專利名稱：一種漏電保護插頭的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用電安全保護技術領域，尤其是涉及一種漏電保護插頭。
技術背景
中國專利文獻CN1142618C公開了一種漏電保護插頭，該漏電保護插頭上不但設有相線與零線均穿過的零序電流互感器、還設有地線穿過的地線帶電檢測感應器，因此它不但能檢測負載端相線與零線之間有無剩余電流，當相、零線之間出現剩余電流并達到預置的閥值時(例如10mA)，它就會在0. IS內立即脫扣，切斷相線、零線和地線；而且在接地保護系統(tǒng)異常造成地線意外帶電時，它還能檢測負載端地線有無意外電流，當地線出現意外電流并達到預置的閥值時(例如10mA)，它也會在0. IS內立即脫扣，切斷相線、零線和地線，從而保護了人們的生命安全。但是，當它在接地保護系統(tǒng)的地線缺失(例如插座地線虛接造成無接地)且漏電保護插頭負載端用電器具絕緣故障漏電時，或在接地保護系統(tǒng)異常(例如相線、地線短路)造成地線意外帶電時，都會造成用電器具的外露金屬部件帶上危險電壓，但它們都沒有構成回路因而還沒有產生剩余電流或地線意外電流，所以，盡管用電器具外露金屬部件已帶上了危險電壓，但現有漏電保護插頭在這種情況下都不會自動脫扣，只有當人們觸及這些已經帶上電的外露金屬部件時才產生剩余電流或地線意外電流， 從而使漏電保護插頭在0. IS內脫扣而把相線、零線、地線斷開，雖然它能在0. IS的瞬間內脫扣而保障了人們的安全，但是在這種情況下人是先被電了一下后漏電保護器才能脫扣斷電的。所以，現有漏電保護插頭仍會造成人們觸電的問題。
眾所周知，光電耦合器主要由輸入端的發(fā)光元件和輸出端的受光元件組成，發(fā)光元件與受光元件安裝在同一封裝內，發(fā)光元件與受光元件之間靠光來傳遞信號。圖1所示意是現有的一種光電耦合器100，它的輸入端由氖燈100-1構成發(fā)光元件，它的輸出端由光敏三極管100-2構成受光元件，由氖燈100-1的特性可知，氖燈100-1起輝點亮的電壓通常都需要85V左右或以上才可以，由此可知，當漏電保護插頭上采用了該種光電耦合器100來檢測地線與零線之間的電壓時，該種漏電保護插頭就存在以下缺點當地線與零線之間的電壓低至50V以下(例如J4V)的場合時，檢測回路中的光電耦合器100內部的氖燈100-1 就不能起輝點亮了，光電耦合器100不能正常工作，無法發(fā)出信號使漏電保護插頭跳閘，所以，使用該種光電耦合器100來作為檢測元件的漏電保護插頭是不能達到保障人們用電安全的目的。發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種能克服上述現有漏電保護插頭缺陷的漏電保護插頭， 它不但能在負載端相、零線路發(fā)生漏電或地線發(fā)生意外帶電時能及時地把相線觸頭、零線觸頭及地線觸頭全部斷開，而且它在接地保護系統(tǒng)出現接地缺失且漏電保護插頭負載端的用電器具漏電造成電器外殼和插銷及地線意外帶上危險電壓時還能在人們或牲畜觸及用電器具之前就會自動脫扣，及時把相線、零線及地線斷開，為人們提供用電安全保障。
本發(fā)明所提出的技術解決方案是這樣的一種漏電保護插頭，包含有外殼和插銷、相線、零線、地線、零序電流互感器、試驗回路、 電磁脫扣與鎖扣裝置，該電磁脫扣與鎖扣裝置包含電磁線圈及其驅動電路、觸頭，所述電磁線圈的驅動電路主要由第1整流電路、第1可控硅組成，所述零序電流互感器次級繞組的一輸出端與另一輸出端分別和所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端連接，還設有第1阻容元件、第2阻容元件、光電耦合器、觸發(fā)電路，在所述地線與零線之間連接有由所述第1阻容元件、所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端、所述第2阻容元件串聯(lián)而成的檢測回路，所述光電耦合器輸出的信號送入所述觸發(fā)電路的輸入端，所述觸發(fā)電路的輸出端與所述電磁線圈的驅動電路的控制端連接。
在所述檢測回路中還設有第2整流電路，所述第1阻容元件一端與所述地線連接， 第1阻容元件另一端與第2整流電路一輸入端連接，第2整流電路另一輸入端與第2阻容元件一端連接，第2阻容元件另一端與所述零線連接，第2整流電路一輸出端與另一輸出端分別與所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端連接。
在所述檢測回路中還設有第1 二極管，所述第1 二極管一端與所述地線連接，第1 二極管另一端與第1阻容元件一端連接，第1阻容元件另一端與光電耦合器的一輸入端連接，光電耦合器的另一輸入端與第2阻容元件一端連接，第2阻容元件另一端與所述零線連接。
在所述檢測回路中還設有第2 二極管，所述第1阻容元件另一端與所述光電耦合器的一輸入端的連接點和所述第2 二極管一端連接，所述第2阻容元件一端與所述光電耦合器的另一輸入端的連接點和所述第2 二極管另一端連接。
所述第1或第2阻容元件為電阻或電容或電阻與電容的組件。
在所述電磁線圈的驅動電路中還設有放大電路，所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端分別為所述放大電路的一輸入端與另一輸入端，所述放大電路觸發(fā)輸出端輸出的觸發(fā)信號送入第1可控硅觸發(fā)極。
所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端分別為所述第1可控硅的觸發(fā)極與陰極。
在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第1電阻、第2電阻、第3 二極管、第1穩(wěn)壓二極管，所述第1電阻一端與所述第1整流電路輸出端正極連接，第1電阻另一端與第2電阻一端連接，第2電阻另一端與第3 二極管正極連接，第3 二極管負極與所述第1整流電路輸出端負極連接，第1電阻另一端與第2電阻一端的連接點和第1穩(wěn)壓二極管負極連接，第 1穩(wěn)壓二極管正極與第1整流電路輸出端負極連接，所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端分別為所述第ι可控硅觸發(fā)極與所述第3 二極管正極。
所述觸發(fā)電路由第1三極管、第3電阻組成，所述光電耦合器的一輸出端分別與所述放大電路的電源端、所述第1三極管的集電極連接，所述光電耦合器的另一輸出端分別與所述第1三極管的基極、第3電阻一端連接，第3電阻另一端分別與所述放大電路地端、 第1整流電路輸出端負極連接，第1三極管的發(fā)射極與所述第1可控硅的觸發(fā)極連接。
