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。 此外，上述的LED更可以進(jìn)一步地與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emitting apparatus)。圖12為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，一發(fā)光裝置1200包含一具有至少一電路1204的次載體(sub-mount) 1202 ;至少一焊料1206 (solder)位于上述次載體1202上，通過(guò)此焊料1206將上述LED 1210粘結(jié)固定于次載體1202上并使LED 1210的基板1212與次載體1202上的電路1204形成電連接；以及，一電連接結(jié)構(gòu)1208，以電連接LED 1210的電極1214與次載體1202上的電路1204 ;其中，上述的次載體1202可以是導(dǎo)線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate),以便發(fā)光裝置12的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光裝置，以解決上述問(wèn)題。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一發(fā)光裝置具有一第一電極；一發(fā)光疊層位于第一電極之上；一第一接觸層位于發(fā)光疊層之上，其中第一接觸層具有一第一接觸鏈以及多個(gè)第一接觸線與第一接觸鏈連接；一第一導(dǎo)電柱位于發(fā)光疊層之中，且電連接第一電極與第一接觸層；以及一保護(hù)層介于第一導(dǎo)電柱與發(fā)光疊層之間。


圖IA-圖IE為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造流程圖；圖IF為本發(fā)明圖IE所示的發(fā)光裝置的側(cè)視圖；圖IG為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖；圖2A為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光裝置的上視圖；圖2B為本發(fā)明圖2A所示的發(fā)光裝置的剖視圖；圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖；圖4為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖；圖5為本發(fā)明第五實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖6為本發(fā)明第六實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖；圖7為本發(fā)明第七實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖；圖8A為本發(fā)明第八實(shí)施例的上視圖；圖8B為本發(fā)明圖8A所示的發(fā)光裝置的剖視圖；圖9A-圖9C為本發(fā)明第九實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造流程圖；圖9D為本發(fā)明圖9C所示的發(fā)光裝置的上視圖；圖10為本發(fā)明第十實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖；圖11為現(xiàn)有的LED的剖視圖； 圖12為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明一實(shí)施例的光源產(chǎn)生裝置的示意圖；圖14為本發(fā)明一實(shí)施例的背光模塊的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、1200 :發(fā)光裝置10 :成長(zhǎng)基板11:第一導(dǎo)電層12 :發(fā)光疊層122 :第一半導(dǎo)體層124、1106 :主動(dòng)層(有源層)126 :第二半導(dǎo)體層13:第二導(dǎo)電層131 :通道14,84 :第一接觸層142a、842a、942a :第一接觸鏈142b,842b,942b :第二接觸鏈144,844,944 :第一接觸線15 :反射層16 :粘結(jié)層161、162 :粘結(jié)層的附屬層17 :第一凹部172:內(nèi)壁18 :支持基板19 :保護(hù)層20:第一導(dǎo)電柱22:第一電極22U24V :第一電極的一部分24:第二電極241、241’、241”第二電極的一部分30、40、50、60、70、100 :絕緣層32 :通孔
