專(zhuān)利名稱(chēng)：Iii族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件具有在絕緣膜中的Ag或含Ag合金反射膜。
背景技術(shù)：
日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)(特開(kāi))2005-302747和2010-27824公開(kāi)了ー種倒裝芯片型III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中由Ag或Ag合金形成的反射膜設(shè)置在絕緣膜中。在這種發(fā)光器件中，從發(fā)光層發(fā)射到P型層側(cè)的光被反射膜反射到η型層側(cè)，由此提高了光提取性能。因?yàn)槿菀装l(fā)生Ag遷移，所以使用絕緣膜包封反射膜以防止Ag遷移。然而，本發(fā)明人的研究已表明即使將反射膜設(shè)置在絕緣膜中并通過(guò)絕緣膜進(jìn)行絕緣，但是由于P電極與η引線電極之間的電位差，在P電極與η引線電極之間的區(qū)域中經(jīng) 由絕緣膜設(shè)置的反射膜中仍會(huì)發(fā)生遷移。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述內(nèi)容，本發(fā)明的ー個(gè)目的是防止設(shè)置在絕緣膜中的Ag或Ag合金反射膜中的遷移。在本發(fā)明的第一方面中，提供了ー種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有設(shè)置在絕緣膜中的Ag或Ag合金反射膜，所述反射膜的至少一部分經(jīng)由絕緣膜位于P型層和具有透明性的P接觸電極中的至少之一與η引線電極之間的區(qū)域中，其中經(jīng)由絕緣膜在η引線電極和該區(qū)域的反射膜之間形成導(dǎo)電膜，并且導(dǎo)電膜電連接至P接觸電極和P型層中的至少之一。導(dǎo)電膜可以由任何導(dǎo)電材料優(yōu)選對(duì)絕緣膜具有良好粘附カ的材料形成。反射膜的材料可以是例如Al、Ti、Cr或ΙΤ0。P接觸電極是與P型層直接接觸的電極，并且可以由對(duì)于III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)射波長(zhǎng)具有透明性的任何材料形成。例如，該電極可以由透明導(dǎo)電氧化物如ITO(銦錫氧化物)、ICO(銦鈰氧化物)或IZO(銦鋅氧化物)或金屬薄膜如Au薄膜形成。P接觸電極和P型層中的至少之一與導(dǎo)電膜的連接不限于直接連接，而是可以為間接連接。連接可以通過(guò)連接導(dǎo)電膜和P引線電極來(lái)實(shí)現(xiàn)，P引線電極設(shè)置為連接P接觸電極和P型層中的至少之ー。或者，連接可以通過(guò)連接導(dǎo)電膜和中間電極來(lái)實(shí)現(xiàn)，中間電極設(shè)置作為在P接觸電極與P引線電極之間的P接觸電極的部分。導(dǎo)電膜優(yōu)選形成為其面積(在平面視圖上)與經(jīng)由絕緣膜設(shè)置在P接觸電極和P型層中的至少之一與η引線電極之間的反射膜的面積相同或者大于該面積。等電位區(qū)域變得較大，由此進(jìn)一歩防止了反射膜中的遷移。反射膜可以是單層膜或多層膜。為了提高反射膜對(duì)絕緣膜的粘附力，可以在絕緣膜和反射膜之間設(shè)置例如由Ti形成的膜。本發(fā)明的第二方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一方面的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中P接觸電極包括ιτο。本發(fā)明的第三方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中P接觸電極具有作為P接觸電極的一部分的中間電極，并且導(dǎo)電膜通過(guò)中間電極連接至P接觸電極。本發(fā)明的第四方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一至第三方面中的任一方面的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中導(dǎo)電膜形成為具有與包括η引線電極在平面視圖上的正交投影的面積相同的面積或者比該面積大。本發(fā)明的第五方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一至第三方面中的任一方面的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中導(dǎo)電膜形成為具有與包括反射膜在平面視圖上的正交投影的面積相同的面積或者比該面積大。