在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第1三極管、第3 電阻、第4電阻、第2穩(wěn)壓二極管組成；所述第4電阻一端與第1整流電路輸出端正極連接， 第4電阻另一端與第2穩(wěn)壓二極管負極連接，第2穩(wěn)壓二極管正極與所述第1整流電路輸出端負極連接，所述光電耦合器的一輸出端分別與所述第2穩(wěn)壓二極管負極、第1三極管的集電極連接，所述光電耦合器的另一輸出端分別與所述第1三極管的基極、第3電阻一端連接，第3電阻另一端分別與第2穩(wěn)壓二極管正極、第1整流電路輸出端負極連接，所述第1 三極管的發(fā)射極與第2可控硅觸發(fā)極連接，第2可控硅的陽極與陰極分別和第1可控硅的陽極與陰極并聯(lián)連接。
在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第1三極管、第3 電阻組成，所述光電耦合器的一輸出端與所述第1穩(wěn)壓二極管負極連接，所述光電耦合器的另一輸出端分別與所述第ι三極管的基極、第3電阻一端連接，第3電阻另一端與第1穩(wěn)壓二極管正極連接，第1三極管的集電極與第1穩(wěn)壓二極管負極連接，所述第1三極管的發(fā)射極與第2可控硅觸發(fā)極連接，第2可控硅的陽極與陰極分別和第1可控硅的陽極與陰極并聯(lián)連接。
所述觸發(fā)電路由第3電阻、第5電阻、第6電阻、電壓比較器電路、單向導通元件組成，所述光電耦合器的一輸出端與所述放大電路的電源端連接，光電耦合器的另一輸出端分別與第3電阻一端、電壓比較器電路的一輸入端連接，第3電阻另一端與放大電路的地端連接，所述第5電阻一端與所述放大電路的電源端連接，第5電阻另一端與第6電阻一端連接，第6電阻另一端與所述放大電路的地端連接，第5電阻另一端與第6電阻一端的連接點與電壓比較器電路的另一輸入端連接，電壓比較器電路輸出端通過單向導通元件與所述第 1可控硅的觸發(fā)極連接。
在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第3電阻、第5電阻、第6電阻、電壓比較器電路、第4電阻、第2穩(wěn)壓二極管組成，所述第4電阻一端與第1 整流電路輸出端正極連接，第4電阻另一端與第2穩(wěn)壓二極管負極連接，第2穩(wěn)壓二極管正極與所述第1整流電路輸出端負極連接，所述光電耦合器的一輸出端與所述第2穩(wěn)壓二極管負極連接，光電耦合器的另一輸出端分別與第3電阻一端、電壓比較器電路的一輸入端連接，第3電阻另一端與第2穩(wěn)壓二極管正極連接，所述第5電阻一端與所述第2穩(wěn)壓二極管負極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端連接，第6電阻另一端與所述第2穩(wěn)壓二極管正極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端的連接點與電壓比較器電路的另一輸入端連接， 電壓比較器電路輸出端與第2可控硅的觸發(fā)極連接。
在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第3電阻、第5電阻、第6電阻、電壓比較器電路組成，所述光電耦合器的一輸出端與所述第1穩(wěn)壓二極管負極連接，光電耦合器的另一輸出端分別與第3電阻一端、電壓比較器電路的一輸入端連接， 第3電阻另一端與第1穩(wěn)壓二極管正極連接，所述第5電阻一端與所述第1穩(wěn)壓二極管負極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端連接，第6電阻另一端與所述第1穩(wěn)壓二極管正極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端的連接點與電壓比較器電路的另一輸入端連接，電壓比較器電路輸出端與第2可控硅的觸發(fā)極連接。
所述電壓比較器電路選用電壓比較器或運算放大器。
所述單向導通元件為第4 二極管。
所述單向導通元件為第2三極管。
在所述光電耦合器的內部至少設有1個發(fā)光二極管，所述的至少1個發(fā)光二極管串聯(lián)連接在所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端之間。
在所述光電耦合器的內部設有2至4個發(fā)光二極管，所述2至4個發(fā)光二極管以并聯(lián)或串聯(lián)方式連接在所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端之間。
與現有技術相比，本發(fā)明具有如下顯著效果(1)、本發(fā)明的漏電保護插頭由于在地線與零線之間連接有由阻容元件與光電耦合器內置的發(fā)光元件串聯(lián)組成的檢測回路，當在使用時，一旦漏電保護插頭負載端的相、零線上的用電器具故障漏電且接地保護系統(tǒng)地線缺失(例如插座地線虛接造成無接地)時，用電器具外露的金屬部件及漏電保護插頭地線都會帶上危險電壓，當危險電壓達到預定值時， 光電耦合器內置的發(fā)光元件就會發(fā)亮，光電耦合器內置的光敏元件就會被該光激發(fā)而輸出信號并觸發(fā)電磁線圈的驅動電路中的可控硅導通，從而使漏電保護插頭在人們觸及用電器具之前就能及時把相線、零線和地線全斷開。
(2)、本發(fā)明的漏電保護插頭由于在地線與零線之間連接有由阻容元件與光電耦合器內置的發(fā)光元件串聯(lián)組成的檢測回路，當在使用時，一旦接地保護系統(tǒng)異常造成地線意外帶上危險電壓時，光電耦合器內置的發(fā)光元件就會發(fā)亮，光電耦合器內置的光敏元件就會被該光激發(fā)而輸出信號并觸發(fā)電磁線圈驅動電路中的可控硅導通，從而使漏電保護插頭在人們觸及電器之前就能及時把相線、零線和地線全斷開。
(3)、本發(fā)明的漏電保護插頭由于只須當地線與零線之間的檢測回路有微弱的電流通過，光電耦合器內置的受光元件就會有信號輸出，經三極管或電壓比較器電路處理后就能使電磁線圈脫扣，所以，當地線上出現的異常電壓低至MV時也能使電磁線圈脫扣而把相、零、地線全斷開。
(4)、本發(fā)明的漏電保護插頭在電源端的相線與零線反接時也會自動脫扣，不能復位，只有把電源插座相線與零線的接線狀態(tài)糾正以后才能投入使用，強制性地規(guī)范了用戶端電源插座接線必須符合國家規(guī)范的要求連接，以防使用時發(fā)生其他意外事故。
(5)、本發(fā)明的漏電保護插頭上的地線無需設置地線互感器和觸發(fā)電路，因而節(jié)省了成本。
(6)、本發(fā)明的漏電保護插頭的檢測回路上由于通過電容或橋式整流電路和光電耦合器的巧妙配合，使光電耦合器的光電傳輸效率、靈敏度有效提高，對流過檢測回路上的電流信號的要求大大降低，提高了地線與零線之間的阻抗，使它滿足安全標準的要求。
(7)、本發(fā)明的漏電保護插頭的檢測回路上由于通過增加光電耦合器內部的發(fā)光二極管，使這些發(fā)光二極管并聯(lián)或串聯(lián)連接在光電耦合器輸入端之間，因而有效地提高光電耦合器的光電傳輸效率、靈敏度，對流過檢測回路上的電流信號的要求大大降低，提高了地線與零線之間的阻抗，使它滿足安全標準的要求。
本發(fā)明的漏電保護插頭主要應用在各種家用電器的漏電保護上。


圖1是現有的一種光電耦合器的電路結構原理示意圖。