34、80:第二導(dǎo)電柱87 :第二凹部92:導(dǎo)電線路97 :基座99、101:電連接結(jié)構(gòu)1000 :發(fā)光單元1000’ 第一發(fā)光單元1000”:第二發(fā)光單元1102、1212:基板 1104 :n型半導(dǎo)體層1108 :p型半導(dǎo)體層1202 :次載體1204:電路1206 :焊料1208:電連接結(jié)構(gòu)1210 : LED1214:電極13 :光源產(chǎn)生裝置1301 :光源1302:電源供應(yīng)系統(tǒng)1303 :控制元件14 :背光模塊1401 :光學(xué)元件al:p 型電極a2:n 型電極
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例會(huì)被詳細(xì)地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會(huì)以相同的號(hào)碼在各附圖以及說(shuō)明出現(xiàn)。圖IA-圖IF繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的一發(fā)光裝置I。如圖IE所示，發(fā)光裝置I包含一 LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 第一導(dǎo)電層11 ;一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。如圖IA所示，一種制造發(fā)光裝置I的方法包含提供一成長(zhǎng)基板10 ;依序形成一第一半導(dǎo)體層122、一主動(dòng)層124與一第二半導(dǎo)體層126于成長(zhǎng)基板10之上以形成發(fā)光疊層12 ；以及形成第一接觸層14于發(fā)光疊層12之上。圖IB為圖IA的上視圖。如圖IB所示，第一接觸層14被圖案化以曝露部分第二半導(dǎo)體層126，且第一接觸層14包含一第一接觸鏈142a ;—第二接觸鏈142b ;以及多個(gè)第一接觸線144與第一接觸鏈142a及第二接觸鏈142b相接觸。第一接觸鏈142a的寬度wl與第二接觸鏈142b的寬度《2約略相同；于另一實(shí)施例中，與第一電極22電連接且與第一導(dǎo)電柱20接觸的第一接觸鏈142a的寬度wl較第二接觸鏈142b的寬度w2為大。如圖IC所示，粘結(jié)層16具有分別形成于第一接觸層14與支持基板18的附屬層161、162。接著通過(guò)粘結(jié)制作工藝粘結(jié)附屬層161、162以形成連接支持基板18與第一接觸層14及發(fā)光疊層12的粘結(jié)層16，其中部分的粘結(jié)層16形成于曝露的第二半導(dǎo)體層126之上。換言之，支持基板18被粘結(jié)至第一接觸層14與發(fā)光疊層12。于另一實(shí)施例中，粘結(jié)層16可僅形成于第一接觸層14或支持基板18以進(jìn)行后續(xù)的粘結(jié)制作工藝。移除成長(zhǎng)基板10之后，形成第一導(dǎo)電層11于第一半導(dǎo)體層122之下,其中第一導(dǎo)電層11包含多個(gè)接觸部并曝露部分第一半導(dǎo)體層122。第二導(dǎo)電層13形成于第一導(dǎo)電層11之下，且圍繞第一導(dǎo)電層11，其中第二導(dǎo)電層13形成于曝露的第一導(dǎo)電層122之下。接著反射層15形成于第二導(dǎo)電層13之下。如圖ID所示，部分的反射層15、第二導(dǎo)電層13、第一導(dǎo)電層11與發(fā)光疊層12被移除以形成多個(gè)第一凹部17，并曝露部分第一接觸鏈142a及/或多個(gè)第一接觸線144。保護(hù)層19形成于部分反射層15之下，沿著第一凹部17的內(nèi)壁172延伸，覆蓋部分多個(gè)第一接觸線144及/或選擇性地覆蓋部分第一接觸鏈142a。如圖IE與圖IF所示，第一導(dǎo)電柱20分別形成于第一凹部17且接觸第一接觸鏈142a及/或多個(gè)第一接觸線144。第一電極22形成于第一導(dǎo)電柱20與保護(hù)層19之下，其中第一電極22經(jīng)由第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14電連接。第二電極24形成于反射層15未被保護(hù)層19覆蓋的部分之下以形成發(fā)光裝置I。因?yàn)槎鄠€(gè)第一接觸線144分布于第二半導(dǎo)體層126 之上以增加電流通過(guò)的面積，所以第一接觸層14能改善發(fā)光裝置I的電流擴(kuò)散能力以提升發(fā)光裝置I的發(fā)光效率。因?yàn)橐话愕谝浑姌O需要足夠的面積以進(jìn)行后續(xù)的制作工藝，例如打線，所以大部分的主動(dòng)層需要被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。然而如發(fā)光裝置I所示，因?yàn)榈谝浑姌O22通過(guò)形成于第一凹部17的第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14連結(jié)，而且第一凹部17的面積遠(yuǎn)小于第一電極22的面積，所以較少部分的主動(dòng)層124需要被移除。由于沒(méi)有太多的主動(dòng)層124被移除，所以對(duì)發(fā)光裝置I的發(fā)光效率影響有限。同時(shí)，若因后續(xù)制作工藝進(jìn)行需求而需要增加第一電極22的面積，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。