本發(fā)明的第六方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一至第五方面中的任一方面的III族氮 化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中設(shè)置有P引線電極用于連接至P接觸電極和P型層中的至少之一，并且通過(guò)將導(dǎo)電膜連接至P引線電極，使得導(dǎo)電膜經(jīng)由P引線電極連接至P接觸電極和P型層中的至少之一。本發(fā)明的第七方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一至第六方面中的任一方面的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中導(dǎo)電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之
O本發(fā)明的第八方面涉及根據(jù)本發(fā)明的第一至第七方面中的任一方面的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的ー個(gè)具體實(shí)施方案，其中發(fā)光器件為倒裝芯片型。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵诮^緣膜中在反射膜與η引線電極之間的區(qū)域中設(shè)置有導(dǎo)電膜，并且導(dǎo)電膜連接至P型層與P接觸電極中的至少之一，所以在P型層和P接觸電極中的至少之一與η引線電極之間的區(qū)域中的反射膜位于等電位區(qū)域中，由此可以防止反射膜中的遷移。本發(fā)明對(duì)于倒裝芯片型器件尤其有效，這是因?yàn)榈寡b芯片型必須具有其中反射膜經(jīng)由絕緣膜設(shè)置的結(jié)構(gòu)，即使在P引線電極和P型層中的至少之一與η引線電極之間的區(qū)域中也是如此。


在結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參考優(yōu)選實(shí)施方案的下述詳細(xì)描述，可易于明了和理解本發(fā)明的各種其它目的、特征和許多伴隨優(yōu)勢(shì)。圖IA和圖IB分別是根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件I的結(jié)構(gòu)的垂直橫截面圖和水平橫截面圖；圖2Α至圖2F是示出用于制造根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法的概圖；圖3示出根據(jù)實(shí)施方案I的一個(gè)變化實(shí)例的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)；圖4示出根據(jù)實(shí)施方案I的一個(gè)變化實(shí)例的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)；以及圖5示出根據(jù)實(shí)施方案I的一個(gè)變化實(shí)例的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式接下來(lái)將參照附圖描述本發(fā)明的具體實(shí)施方案。然而，本發(fā)明不限于所述實(shí)施方案。實(shí)施方案I圖IA和圖IB分別是根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的垂直橫截面圖和水平橫截面圖。如圖IA所示，根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件為倒裝芯片型，其包括藍(lán)寶石襯底10和依次沉積在藍(lán)寶石襯底10上的η型層11、發(fā)光層12以及P型層13。η型層11、發(fā)光層12和ρ型層13中的每ー個(gè)均可以具有任意常規(guī)已知結(jié)構(gòu)。η型層11可以具有例如其中η型接觸層、ESD層和η覆層依次沉積在藍(lán)寶石襯 底10上的結(jié)構(gòu)。發(fā)光層12可以具有例如其中InGaN阱層和GaN勢(shì)壘層交替沉積的MQW結(jié)構(gòu)。P型層13可以具有例如其中P覆層和P接觸層依次沉積在發(fā)光層12上的結(jié)構(gòu)。