專利名稱：扼流線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種扼流線圈，且更特別涉及一種能夠用作EMI濾波器等的共模濾波器(common mode filter)的扼流線圈。
背景技術(shù)：
最近，根據(jù)平板顯示器(FPD)(諸如液晶顯示(IXD)、等離子顯示器板(TOP)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)等)的市場(chǎng)中產(chǎn)品的小型化、纖薄化和高處理速度的趨勢(shì)，已經(jīng)發(fā)生了由于電磁噪音而引起的各種問(wèn)題。特別是，在平板顯示器裝置中，由于功率變換器、圖像板、半導(dǎo)體裝置等引起了大的電磁噪聲，所以各種EMI濾波器被用于抑制電磁噪聲。電子裝置的電磁噪音可主要分為兩個(gè)類型傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射，且它們中的姆個(gè)類型可再次分為差模噪音(differential mode noise)和共模噪音(common modenoise)。此時(shí),EMI濾波器主要使用簡(jiǎn)正振型扼流器(normal mode choke)和X-電容器來(lái)降低差模噪音，以及使用共模扼流器和Y-電容器來(lái)降低共模噪音。同時(shí)，用于EMI濾波器的扼流線圈可以通過(guò)磁化電感(Lm)特性降低共模噪音并通過(guò)漏電感(Lk)特性降低差模噪音。然而，由于傳統(tǒng)UU型扼流線圈具有與磁化電感特性相比而言相對(duì)高的漏電感，因此在用于降低共模噪音的最佳條件下獲得的漏電感值足夠，但是漏電感特性過(guò)度的。因此，由于在磁通與扼流線圈周圍的裝置或后蓋等之間的碰撞而引起的噪音，對(duì)扼流線圈進(jìn)行纖薄化存在限制。此外，由于傳統(tǒng)的一般環(huán)形扼流線圈具有與磁化電感特性相比而言相對(duì)低的漏電感特性，因此在用于降低共模噪音的最佳條件下的漏電感值不足以降低差模噪音。由于這一點(diǎn)，因此存在這樣的問(wèn)題需要獨(dú)立裝置來(lái)額外地降低差模噪音。同時(shí)，在平板顯示器裝置的情況下，根據(jù)外部設(shè)計(jì)的纖薄化趨勢(shì)，需要實(shí)現(xiàn)低高度的共模扼流線圈。傳統(tǒng)的一般扼流線圈具有初級(jí)線圈和次級(jí)線圈都繞環(huán)形類型磁芯(core，鐵芯)纏繞的結(jié)構(gòu)。在該環(huán)形類型扼流線圈中，由于難以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)纏繞，從而應(yīng)手動(dòng)執(zhí)行纏繞操作，因此具有制造效率低和生產(chǎn)成本相對(duì)高的問(wèn)題
發(fā)明內(nèi)容
提出本發(fā)明以便克服上述問(wèn)題，因此本發(fā)明的目的在于提供能夠降低外部磁通泄露量的扼流線圈。此外，本發(fā)明另ー個(gè)目的在于提供能夠獨(dú)立調(diào)節(jié)漏電感的扼流線圈。此外，本發(fā)明的另ー個(gè)目的在于提供能夠通過(guò)降低制造成本來(lái)確保競(jìng)爭(zhēng)力的扼流線圈，這通過(guò)提供可以由自動(dòng)纏繞方法制造的扼流線圈來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)實(shí)現(xiàn)所述目的的本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供了ー種扼流線圈，其包括通過(guò)纏繞n匝初級(jí)線圈形成的第一初級(jí)繞 組部分；通過(guò)纏繞N匝初級(jí)線圈形成的第二初級(jí)繞組部分；通過(guò)纏繞N匝次級(jí)線圈形成的第一次級(jí)繞組部分；以及通過(guò)纏繞n匝次級(jí)線圈形成的第二次級(jí)繞組部分，其中n和N滿足條件n ^ N。根據(jù)實(shí)現(xiàn)所述目的的本發(fā)明的另ー個(gè)方面，提供了ー種扼流線圈，其包括通過(guò)纏繞n匝初級(jí)線圈形成的第一初級(jí)繞組部分；通過(guò)纏繞N匝初級(jí)線圈形成的第二初級(jí)繞組部分；通過(guò)纏繞M匝次級(jí)線圈形成的第一次級(jí)繞組部分；以及通過(guò)纏繞m匝次級(jí)線圈形成的第二次級(jí)繞組部分，其中n和N滿足條件n < N，且m和M滿足條件m ^ M。此時(shí)，所述扼流線圈還可以包括設(shè)置在第一初級(jí)繞組部分、第二初級(jí)繞組部分、第一次級(jí)繞組部分和第二次級(jí)繞組部分內(nèi)的要與每個(gè)繞組部分隔開(kāi)的磁芯。此時(shí)，所述磁芯可整體地連接。此外，形成第一初級(jí)繞組部分和第二初級(jí)繞組部分的初級(jí)線圈可以串聯(lián)，且形成第一次級(jí)繞組部分和第二次級(jí)繞組部分的次級(jí)線圈可以串聯(lián)。此外，所述磁芯可以包括兩個(gè)芯柱(leg)，其中第一初級(jí)繞組部分和第一次級(jí)繞組部分可以位于同一芯柱中，且第二初級(jí)繞組部分和第二次級(jí)繞組部分可以位于同一芯柱中。