專利名稱：光電轉換組件、裝置及陣列裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光電轉換組件以及采用此光電轉換組件的裝置及陣列裝置，具體涉及一種可使部分波段可見光穿透的光電轉換組件以及采用此光電轉換組件的裝置及陣列(array)裝置。
背景技術：
一般來說，傳統(tǒng)的太陽能電池為非穿透式的。非穿透式的太陽能電池已廣泛應用于各式建筑材料，例如屋瓦結構、墻壁貼片，車頂發(fā)電板等等。而在某些特殊應用上，例如玻璃帷幕、透明屋頂等，就需要搭配具有透光性的穿透式太陽能電池，以具有較佳的美觀性。請參閱圖1，圖I為公知穿透式太陽能電池模塊10的示意圖。傳統(tǒng)的所謂的穿透式太陽能電池模塊10包含有一透光基板12，一透光導電層14，一光電轉換層16，以及一不透光電極層18。傳統(tǒng)的穿透式太陽能電池模塊10直接移除部分的不透光電極層18以及 不透光光電轉換層16，裸露部分透光基板12與透光導電層14，以達到透射光線的效果。然而，由于光電轉換層16不透光，因而必須移除部分光電轉換層16以達到太陽能電池組10透光的目的，但如此將減少太陽能電池模塊10對于光能的吸收量與電能的產出量，導致大幅降低太陽能電池模塊10的光電轉換效率。因為有不透光的柵狀、或梳狀遮蔽物，其透視效果也不好，不能算是真正“穿透式”的組件。因此，如何設計出一具有優(yōu)選光電轉換效率的真正穿透式太陽能電池模塊即為現今太陽能產業(yè)所需努力的重要課題。

發(fā)明內容
本發(fā)明提出一種光電轉換組件以及采用此光電轉換組件的裝置及陣列裝置，用以解決上述問題。本發(fā)明提供一種光電轉換組件包含一透明基板、一第一電極、至少一光電轉換層以及一第二電極。所述透明基板為至少有部分區(qū)域是透明的，第一電極位于透明基板上。至少一光電轉換層位于第一電極上，其中各光電轉換層經吸收太陽光譜后，其穿透頻譜中的可見光波段部分，至少有可見光的全部或部分波段的穿透率大于20%。第二電極位于至少一光電轉換層上。在多個光電轉換層中，也可以每一光電轉換層都有其對應電極施加電場，所以可能會有數個對應的“第一電極，第二電極”本發(fā)明提供一種裝置包含一基體以及至少一光電轉換組件?；w具有至少一基體透明基板。至少一光電轉換組件位于至少一基體透明基板上，其中各光電轉換層經吸收太陽光譜后，其穿透頻譜中的可見光波段部分，至少有可見光的全部或部分波段的穿透率大于 20%。本發(fā)明提供一種陣列裝置包含一主基底、多個基體以及多個光電轉換組件。多個基體位于主基底上。多個光電轉換組件位于主基底上，其中光電轉換組件包含至少一光電轉換層，可至少使部分可見光波段的穿透率大于20%。
基于上述，本發(fā)明提出一種光電轉換組件以及采用此光電轉換組件的裝置及陣列裝置，其中此光電轉換組件可至少使部分波段的可見光穿透。詳細而言，此光電轉換組件具有至少一光電轉換層，此光電轉換層可容許至少一波段的可見光穿透，具體而言可至少使部分可見光波段的穿透率大于20%，如此相較于公知可具有更高的光電轉換效率，并且可省去再圖案化非透明的光電轉換層的制作工藝成本。如先前技術所述，公知的所謂透光的太陽能電池是以移除部分不透光的光電轉換層來達到透光的目的，但如此作法會大幅降低光電轉換效率，且增加制作工藝成本，因為有不透光的柵狀、或梳狀遮蔽物，其透視效果也不好，不能算是真正”穿透式”的組件。本發(fā)明可制作真正“穿透式”的光電轉換組件具有可透光的光電轉換層，可改善公知的問題！！


圖I為公知穿透式太陽能電池模塊的示意圖。圖2為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的光電轉換組件的剖面示意圖。 圖3為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的光電轉換組件的剖面示意圖。圖4為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。圖5為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。圖6為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。圖7為圖6的應用光電轉換組件的裝置的配置圖。圖8為圖6的應用光電轉換組件的裝置的上視圖。