專利名稱：用于砷化鎵光伏器件的自-旁路二極管功能的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方案通常涉及光伏器件(例如太陽(yáng)能電池)以及制造這些光伏器件的方法。
背景技術(shù)：
使用光伏器件例如太陽(yáng)能電池板的一個(gè)問(wèn)題是在太陽(yáng)能電池板的部分上形成陰影的問(wèn)題。如圖I中所示，太陽(yáng)能電池板包括在各模塊中串聯(lián)成串的多個(gè)光伏電池10，以提供來(lái)自太陽(yáng)光的增加的功率和電壓。然而，這些電池的一部分可能在操作過(guò)程中遮陽(yáng)，這影響整個(gè)串或模塊的性能。例如，電池12被障礙物遮陽(yáng)，而其他電池10不是這樣的。當(dāng)一個(gè)太陽(yáng)能電池的電氣參數(shù)和其他電池的那些明顯改變時(shí)，發(fā)生串聯(lián)失配。由于穿過(guò)電池的電 流必須相同，因此來(lái)自組合的總電流不能超過(guò)遮蔽的電池的電流。在低電壓下，當(dāng)一個(gè)太陽(yáng)能電池被遮蔽而串或模塊中剩余部分不是這樣時(shí)，由未遮蔽的太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電流可能在遮蔽的電池中消散而不是開(kāi)動(dòng)負(fù)載。因此，在電流失配的串聯(lián)結(jié)構(gòu)中，如果較差電池產(chǎn)生較少電流，可以發(fā)生嚴(yán)重的功率降低。如果結(jié)構(gòu)在短路或低電壓下運(yùn)行，在遮蔽的電池中高局域化功率耗散可以引起局部“熱點(diǎn)”加熱、雪崩擊穿、以及一個(gè)或多個(gè)太陽(yáng)能電池和模塊的不可逆損害。在一些太陽(yáng)能電池上遮蔽的失配效果的一種解決方案是使用一個(gè)或多個(gè)旁路二極管。內(nèi)在具有非常高的擊穿電壓或低分流電阻的太陽(yáng)能電池可能不需要旁路二極管，但是包括高性能太陽(yáng)能電池例如砷化鎵(GaAs)太陽(yáng)能電池的多種其他類型可能需要旁路功能。例如，如圖2中所示，典型地一個(gè)或多個(gè)旁路二極管14并聯(lián)，并且和太陽(yáng)能電池電路16極性相反。為了降低成本，旁路二極管通常放置穿過(guò)一組太陽(yáng)能電池。在正常(未遮蔽的)操作中，各太陽(yáng)能電池16a正向偏壓，并且旁路二極管14a反向偏壓且是開(kāi)路。如果一個(gè)或多個(gè)太陽(yáng)能電池16b被遮蔽，由于串聯(lián)電池之間的短路電流中的失配，這些電池16b反向偏壓，并且旁路二極管14b正向偏壓和傳導(dǎo)電流，這允許來(lái)自未遮蔽的太陽(yáng)能電池的電流在外部電流中流動(dòng)，而不適合對(duì)各未遮蔽的電池進(jìn)行正向偏壓。穿過(guò)遮蔽的電池的最大反向偏壓降低至約單二極管壓降，從而限制電流和防止熱點(diǎn)加熱和太陽(yáng)能電池的損害。盡管旁路二極管有效地降低太陽(yáng)能電池中由于遮蔽引起的失配的破壞效果，但是它們是另外組件，所述組件必須制造用于太陽(yáng)能電池，因此增加太陽(yáng)能電池板的生產(chǎn)成本和時(shí)間。而且，旁路二極管必須集成到太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)中，這可是復(fù)雜和難以完成的。這些因素增加了當(dāng)前太陽(yáng)能電池的較高生產(chǎn)成本，可能降低變?yōu)橹髁髂芰吭吹奶?yáng)能電池的性能，并且可能限制可適配太陽(yáng)能電池的應(yīng)用。因此，需要增加的效率和生產(chǎn)相容性方法以在光伏器件中提供旁路二極管功能性。發(fā)明概述本發(fā)明的實(shí)施方案通常涉及光伏器件(例如太陽(yáng)能電池)，更具體地，涉及光伏器件中的旁路二極管功能。