同時(shí)，根據(jù)實(shí)現(xiàn)所述目的的本發(fā)明的又ー個(gè)方面，提供了ー種扼流線圈，其包括初級(jí)線圈、次級(jí)線圈和磁芯，所述扼流線圈包括包括第一初級(jí)繞組區(qū)、第一次級(jí)繞組區(qū)以及一磁芯插入部的第一繞線筒，所述初級(jí)線圈繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞，所述次級(jí)線圈繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞，所述第一繞線筒的磁芯插入部形成于所述第一初級(jí)繞組區(qū)和所述第一次級(jí)繞組區(qū)的內(nèi)表面上；以及包括第二初級(jí)繞組區(qū)、第二次級(jí)繞組區(qū)以及ー磁芯插入部的第二繞線筒，所述初級(jí)線圈繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞，所述次級(jí)線圈繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞，所述第二繞線筒的磁芯插入部形成于所述第二初級(jí)繞組區(qū)和所述第二次級(jí)繞組區(qū)的內(nèi)表面上。此時(shí)，所述扼流線圈可以包括通過(guò)繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞n匝所述初級(jí)線圈而形成的第一初級(jí)繞組部分；通過(guò)繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞N匝所述初級(jí)線圈而形成的第二初級(jí)繞組部分；通過(guò)繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞N匝所述次級(jí)線圈而形成的第一次級(jí)繞組部分；以及通過(guò)繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞n匝所述次級(jí)線圈而形成的第二次級(jí)繞組部分，其中n和N滿足條件n < N。此外，所述扼流線圈可以包括通過(guò)繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞n匝所述初級(jí)線圈而形成的第一初級(jí)繞組部分；通過(guò)繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞N匝所述初級(jí)線圈而形成的第二初級(jí)繞組部分；通過(guò)繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞M匝所述次級(jí)線圈而形成的第一次級(jí)繞組部分；以及通過(guò)繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞m匝所述次級(jí)線圈而形成的第二次級(jí)繞組部分，其中n和N滿足條件n < N，且m和M滿足條件m ^ M。
此外，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒還可以包括從所述初級(jí)繞組區(qū)與所述次級(jí)繞組區(qū)之間的邊界點(diǎn)突出的分_物(partition)。此外，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒還可以包括分別電連接至所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈的端部的多個(gè)端子。此外，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒還以可包括多個(gè)線圈拉出槽(coildrawing groove),通過(guò)所述線圈拉出槽將所述初級(jí)線圈和次級(jí)線圈從所述繞組區(qū)拉出到外部。此外，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒分別包括形成于彼此相對(duì)的側(cè)表面上的凸出部和凹槽部，其中所述第一繞線筒的凸出部可以插入所述第二繞線筒的凹槽部?jī)?nèi)，且所述第二繞線筒的凸出部可以插入所述第一繞線筒的凹槽部?jī)?nèi)。此外，所述至少一個(gè)線圈牽拉槽可以沿遠(yuǎn)離所述繞組區(qū)的方向從所述繞組區(qū)的外 周表面的外部起始。此外，所述至少ー個(gè)線圈牽拉槽可以包括傾斜部，所述傾斜部從所述繞組區(qū)開(kāi)始并沿遠(yuǎn)離所述繞組區(qū)的方向朝向所述繞組區(qū)的外周表面的外部?jī)A斜。此時(shí)，所述傾斜部與第一繞線筒或第二繞線筒的外表面之間的部分是開(kāi)放的。