圖9為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。圖10為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的陣列裝置的剖面示意圖。圖11為圖3的堆棧的光電轉換組件的組合示意圖。圖12為依據圖6的應用于顯示器裝置的剖面示意圖。圖13為依據圖6的應用于液晶顯示裝置的剖面示意圖。其中，附圖標記說明如下10 穿透式太陽能電池模塊12 透光基板14 透光導電層16 光電轉換層100、光電轉換組件110、透明基板200、 210320、420、520、620、730、850、980120、第一電極130、光電轉換層220、230、
322、240、422、324、522424、524140、第二電極300、裝置250、400、326、500、426、600
526310、基體410觸控感應器720412基體透明基板414觸控感應單元510顯不器512、第一基板810、930514、第二基板610輔助組件840、950700陣列裝置710主基底800發(fā)光二極管裝置820發(fā)光單元830封裝組件900液晶顯示裝置910背光源920第一偏光片940彩色濾光片960第二偏光片970液晶層980電極982畫素電極984共享電極A顯示區(qū)B 周邊區(qū)Tl第一光電轉換層組T2 第二光電轉換層組X1、X2光波波段
具體實施例方式圖2為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的光電轉換組件的剖面示意圖。光電轉換組件100包含一透明基板110、一第一電極120、至少一光電轉換層130以及一第二電極140。第一電極120位于透明基板上110。至少一光電轉換層130位于第一電極層120上。第二電極140位于至少一光電轉換層130上。光電轉換層130用來接收光能以轉換成電能，而第一電極120以及第二電極140分別用來作為光電轉換組件100的正、負極以輸出電能、電荷。具體而言，透明基板110可例如為一玻璃基底或一軟性基板等，其中此透明基板Iio可呈一平面或一彎曲形狀，而此透明基板110的材質例如由鈣鈉玻璃(soda-limeglass)、塑料基板所組成，但本發(fā)明不以此為限。第一電極120為一透明電極，其材質可由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TC0)例如氧化招鋅(AZO)、石墨烯(graphene)、銦錫氧化物(ITO)所組成。第二電極140優(yōu)選亦為一透明電極,其材質可由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TC0)例如氧化招鋅(AZO)、石墨烯(graphene)、銦錫氧化物(ITO)所組成。但在其它實施例中，第二電極140亦可為一不透明的電極，其可能為一條狀、鰭狀或手指狀等布局結構，用以暴露部分光電轉換層130而使光線穿透，其中第二電極140例如由鋁(Al)、鑰(Mo)等所組成的金屬電極，但本發(fā)明不以此為限。此外，光電轉換組件100另可包含有緩沖層(未繪示)，設置于光電轉換層130以及第一電極120或第二電極140間，其中緩沖層(未繪示)可由硫化鋅(ZnS)以及本質氧化鋅(intrinsic ZnO)所組成。一般而言，光電轉換層130可包含一 P-N接面層，當其吸收太能光時可產生電子電洞對，而此電子電洞分別傳輸至第一電極120及第二電極140，再由第一電極120及第二電極140經由導線傳送至負載。在此強調，本發(fā)明的光電轉換層130可至少使部分波段的可見光穿透，具體而言光電轉換層130對于可見光的至少一波段的穿透率大于20%。舉例來說，光電轉換層130在可見光波段部分，可僅穿透紅光波段、僅穿透藍光波段、僅穿透綠光 波段、穿透黃光波段、穿透紫(靛)光波段、或穿透某些波段的可見光，亦或者可穿透全波段的可見光，其視實際需求而定。易言的，本發(fā)明的光電轉換層130可根據實際需求穿透部分波段的可見光，因此光電轉換層130可至少吸收部分波段的紫外光、部分波段的紅外光、部分波段的紅光、部分波段的綠光、部分波段的藍光、部分波段的黃光、部分波段的青光、部分波段的紫紅光等。如此，搭配第一電極120或第二電極140使用透明導電材質作為透明電極的設計，即可使至少部分波段的可見光有效地穿透光電轉換組件100。所述第一電極120、所述第二電極140亦可為可見光穿透式的、紫外光穿透式的、紅外光穿透式的導電材質或設計。