在一個(gè)實(shí)施方案中，形成砷化鎵基光伏器件的方法包括提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括包含砷化鎵的吸收層。提供在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏壓條件下，所述p-n接面以受控方式通過(guò)齊納擊穿效應(yīng)擊穿。在一些實(shí)施方案中，在比引起所述P-n接面的雪崩擊穿的電場(chǎng)的量級(jí)低的電場(chǎng)中，所述p-n接面可以通過(guò)所述齊納擊穿效應(yīng)擊穿。旁路功能可以為所述光伏器件的所述P-n接面固有，使得所述光伏器件提供沒(méi)有連接或包括在所述光伏器件中的區(qū)別旁路二極管的旁路功能。在另外實(shí)施方案中，砷化鎵基光伏器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括包含砷化鎵的吸收層；以及所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的P-n接面，所述p-n接面提供旁路功能，其中在反向偏壓條件下，所述p-n接面以受控方式通過(guò)齊納擊穿效應(yīng)擊穿。附圖簡(jiǎn)述圖I是描述包括遮蔽的太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能電池模塊中的串聯(lián)太陽(yáng)能電池的
圖2是描述具有并聯(lián)的分立旁路二極管的串聯(lián)太陽(yáng)能電池的圖；圖3是依照本文所述一些實(shí)施方案的光伏單元的剖視圖；圖4示出依照本文所述一些實(shí)施方案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)從圖3的單元形成以形成光伏電池；圖5-6示出依照本文所述異質(zhì)接面的實(shí)施方案圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖7示出依照本文所述一些實(shí)施方案的兩側(cè)光伏電池的剖視圖；和圖8是描述涉及本文所述旁路功能的砷化鎵基太陽(yáng)能電池的摻雜和擊穿特性的圖；圖9是描述涉及本文所述旁路功能砷化鎵基太陽(yáng)能電池的電壓和電流特性的圖；

圖10是描述涉及本文所述旁路功能的砷化鎵基太陽(yáng)能電池的帶間隧道效應(yīng)特性的圖；以及圖11是描述涉及本文所述旁路功能砷化鎵基太陽(yáng)能電池的電壓和電流特性的圖。發(fā)明詳述本發(fā)明的實(shí)施方案通常涉及光伏器件和方法，更具體地涉及光伏電池和形成這些光伏電池的制造方法。展現(xiàn)下列描述以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠和利用本發(fā)明，并且在專利申請(qǐng)和其要求的上下文中提供。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地意識(shí)到本文所述的優(yōu)選實(shí)施方案和通常原理與特征的多種修改。因此，本發(fā)明不旨在限制所示實(shí)施方案，而是具有和本文所述原理與特征一致的最寬的范圍。本文所述光伏器件的實(shí)施方案提供光伏電池中的旁路功能，以允許旁路電流在失配條件下流動(dòng)，例如串聯(lián)的串中的一些太陽(yáng)能電池的遮蔽。