從結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施方式的以下說(shuō)明中，本發(fā)明的一般性發(fā)明概念的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)并將更加容易理解，附圖中圖I為根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈結(jié)構(gòu)的電連接圖；圖2A和圖2B為示出根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈的構(gòu)造的視圖；圖3為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的構(gòu)造的透視圖；圖4為圖3分解透視圖；圖5A為圖3的俯視圖；圖5B為圖3的底部視圖；圖5C為示出圖3的一部分的側(cè)部構(gòu)造的側(cè)視圖；圖6為示出根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)實(shí)施方式的底部構(gòu)造的底部視圖；圖7為示出根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施方式的底部構(gòu)造的底部視圖；圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的構(gòu)造和應(yīng)用實(shí)例的透視圖；圖9為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的構(gòu)造的底部視圖；圖10為示出本發(fā)明的應(yīng)用實(shí)例的視圖；圖IlA為示出應(yīng)用本發(fā)明的EMI濾波器的EMI測(cè)量結(jié)果的圖；以及圖IlB為示出應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)的扼流線圈的EMI濾波器的EMI測(cè)量結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式參照以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明以及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)和特征將變的顯而易見(jiàn)。然而，本發(fā)明可以很多不同形式來(lái)實(shí)施，并不應(yīng)視為限于本文所列的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式是以便本公開(kāi)將是徹底且完全的，并將本發(fā)明的觀念完全傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記表示相同元件。
提供本文使用的術(shù)語(yǔ)是用于解釋實(shí)施方式，而不限制本發(fā)明。在整個(gè)該說(shuō)明書(shū)中，除非上下文明確指出，否則單數(shù)形式還包括復(fù)數(shù)形式。本文使用的術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”不排除除了上述的部件、步驟、操作和/或裝置之外的其他部件、步驟、操作和/或裝置的存在和增加。下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的構(gòu)造和操作。圖I為根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈結(jié)構(gòu)的電連接圖，且圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈的構(gòu)造的視圖。參照?qǐng)DI和圖2，根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈100包括通過(guò)纏繞n匝初級(jí)線圈I而形成的第一初級(jí)繞組部分10 ;通過(guò)纏繞N匝初級(jí)線圈I而形成的第二初級(jí)繞組部分11 ;通過(guò)纏繞N匝次級(jí)線圈2而形成的第一次級(jí)繞組部分20 ；以及通過(guò)纏繞n匝次級(jí)線圈2而形成的第二次級(jí)繞組部分21，其中n和N可以滿足條件n ^ N。
例如,n和N可以滿足條件n = N = 5 (參照?qǐng)D2 (a))或條件n = 3,N = 5 (參照?qǐng)DI)。此時(shí)，第一初級(jí)繞組部分10和第二初級(jí)繞組部分11可與上述的那些初級(jí)繞組部分相同，第一次級(jí)繞組部分20可以通過(guò)纏繞M匝次級(jí)線圈2形成，且第二次級(jí)繞組部分21可以通過(guò)纏繞m匝次級(jí)線圈2形成。例如，n、N、M和 m 滿足條件n = 3, N = 5, M = 4. 5 且 m = 2. 5。同時(shí)，扼流線圈100可以進(jìn)一歩包括設(shè)置在第一初級(jí)繞組部分10、第二初級(jí)繞組部分11、第一次級(jí)繞組部分20以及第二次級(jí)繞組部分20內(nèi)且要與每個(gè)繞組部分隔開(kāi)的磁芯30。此時(shí)，磁芯30可以整體地連接。S卩，在形成繞組部分之后，可以將兩個(gè)U形磁芯30插入繞組部分內(nèi)以彼此整體地連接。此外，當(dāng)考慮手動(dòng)纏繞時(shí)，可以通過(guò)繞 形整體磁芯分別纏繞初級(jí)線圈I和次級(jí)線圈2來(lái)形成繞組部分。此外，形成第一初級(jí)繞組部分10和第二初級(jí)繞組部分11的初級(jí)線圈I可以串聯(lián)，且形成第一次級(jí)繞組部分20和第二次級(jí)繞組部分21的次級(jí)線圈2可以串聯(lián)。