圖2是本發(fā)明第1個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖3是本發(fā)明第2個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖4是本發(fā)明第3個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖5是本發(fā)明第4個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖6是本發(fā)明第5個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖7是本發(fā)明第6個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖8是本發(fā)明第7個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖9是本發(fā)明第8個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
圖10是本發(fā)明第9個實施例的漏電保護插頭電氣原理示意圖。
具體實施方式
通過下面實施例對本發(fā)明作進一步詳細闡述。
實施例1參見圖2所示，一種漏電保護插頭，主要由外殼和插銷、電源端的相線5與零線6及地線7、負載端的相線8與零線9及地線10、零序電流互感器15、試驗回路16、電磁脫扣與鎖扣裝置，該電磁脫扣與鎖扣裝置包含電磁線圈11及其驅動電路、相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2與2-2、地線觸頭3與4、彈簧、復位推桿，以及第1阻容元件17、第2阻容元件18、 光電耦合器19、觸發(fā)電路組成。在地線7與零線6之間連接有由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路，光電耦合器19 的一輸出端與另一輸出端分別和電磁線圈11的驅動電路中的電源端與觸發(fā)電路的輸入端連接，觸發(fā)電路的輸出端與電磁線圈11的驅動電路的控制端連接。
在本實施例中，所述電磁線圈11的驅動電路主要由第1整流電路12、第1可控硅 13、放大電路14組成，所述零序電流互感器15次級繞組的一輸出端與另一輸出端分別和所述放大電路14的一輸入端與另一輸入端連接，放大電路14觸發(fā)輸出端輸出的信號送入第 1可控硅13觸發(fā)極。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第1三極管20、第3電阻32組成，也可以選用電壓比較器電路、電阻、單向導通元件組成。
在本實施例中，由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2 阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，所述第1阻容元件 17的一端與地線連接，第1阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6 連接，光電耦合器19的一輸出端與放大電路14的電源端(+VS)連接，光電耦合器19的另一輸出端分別與第3電阻32 —端、第1三極管20的基極連接，第3電阻32的另一端分別與第1整流電路12輸出端負極(-)、放大電路14的地端(GND)，第1三極管20的集電極與放大電路14的電源端(+VS)連接，第1三極管20的發(fā)射極與第1可控硅13的觸發(fā)極連接， 第1可控硅13的陽極與陰極分別和第1整流電路12輸出端的正極(+ )與負極(_)連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電容，第1阻容元件17也可以采用電阻或電阻與電容的組件 ’第2阻容元件18為電阻，第2阻容元件18也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有2個發(fā)光二極管作為光電耦合器的發(fā)光元件，這2個發(fā)光二極管并聯(lián)連接在光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端之間，從而使光電耦合器19無論是在信號的正半波，還是在信號的負半波時，光電耦合器19內部均有發(fā)光二極管發(fā)光，因而大大地提高了光電耦合器19的光電傳輸效率和靈敏度。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第 2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
使用時，把漏電保護插頭的復位推桿按下，相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2與 2-2和地線觸頭3與4都正常接通，負載端的相線8、零線9、地線10分別與電源端的相線 5、零線6、地線7接通，地線7與10由于接地的作用使電壓被鉗制在零伏左右，同時零線6 與9也是在零伏左右，這樣連接在漏電保護插頭電源端的地線7與零線6之間的由第1阻容元件17、光電耦合器19 一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成的檢測回路就沒有電流流過或流過的電流沒有達到預置的閥值(例如10微安)，光電耦合器19的輸出端沒有信號輸出給第1三極管20的基極，第1三極管20截止，第1可控硅13截止，這樣漏電保護插頭就保持在復位通電狀態(tài)，從而為它下端的用電器具供電和提供接地。
當接地保護系統(tǒng)發(fā)生異常(例如相、地短路造成地線意外帶電)造成地線7與10 意外帶上危險電壓時，這樣連接在電源端的地線7與零線6之間的由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成的檢測回路就有一個電流流過， 光電耦合器19內部的發(fā)光二極管發(fā)光，從而激發(fā)光電耦合器19使它的輸出端輸出信號給第1三極管20的基極并使第1三極管20導通，第1可控硅13被觸發(fā)導通并使漏電保護插頭脫扣，在人們觸及用電器具之前就能及時把相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2與2-2、地線觸頭3與4都斷開，從而更好地保障人們用電安全。