砷化鎵光伏器件中設(shè)置的自-旁路功能性允許保護(hù)器件，同時(shí)避免需要使區(qū)別旁路二極管和器件分離或者連接。當(dāng)相比于常規(guī)太陽(yáng)能電池制造方法時(shí)，這些創(chuàng)新可以允許在形成光伏器件中的更高效率和靈活性。砷化鎵太陽(yáng)能電池是高性能光伏器件，其典型地和單獨(dú)旁路二極管連接，以在電池集成到太陽(yáng)能電池板中時(shí)保護(hù)太陽(yáng)能電池避免電流失配,例如由串聯(lián)太陽(yáng)能電池中的一些的遮蔽引起而不遮蔽其他部分。然而，設(shè)置單獨(dú)旁路二極管增加太陽(yáng)能電池板的生產(chǎn)成本和時(shí)間，并且二極管的集成產(chǎn)生額外的復(fù)雜性。另外，一些高性能太陽(yáng)能電池具有比其他類型的太陽(yáng)能電池更高的運(yùn)行電壓/電池，從而要求比這些其他類型更多的旁路二極管。本文的實(shí)施方案允許旁路二極管的功能性包括在高性能GaAs太陽(yáng)能電池中，而無(wú)需制造或設(shè)置連接太陽(yáng)能電池的單獨(dú)旁路二極管。摻雜濃度是指半導(dǎo)體器件實(shí)施方案的描述。此處，“摻雜濃度”是指材料中活性摻雜劑的濃度，即大多數(shù)載流子濃度。圖3描述光伏單元100的剖視圖，其包括通過(guò)砷化鎵基電池140和生長(zhǎng)晶圓101之間設(shè)置的犧牲層104偶接生長(zhǎng)晶圓101的砷化鎵基電池140。圖4描述源自光伏單元100的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖，其為砷化鎵基光伏電池140的形式。含有改變組成的外延材料多層沉積在光伏單元100內(nèi)，光伏單元100包括緩沖層102、犧牲層104、以及砷化鎵基電池140內(nèi)含有的層中的多個(gè)。外延材料多層可以通過(guò)沉積法生長(zhǎng)或形成，例如化學(xué)氣相沉積(CVD)法、金屬有機(jī)CVD (MOCVD)法或分子束外延(MBE)法。在本文所述的另外實(shí)施方案中，光伏單元100可以暴露于濕法蝕刻溶液以蝕刻犧 牲層104，和在外延層剝離(ELO)法的過(guò)程中使砷化鎵基電池140和生長(zhǎng)晶圓101分離。一旦分離，如圖4中所示，砷化鎵基電池140可以進(jìn)一步加工以形成多種光伏器件，包括光伏電池和模塊，如本文數(shù)個(gè)實(shí)施方案所述。在一些實(shí)施方案中，外延生長(zhǎng)層可以在高生長(zhǎng)速率(例如生長(zhǎng)速率大于5ym/hr，例如約10-120 μ m/hr或更高)氣相沉積法的過(guò)程中通過(guò)生長(zhǎng)III-V族材料來(lái)形成。其他實(shí)施方案可以使用更低生長(zhǎng)速率方法以形成層。III-V族材料是外延生長(zhǎng)層的薄膜，其含有砷化鎵，砷化招鎵，磷化招鎵銦，磷化招銦，砷化招或其組合。在一些實(shí)施方案中，形成單元100的方法包括在加工體系內(nèi)加熱晶圓至約550°C或更高(或其他范圍)的沉積溫度；使晶圓暴露于含有化學(xué)前體(例如鎵前體氣體和砷化氫)的沉積氣體，以進(jìn)行砷化鎵沉積方法；以及在晶圓上沉積含有砷化鎵的層。在一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)緩沖層102可以形成在生長(zhǎng)晶圓101上，以開(kāi)始形成光伏單元100。生長(zhǎng)晶圓101可含有η-型、ρ-型或半絕緣材料，并且可以含有和一種或多種隨后沉積的緩沖層相同或類似的材料。