此時(shí)，當(dāng)扼流線圈100應(yīng)用于EMI濾波器時(shí),初級(jí)線圈I和次級(jí)線圈2可連接至EMI濾波器的活性側(cè)(live side)或中性側(cè)(neutral side)。此外，磁芯30包括兩個(gè)芯柱。第一初級(jí)繞組部分10和第一次級(jí)繞組部分20可以位于同一芯柱中，且第二初級(jí)繞組部分11和第二次級(jí)繞組部分21可以位于同一芯柱中。圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈100的構(gòu)造的視圖。參照?qǐng)D2，圖2A示出所有繞組部分具有相同匝數(shù)的情況，且圖2B示出所有繞組部分具有不同匝數(shù)的情況。在圖2A示出的結(jié)構(gòu)中，由于每個(gè)芯柱的初級(jí)繞組部分和次級(jí)繞組部分具有在其中磁通沿互相抵消的方向產(chǎn)生的區(qū)域，所以與傳統(tǒng)的一般UU型扼流線圈相比外部磁漏減少了，從而與傳統(tǒng)扼流線圈相比，改善了諸如噪音和故障的問(wèn)題。在圖2B所示的結(jié)構(gòu)中，示出了通過(guò)不對(duì)稱纏繞初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)來(lái)増加由于耦合而產(chǎn)生的外部磁漏的原理。此外，在圖2B所示的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)改變初級(jí)側(cè)與次級(jí)側(cè)的匝數(shù)比n N來(lái)控制由于耦合而產(chǎn)生的外部磁漏是可能的。此時(shí)，在將扼流線圈的磁化電感特性的變化減為最小的同時(shí)來(lái)實(shí)現(xiàn)控制外部磁漏是可能的。因此，當(dāng)將根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈100應(yīng)用于各種產(chǎn)品來(lái)實(shí)施EMI濾波器時(shí)，在根據(jù)磁化電感特性確定了基本性質(zhì)之后，由于考慮差模噪音(該差模噪音是需要降低的)的特性來(lái)調(diào)節(jié)漏磁是可能的，所以有可能構(gòu)造優(yōu)化的扼流線圈100來(lái)消除共模噪音和差模噪
曰 圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的構(gòu)造的透視圖，圖4為圖3的分解透視圖，圖5A為圖3的俯視圖，圖5B為圖3的底部視圖，且圖5C為示出圖3的一部分的側(cè)部構(gòu)造的側(cè)視圖。在下文中，將參照上述附圖詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的扼流線圈200的構(gòu)造。根據(jù)本發(fā)明的包括初級(jí)線圈I、次級(jí)線圈2和磁芯20的扼流線圈200可以包括第一繞線筒210，所述第一繞線筒包括第一初級(jí)繞組區(qū)213、第一次級(jí)繞組區(qū)214以及磁芯插入部215，初級(jí)線圈I繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞，次級(jí)線圈2繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞，所述第一繞線筒的磁芯插入部形成于第一初級(jí)繞組區(qū)213與第一次級(jí)繞組區(qū)214的內(nèi)表面上；以及第二繞線筒220，所述第二繞線筒包括第二初級(jí)繞組區(qū)223、第二次級(jí)繞組區(qū)224以及磁芯插入部225，初級(jí)線圈I繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞，次級(jí)線圈2繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞，所述第二繞線筒的磁芯插入部形成于第二初級(jí)繞組區(qū)223與第二次級(jí)繞組區(qū)224的內(nèi)表面上。此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈200可以包括通過(guò)繞第一初級(jí)繞組區(qū)213纏繞n匝初級(jí)線圈I而形成的第一初級(jí)繞組部分10 ;通過(guò)繞第二初級(jí)繞組區(qū)223纏繞N匝初級(jí)線圈I而形成的第二初級(jí)繞組部分11 ;通過(guò)繞第一次級(jí)繞組區(qū)214纏繞N匝次級(jí)線圈2而形成的第一次級(jí)繞組部分20 ；以及通過(guò)繞第二次級(jí)繞組區(qū)224纏繞n匝次級(jí)線圈2而形成的第二次級(jí)繞組部分21，其中n和N可以滿足條件n ^ N。例如，n和N可滿足條件n = N = 5 (參照?qǐng)D2A)或條件n = 3, N = 5 (參照?qǐng)D2B)。此時(shí)，第一初級(jí)繞組部分10和第二初級(jí)繞組部分11可以與上述的那些初級(jí)繞組部分相同，第一次級(jí)繞組部分20可以通過(guò)纏繞M匝次級(jí)線圈2形成，第二次級(jí)繞組部分21可以通過(guò)纏繞m匝次級(jí)線圈2形成，且m和M可以滿足條件m ^ M。