具體來說，光電轉換層130可包含以硅層、多化合物層、納米級有機層等，可使可見光穿透的光電轉換材料所組成。硅層為目前太陽能光電轉換系統(tǒng)中應用最為廣泛的一種，其材質可分為晶硅或非晶硅，其中晶硅可分為單晶硅或多晶硅，市場模塊發(fā)電轉換效率分別為12% 20%或10% 18%以上；非晶硅可分為硅、碳化硅、硅鍺、硅烷、二氧化硅，市場模塊發(fā)電轉換效率約為6% 9%以上。多化合物層則多應用于太空及聚光型太陽能光電轉換系統(tǒng)，其材質可分為單晶或多晶，其中單晶可為砷化鎵或磷化銦，市場模塊發(fā)電轉換效率約為18% 30%以上；多晶可為硫化鎘、碲化鎘、硒化銦銅，市場模塊發(fā)電轉換效率約為10% 12%以上。納米級有機層一般應用于有機太陽電池，其材質可為二氧化鈦，市場模塊發(fā)電轉換效率約為1%以下。在本實施例中，光電轉換層130為單一層光電轉換材料層。但在其它實施例中，光電轉換層130亦可為多個堆疊的光電轉換材料層。如圖3所不,具有多個堆疊的光電轉換材料層的光電轉換組件200包含一透明基板210、一第一電極220位于透明基板210上、多個堆疊的光電轉換材料層230及240位于第一電極層220上以及第二電極250位于光電轉換材料層240上，其中光電轉換材料層230及240皆可至少穿透部分波段的可見光。在一優(yōu)選實施例中，光電轉換材料層230及240可穿透可見光的波段至少部分重疊，以使光電轉換組件200可根據實際所需具有優(yōu)選的部分波段可見光的穿透率。當然，本實施例以兩層的光電轉換材料層230及240為例，但本發(fā)明亦可適用例如三層或四層等多層光電轉換材料層，本發(fā)明不以此為限。具體而言，可如圖11所示，圖11為圖3的堆疊的光電轉換組件的組合示意圖。光電轉換組件200可由第一光電轉換層組Tl或第二光電轉換層組T2所組成，其中第一光電轉換層組Tl可吸收紫外光的吸收系數遠大于其它波段的光線(如圖11左的波段XI)，而第二光電轉換層組T2可吸收紅外光的吸收系數遠大于其它波段的光線(如圖11右的波段X2)。因此，由第一光電轉換層組Tl及第二光電轉換層組T2至少的一所組成的光電轉換組件200可使至少部分或全部的可見光波段的光線穿過(不吸收或少吸收所述位于波段Xl及波段X2間的可見光波段)。另外，本發(fā)明的光電轉換組件可更包含補償單元或輔助單元，例如彩色濾光片、有機發(fā)光二極管、背光源、有色玻璃、液晶模塊(LC Cell)或光電轉換曲線(Ga_a Curve)等，可經由不同色的畫素色偏狀況，來進行完成色彩色偏的補正或校正。液晶模塊(LC Cell)或液晶灰階光電轉換曲線(Ga_a Curve)，可經由RGB、CMY、RGBW不同色的畫素驅動電壓校正或修正曲線亦或不同色光的驅動補正，來進行完成色彩色偏的補正或校正。如此，用以補 正通過光電轉換組件的光線產生色偏或色差的問題。再者，本發(fā)明的光電轉換組件可適用于各種裝置中。大體上，本發(fā)明的光電轉換組件可應用于一基體上，此基體可例如為一玻璃、一保護層、一觸控感應器、一顯不器、一光源等。借以將本發(fā)明的光電轉換組件與此基體結合，即可形成一裝置，其可使至少部分波段可見光穿透且同時將光能轉換為電能。此外，由于本發(fā)明使用一可見光部分波段透明的光電轉換層，故不需如公知不透明的光電轉換層組件。因此，本發(fā)明可制作穿透式的光電轉換組件具有可透光的穿透式的光電轉換層。詳細而言，此裝置一般包含一基體以及至少一光電轉換組件，其中基體具有至少一基體透明基板，可作為光電轉換組件附著的用，因而光電轉換組件可直接設置于基體透明基板上。以下將具體提出四種裝置，應用本發(fā)明的光電轉換組件，但本發(fā)明的光電轉換組件并非僅限用于此，凡符合本發(fā)明精神的應用皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。圖4為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。裝置300包含一基體310以及位于其上的一光電轉換組件320?；w310為一玻璃、一保護層或一造型層等。舉例來說，玻璃可為建筑的透明窗、汽車擋風玻璃、車窗等，保護層例如為手機、顯示器等屏幕上方的透明外殼，但本發(fā)明不以此為限。因此，基體310本身即可直接做為一基體透明基板供光電轉換組件320附著。