當負載端的相線8、零線9上的用電器具故障漏電且在接地保護系統(tǒng)正常的情況下時，會經地線10與7產生一個剩余電流，零序電流互感器15會檢測到相、零線之間的剩余電流并輸出一個信號給放大電路14，并在剩余電流達到預置的閥值(例如10毫安)時， 放大電路14觸發(fā)輸出端輸出信號，第1三極管20反向截止，第1可控硅13被觸發(fā)導通，漏電保護插頭脫扣，在人們觸及用電器具之前就能及時把相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2 與2-2、地線觸頭3與4都斷開；而當負載端的相線8、零線9上的用電器具故障漏電且在接地保護系統(tǒng)無接地(例如插座上地線虛接造成無接地)時，用電器具外露的金屬部件及漏電保護插頭地線10與7都會帶上危險電壓，連接在漏電保護插頭電源端地線7與零線6之間的由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成的檢測回路就有一個電流流過，光電耦合器19內部的發(fā)光二極管發(fā)光，從而激發(fā)光電耦合器19使它的輸出端輸出信號給第1三極管20的基極并使第1三極管20導通，第1可控硅 13被觸發(fā)導通并漏電保護插頭脫扣，在人們觸及用電器具之前就能及時把相線觸頭1-1與 2-1、零線觸頭1-2與2-2、地線觸頭3與4都斷開，從而更好地保障人們用電安全。
實施例2參見圖3所示，本實施例與實施例1相比，本實施例增加了第2整流電路22。
在本實施例中，由第1阻容元件17、第2整流電路22的一輸入端與另一輸入端、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第2整流電路22的一輸出端與另一輸出端分別和光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件；第 2阻容元件18為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有1個發(fā)光二極管，也可以在光電耦合器 19的內部串聯(lián)2至4個發(fā)光二極管在光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端之間。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、第2整流電路22的一輸入端與另一輸入端、 光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第1三極管20、第3電阻32組成，也可選用由電壓比較器電路、電阻、單向導通元件組成。
由于本實施例與實施例1相比，僅為設在地線7與零線6之間的檢測回路有所不同，其余的結構組成與電路原理均與實施例1相同，在此不再贅述。
實施例3參見圖4所示，本實施例與實施例2相比，本實施例增加了第1 二極管23，并取消了實施例2中的第2整流電路22。
在本實施例中，由第1 二極管23、第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第1 二極管23的一端與地線7連接，第1 二極管23的另一端與第1阻容元件17 —端連接，第1 阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19的另一輸入端與第 2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電容，也可以采用電容或電阻與電容的組件；第 2阻容元件18為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有2個發(fā)光二極管串聯(lián)連接在光電耦合器 19的一輸入端與另一輸入端之間。
在本實施例中，把由第1 二極管23、第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間， 也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第1三極管20、第3電阻32組成，也可選用由電壓比較器電路、電阻、單向導通元件組成。
由于本實施例與實施例2相比，僅為設在地線7與零線6之間的檢測回路有所不同，其余的結構組成與電路原理均與實施例2相同，在此不再贅述。
實施例4參見圖5所示，本實施例與實施例1相比，本實施例中增加了第2 二極管24、第4電阻 33、第2穩(wěn)壓二極管28、第2可控硅四，并取消了實施例1中的放大電路14。
在本實施例中，由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2 阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第1阻容元件17的一端與地線7連接，第1阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19 的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接，第 2 二極管M的一端與光電耦合器19的一端連接，第2 二極管M的另一端與光電耦合器19 的另一端連接，第4電阻33 —端與第1整流電路12輸出端的正極(+ )連接，第4電阻33另一端分別與第2穩(wěn)壓二極管觀負極、光電耦合器19 一輸出端、第1三極管20的集電極連接，光電耦合器19的另一輸出端與第1三極管20的基極連接，第1三極管20的發(fā)射極與第2可控硅四的觸發(fā)極連接，第2可控硅四的陽極與陰極分別和第1可控硅的陽極與陰極并聯(lián)連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電容，也可以采用電容或電阻與電容的組件；第 2阻容元件18為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有1個發(fā)光二極管，也可以設有2至4個發(fā)光二極管串聯(lián)連接在光電耦合器19內部的一輸入端與另一輸入端之間。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第 2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第1三極管20、第3電阻32組成，也可選用電壓比較器電路、電阻、單向導通元件組成。
由于本實施例與實施例1相比，僅為設在地線7與零線6之間的檢測回路和電磁線圈11的驅動電路有所不同，其余的結構組成與電路原理均與實施例1相同，在此不再贅述。
實施例5參見圖6所示，一種漏電保護插頭，主要由外殼和插銷、電源端的相線5與零線6及地線7、負載端的相線8與零線9及地線10、零序電流互感器15、試驗回路16、電磁脫扣與鎖扣裝置，該電磁脫扣與鎖扣裝置包含電磁線圈11及其驅動電路、相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2與2-2、地線觸頭3與4、彈簧、復位推桿，以及第1阻容元件17、第2阻容元件18、 光電耦合器19、第2整流電路22、第3電阻32、第5電阻34、第6電阻35、電壓比較器電路 36、第4 二極管洸組成。
在本實施例中，所述電磁線圈11的驅動電路主要由第1整流電路12、第1可控硅 13、放大電路14組成，所述零序電流互感器15次級繞組的一輸出端與另一輸出端分別和所述放大電路14的一輸入端與另一輸入端連接，放大電路14觸發(fā)輸出端輸出的信號送入第 1可控硅13觸發(fā)極。
在本實施例中，電壓比較器電路36為電壓比較器，也可采用運算放大器。