例如，n、N、M和 m 可以滿足條件n = 3, N = 5, M = 4. 5 且 m = 2. 5。此時(shí)，第一繞線筒210和第二繞線筒220可以由絕緣材料制成。參照?qǐng)D4，第一初級(jí)繞組部分10可以通過(guò)繞第一繞線筒210的第一初級(jí)繞組區(qū)213纏繞初級(jí)線圈I而形成，第一次級(jí)繞組部分20可以通過(guò)繞第一繞線筒210的第一次級(jí)繞組區(qū)214纏繞次級(jí)線圈2而形成，第二初級(jí)繞組部分11可以通過(guò)繞第二繞線筒220的第ニ初級(jí)繞組區(qū)223纏繞初級(jí)線圈I而形成，且第二次級(jí)繞組部分21可以通過(guò)繞第二繞線筒220的第二次級(jí)繞組區(qū)224纏繞次級(jí)線圈2而形成。此外，第一繞線筒210和第二繞線筒220可以平行設(shè)置以互相耦合。磁芯30可以插入形成于第一繞線筒210和第二繞線筒220的內(nèi)表面上的磁芯插入部215和225內(nèi)。同吋，分隔物211和221可以形成于第一繞線筒210和第二繞線筒220的外周表面上。分隔物211和221可以從初級(jí)繞組區(qū)213和223與次級(jí)繞組區(qū)214和224之間的邊界點(diǎn)突出，并執(zhí)行防止初級(jí)線圈I與次級(jí)線圈2之間的電連接的功能。 此外，在第一繞線筒210和第二繞線筒220彼此相鄰時(shí)，分隔物211和221可以執(zhí)行防止第一初級(jí)繞組部分10與第二初級(jí)繞組部分11之間以及第一次級(jí)繞組部分20與第二次級(jí)繞組部分21之間的接觸的功能。此外，第一繞線筒210和第二繞線筒220可以進(jìn)一歩包括分別電連接至初級(jí)線圈I和次級(jí)線圈2的端部的多個(gè)端子217和227。盡管根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的扼流線圈200可在沒(méi)有多個(gè)端子217和227的情況下連接至基板等，但是通過(guò)將端子217和227 (這些端子牢固地耦合至第一繞線筒210和第二繞線筒220)連接至線圈的端部有可能提高將扼流線圈200耦接至基板的過(guò)程的效率。同時(shí)，在圖3中，附圖標(biāo)記400’表示電連接所述端子的端子連接裝置400和400’。在根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈200中，形成第一初級(jí)繞組部分10和第二初級(jí)繞組部分11的初級(jí)線圈I可以串聯(lián)，且形成第一次級(jí)繞組部分20和第二次級(jí)繞組部分21的次級(jí)線 圈2可以串聯(lián)。此時(shí)，初級(jí)線圈I和次級(jí)線圈2可以連接至所述端子。端子217和227可以通過(guò)端子連接裝置400和400’電連接。此時(shí)，所述端子連接裝置可以實(shí)施為如眾所周知的焊接等。此外，凸出部218和228以及凹槽部219和229可以形成在第一繞線筒210和第ニ繞線筒220的彼此相對(duì)的側(cè)表面上。第一繞線筒210的凸出部218可以插入第二繞線筒220的凹槽部229內(nèi)，且第二繞線筒220的凸出部228可以插入第一繞線筒210的凹槽部219 內(nèi)。此外，第一繞線筒210和第二繞線筒220可以包括進(jìn)ー步多個(gè)線圈拉出槽216，通過(guò)所述線圈拉出槽將初級(jí)線圈I和次級(jí)線圈2從所述繞組區(qū)拉出到外部。在不包括線圈拉出槽216的情況下，在將繞著繞組區(qū)纏繞的線圈從繞組部分拉出以連接至外部或上述多個(gè)端子時(shí)，第一繞線筒210和第二繞線筒220分別需要對(duì)應(yīng)于線圈直徑的厚度。此外，如果沒(méi)有線圈拉出槽216，在將線圈從扼流線圈200的下表面(即與基板接觸的表面)拉出時(shí)，可能會(huì)擔(dān)心線圈與基板的其他布線之間的接觸。因此，通過(guò)包括本發(fā)明的實(shí)施方式中示出的線圈拉出槽216，使扼流線圈200纖薄化并克服與基板的布線的連接是可能的。圖6和圖7為示出根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的底部構(gòu)造的底部視圖。通過(guò)參照?qǐng)D6和圖7的以下說(shuō)明，將能夠理解可通過(guò)優(yōu)化線圈拉出槽216的位置和方向而將扼流線圈100纖薄化和小型化的原理。如圖所示，引線框212可沿從繞組區(qū)213、214、223和224到外部的方向在第一繞線筒210和第二繞線筒220內(nèi)形成。端子217和227可以固定到引線框212，且線圈拉出槽216可以形成在引線框212中。線圈拉出槽216可以在引線框212上自由地形成，但是優(yōu)選地，線圈拉出槽216與固定所述端子的部分隔開(kāi)預(yù)定距離，以最小化引線框212的厚度，并因此降低原材料成本。同時(shí)，由于線圈本身具有預(yù)定直徑，所以當(dāng)包括如圖5B所示的線圈拉出槽216時(shí)，需要比一股線圈的厚度大的厚度。例如，在繞著繞組區(qū)213、223、214和224纏繞的線圈的匝數(shù)大而繞組區(qū)213、223、214和224窄的情況下，線圈應(yīng)纏繞兩圈(fold)或三圏，從線圈的一端起始的繞組與繞組區(qū)213、223、214和224相接觸，線圈另一端(繞組的端點(diǎn))位于繞組區(qū)213、223、214和224 (線圈繞所述繞組區(qū)纏繞了兩圈或三圏)內(nèi)。因此線圈的一端與另一端的豎直高度彼此相差一距離，所述距離比線圈直徑的一倍大。因此，在包括如圖5B中所示的線圈拉出槽216吋，還額外需要比一股線圈的厚度大的厚度。