支持基板18相對(duì)于發(fā)光疊層12所發(fā)的光為透明，其材料包含導(dǎo)電材料,例如為類鉆碳薄膜(Diamond Like Carbon ;DLC)、復(fù)合材料、金屬基復(fù)合材料(Metal MatrixComposite ;MMC)、陶瓷基復(fù)合材料(Ceramic Matrix Composite ;CMC)、高分子基復(fù)合材料(Polymer Matrix Composite, PMC)、磷化碘(IP)、碳化娃(SiC)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGaO2)或鋁酸鋰(LiAlO2)15支持基板18材料可包含絕緣材料，例如為藍(lán)寶石(Sapphire)、鉆石(Diamond)、玻璃(Glass)、聚合物(Polymer)、環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化招(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)或氮化招(AlN)。粘結(jié)層16可粘著地連接支持基板18與第一接觸層14，或連接第一接觸層14與發(fā)光疊層12。粘結(jié)層16相對(duì)于發(fā)光疊層12所發(fā)的光為透明,其材料可為絕緣材料與/或?qū)щ姴牧稀＝^緣材料包含但不限于聚亞酰胺(PD、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹(shù)脂(Bpoxy)、丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiNx)或旋涂玻璃(SOG)。導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋪錫(ATO)、氧化招鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)、類鉆碳薄膜(DLC)或氧化鎵鋅(GZO)等。第一接觸層14可電性地傳導(dǎo)和擴(kuò)散電流，可為導(dǎo)電材料，包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)、類鉆碳薄膜(DLC)、銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、針(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、i(Rh)、 鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、里(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Aualloy)等。第一接觸鏈142a與第二接觸鏈142b分別形成于發(fā)光疊層12的相對(duì)邊，其寬度大約為4 8微米，較佳為6微米。每一第一接觸線144的寬度約為3 10微米，任兩相鄰的第一接觸線144的間距約為70 140微米。為了提升發(fā)光效率與電流擴(kuò)散能力，第二半導(dǎo)體層126被多個(gè)第一接觸線144所覆蓋的面積約為第二半導(dǎo)體層126上表面積的4 30%。發(fā)光疊層12可成長(zhǎng)于成長(zhǎng)基板10之上，并于施加電壓的情況下產(chǎn)生光線。其中第一半導(dǎo)體層122與第二半導(dǎo)體層126的極性相異，主動(dòng)層124的結(jié)構(gòu)可包含為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(single heterostructure ；SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure ；DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure ；DDH)或多層量子井(multi-quantum well ；MQW)。發(fā)光疊層12的材料包含半導(dǎo)體材料具有一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷⑵、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構(gòu)成的群組。成長(zhǎng)基板10的材料選自藍(lán)寶石(Sapphire)、砷化鎵(GaAs)、娃(Si)、氮化鎵(GaN)與碳化娃(SiC)所構(gòu)成的群組。第一導(dǎo)電層11可傳導(dǎo)與擴(kuò)散電流，同時(shí)與發(fā)光疊層12及/或第二導(dǎo)電層13形成歐姆接觸，相對(duì)于發(fā)光疊層12所發(fā)的光為透明，具有多個(gè)接觸部或多個(gè)接觸線，每一個(gè)接觸部相互分離。自下方視之，每一接觸部的形狀可為三角形、矩形、平形四邊形或圓形等等。以圓形的接觸部為例，其直徑可為6 10微米。多個(gè)接觸部的面積相對(duì)于主動(dòng)層124的上表面面積的比例約為0. 5 6%，更佳為I 3%。