在本實施例中，單向導通元件為第4 二極管沈，也可采用三極管。
在本實施例中，由第1阻容元件17、第2整流電路22、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，所述第1阻容元件17的一端與地線連接，第1阻容元件17的另一端與第2整流電路22 的一輸入端連接，第2整流電路22的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接，第2整流電路22的一輸出端與另一輸出端分別和光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端連接，光電耦合器19的一輸出端與放大電路14的電源端 (+VS)連接，光電耦合器19的另一輸出端分別與第3電阻32 —端、電壓比較器電路36 — 輸入端(+ )連接，第3電阻32的另一端分別與第1整流電路12輸出端負極(_)、放大電路 14的地端(GND)連接，第5電阻34的一端放大電路14的電源端(+VS)連接、第5電阻34 的另一端與第6電阻35的一端連接，第6電阻35的另一端與放大電路14的地端(GND)連接，第5電阻34的另一端與第6電阻35的一端的連接點還與電壓比較器電路36的另一輸入端(_)連接，電壓比較器電路36的輸出端與第4 二極管沈的一端連接，第4 二極管沈另一端與第1可控硅13的觸發(fā)極連接，第1可控硅13的陽極與陰極分別和第1整流電路12 輸出端的正極(+ )與負極(_)連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電阻，第1阻容元件17也可以采用電容或電阻與電容的組件 ’第2阻容元件18為電阻，第2阻容元件18也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有1個發(fā)光二極管作為光電耦合器19的發(fā)光元件，由于第2整流電路22的作用使得光電耦合器19內部的發(fā)光二極管無論是在信號的正半波時，還是在信號的負半波時，光電耦合器19內部的發(fā)光二極管均能發(fā)光，因而大大地提高了光電耦合器19的光電傳輸效率、靈敏度，此外，還可以通過在光電耦合器19 的內部串聯(lián)2至4個發(fā)光二極管于光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端之間來提高光電耦合器的靈敏度，以便滿足檢測回路上的電流很微弱時，光電耦合器19也能輸出信號使漏電保護插頭跳閘。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、第2整流電路22、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
使用時，把漏電保護插頭的復位推桿按下，相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2與 2-2和地線觸頭3與4都正常接通，負載端的相線8、零線9、地線10分別與電源端的相線 5、零線6、地線7接通，地線7與10由于接地的作用使電壓被鉗制在零伏左右，同時零線6 與9也是在零伏左右，這樣連接在漏電保護插頭電源端的地線7與零線6之間的由第1阻容元件17、第2整流電路22、光電耦合器19 一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成的檢測回路就沒有電流流過或流過的電流沒有達到預置的閥值(例如10微安)，光電耦合器19的輸出端沒有信號輸出給電壓比較器電路36的一輸入端(+ )，由于光電耦合器19輸出給電壓比較器電路36的一輸入端(+ )的信號電壓小于由第5電阻34與第6電阻35分壓給電壓比較器電路36的另一輸入端(_)的基準電壓，所以電壓比較器電路36輸出端就維持為低電壓，第4 二極管沈截止，第1可控硅13截止，這樣漏電保護插頭就保持在復位通電狀態(tài)，從而為它下端的用電器具供電和提供接地。
當接地保護系統(tǒng)發(fā)生異常(例如相、地短路造成地線意外帶電)造成地線7與10 意外帶上危險電壓時，這樣連接在電源端的地線7與零線6之間的由第1阻容元件17、第2 整流電路22、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2阻容元件18組成的檢測回路就有一個電流流過，光電耦合器19內部的發(fā)光二極管發(fā)光，從而激發(fā)光電耦合器19使它輸出信號給電壓比較器電路36的一輸入端(+ )，當該信號大于由第5電阻34與第6電阻35分壓給電壓比較器電路36的另一輸入端(_)的基準電壓時，電壓比較器電路36輸出端變?yōu)楦唠妷?，? 二極管沈導通，第1可控硅13被觸發(fā)導通并使漏電保護插頭脫扣，在人們觸及用電器具之前就能及時把相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2與2-2、地線觸頭3與4都斷開，從而更好地保障人們用電安全。
當負載端的相線8、零線9上的用電器具故障漏電且在接地保護系統(tǒng)正常的情況下時，會經地線10與7產生一個剩余電流，零序電流互感器15會檢測到相、零線之間的剩余電流并輸出一個信號給放大電路14，并在剩余電流達到預置的閥值(例如10毫安)時， 放大電路14觸發(fā)輸出端輸出信號，第4 二極管沈反向截止，第1可控硅13被觸發(fā)導通，漏電保護插頭脫扣，在人們觸及用電器具之前就能及時把相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭1-2 與2-2、地線觸頭3與4都斷開；而當負載端的相線8、零線9上的用電器具故障漏電且在接地保護系統(tǒng)無接地(例如插座上地線虛接造成無接地)時，用電器具外露的金屬部件及漏電保護插頭地線10與7都會帶上危險電壓，連接在漏電保護插頭電源端地線7與零線6 之間的由第1阻容元件17、第2整流電路22、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第 2阻容元件18組成的檢測回路就有一個電流流過，光電耦合器19內部的發(fā)光二極管發(fā)光， 從而激發(fā)光電耦合器19使它輸出信號給電壓比較器電路36的一輸入端(+ )，當該信號大于由第5電阻34與第6電阻35分壓給電壓比較器電路36的另一輸入端(_)的基準電壓時， 電壓比較器電路36輸出端變?yōu)楦唠妷?，? 二極管沈導通，第1可控硅13被觸發(fā)導通并使漏電保護插頭脫扣，在人們觸及用電器具之前就能及時把相線觸頭1-1與2-1、零線觸頭 1-2與2-2、地線觸頭3與4都斷開，從而更好地保障人們用電安全。
實施例6參見圖7所示，本實施例與實施例5相比，本實施例的電磁線圈11的驅動電路中增加了第2可控硅四，并取消了實施例5所述的放大電路14 ；本實施例的觸發(fā)電路中增加了第 4電阻33和第2穩(wěn)壓二極管觀，并取消了實施例5中所述的第4 二極管26。