然而，如圖6所示，在線圈拉出槽216從引線框212上的繞組區(qū)213、223、214和224的外周表面的外部起始的情況下，線圈的另一端(即繞組的端點(diǎn))可通過(guò)線圈拉出槽216被直接拉至外部，而不會(huì)轉(zhuǎn)到扼流線圈200的底部部分。因此，能將整個(gè)扼流線圈200
的厚度減小為與一股線圈的厚度一樣大。同時(shí)，當(dāng)線圈拉出槽216鄰近端子217、227、217’和227’耦接至引線框212的部分形成吋，由于存在不能將端子217、227、217’和227’與引線框212牢固固定的問(wèn)題，所以優(yōu)選的是，線圈拉出槽216與端子217、227、217’和227’耦接至引線框212的部分隔開(kāi)預(yù)
定距離。此時(shí)，在端子217、227、217’和227’耦接至引線框212而沒(méi)有與繞線筒210和220的外表面充分隔開(kāi)的情況下，線圈拉出槽216可以在端子217、227、217’和227’與繞線筒210和220的中心軸線之間形成。此外，在端子217、227、217，和227，耦接至引線框212同時(shí)與繞線筒210和220的外表面充分隔開(kāi)的情況下，線圈拉出槽216可以在端子217、227、217’和227’與繞線筒210和220的外表面之間形成。此外，如圖7所示，所有的線圈拉出槽216都可以從引線框212上的繞組區(qū)213、223,214和224的外周表面的外部起始。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的構(gòu)造和應(yīng)用實(shí)例的透視圖，且圖9為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的構(gòu)造的底部視圖。參照?qǐng)D8和圖9，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的扼流線圈300可以包括具有傾斜部的至少ー個(gè)或多個(gè)線圈拉出槽316a和326a，所述傾斜部從繞組區(qū)313、323、314和324起始并沿遠(yuǎn)離繞組區(qū)313、323、314和324的方向朝向繞組區(qū)313、323、314和324的外周表面的外部?jī)A斜。此時(shí)，所述傾斜部與第一繞線筒310或第二繞線筒320的外表面之間的部分可以是開(kāi)放的。在包括圖8和圖9所示的線圈拉出槽316a和326a的情況下，能提高在纏繞線圈之后將該線圈連接至端子的過(guò)程的工作效率。同吋，雖然圖8示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的扼流線圈300安裝在基板400上的實(shí)例，但是參照?qǐng)D8，通過(guò)在基板400中形成凹入槽410并將扼流線圈全部或一部分插入凹入槽410內(nèi)以連接至所述端子，能夠減小由于扼流線圈存在于應(yīng)用于所述扼流線圈的各種裝置中而引起的厚度増加。因此，當(dāng)應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈時(shí)，能有助于使各種電子裝置纖薄化。同時(shí)，如圖8所示，扼流線圈可以安裝在基板400上，同時(shí)可以翻轉(zhuǎn)。圖10為示出本發(fā)明的應(yīng)用實(shí)例的圖，并示出了包括兩個(gè)扼流線圈100、200和300的EMI濾波器結(jié)構(gòu)。圖IIA為示出應(yīng)用本發(fā)明的EMI濾波器的EMI測(cè)量結(jié)果的圖，且圖IlB為示出應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)的扼流線圈的EMI濾波器的EMI測(cè)量結(jié)果的圖。當(dāng)比較圖IlA和圖IlB的EMI噪音等級(jí)時(shí)，能檢查到整個(gè)頻段中的EMI噪音在應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的扼流線圈100的EMI濾波器中充分地降低。由于如上所構(gòu)造的本發(fā)明可以降低甚至UU型扼流線圈中的外部磁通泄露量，所以本發(fā)明可提供這樣的有益效果能克服由于扼流線圈外部的磁通泄露而引起的電路故障和噪音問(wèn)題。此外，由于本發(fā)明提供了能夠獨(dú)立調(diào)節(jié)漏電感的扼流線圈，所以本發(fā)明可克服電路故障和噪音問(wèn)題以及可被優(yōu)化以便根據(jù)環(huán)境抑制噪音。