也就是說，本實施例的光電轉換組件320與基體310共享基板。因此，第一電極322則可直接設于基體310上，光電轉換層324與第二電極326再依次堆棧設于第一電極324上。再者,光電轉換組件300的形成方法,可例如提供一基板或者一晶圓(未繪示)，并且先將光電轉換組件320形成于此基板或晶圓上。接著，由于基板或晶圓為不透明的，故再將光電轉換組件320進行一剝離的制作工藝，以撕下光電轉換組件320，并將其貼合于基體310上，以完成裝置310的制作。但在其它實施例中，光電轉換組件320可更包含一透明基板(未繪示)，其上依次形成第一電極324、光電轉換層324以及第二電極326，而此透明基板(未繪示)直接與基體310的基體透明基板接合。也就是說，基體310與光電轉換組件320亦可不共享基板結合成類似裝置310的結構。在一實施例中，裝置300可包含一儲電裝置330，用以儲存光電轉換組件320所產生的能源。此外，裝置300可包含一切換開關340及一電池350，當電池的剩余能源至一預定值的下，則進行切換以使用儲電裝置的電能。并且，裝置300可更包含一充電控制電路360，當電池的剩余能源至一預定值的下，則進行充電。圖5為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。如圖5所示，將本發(fā)明的光電轉換組件420應用于一觸控感應器410上，而形成一裝置400，其中觸控感應器410包含一基體透明基板412以及一觸控感應單元414，光電轉換組件420則包含一第一電極422、一光電轉換層424以及一第二電極426。在本實施例中，光電轉換組件420則直接設置于基體透明基板412上，而與觸控感應單元414共享基板，故第一電極422直接接觸基體透明基板412。當然，在其它實施例中光電轉換組件420亦可更包含一透明基板(未繪示)，而以此透明基板與基體透明基板412貼合、重疊、鑲嵌或并排。如此，形成裝置400，其可在吸收太能光能轉換為電能的同時，依然可具有透光的效果。圖6為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。如圖6所不，將本發(fā)明的光電轉換組件520應用于一顯不器510上，而形成一裝置500。光 電轉換組件520包含一第一電極522、一光電轉換層524以及一第二電極526，依次層迭地位于顯示器510上。顯示器可例如為一全波段顯示器、一部分波段顯示器、一單色顯示器、一反射式顯示器或一半穿半反射式的顯示器、一薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-IXD)、一有源矩陣的有機發(fā)光二極管(AMOLED)、一電致發(fā)光顯示器(ELECTROLUMINESCENT，EL)、一電子泳動顯示器(E-Ink)、一電濕顯示器(Electrode Wetting Display)、一納米碳管顯不器(Carbon Nano Tube, CNT)、一微機電顯不器(MEMS)、一光干涉式顯不器、電衆(zhòng)顯不器(Plasma Display Panel, PDP)、一傳統(tǒng)陰極射線管顯不器(Cathode Ray Tube, CRT)等，且顯示器可更包含一光源，其可為一單色光、一具有數個頻譜峰值的白光、白光發(fā)光二極管、紅藍綠發(fā)光二極管、全波段頻譜白光、一有機發(fā)光二極管、一分時序控制的色光光源、或一電致發(fā)光白光等(EL)。當然，光電轉換組件520亦可應用于其它組件上，例如一背光源、一單色光源、一白光源、一 RGB光源、一分時序的色光光源等光源、或是一交通號志、一廣告廣告牌、一反射組件、一具有圖像或文字的廣告牌或招牌等裝置，其應用方法與本實施例雷同，故不在此贅述。當然，光電轉換組件520可位于玻璃、保護層、造型層、觸控感應器、顯示器、光源、交通號志、廣告廣告牌、反射組件、具有圖像或且文字的裝置的前方、上方、或內部結構。再者，本實施例以光電轉換組件520與顯示器510共享基板為例，但亦可為不共享基板的設計，其方法與前述實施例相同，故不在此贅述。詳細而言，圖7為圖6的應用光電轉換組件的顯示器的配置圖。一般而言，顯示器510至少包含有第一基板512以及第二基板514，而光電轉換組件520即可設于第一基板512以及第二基板514的相對兩側。其配置方式，可以單一光電轉換組件520設于第一基板512或第二基板514的其中一側，或者使用多個光電轉換組件520分別設于第一基板512以及第二基板514的兩側以提高光電轉換功率。另外，顯示器510更包含有其它多層結構，例如共享電極、陣列電極或者彩色濾光片等，而光電轉換組件520皆可選擇性地設于此些結構上。更進一步而言，圖8為圖6的應用光電轉換組件的裝置的上視圖，其中顯示器510可區(qū)分為一顯示區(qū)A以及一周邊區(qū)B。由于僅顯示區(qū)A需要透出可見光，因此在一優(yōu)選的實施態(tài)樣中，本發(fā)明的光電轉換組件520僅需設置于顯示區(qū)A中，而周邊區(qū)B即可使用一般不透光的光電轉換組件。如此，可根據實際情況增加光電轉換組件的選用彈性。