一個(gè)或多個(gè)緩沖層102可以提供在生長(zhǎng)晶圓101和最終光伏單元的半導(dǎo)體層之間的中間層，所述最終光伏單元的半導(dǎo)體層可以適應(yīng)它們和形成的多個(gè)外延層不同的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)。一個(gè)或多個(gè)緩沖層102可以沉積為厚度約IOOnm至約600nm，并且可含有III-V族化合物半導(dǎo)體。犧牲層104可以沉積在緩沖層102上。犧牲層104(也稱為脫模層)被蝕刻和除去，同時(shí)在ELO法的過(guò)程中使砷化鎵基電池140和生長(zhǎng)晶圓101分離。砷化鎵基電池140包括η-型薄膜疊式存儲(chǔ)器120，η_型薄膜疊式存儲(chǔ)器120含有設(shè)置在P-型薄膜疊式存儲(chǔ)器130上的η-摻雜的砷化鎵材料，P-型薄膜疊式存儲(chǔ)器130含有P-摻雜的砷化鎵材料。η-型薄膜疊式存儲(chǔ)器120和ρ-型薄膜疊式存儲(chǔ)器130各自獨(dú)立地含有改變的材料組成的多個(gè)層，包括砷化鎵材料。在一些實(shí)施方案中，η-型薄膜疊式存儲(chǔ)器120包括η-型接觸層105、η-型第一窗口 106、臨近η-型第一窗口 106形成的η-型吸收層108。ρ-型薄膜疊式存儲(chǔ)器130包括ρ-型射極層110和形成在ρ-型射極層110上的P-型接觸層204。后金屬層204可以形成在接觸層112上。在其他實(shí)施方案中，在電池140中ρ-型薄膜疊式存儲(chǔ)器可以設(shè)置在η-型薄膜疊式存儲(chǔ)器上。如在一個(gè)實(shí)施方案中所述，在制備過(guò)程中，η-型接觸層105或界面層可以沉積在犧牲層104上。η-型接觸層105含有III-V族材料，例如砷化鎵，這取決于最終光伏單元的期望組成。η-型接觸層105是η-摻雜的，并且對(duì)于一些實(shí)施方案，摻雜濃度可以在大于約I X 1018cm_3的范圍內(nèi)。η-型接觸層105可以形成為厚度在約IOnm至約1，OOOnm的范圍內(nèi)。η-型接觸層105可以在該階段形成，例如在ELO法前砷化鎵基電池140的一部分，或者可以在ELO法后的稍后階段形成。第一窗口 106 (也稱為鈍化層)可以形成在犧牲層104上，或者形成在任選的接觸層105(如果存在的話)上。第一窗口 106可以含有III-V族材料，例如鋁鎵、砷化鋁鎵或其組合。窗口層還可以或者可替換地含有另外材料，包括磷化鋁鎵銦、磷化鋁銦、或其衍生物、或其組合。這些磷化鋁鎵銦化合物提供較大帶隙例如約2. 2eV或更大，以及當(dāng)在η-型第一窗口 106內(nèi)利用時(shí)在較短波長(zhǎng)處的較高集電極效率。例如，在一些實(shí)施方案中，第一窗口 106材料可以是η-摻雜的并且摻雜濃度可以在大于約I X IO18CnT3的范圍內(nèi)，或者可以是未摻雜的。砷化鋁鎵可以具有摩爾比AlxGapxAs的式，例如Ala3Gatl 7As的摩爾比。第一窗口 106可以沉積為厚度在約5nm至約75nm的范圍內(nèi)。p-n接面在吸收層108和射極層110之間形成。在一些實(shí)施方案中，p_n接面的吸收層和射極層包括高度摻雜的半導(dǎo)體。這形成有效的齊納二極管，其在P-n接面反向偏壓 時(shí)提供帶間隧道效應(yīng)。引起齊納效應(yīng)的電場(chǎng)小于P-n接面的雪崩擊穿閾值。該效應(yīng)在下面詳細(xì)描述。p-n接面的吸收層108可以形成在第一窗口 106上。吸收層108可以含有III-V族化合物半導(dǎo)體，例如砷化鎵(GaAs)。在一些實(shí)施方案中，吸收層108可以是單晶的。吸收層08可以例如僅具有一種類型摻雜，例如η-摻雜。