此外，由于本發(fā)明提供了可通過(guò)自動(dòng)纏繞方法制造的扼流線圈，所以本發(fā)明可提供能夠通過(guò)降低制造成本來(lái)確保競(jìng)爭(zhēng)力的扼流線圏。此外，由于本發(fā)明可通過(guò)僅使用最少的原材料來(lái)制造扼流線圈，所以本發(fā)明可提供更加有利于降低制造成本并且纖薄化的扼流線圏。 前述說(shuō)明例示了本發(fā)明。此外，前述說(shuō)明僅示出并解釋了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是應(yīng)理解，本發(fā)明能夠用于各種其他組合、修改和環(huán)境中，并且能夠在如本文表達(dá)的發(fā)明概念的范圍內(nèi)進(jìn)行改變和修改，這些改變和修改與上述教導(dǎo)和/或相關(guān)技術(shù)的技術(shù)或知識(shí)相當(dāng)。上文中描述的實(shí)施方式進(jìn)ー步g在解釋已知的實(shí)踐本發(fā)明的最佳模式，并使本技術(shù)領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠在這些或其他實(shí)施方式中、結(jié)合本發(fā)明的特定應(yīng)用或使用所需的各種修改來(lái)利用本發(fā)明。因此，本說(shuō)明并不_在將本發(fā)明限于本文公開(kāi)的形式。而且，本發(fā)明旨在將所附的權(quán)利要求解釋為包括替換實(shí)施方式。
權(quán)利要求
1.ー種扼流線圈，包括 第一初級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞n匝初級(jí)線圈而形成； 第二初級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞N匝所述初級(jí)線圈而形成； 第一次級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞N匝次級(jí)線圈而形成；以及 第二次級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞n匝所述次級(jí)線圈而形成，其中n和N滿足條件n ( N。
2.ー種扼流線圈，包括 第一初級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞n匝初級(jí)線圈而形成； 第二初級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞N匝所述初級(jí)線圈而形成； 第一次級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞M匝次級(jí)線圈而形成；以及 第二次級(jí)繞組部分，通過(guò)纏繞m匝所述次級(jí)線圈而形成，其中n和N滿足條件n ( N，且m和M滿足條件m ( M0
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的扼流線圈，還包括設(shè)置在所述第一初級(jí)繞組部分、所述第ニ初級(jí)繞組部分、所述第一次級(jí)繞組部分、和所述第二次級(jí)繞組部分內(nèi)并與每個(gè)繞組部分隔開(kāi)的磁芯。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扼流線圈，其中，所述磁芯彼此連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的扼流線圈，其中，形成所述第一初級(jí)繞組部分和所述第二初級(jí)繞組部分的所述初級(jí)線圈串聯(lián)連接，且形成所述第一次級(jí)繞組部分和所述第二次級(jí)繞組部分的所述次級(jí)線圈串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扼流線圈，其中，所述磁芯包括兩個(gè)芯柱，其中所述第一初級(jí)繞組部分和所述第一次級(jí)繞組部分位于同一芯柱中，且所述第二初級(jí)繞組部分和所述第二次級(jí)繞組部分位于同一芯柱中。
7.ー種扼流線圈，包括初級(jí)線圈、次級(jí)線圈和磁芯，所述扼流線圈包括 第一繞線筒，所述第一繞線筒包括第一初級(jí)繞組區(qū)，所述初級(jí)線圈繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞；第一次級(jí)繞組區(qū)，所述次級(jí)線圈繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞；以及形成于所述第一初級(jí)繞組區(qū)和所述第一次級(jí)繞組區(qū)的內(nèi)表面上的磁芯插入部；以及 第二繞線筒，所述第二繞線筒包括第二初級(jí)繞組區(qū)，所述初級(jí)線圈繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞；第二次級(jí)繞組區(qū)，所述次級(jí)線圈繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞；以及形成于所述第二初級(jí)繞組區(qū)與所述第二次級(jí)繞組區(qū)的內(nèi)表面上的磁芯插入部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的扼流線圈，包括 第一初級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞n匝所述初級(jí)線圈而形成； 第二初級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞N匝所述初級(jí)線圈而形成； 第一次級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞N匝所述次級(jí)線圈而形成；以及第二次級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞n匝所述次級(jí)線圈而形成，其中n和N滿足條件n く N。