在本實施例中，電磁線圈11的驅動電路主要由第1整流電路12、第1可控硅13、 第2可控硅四組成，零序電流互感器15的一輸出端與另一輸出端分別和第1可控硅13的觸發(fā)極與陰極連接，第1可控硅13的陽極與陰極分別和第1整流電路12輸出端的正極(+ ) 與負極(_)連接，第2可控硅四的陽極與陰極分別和第1可控硅13的陽極與陰極連接。
在本實施例中，由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2 阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第1阻容元件17的一端與地線7連接，第1阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19 的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接，第 2 二極管M的一端分別與光電耦合器19的一端、第1阻容元件17的另一端連接，第2 二極管M的另一端分別與光電耦合器19的另一端、第2阻容元件18的一端連接，第4電阻 33 一端與第1整流電路12輸出端的正極(+ )連接，第4電阻33的另一端分別與第2穩(wěn)壓二極管觀負極、第5電阻34 —端、光電耦合器19的一輸出端連接，第2穩(wěn)壓二極管觀正極與第1整流電路12的輸出端負極(_)連接，光電耦合器19的另一輸出端分別與第3電阻32 —端、電壓比較器電路36的一輸入端(+ )連接，第3電阻32另一端與第2穩(wěn)壓二極管觀正極連接，第5電阻34另一端分別與第6電阻35 —端、電壓比較電路36的另一輸入端(_)連接，第6電阻36另一端與第2穩(wěn)壓二極管觀正極連接，電壓比較器電路36的輸出端與第2可控硅四的觸發(fā)極連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電容，也可以采用電容或電阻與電容的組件；第 2阻容元件18為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有1只發(fā)光二極管，也可以設有2至4個發(fā)光二極管以串聯(lián)或并聯(lián)的方式連接在光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端之間。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第 2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第3電阻32、第5電阻34、第6電阻35、電壓比較器電路36、第4電阻33、第2穩(wěn)壓二極管28組成。
在本實施例中，電壓比較器電路36為電壓比較器，也可采用運算放大器。
由于本實施例與實施例5相比，僅為設在地線7與零線6之間的檢測回路、電磁線圈11的驅動電路有所不同，其余的結構組成與電路原理均與實施例5相同，在此不再贅述。
實施例7參見圖8所示，本實施例與實施例6相比，本實施例增加了第1電阻30、第2電阻31、 第3 二極管25、第1穩(wěn)壓二極管27，并取消了實施例6所述的第4電阻33與第2穩(wěn)壓二極管28。
在本實施例中，電磁線圈11的驅動電路主要由第1整流電路12、第1可控硅13、 第1電阻30、第2電阻31、第3 二極管25、第1穩(wěn)壓二極管27、第2可控硅四組成，第1電阻30 —端與第1整流電路12的輸出端正極(+ )連接，第1電阻30另一端分別與第2電阻 31 一端、第1穩(wěn)壓二極管27負極連接，第2電阻31另一端與第3 二極管25正極連接，第3 二極管25負極分別與第1整流電路12的輸出端負極(_)、第1穩(wěn)壓二極管27正極連接，零序電流互感器15的一輸出端與另一輸出端分別和第1可控硅13的觸發(fā)極、第3 二極管25 正極連接，第1可控硅13的陽極與陰極分別和第1整流電路12輸出端的正極(+ )與負極 (-)連接，第2可控硅四的陽極與陰極分別和第1可控硅13的陽極與陰極連接。
在本實施例中，由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2 阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第1阻容元件17的一端與地線7連接，第1阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19 的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接，第 2 二極管M的一端分別與光電耦合器19的一端、第1阻容元件17的另一端連接，第2 二極管M的另一端分別與光電耦合器19的另一端、第2阻容元件18的一端連接，光電耦合器19的一輸出端分別與第1穩(wěn)壓二極管27負極、第5電阻34 —端連接，光電耦合器19的另一輸出端分別與第3電阻32 —端、電壓比較器電路36的一輸入端(+ )連接，第3電阻32 另一端分別與第1穩(wěn)壓二極管27正極、第1整流電路12的輸出端負極(_)連接，第5電阻 34另一端分別與第6電阻35 —端、電壓比較器電路36另一輸入端(_)連接，第6電阻35 另一端分別與第1穩(wěn)壓二極管27正極、第1整流電路12的輸出端負極(_)連接，電壓比較器電路36的輸出端與第2可控硅四的觸發(fā)極連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件 ’第 2阻容元件18為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有2個發(fā)光二極管串聯(lián)連接在光電耦合器 19的一輸入端與另一輸入端之間。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第 2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第3電阻32、第5電阻34、第6電阻35、電壓比較器電路36組成。
在本實施例中，電壓比較器電路36為電壓比較器，也可采用運算放大器。
由于本實施例與實施例6相比，僅為設在地線7與零線6之間的檢測回路、電磁線圈11的驅動電路有所不同，其余的結構組成與電路原理均與實施例6相同，在此不再贅述。
實施例8參見圖9所示，本實施例與實施例5相比，本實施例增加了第2三極管21，并取消了實施例5所述的第4 二極管沈和第2整流電路22。