多個(gè)接觸部可于任二相鄰的第一接觸線144之間排列成二或三條線，即多個(gè)第一接觸線144不位在多個(gè)導(dǎo)電部的正上方。第二導(dǎo)電層13可覆蓋與圍繞第一導(dǎo)電層11，即第一導(dǎo)電層11被第二導(dǎo)電層13包覆。第二導(dǎo)電層13可傳導(dǎo)與擴(kuò)散電流，同時(shí)與反射層15及/或第一導(dǎo)電層11形成歐姆接觸。第二導(dǎo)電層13與第一導(dǎo)電層11的材料分別包含透明導(dǎo)電材料及金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋪錫(ATO)、氧化招鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、針(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、H_(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、H(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫 _ 鉛 _ 鋪(Sn-Pb-Sb)、錫 _ 鉛 _ 鋒(Sn-Pb-Zn)、鎮(zhèn) _ 錫(Ni-Sn)、鎮(zhèn) _ 鉆(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。另外，第二導(dǎo)電層13可被圖案化或其厚度可調(diào)整，以致反射層15可直接與第一導(dǎo)電層11接觸。如圖IG所示，第二導(dǎo)電層13具有多個(gè)通道131形成于與第一導(dǎo)電層11相對(duì)的位置，接著反射層15形成于第二導(dǎo)電層13之下，并填入多個(gè)通道131之中與第一導(dǎo)電層11電連接，以改善電流擴(kuò)散。此實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層13的材料可選擇性地為絕緣材料，包含但不限于聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(Al2O3)、氧化娃(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiNx)或旋涂玻璃(SOG)。反射層15可反射發(fā)光疊層12發(fā)出的光。反射層15更可包含多個(gè)附屬層(未顯 示)以形成布拉格反射層(DBR)。反射層15的材料可為透明導(dǎo)電材料及/或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、盤(pán)_ (Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、籃(Mo)、鑭(L a)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。如圖IF所示，第一凹部17裸露部分反射層15、第二導(dǎo)電層13、第一導(dǎo)電層11與發(fā)光疊層12，其數(shù)量不限于二。自上方視之，第一凹部17的形狀可為三角形、矩形、平形四邊形或圓形等等。主動(dòng)層124用以形成第一凹部17的面積相對(duì)于主動(dòng)層124的面積的比例約為4 20%。因?yàn)榈谝浑姌O22通過(guò)位于第一凹部17的第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14連接，第一凹部17的面積遠(yuǎn)小于第一電極22，所以較少面積的主動(dòng)層124被移除。由于沒(méi)有太多的主動(dòng)層124被移除，所以對(duì)發(fā)光裝置I的發(fā)光效率影響有限。保護(hù)層19形成于第一凹部17的內(nèi)壁172，使第一導(dǎo)電柱20與反射層15、第二導(dǎo)電層13、第一導(dǎo)電層11與發(fā)光疊層12電絕緣。保護(hù)層19具有絕緣材料，包含但不限于聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁燒(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiNx)或旋涂玻璃(SOG)。第一導(dǎo)電柱20形成于第一凹部17內(nèi)的保護(hù)層19上，并位于第一接觸鏈142a及/或多個(gè)第一接觸線144之上，且電連接第一電極22與第一接觸層14。第一導(dǎo)電柱20的材料可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電柱20的折射率小于保護(hù)層19的折射率，因?yàn)樽园l(fā)光疊層12至外在環(huán)境的折射率逐漸降低，發(fā)光裝置I的光摘出因而提高。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、i (Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr) ,H(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋒(Cu-Zn)、銅 _ 鋪(Cu-Cd)、錫 _ 鉛 _ 鋪(Sn-Pb-Sb)、錫 _ 鉛 _ 鋒(Sn-Pb-Zn)、鎮(zhèn) _ 錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。