更具體舉例來說，圖12為依據圖6的應用于發(fā)光二極管裝置的剖面示意圖，其中發(fā)光二極管裝置800例如為一有源矩陣的有機發(fā)光二極管、一有機發(fā)光二極管或一高分子發(fā)光二極管等，其包含有一第一基板810，一發(fā)光單元820、一封裝組件830以及一第二基板840。第一基板810可視為一主基底而第二基板840可為一保護基板或第二基板。發(fā)光單元820設置于第一基板810上，封裝組件830則設置于第一基板810以及第二基板820間，以與第一基板810及第二基板820構成一密合的發(fā)光二極管裝置800。本發(fā)明的光電轉換組件850即可設置于第二基板820外側、第二基板840內側以及發(fā)光單元820的一側等、或810的外側、內側等。在一優(yōu)選的實施態(tài)樣下，將光電轉換組件850設置于第二基板820的外側、或是設置于第一基板810的外側，以上可根據有源矩陣的有機發(fā)光二極管(AMOLED)的上發(fā)光，下發(fā)光兩類型而放置優(yōu)選的位置。如此，可避免被其它發(fā)光二極管裝置800中的構件遮光，而降低其吸收效率。圖13為依據圖6的應用于液晶顯示裝置的剖面示意圖。液晶顯示裝置900可例如為一晶娃或一低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon, LTPS)的薄膜晶體管-液晶 顯不器，其包含一背光源910、一第一偏光片920、第一基板930、一彩色濾光片940、一第二基板950、一第二偏光片960、一液晶層970以及一電極980,包含相對應的一畫素電極982及一共享電極984。第一基板930的外側設有背光源910及第一偏光片920,且偏光片920位于背光源910及第一基板930間；第一基板930的內側則設置有畫素電極982。第二基板950的內、外側則分別設置有彩色濾光片940及第二偏光片960。彩色濾光片940的內側再設置有共享電極984。液晶層970則位于畫素電極982及共享電極984間。本發(fā)明的光電轉換組件980則可設置于各層組件上(或其間)，例如設于第一偏光片920與第一基板930間、彩色濾光片940與共電極980間、彩色濾光片940與第二基板950間、第二基板950與第二偏光片960間,或者第二偏光片960的外側。當然，在一優(yōu)選的實施例中，本發(fā)明的光電轉換組件980設于第二偏光片960的外側，以防止由于其它組件遮光，而降低光電轉換組件980的吸收效率。圖9為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的裝置的剖面示意圖。一光電轉換組件620可搭配使用至少一輔助組件610，而形成一裝置600。即所述透明基板(也可以是輔助組件610)為至少有部分區(qū)域是光反射的結構，使光線可以反射回來，輔助組件610例如為一共振腔組件、一光干涉組件或一光反射組件等，設于光線可達光電轉換組件620的光路徑上，用以搭配光電轉換組件620而達到例如增加光電轉換組件620的光吸收效率或能量等特定用途。另外，本發(fā)明的光電轉換組件亦可應用在一陣列裝置中，形成陣列式光電轉換組件的配置。圖10為依據本發(fā)明一優(yōu)選實施例的應用光電轉換組件的陣列裝置的剖面示意圖。陣列裝置700包含一主基底710、多個基體720以及多個光電轉換組件730，其中基體720與光電轉換組件730位于主基底710上。在本實施例中，各光電轉換組件730分別設置于各對應的基體720上，以此依據基體720的排列位置做陣列排列。在其它實施例中，各光電轉換組件730亦可與基體720交錯設置(未繪示)，或者各光電轉換組件730散布于基體720中(未繪示)，而形成一陣列裝置700。