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的扼流線圈，包括 第一初級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第一初級(jí)繞組區(qū)纏繞n匝所述初級(jí)線圈而形成； 第二初級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第二初級(jí)繞組區(qū)纏繞N匝所述初級(jí)線圈而形成； 第一次級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第一次級(jí)繞組區(qū)纏繞M匝所述次級(jí)線圈而形成； 第二次級(jí)繞組部分，通過(guò)繞所述第二次級(jí)繞組區(qū)纏繞m匝所述次級(jí)線圈而形成，其中n和N滿足條件n ≤ N，且m和M滿足條件m ≤ M。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中的ー項(xiàng)所述的扼流線圈，其中，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒還包括從所述初級(jí)繞組區(qū)與所述次級(jí)繞組區(qū)之間的邊界點(diǎn)突出的分隔物。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至9中的ー項(xiàng)所述的扼流線圈，其中，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒還包括分別電連接至所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈的端部的多個(gè)端子。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至9中的ー項(xiàng)所述的扼流線圈，其中，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒還包括多個(gè)線圈拉出槽，通過(guò)所述線圈拉出槽將所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈從所述繞組區(qū)拉到外部。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至9中的ー項(xiàng)所述的扼流線圈，其中，所述第一繞線筒和所述第二繞線筒包括分別形成在彼此相對(duì)的側(cè)表面上的凸出部和凹槽部，其中所述第一繞線筒的凸出部插入所述第二繞線筒的凹槽部?jī)?nèi)，且所述第二繞線筒的凸出部插入所述第一繞線筒的凹槽部?jī)?nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的扼流線圈，其中，至少ー個(gè)線圈拉出槽沿遠(yuǎn)離所述繞組區(qū)的方向從所述繞組區(qū)的外周表面的外部起始。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的扼流線圈，其中，至少ー個(gè)線圈拉出槽包括傾斜部，所述傾斜部從所述繞組區(qū)起始以沿遠(yuǎn)離所述繞組區(qū)的方向朝向所述繞組區(qū)的外周表面的外部?jī)A斜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的扼流線圈，其中，所述傾斜部與所述第一繞線筒或所述第ニ繞線筒的外表面之間的部分是開(kāi)放的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種扼流線圈，其包括通過(guò)纏繞n匝初級(jí)線圈形成的第一初級(jí)繞組部分；通過(guò)纏繞N匝初級(jí)線圈形成的第二初級(jí)繞組部分；通過(guò)纏繞N匝次級(jí)線圈形成的第一次級(jí)繞組部分；以及通過(guò)纏繞n匝次級(jí)線圈形成的第二次級(jí)繞組部分，其中n和N滿足條件n≤N。
文檔編號(hào)H01F27/28GK102655044SQ201210055920
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者元載善, 盧政煜, 朱在哲, 李東珍, 洪盛秀, 白美爛, 金敦植, 金熙承, 金鐘海, 韓翔圭 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社