第一電極22與第二電極24用以接受外部電壓，其材料可為透明導(dǎo)電材料及/或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、針(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、級(jí)(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、H(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、 錫 _ 鉛 _ 鋪(Sn-Pb-Sb)、錫 _ 鉛 _ 鋒(Sn-Pb-Zn)、鎮(zhèn) _ 錫(Ni-Sn)、鎮(zhèn)-鉆(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。圖2A-圖2B繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的一發(fā)光裝置2。如圖2B所示，發(fā)光裝置2包含一 LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 第一導(dǎo)電層11 ;一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置2類似發(fā)光裝置I，然而于第二實(shí)施例中，第一接觸鏈142a形成于接近發(fā)光疊層12的上表面的中心位置，更佳為沿著發(fā)光疊層12的中心線形成，多個(gè)第一接觸線144自第一接觸鏈142a向發(fā)光疊層12的邊緣延伸。第一凹部17形成于靠近發(fā)光疊層12上表面的中心位置，第一導(dǎo)電柱20形成于第一凹部17之中且電連接第一電極22與第一接觸層14。因?yàn)槎鄠€(gè)第一接觸線144分布在第二半導(dǎo)體層126之上，增加了電流通過(guò)的面積，所以第一接觸層14可增進(jìn)電流擴(kuò)散的能力以提升發(fā)光裝置2的發(fā)光效率。因?yàn)橐话愕谝浑姌O需要足夠的面積以進(jìn)行后續(xù)的制作工藝，例如打線，所以大部分的主動(dòng)層需要被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。然而如發(fā)光裝置2所示，因?yàn)榈谝浑姌O22通過(guò)形成于第一凹部17的第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14連結(jié)，而且第一凹部17的面積遠(yuǎn)小于第一電極22的面積，所以較少部分的主動(dòng)層124需要被移除。由于沒(méi)有太多的主動(dòng)層124被移除，所以對(duì)發(fā)光裝置2的發(fā)光效率影響有限。同時(shí)，若因后續(xù)制作工藝進(jìn)行需求而需要增加第一電極22的面積，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。圖3繪示本發(fā)明的第三實(shí)施例的一發(fā)光裝置3。如圖3所示，發(fā)光裝置3包含一LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 ;—第一導(dǎo)電層11 ；一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置3類似發(fā)光裝置1，然而保護(hù)層19形成于反射層15的下表面之下且覆蓋整個(gè)下表面。一絕緣層30形成于保護(hù)層19與第一電極22之下，第二電極24形成于絕緣層30之下，其中一部分第二電極24位于第一電極22之下。通孔32形成于絕緣層30與保護(hù)層19之中，第二導(dǎo)電柱34形成于通孔32之中且電連接第二電極24與反射層15。因?yàn)榻^緣層30可電絕緣第一電極22與第二電極24,所以第二電極24其中一部分241可位于第一電極22之下，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。絕緣層30具有絕緣材料，包含但不限于聚亞酰胺(PD、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(Al2O3)、氧化娃(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiNx)或旋涂玻璃(SOG)。第二導(dǎo)電柱34的材料可為透明導(dǎo)電材料及/或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧·化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta2O5)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鑰(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。