在此強調，本發(fā)明的光電轉換組件320/420/520/620/730可至少使部分波段的可見光穿透，具體而言光電轉換組件320/420/520/730中的光電轉換層324/424/524對于可見光的至少一波段的穿透率大于20 %。再者，光電轉換層324/424/524可包含由多晶層、單晶層、納米級有機層、硅層或多化合物層等可穿透部分可見光的光電轉換材料所組成，當然其可為單一材料層或者多層材料層所組成的結構，而此些材料層的材質可依需求互相搭配選用(可如圖11所示)。另外，本發(fā)明的透明基板(未繪示)，所述透明基板為至少有部分區(qū)域是透明的 ，可例如為一玻璃基底或一塑料基板甚或一軟性基板等，其中此透明基板(未繪示)可呈一平面或一彎曲形狀，而此透明基板(未繪示)的材質例如由鈣鈉玻璃(soda-1 ime glass)所組成,甚或所述透明基板為至少有部分區(qū)域是光反射的結構,使光線可以反射回來，但本發(fā)明不以此為限。第一電極322/422/522/與第二電極326/426/526可為一透明電極，其材質可由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)例如氧化鋁鋅(AZO)、石墨烯(graphene)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)等金屬合金所組成。其它詳細配置方法與前述相同故不再贅述。綜上所述，本發(fā)明提出一種光電轉換組件以及采用此光電轉換組件的裝置及陣列裝置，其中此光電轉換組件可使至少部分波段可見光穿透。詳細而言，此光電轉換組件具有至少一光電轉換層(其可為單一層光電轉換層或多層的光電轉換層組成的結構)，此光電轉換層對于可見光的至少一波段的穿透率大于20%。如此，相較于公知利用移除部分的非透明的光電轉換層來達到穿透可見光的功能，本發(fā)明的透明的光電轉換層所形成的光電轉換組件可具有更高的光電轉換效率，并且可省去再圖案化非透明的光電轉換層的制作工藝成本，并更增加其可應用的領域和市場。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種光電轉換組件，其特征在于，包括 一透明基板，所述透明基板為至少有部分區(qū)域是透明的，及/或所述透明基板為至少有部分區(qū)域是光反射的結構，以使光線可以反射回來； 一第一電極，位于所述透明基板上； 至少一光電轉換層，位于所述第一電極上，其中各所述光電轉換層可至少使部分可見光波段的穿透率大于20% ;以及 一第二電極，位于所述至少一光電轉換層上。
2.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，所述透明基板包含一玻璃基底、一柔性基板、一塑料基板、一反射板、一壓克力基板、一聚碳酸酯基板、一聚氯乙烯基板、一聚乙烯基板或一聚丙烯基板。
3.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，所述至少一光電轉換層為多個堆疊的光電轉換材料層。
4.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，各所述光電轉換層包含一P-N接面層、或一電子電洞接面層。
5.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，各所述光電轉換層包含硅層、多化合物層或納米級有機層。
6.如權利要求5所述的光電轉換組件，其特征在于，所述硅層的材質包含晶硅或非晶硅，多化合物層的材質包含單晶或多晶，納米級有機的材質包含二氧化鈦。
7.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，所述第一電極、所述第二電極包含一透明電極、一梳狀導電電極、或一反射板電極。
8.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，所述第一電極、所述第二電極可為可見光穿透式的、紫外光穿透式的、紅外光穿透式的導電材質或設計。
9.如權利要求7或8所述的光電轉換組件，其特征在于，所述第一電極、第二電極包含由透明導電氧化物、石墨烯、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁、金、銅或上述金屬合金所組成。
10.如權利要求I所述的光電轉換組件，其特征在于，所述光電轉換組件更包含一補償單元或一輔助單元，用以補償色偏或色差。