在本實施例中，由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2 阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第1阻容元件17的一端與地線7連接，第1阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19 的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接，光電耦合器19的一輸出端分別與放大電路14的電源端(+VS)、第5電阻34 —端、第2三極管21的集電極連接，光電耦合器19的另一輸出端分別與第3電阻32 —端、電壓比較器電路36的一輸入端(+ )連接，第3電阻32另一端分別與放大電路14的地端(GND)、第1整流電路12的輸出端負極(_)連接，第5電阻34另一端分別與第6電阻35 —端、電壓比較器電路36另一輸入端(_)連接，第6電阻35另一端與第1整流電路12的輸出端負極(_)連接，電壓比較器電路36的輸出端與第2三極管21的基極連接，第2三極管的發(fā)射極與第1 可控硅13的觸發(fā)極連接。
在本實施例中，第1阻容元件17為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件；第 2阻容元件18為電阻，也可以采用電容或電阻與電容的組件。
在本實施例中，光電耦合器19的內部設有2只發(fā)光二極管并聯(lián)連接在光電耦合器 19的一輸入端與另一輸入端之間。
在本實施例中，把由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第 2阻容元件18串聯(lián)而成的檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，也可以把該檢測回路連接在負載端的地線10與零線9之間。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第3電阻32、第5電阻34、第6電阻35、電壓比較器電路36、第2三極管21組成。
在本實施例中，電壓比較器電路36為電壓比較器，也可采用運算放大器。
由于本實施例與實施例5相比，僅為設在地線7與零線6之間檢測回路、觸發(fā)電路中的單向導通元件有所不同，其余的結構組成與電路原理均與實施例5相同，在此不再贅述。
實施例9參見圖10所示，本實施例與實施例7相比，本實施例中增加了第1三極管20，并取消了實施例7中所述的第5電阻34、第6電阻36和電壓比較器電路36。
在本實施例中，電磁線圈11的驅動電路主要由第1整流電路12、第1可控硅13、 第1電阻30、第2電阻31、第3 二極管25、第1穩(wěn)壓二極管27、第2可控硅四組成，第1電阻30 —端與第1整流電路12的輸出端正極(+ )連接，第1電阻30另一端分別與第2電阻 31 一端、第1穩(wěn)壓二極管27負極連接，第2電阻31另一端與第3 二極管25正極連接，第3 二極管25負極分別與第1整流電路12的輸出端負極(_)、第1穩(wěn)壓二極管27正極連接，零序電流互感器15的一輸出端與另一輸出端分別和第1可控硅13的觸發(fā)極、第3 二極管25 正極連接，第1可控硅13的陽極與陰極分別和第1整流電路12輸出端的正極(+ )與負極(“)連接，第2可控硅四的陽極與陰極分別和第1可控硅13的陽極與陰極連接。
在本實施例中，由第1阻容元件17、光電耦合器19的一輸入端與另一輸入端、第2 阻容元件18組成檢測回路連接在電源端的地線7與零線6之間，第1阻容元件17的一端與地線7連接，第1阻容元件17的另一端與光電耦合器19的一輸入端連接，光電耦合器19 的另一輸入端與第2阻容元件18的一端連接，第2阻容元件18的另一端與零線6連接，第 2 二極管M的一端分別與光電耦合器19的一端、第1阻容元件17的另一端連接，第2 二極管M的另一端分別與光電耦合器19的另一端、第2阻容元件18的一端連接，光電耦合器 19的一輸出端、第1三極管20集電極分別與第1穩(wěn)壓二極管27負極連接，光電耦合器19 的另一輸出端與第3電阻32 —端、第1三極管20的基極連接，第3電阻32另一端分別與第1穩(wěn)壓二極管27正極、第1整流電路12的輸出端負極(_)連接，第1三極管20的發(fā)射極與第2可控硅四的觸發(fā)極連接。
在本實施例中，觸發(fā)電路選用第1三極管20、第3電阻32組成。
由于本實施例與實施例7相比，僅為與光電耦合器19連接的觸發(fā)電路有所不同， 其余的結構組成與電路原理均與實施例7相同，在此不再贅述。
權利要求
1.一種漏電保護插頭，包含有外殼和插銷、相線、零線、地線、零序電流互感器、試驗回路、電磁脫扣與鎖扣裝置，該電磁脫扣與鎖扣裝置包含電磁線圈及其驅動電路、觸頭，所述電磁線圈的驅動電路主要由第1整流電路、第1可控硅組成，所述零序電流互感器次級繞組的一輸出端與另一輸出端分別和所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端連接， 其特征在于還設有第1阻容元件、第2阻容元件、光電耦合器、觸發(fā)電路；在所述地線與零線之間連接有由所述第1阻容元件、所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端、所述第2阻容元件串聯(lián)而成的檢測回路；所述光電耦合器輸出的信號送入所述觸發(fā)電路的輸入端，所述觸發(fā)電路的輸出端與所述電磁線圈的驅動電路的控制端連接。
2.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述檢測回路中還設有第2 整流電路；所述第1阻容元件一端與所述地線連接，第1阻容元件另一端與第2整流電路一輸入端連接，第2整流電路另一輸入端與第2阻容元件一端連接，第2阻容元件另一端與所述零線連接；第2整流電路一輸出端與另一輸出端分別與所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端連接。
3.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述檢測回路中還設有第1 二極管；所述第1 二極管一端與所述地線連接，第1 二極管另一端與第1阻容元件一端連接，第1阻容元件另一端與光電耦合器的一輸入端連接，光電耦合器的另一輸入端與第2阻容元件一端連接，第2阻容元件另一端與所述零線連接。
4.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述檢測回路中還設有第2 二極管，所述第1阻容元件另一端與所述光電耦合器的一輸入端的連接點和所述第2 二極管一端連接，所述第2阻容元件一端與所述光電耦合器的另一輸入端的連接點和所述第2 二極管另一端連接。
5.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于所述第1或第2阻容元件為電阻或電容或電阻與電容的組件。
6.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述電磁線圈的驅動電路中還設有放大電路，所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端分別為所述放大電路的一輸入端與另一輸入端，所述放大電路觸發(fā)輸出端輸出的觸發(fā)信號送入第1可控硅觸發(fā)極。