圖4繪示本發(fā)明的第四實(shí)施例的一發(fā)光裝置4。如圖4所示，發(fā)光裝置4包含一LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 ;—第一導(dǎo)電層11 ；一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置4類似發(fā)光裝置1，一絕緣層40形成于保護(hù)層19與第一電極22之下，第二電極24形成于反射層15、保護(hù)層19與絕緣層40之下，其中絕緣層40電絕緣第一電極22與第二電極24, —部分第二電極24位于第一電極22之下。第二電極24與反射層15電連接。因?yàn)榻^緣層40可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第二電極24其中一部分241’可位于第一電極22之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。圖5繪示本發(fā)明的第五實(shí)施例的一發(fā)光裝置5。如圖5所示，發(fā)光裝置5包含一LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 ;—第一導(dǎo)電層11 ；一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置5類似發(fā)光裝置I。另外，一絕緣層50形成于反射層15、保護(hù)層19與第一電極22之下，第二電極24形成于反射層15、保護(hù)層19與絕緣層50之下，其中絕緣層50電絕緣第一電極22與第二電極24, —部分第二電極24位于第一電極22之下。第二電極24與反射層15電連接。因?yàn)榻^緣層50可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第二電極24其中一部分241’可位于第一電極22之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。圖6繪示本發(fā)明的第六實(shí)施例的一發(fā)光裝置6。如圖6所示，發(fā)光裝置6包含一LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 ;—第一導(dǎo)電層11 ；一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置6類似發(fā)光裝置I。另外，一絕緣層60形成于保護(hù)層19與第二電極24之下，第一電極22形成于第一導(dǎo)電柱20、保護(hù)層19與絕緣層60之下，其中絕緣層60電絕緣第一電極22與第二電極24, —部分第一電極22位于第二電極24之下,第一電極22與第一接觸層14電連接。因?yàn)榻^緣層60可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第一電極22其中一部分221可位于第二電極24之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。圖7繪示本發(fā)明的第七實(shí)施例的一發(fā)光裝置7。如圖7所示，發(fā)光裝置7包含一LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 ;—第一導(dǎo)電層11 ；一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;第一導(dǎo)電柱20 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置7類似發(fā)光裝置2。另外，一絕緣層70形成于保護(hù)層19與第二電極24之下，第一電極22形成于第一導(dǎo)電柱20、保護(hù)層19與絕緣層70之下，其中絕緣層70電絕緣第一電極22與第二電極24, —部分第一電極22位于第二電極24之下,第一電極22與第一接觸層14電連接。因?yàn)榻^緣層70可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第一電極22其中一部分221’可位于第二電極24之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。圖8A與圖8B繪示本發(fā)明的第八實(shí)施例的一發(fā)光裝置8。如圖8A與圖8B所示，發(fā) 光裝置8包含一 LED,具有一支持基板18 粘結(jié)層16 ;—第一接觸層84 ;—發(fā)光疊層12 ；一第一導(dǎo)電層11 ;一第二導(dǎo)電層13 反射層15 保護(hù)層19 ;一第一導(dǎo)電柱20 ;—第二導(dǎo)電柱80 ;—第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置8類似發(fā)光裝置2。然而,第一接觸層84具有一第一接觸鏈842a與一第二接觸鏈842b。第二接觸鏈842b形成于靠近發(fā)光疊層12的上表面中心，更佳為沿著發(fā)光疊層12的中心線形成。