在ρ型層13的表面上，設(shè)置有深度從ρ型層13的頂表面延伸到η型層11 (在其中η型層11具有層疊結(jié)構(gòu)的情況下延伸至η接觸層，這在以下同樣適用)的多個(gè)孔14。另外，在ρ型層13的除了設(shè)置有類(lèi)似于圓筒的孔14的區(qū)域之外的幾乎整個(gè)頂表面上形成有具有連續(xù)平面的ITO (銦錫氧化物)電極15。ITO電極15是與ρ型層13接觸的ρ接觸電極，并且對(duì)于器件的發(fā)射波長(zhǎng)是透明的。此外，設(shè)置SiO2絕緣膜16以連續(xù)地覆蓋ITO電極15的表面、孔14的側(cè)表面和底表面、以及P型層13的其上沒(méi)有形成ITO電極15的表面。絕緣膜16可以由對(duì)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)射波長(zhǎng)表現(xiàn)出透明性的絕緣材料例如Si3N4、Al2O3或TiO2替代SiO2形成。在絕緣膜16上(即，在絕緣膜16的與藍(lán)寶石襯底10相反側(cè)的表面上)形成有η引線電極17和ρ引線電極18，所述η引線電極17和ρ引線電極18形成為類(lèi)似于在平面上以一定間隔彼此配合的兩個(gè)梳子的形狀，如圖IB所示。η引線電極17和ρ引線電極18具有沿著平行于器件的主表面的方向從相應(yīng)公共基部延伸的梳狀布線圖案。絕緣膜16具有筒狀的孔20和21，以分別暴露η型層11 (在η型層11具有層疊結(jié)構(gòu)的情況下為η接觸層)和ITO電極15。η引線電極17通過(guò)孔20經(jīng)由η中間電極24與η型層11接觸，ρ引線電極18通過(guò)孔21經(jīng)由ρ中間電極25與ITO電極15接觸。η中間電極24是與η型層11接觸的η接觸電極。中間電極24中的每ー個(gè)和中間電極25中的每ー個(gè)均具有其中Ni膜、Au膜和Al膜分別依次沉積在η型層11和ITO電極15上的Ni/Au/Al的三層疊結(jié)構(gòu)。此處，符號(hào)“/”指的是層疊結(jié)構(gòu)；例如，“ A/B”指的是其中在形成層A之后形成層B的層疊結(jié)構(gòu)(以下同樣適用)。Ni膜具有50nm的厚度，Au膜具有1500nm的厚度，Al膜具有IOnm的厚度。在絕緣膜16A中引入連續(xù)的平面狀的反射膜19，而沒(méi)有對(duì)應(yīng)于孔14的部分和包括孔21的區(qū)域。反射膜19具有Al/Ag/Al的三層疊結(jié)構(gòu)，Al層具有I人到30Λ的厚度。反射膜19被絕緣膜16包封，由此抑制反射膜19中的金屬遷移。反射膜19不具有單層結(jié)構(gòu)而具有Ag層夾在Al層之間的結(jié)構(gòu)的原因是通過(guò)在離子化傾向大于Ag的Al的層之間設(shè)置Ag來(lái)防止Ag遷移。反射膜19的材料不限于Al/Ag/Al,只要包括Ag或Ag合金即可,例如反射膜19可以是由Ag或Ag合金形成的單層膜，或者是包括Ag或Ag合金層的多層膜。
絕緣膜16中包括在反射膜19上(即，與ITO電極15側(cè)相反的ー側(cè))的大致對(duì)應(yīng)于反射膜19的正交投影的特定區(qū)域上的導(dǎo)電膜23。S卩，導(dǎo)電膜23是連續(xù)平面而不具有對(duì)應(yīng)于孔14的部分和包括孔21的區(qū)域。導(dǎo)電膜23可以由任何導(dǎo)電材料優(yōu)選對(duì)絕緣膜16具有良好粘附カ的材料形成。例如，可以利用Al、Ti、Cr或ΙΤ0。另外，導(dǎo)電膜23的一個(gè)或多個(gè)部分通過(guò)形成于反射膜19中筒狀孔40與ITO電極15接觸。盡管可以在任何位置進(jìn)行接觸，但是接觸的總面積優(yōu)選地盡可能小，使得光提取性能不降低。這是因?yàn)榻佑|的總面積越大，反射膜19的面積越小。導(dǎo)電膜23也可以與反射膜19部分地接觸。η引線電極17和ρ引線電極18覆蓋有絕緣膜22。在η引線電極17和ρ引線電極18上的絕緣膜22上(即，在與藍(lán)寶石襯底10相反側(cè)的表面上)形成有釬料層26和27，如圖IA和圖IB所示。絕緣膜22具有孔28和29，分別用于在孔的底部暴露η引線電極17和P引線電極18。通過(guò)孔28和29，η引線電極17連接至釬料層26，ρ引線電極18連接至釬料層 27。釬料層 26 和 27 由厚度分別為 100nm、150nm、50nm、5000nm 和 50nm 的 Ti/Ni/Au/AuSn/Au/ 形成。