11.如權利要求10所述的光電轉換組件，其特征在于，所述補償單元或所述輔助單元包含彩色濾光片、有機發(fā)光二極管、背光源、有色玻璃、液晶模塊或光電轉換曲線的補正。
12.如權利要求I、或第3至8項所述的光電轉換組件，其特征在于，所述光電轉換層包含一可至少吸收部分波段的紫外光、部分波段的紅外光的光電轉換層。
13.如權利要求I、或第3至8項所述的光電轉換組件，其特征在于，所述光電轉換層包含一可至少吸收部分波段的紅光、部分波段的綠光、部分波段的藍光的光電轉換層。
14.如權利要求I、或第3至8項所述的光電轉換組件，其特征在于，所述光電轉換層包含一可至少吸收部分波段的黃光、部分波段的青光、部分波段的紫紅光的光電轉換層。
15.一種裝置，其特征在于，包括 一基體，具有至少一基體基板；以及 至少一具有如榷利要求I至10所述的光電轉換組件，位于所述至少一基體基板上。
16.如權利要求15所述的裝置，其特征在于，所述基體基板更包含一基體透明基板、一基體反射基板或一基體部分反射部分穿透基板。
17.如權利要求16所述的裝置，其特征在于，各所述光電轉換組件更包含一透明基板，所述基體基板與所述透明基板貼合、重疊、鑲嵌、共構或并排。
18.如權利要求15所述的裝置，其特征在于，所述裝置更包含一儲電裝置，用以儲存所述光電轉換組件所產生的能源。
19.如權利要求18所述的裝置，其特征在于，所述裝置更包含一切換開關及一電池，當所述電池的剩余能源至一預定值下，則進行切換以使用所述儲電裝置的電能。
20.如權利要求18、19所述的裝置，其特征在于，所述裝置更包含一充電控制電路，當所述電池的剩余能源至一預定值下，則進行充電。
21.如權利要求15所述的裝置，其特征在于，所述基體包含一玻璃、一保護層、一造型層、一觸控感應器、一顯不器、一光源、一交通號志、一廣告告不牌、一反射組件或一具有圖像或/且文字的裝置。
22.如權利要求21所述的裝置，其特征在于，所述光電轉換組件可位于所述玻璃、所述保護層、所述造型層、所述觸控感應器、所述顯示器、所述光源、所述交通號志、所述廣告廣告牌、所述反射組件、所述具有圖像或且文字的裝置的前方、上方、及或內部結構。
23.如權利要求21所述的裝置，其特征在于，所述顯示器具有至少一上基版、一下基版、和一顯示單元，其中所述光電轉換組件可位于所述顯示器的所述上基版、所述下基版、所述顯示單元的上方、下方、兩側、前方、及或內部結構。
24.如權利要求21所述的裝置，其特征在于，所述顯示器包含一全波段顯示顯示器、一部分波段顯示顯示器、一單色顯示顯示器、一反射式的顯示器或一部分反射部分穿透式的顯示器。
25.如權利要求21至24所述的裝置，其特征在于，所述顯示器包含一薄膜晶體管-液晶顯示器、一有源矩陣的有機發(fā)光二極管、一電致發(fā)光顯示器、一電子泳動顯示器、一電濕顯不器、一奈米碳管顯不器、一微機電顯不器、一光干涉式顯不器、一電衆(zhòng)顯不器或一傳統(tǒng)陰極射線管顯示器。
26.如權利要求21至24所述的裝置，其特征在于，所述顯示器更包含一光源，包含一單色光、一具有數個頻譜峰值的白光、白光發(fā)光二極管、紅藍綠發(fā)光二極管、全波段頻譜白光、一有機發(fā)光二極管、或一電致發(fā)光白光。
27.如權利要求21或26所述的裝置，其特征在于，所述光源包含一背光源、一單色光源、一白光源或一分時序控制的色光光源。
28.一種陣列裝置，其特征在于，包括 一主基底; 多個具有如榷利要求15至24所述的基體位于所述主基底上；以及 多個具有如榷利要求I至10所述的光電轉換組件位于所述主基底上。
29.如權利要求28所述的陣列裝置，其特征在于，所述光電轉換組件散布于所述基體中、或/且設置于所述些基體上、或/且與所述基體交錯或陣列排列的設置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光電轉換組件包含一透明基板、一第一電極、至少一光電轉換層以及一第二電極。所述透明基板為至少有部分區(qū)域是透明的。第一電極位于透明基板上。至少一光電轉換層位于第一電極上，其中各光電轉換層可至少使部分可見光的波段的穿透率大于20％。第二電極位于所述至少一光電轉換層上。
文檔編號H01L31/042GK102856400SQ20121003411
公開日2013年1月2日 申請日期2012年2月15日 優(yōu)先權日2011年7月1日
發(fā)明者劉鴻達 申請人:劉鴻達