第一接觸層84更包含多個(gè)第一接觸線844a，其中第一接觸線844a和第一接觸鏈842a連接，并且自第一接觸鏈842a向發(fā)光疊層12的中心線延伸；以及多個(gè)第二接觸線844b，其中第二接觸線844b和第二接觸鏈842b連接，并且自第二接觸鏈842b向發(fā)光疊層12的邊緣延伸。一第一凹部17與一第二凹部87分別形成于發(fā)光疊層12上表面的中心與發(fā)光裝置8的邊緣,第一導(dǎo)電柱20形成于第一凹部17與第二導(dǎo)電柱80形成于第二凹部87，電連接第一電極22與第一接觸層84。圖9A 圖9D繪示本發(fā)明的第九實(shí)施例的一發(fā)光裝置9。此實(shí)施例中，為了擴(kuò)大發(fā)光裝置9的有效出光面積，并未形成第一凹部17。即保留原本反射層15與發(fā)光疊層12要被移除以形成第一凹部17的部分，電連接結(jié)構(gòu)99通過(guò)跨橋制造法自發(fā)光疊層12的外部延伸。如圖9A所示，一種制造發(fā)光裝置9的方法包含提供一成長(zhǎng)基板10 ;在成長(zhǎng)基板10上接續(xù)形成一第一半導(dǎo)體層122、一主動(dòng)層124與一第二半導(dǎo)體層126以形成一發(fā)光疊層
12;形成一反射層15于發(fā)光疊層12之上；形成一第二電極24于反射層15之上；形成一保護(hù)層19于部分反射層15之上，并依發(fā)光疊層12的側(cè)壁延伸；以及形成一第一電極22于保護(hù)層19之上。如圖9B所示，發(fā)光裝置9被倒置于基座97之上，導(dǎo)電線路92形成于基座97之上。將發(fā)光裝置9的電極22/24與基座97上的導(dǎo)電線路92連接之后，移除成長(zhǎng)基板10，粗化第一半導(dǎo)體層122的表面以提升出光效率。如圖9C所示，用以電連接第一半導(dǎo)體層122與第一電極22的電連接結(jié)構(gòu)99形成于第一半導(dǎo)體層122之上并沿著發(fā)光疊層12的側(cè)壁形成。另外，為了發(fā)光裝置9與外部電路的打線制作工藝，基座97上的導(dǎo)電線路92可選擇性地延伸。圖9D繪示發(fā)光裝置9的上視圖，電連接結(jié)構(gòu)99具有接觸鏈942a/942b與多個(gè)第一接觸線944位于發(fā)光疊層12之上。延伸的導(dǎo)電線路92通過(guò)打線與外部電路電連接。
圖10繪示本發(fā)明的第十實(shí)施例的一發(fā)光裝置10。發(fā)光裝置10具有多個(gè)發(fā)光單元1000，每一發(fā)光單元1000與發(fā)光裝置I類似，包含一 LED，具有一第一接觸層14 ;一發(fā)光疊層12 ;—第一導(dǎo)電層11 ;一第二導(dǎo)電層13 ；以及一反射層15。發(fā)光裝置10還包含一電連接結(jié)構(gòu)101，電連接兩相鄰的發(fā)光單元1000以讓發(fā)光單元1000之間互相串聯(lián)。具體言之，電連接結(jié)構(gòu)101電連接一發(fā)光單元1000的第一接觸層14與另一相鄰發(fā)光單元1000的反射層15。此外，每一發(fā)光單元可選擇性地包含多個(gè)相互串聯(lián)、并聯(lián)或反向并聯(lián)的LED。保護(hù)層19形成于每個(gè)發(fā)光單元1000與電連接結(jié)構(gòu)101之間以避免發(fā)光單元1000與電連接結(jié)構(gòu)101之間形成電流通道。另外，一絕緣層100形成于每個(gè)發(fā)光單元的保護(hù)層19與反射層15之下。再者，一第一發(fā)光單元1000'具有第一導(dǎo)電柱20以電連接第一接觸層14與一第一電極22。第一電極22形成于第一發(fā)光單元1000'的絕緣層100與保護(hù)層19之下，第二電極24形成于一第二發(fā)光單元1000"的絕緣層100與反射層15之下。第一導(dǎo)電柱20的寬度大于或等于電連接結(jié)構(gòu)101的寬度，發(fā)光單兀1000經(jīng)由一粘結(jié)層16 —同粘結(jié)于一支持基板18。由于絕緣層100電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第一電極22與第二電極24可具有分部222/242，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成。在另一實(shí)施例中，一太陽(yáng)能裝置具有一與前述任一發(fā)光裝置相似的結(jié)構(gòu)，用以吸 收光線。若因后續(xù)制作工藝進(jìn)行需求而需要增加第一電極22的面積，與傳統(tǒng)太陽(yáng)能裝置相較，并不需要進(jìn)一步移除更多的主動(dòng)層即可達(dá)成，可改進(jìn)散熱能力。圖13繪示出一光源產(chǎn)生裝置示意圖，一光源產(chǎn)生裝置13包含一管芯產(chǎn)生自具有前述任一實(shí)施例中的LED的晶片。光源產(chǎn)生裝置13可以是一照明裝置，例如路燈、車燈或室內(nèi)照明光源，也可以是交通號(hào)志或一平面顯不器中背光模塊的一背光光源。光源產(chǎn)生裝置13具有前述發(fā)光兀件組成的一光源1301、一電源供應(yīng)系統(tǒng)1302以供應(yīng)光源1301 —電流、以及一控制元件1303，用以控制電源供應(yīng)系統(tǒng)1302。