根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件是倒裝芯片型，其中光被包括在絕緣膜16中的反射膜19反射并從藍(lán)寶石襯底提取出來(lái)。在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，因?yàn)樾纬蛇B接至ITO電極15的導(dǎo)電膜23，所以ITO電極15和導(dǎo)電膜23具有幾乎相同的電位。經(jīng)由絕緣膜16位于η引線電極17與ITO電極15之間的區(qū)域中的反射膜19還經(jīng)由絕緣膜16位于導(dǎo)電膜23與ITO電極15之間。因此，經(jīng)由絕緣膜16位于η引線電極17與ITO電極15之間的區(qū)域中的反射膜19位于等電位區(qū)域即無(wú)電場(chǎng)區(qū)域中。因此，在反射膜中沒(méi)有施加電場(chǎng)，從而防止遷移。在平面視圖上，導(dǎo)電膜23優(yōu)選形成為具有與反射膜19的面積即反射膜19的正交投影的面積相等的面積。更優(yōu)選地，在平面視圖上，導(dǎo)電膜23形成為其面積包括并大于反射膜19的面積即包括反射膜19的正交投影的面積。這是因?yàn)榈入娢粎^(qū)域即無(wú)電場(chǎng)區(qū)越大，則反射膜越可靠地包括在等電位區(qū)域中。因此，可以進(jìn)一歩抑制反射膜19的遷移。在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，在平面視圖上，導(dǎo)電膜23形成在絕緣膜16中包括反射膜19的正交投影的區(qū)域上。然而，導(dǎo)電膜23可以只形成在對(duì)應(yīng)于在η引線電極17下并在反射膜19的正上方的區(qū)域的特定區(qū)域中。即導(dǎo)電膜23可以形成為具有與η引線電極17在平面視圖上的正交投影相同的面積。另外，導(dǎo)電膜23可以形成為其面積大于η引線電極17在平面視圖上的投影面積。在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，導(dǎo)電膜23的一部分連接至ITO電極15。然而，導(dǎo)電膜23可以具有任何結(jié)構(gòu)，只要其具有幾乎與P引線電極18的電位相同的電位即可。例如，導(dǎo)電膜23的一部分可以連接至ρ中間電極25，如圖3所示；導(dǎo)電膜23的一部分可以連接至ρ型層13，如圖4所示；或者導(dǎo)電膜23的一部分可以連接至ρ引線電極18，如圖5所示。在每ー種情況下，因?yàn)閷?dǎo)電膜23間接地連接至ITO電極15或ρ型層13，所以反射膜19存在于等電位區(qū)域中。因此，可以防止反射膜19中的遷移。接下來(lái)，將參照?qǐng)D2描述用于制造根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法。首先，通過(guò)MOCVD在藍(lán)寶石襯底10上依次形成η型層11、發(fā)光層12和ρ型層13。MOCVD所用的原料氣體如下作為Ga源的TMG(三甲基鎵)、作為In源的TMI (三甲基銦)、作為Al源的TMA(三甲基鋁)、作為氮源的氨、作為η型摻雜氣體的硅烷、作為ρ型摻雜氣體的環(huán)戊ニ烯基鎂以及作為載氣的氫或氮。接著，通過(guò)氣相沉積在P型層13的一部分上形成ITO 電極 15(厚度:IOOnm)(圖 2Α)。接下來(lái)，對(duì)ρ型層13的特定部分進(jìn)行光刻和干蝕刻，以由此形成深度從P型層13的頂表面延伸到η型層11的筒狀孔14。然后，通過(guò)氣相沉積和剝離エ藝分別在η型層11的通過(guò)孔14的底部暴露的特定區(qū)域以及在ITO電極15的特定區(qū)域上形成η中間電極24和P中間電極25，井隨后進(jìn)行在570°C下的熱處理(圖2B)。接下來(lái)，通過(guò)CVD沉積由厚度為IOOnm的SiO2形成的第一絕緣膜16a (絕緣膜16的一部分)，以連續(xù)地覆蓋整個(gè)頂表面，即ITO電極15的表面、孔14的底表面和側(cè)表面、P型層13的其上沒(méi)有形成ITO電極15的表面、η中間電極24以及ρ中間電極25。接著，形成具有Al/Ag/Al的結(jié)構(gòu)的反射膜19，其中通過(guò)氣相沉積在第一絕緣膜16a的特定區(qū)域(除了在η中間電極24、ρ中間電極25以及用于將導(dǎo)電膜23連接至ITO電極15的孔40上的區(qū)域之外)上依次沉積Al膜、Ag膜和Al膜(圖2C)。所述Al膜具有I人到30人的厚度， Ag膜具有500人到5000Α的厚度。接下來(lái)，通過(guò)CVD在第一絕緣膜16a上和反射膜19上沉積由厚度為IOOnm的SiO2形成的第二絕緣膜16b (絕緣膜16的一部分)。因此，反射膜19包封在第一絕緣膜16a與第二絕緣膜16b之間。