7.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端分別為所述第1可控硅的觸發(fā)極與陰極。
8.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第1電阻、第2電阻、第3 二極管、第1穩(wěn)壓二極管，所述第1電阻一端與所述第1整流電路輸出端正極連接，第1電阻另一端與第2電阻一端連接，第2電阻另一端與第3 二極管正極連接，第3 二極管負極與所述第1整流電路輸出端負極連接，第1電阻另一端與第2 電阻一端的連接點和第1穩(wěn)壓二極管負極連接，第1穩(wěn)壓二極管正極與第1整流電路輸出端負極連接，所述電磁線圈的驅動電路的一輸入端與另一輸入端分別為所述第1可控硅觸發(fā)極與所述第3 二極管正極。
9.根據權利要求1或6所述的漏電保護插頭，其特征在于所述觸發(fā)電路由第1三極管、第3電阻組成；所述光電耦合器的一輸出端分別與所述放大電路的電源端、所述第1三極管的集電極連接，所述光電耦合器的另一輸出端分別與所述第1三極管的基極、第3電阻一端連接，第3電阻另一端分別與所述放大電路地端、第1整流電路輸出端負極連接，第1 三極管的發(fā)射極與所述第1可控硅的觸發(fā)極連接。
10.根據權利要求1或7所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅；其觸發(fā)電路由第1三極管、第3電阻、第4電阻、第2穩(wěn)壓二極管組成；所述第4電阻一端與第1整流電路輸出端正極連接，第4電阻另一端與第2穩(wěn)壓二極管負極連接，第2穩(wěn)壓二極管正極與所述第1整流電路輸出端負極連接，所述光電耦合器的一輸出端分別與所述第2穩(wěn)壓二極管負極、第1三極管的集電極連接，所述光電耦合器的另一輸出端分別與所述第1三極管的基極、第3電阻一端連接，第3電阻另一端分別與第2穩(wěn)壓二極管正極、第1整流電路輸出端負極連接，所述第1三極管的發(fā)射極與第2可控硅觸發(fā)極連接，第2可控硅的陽極與陰極分別和第1可控硅的陽極與陰極并聯(lián)連接。
11.根據權利要求1或8所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第1三極管、第3電阻組成；所述光電耦合器的一輸出端與所述第1穩(wěn)壓二極管負極連接，所述光電耦合器的另一輸出端分別與所述第1三極管的基極、第3電阻一端連接，第3電阻另一端與第1穩(wěn)壓二極管正極連接，第1三極管的集電極與第1穩(wěn)壓二極管負極連接，所述第1三極管的發(fā)射極與第2可控硅觸發(fā)極連接，第 2可控硅的陽極與陰極分別和第1可控硅的陽極與陰極并聯(lián)連接。
12.根據權利要求1或6所述的漏電保護插頭，其特征在于所述觸發(fā)電路由第3電阻、 第5電阻、第6電阻、電壓比較器電路、單向導通元件組成；所述光電耦合器的一輸出端與所述放大電路的電源端連接，光電耦合器的另一輸出端分別與第3電阻一端、電壓比較器電路的一輸入端連接，第3電阻另一端與放大電路的地端連接，所述第5電阻一端與所述放大電路的電源端連接，第5電阻另一端與第6電阻一端連接，第6電阻另一端與所述放大電路的地端連接，第5電阻另一端與第6電阻一端的連接點與電壓比較器電路的另一輸入端連接，電壓比較器電路輸出端通過單向導通元件與所述第1可控硅的觸發(fā)極連接。
13.根據權利要求1或7所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第3電阻、第5電阻、第6電阻、電壓比較器電路、第4 電阻、第2穩(wěn)壓二極管組成；所述第4電阻一端與第1整流電路輸出端正極連接，第4電阻另一端與第2穩(wěn)壓二極管負極連接，第2穩(wěn)壓二極管正極與所述第1整流電路輸出端負極連接，所述光電耦合器的一輸出端與所述第2穩(wěn)壓二極管負極連接，光電耦合器的另一輸出端分別與第3電阻一端、電壓比較器電路的一輸入端連接，第3電阻另一端與第2穩(wěn)壓二極管正極連接，所述第5電阻一端與所述第2穩(wěn)壓二極管負極連接，第5電阻另一端與第6 電阻一端連接，第6電阻另一端與所述第2穩(wěn)壓二極管正極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端的連接點與電壓比較器電路的另一輸入端連接，電壓比較器電路輸出端與第2可控硅的觸發(fā)極連接。
14.根據權利要求1或8所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述電磁線圈的驅動電路中還設有第2可控硅，其觸發(fā)電路由第3電阻、第5電阻、第6電阻、電壓比較器電路組成； 所述光電耦合器的一輸出端與所述第1穩(wěn)壓二極管負極連接，光電耦合器的另一輸出端分別與第3電阻一端、電壓比較器電路的一輸入端連接，第3電阻另一端與第1穩(wěn)壓二極管正極連接，所述第5電阻一端與所述第1穩(wěn)壓二極管負極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端連接，第6電阻另一端與所述第1穩(wěn)壓二極管正極連接，第5電阻另一端與第6電阻一端的連接點與電壓比較器電路的另一輸入端連接，電壓比較器電路輸出端與第2可控硅的觸發(fā)極連接。
15.根據權利要求12或13或14所述的漏電保護插頭，其特征在于所述電壓比較器電路選用電壓比較器或運算放大器。
16.根據權利要求12所述的漏電保護插頭，其特征在于所述單向導通元件為第4二極管。
17.根據權利要求12所述的漏電保護插頭，其特征在于所述單向導通元件為第2三極管。
18.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述光電耦合器的內部至少設有1個發(fā)光二極管，所述的至少1個發(fā)光二極管串聯(lián)連接在所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端之間。
19.根據權利要求1所述的漏電保護插頭，其特征在于在所述光電耦合器的內部設有 2至4個發(fā)光二極管，所述2至4個發(fā)光二極管以并聯(lián)或串聯(lián)方式連接在所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種漏電保護插頭，它不但能防止因電器故障引起的觸電事故，還能防止因地線意外帶電而導致的觸電事故。在漏電保護插頭上還設有第1阻容元件、第2阻容元件、光電耦合器、觸發(fā)電路，在所述地線與零線之間連接有由所述第1阻容元件、所述光電耦合器的一輸入端與另一輸入端、所述第2阻容元件串聯(lián)而成的檢測回路，所述光電耦合器輸出的信號送入所述觸發(fā)電路的輸入端，所述觸發(fā)電路的輸出端與所述電磁線圈的驅動電路的控制端連接。
文檔編號H01R13/66GK102544930SQ201210057399
公開日2012年7月4日 申請日期2012年3月7日 優(yōu)先權日2012年3月7日
發(fā)明者劉睿剛 申請人:佛山市新基德電子廠有限公司