圖14繪示出一背光模塊剖面示意圖，一背光模塊14包含前述實(shí)施例中的光源產(chǎn)生裝置13，以及一光學(xué)元件1401。光學(xué)元件1401可將由光源產(chǎn)生裝置13發(fā)出的光加以處理，以應(yīng)用于平面顯示器，例如散射光源產(chǎn)生裝置13發(fā)出的光。上述實(shí)施例僅為例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍如后述的權(quán)利要求所列。
權(quán)利要求
1.一發(fā)光裝置包含 第一電極； 發(fā)光疊層，位于該第一電極之上，包含主動(dòng)層； 第一接觸層，位于該發(fā)光疊層之上，其中該第一接觸層包含第一接觸鏈與多個(gè)第一接觸線與該第一接觸鏈連接； 第一導(dǎo)電柱，位于該發(fā)光疊層之中且電連接該第一電極與該第一接觸層；以及 保護(hù)層，介于該第一導(dǎo)電柱與該發(fā)光疊層之間。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中兩相鄰的第一接觸線之間的距離介于3微米與10微米之間。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中該第一接觸層還包含第二接觸鏈，連接于該多個(gè)第一接觸線未與該第一接觸鏈接觸的部分，其中該第一接觸鏈的寬度大于該第二接觸鏈的寬度。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光疊層被該多個(gè)第一接觸線所占據(jù)的面積比例是4%至30%。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，該多個(gè)第一接觸線自該第一接觸鏈向該發(fā)光疊層的邊界延伸。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中該第一接觸層還包含 第二接觸鏈，與該第一接觸鏈分離；以及 多個(gè)第二接觸線，與該第二接觸鏈接觸且與該多個(gè)第一接觸線分離。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光元件，其中該第一導(dǎo)電柱與該第一電極及該第一接觸層接觸。
8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，還包含 反射層，位于該發(fā)光疊層與該第一電極之間； 第一導(dǎo)電層，位于該發(fā)光疊層與該反射層之間，包含多個(gè)接觸部；以及 第二導(dǎo)電層，位于該反射層與該第一導(dǎo)電層之間。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其中該第二導(dǎo)電層包含多個(gè)通道，其中該第一導(dǎo)電層經(jīng)由該多個(gè)通道與該反射層接觸。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其中該接觸部的形狀選自由三角形、矩形、平形四邊形與圓形所構(gòu)成的群組。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光元件，其中該圓形的直徑是6微米至10微米。
12.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)接觸部的面積相對(duì)于主動(dòng)層的上表面面積的比例是0.5%至6%。
13.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，還包含 絕緣層，位于該第一電極之下；以及 第二電極，位于該絕緣層之下，其中該第二電極與該第一電極部分重疊。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，還包含 通孔，位于該絕緣層之中；以及 第二導(dǎo)電柱，通過(guò)該通孔電連接該第二電極與該發(fā)光疊層。
15.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，還包含第二電極，位于該發(fā)光疊層之下；以及絕緣層，位于該第二電極之下，其中該第一電極的一部 分與該第二電極重疊。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一發(fā)光裝置，其具有一第一電極；一發(fā)光疊層位于第一電極之上；一第一接觸層位于發(fā)光疊層之上，其中第一接觸層具有一第一接觸鏈以及多個(gè)第一接觸線與第一接觸鏈連接；一第一導(dǎo)電柱位于發(fā)光疊層之中，且電連接第一電極與第一接觸層；以及一保護(hù)層介于第一導(dǎo)電柱與發(fā)光疊層之間。
文檔編號(hào)H01L33/38GK102738344SQ201210110378
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者許嘉良, 謝明勛, 陳怡名 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司