隨后，對(duì)第一和第二絕緣膜16a和16b的特定區(qū)域(對(duì)應(yīng)于沒(méi)有位于反射膜19、η中間電極24或ρ中間電極25下方的區(qū)域)進(jìn)行干蝕刻，由此形成筒狀孔30，使得ITO電極15通過(guò)孔30的底部暴露出。接著，通過(guò)氣相沉積和剝離エ藝沉積導(dǎo)電膜23，以連續(xù)地覆蓋在反射膜19上的第二絕緣膜16b并填充孔30 (圖2D)。因此，導(dǎo)電膜23通過(guò)孔30連接至ITO電極15。接著，通過(guò)CVD在第二絕緣膜16b上和在導(dǎo)電膜23上沉積由厚度為IOOnm的SiO2形成的第三絕緣膜16c (絕緣膜16的一部分)。第一絕緣膜16a、第二絕緣膜16b和第三絕緣膜16c —起形成絕緣膜16 (圖2E)。接下來(lái)，對(duì)絕緣膜16的對(duì)應(yīng)于η中間電極24和ρ中間電極25的頂部的部分進(jìn)行干蝕刻，以由此形成分別用于暴露η中間電極24和ρ中間電極25的孔20和21。之后，通過(guò)氣相沉積和剝離エ藝，在第三絕緣膜16c特定區(qū)域上與孔20和21上形成具有Ti/Ni/Au/Al布線圖案的η引線電極17和ρ引線電極18 (圖2F)。因此，將η引線電極17連接至η中間電極24，將ρ引線電極18連接至ρ中間電極25。η引線電極17和ρ引線電極18可以單獨(dú)或同時(shí)形成。接著，通過(guò)CVD在η引線電極17和ρ引線電極18上沉積另外的絕緣膜22，通過(guò)干蝕刻在絕緣膜22的特定區(qū)域上形成孔28和29，如圖IA所示。然后，在絕緣膜22的對(duì)應(yīng)于η引線電極17和孔28的頂部的區(qū)域以及ρ引線電極18和孔29的頂部的區(qū)域上，形成釬料層26和釬料層27。通過(guò)孔28，η引線電極17連接至釬料層26。通過(guò)孔29，ρ引線電極18連接至釬料層27。因此，制造了示于圖IA中的根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，采用了 ITO電極15。然而，可以使用由對(duì)于III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)射波長(zhǎng)表現(xiàn)出透明性并與P型層13形成歐姆接觸的任何材料制成的電極來(lái)替代ITO電極15。例如，可以使用金屬薄膜如具有約IOnm厚度的Co/Au薄膜或透明導(dǎo)電氧化物如ICO (銦鈰氧化物)。在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，絕緣膜16由SiO2形成。然而，絕緣膜可以由對(duì)于III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的反射波長(zhǎng)表現(xiàn)出透明性的任何絕緣材料形成。例如，可以使用氧化物例如Al2O3或TiO2、氮化物例如Si3N4或氮氧化物例如SiOxNy0在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，η型層11通過(guò)η中間電極24連接至η引線電極17。然而，η型層11可以直接連接至η引線電極17而無(wú)需η中間電極24。類(lèi)似地，在根據(jù)實(shí)施方案I的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，P型層13或ITO電 極15通過(guò)ρ中間電極25連接至ρ引線電極18。然而，ρ型層13或ITO電極15可以直接連接至P引線電極18而無(wú)需ρ中間電極25。盡管根據(jù)實(shí)施方案I的發(fā)光器件具有倒裝芯片型結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的發(fā)光器件可以具有倒裝朝上型結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件可以用作顯示設(shè)備或照明設(shè)備的光源。
權(quán)利要求
1.ー種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，具有設(shè)置在絕緣膜中的Ag或Ag合金反射膜，所述反射膜的至少一部分經(jīng)由所述絕緣膜位于P型層和具有透明性的P接觸電極中的至少之一與η引線電極之間的區(qū)域中，其中經(jīng)由所述絕緣膜在所述η引線電極與所述區(qū)域的反射膜之間形成有導(dǎo)電膜，并且所述導(dǎo)電膜電連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之O
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述P接觸電極包括ITO電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述P接觸電極具有作為所述P接觸電極的一部分的中間電極，并且所述導(dǎo)電膜經(jīng)由所述中間電極連接至所述P接觸電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述P接觸電極具有作為所述P接觸電極的一部分的中間電極，并且所述導(dǎo)電膜經(jīng)由所述中間電極連接至所述P接觸電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電膜形成為具有與包括所述η引線電極在平面視圖上的正交投影的面積相同的面積或比所述面積大。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電膜形成為具有與包括所述反射膜在平面視圖上的正交投影的面積相同的面積或比所述面積大。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中設(shè)置有P引線電極用于連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之一，并且通過(guò)將所述導(dǎo)電膜連接至所述P引線電扱，使得所述導(dǎo)電膜經(jīng)由所述P引線電極連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中設(shè)置有P引線電極用于連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之一，并且通過(guò)將所述導(dǎo)電膜連接至所述P引線電極，使得所述導(dǎo)電膜經(jīng)由所述P引線電極連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中設(shè)置有P引線電極用于連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之一，并且通過(guò)將所述導(dǎo)電膜連接至所述P引線電極，使得所述導(dǎo)電膜經(jīng)由所述P引線電極連接至所述P接觸電極和所述P型層中的至少之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求I至4、8、9以及11至13中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件為倒裝芯片型。
15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件為倒裝芯片型。
16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件為倒裝芯片型。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件為倒裝芯片型。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防止反射膜中的遷移的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。倒裝芯片型III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括藍(lán)寶石襯底；以及依次形成在藍(lán)寶石襯底上的n型層、發(fā)光層和p型層。在p型層的表面上設(shè)置有深度到達(dá)n型層的多個(gè)孔。在p型層的幾乎整個(gè)表面上形成有ITO電極，并且在ITO電極上設(shè)置有SiO2絕緣膜。絕緣膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的區(qū)域中經(jīng)由絕緣膜形成有導(dǎo)電膜。導(dǎo)電膜還連接至設(shè)置在p型層上的ITO電極。利用這種結(jié)構(gòu)，反射膜位于等電位區(qū)域中，由此防止遷移。
文檔編號(hào)H01L33/40GK102694101SQ20121007304
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月21日
發(fā)明者戶(hù)谷真悟, 矢羽田孝輔, 石黑雄也 申請(qǐng)人:豐田合成株式會(huì)社