為了如本文的實(shí)施方案中所述在光伏器件中實(shí)現(xiàn)自-旁路二極管功能性，吸收層108的摻雜濃度相對(duì)于通常摻雜濃度非常高。例如，在其中吸收層108是η-摻雜的實(shí)施方案中，η-摻雜劑濃度可以在約4X IO17CnT3至約lX1019cm_3的范圍內(nèi)。η-型吸收層108的厚度可以在約300nm至約3，500nm的范圍內(nèi)，例如約1，OOOnm至約2，OOOnm(約I. O μ m至約2. O μ m)，例如2，OOOnm。在一些實(shí)施方案中，吸收層小于I μ m ;例如η-型吸收層108的厚度可以為約800nm或更小,例如約500nm或更低,例如在約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)。由于短載流子壽命，這樣薄會(huì)提供高摻雜濃度引起的載流子收集的降低或忽略的限制，因?yàn)樘?yáng)能電池較薄并且可以容易地收集載流子。在其他實(shí)施方案中其他材料可以用于吸收層108并且實(shí)現(xiàn)本文所述自-旁路二極管功能性。例如，吸收系數(shù)足夠高的材料例如III-V族材料，磷化物(磷化銦鎵(InGaP)，磷化鋁銦(AlInP)，磷化鋁銦鎵(AlInGaP))，氮化銦鎵，砷化鋁鎵或其組合。在一些實(shí)施方案中，光伏單元100相比于常規(guī)太陽(yáng)能單元(可以為數(shù)微米厚)可以具有明顯更薄的吸收層(例如，少于500nm)。對(duì)于給定光強(qiáng)度更薄吸收層可以最可能導(dǎo)致更高開(kāi)路電壓(V。。)，因此增加效率。薄吸收層還具有涉及載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的優(yōu)點(diǎn)。更高摻雜水平可以允許電流甚至在非常薄的吸收層中流動(dòng)，因此增加的摻雜可以用于制造具有增加的效率的非常薄的吸收層。常規(guī)光伏器件可以遭受體積復(fù)合效應(yīng)，因此這些常規(guī)器件不會(huì)在吸收層中使用較高摻雜。當(dāng)確定合適的厚度時(shí)也可以考慮吸收層的薄層電阻。含有較薄吸收層的光伏器件可以比常規(guī)太陽(yáng)能電池(為數(shù)微米厚)更高撓性。在一些實(shí)施方案中，制造更薄基層/吸收層可以允許使用η-摻雜的基層/吸收層。其他實(shí)施方案可以使用P-摻雜的基層/吸收層和η-摻雜的后/射極層，例如由于載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度在更厚吸收層的實(shí)施方案中。在一些實(shí)施方案中，p-n接面的射極層110可以臨近吸收層108形成。如果吸收層是η-摻雜的，射極層110可以例如含有III-V族化合物半導(dǎo)體并且是P-摻雜的，或反之亦然。在本文所述的ー些實(shí)施方案中，P-型射極層110比η-型吸收層108更接近電池140的后側(cè)，即，η-型吸收層更接近電池140的前側(cè)。射極層110可以是單晶的。在一些實(shí)施方案中，射極層110可以是高度P-摻雜的，并且對(duì)于ー些實(shí)施方案，P-摻雜的射極層的摻雜濃度可以在約4Χ IO17CnT3至約I X102°cm_3的范圍內(nèi)，例如約L5X1018cm_3。射極層110的厚度可以在約IOOnm至約500nm或更高的范圍內(nèi)，例如約300nmo在一些實(shí)施方案中，η-型吸收層108接觸P-型射極層110會(huì)產(chǎn)生用于吸收光子的p-n接面或界面層，并且射極層110含有和吸收層108相同或類似的材料。P-型吸收層108和η-型射極層110也可以產(chǎn)生p-n接面。 在其他實(shí)施方案中，η-型吸收層108含有ー種材料(例如砷化鎵)，并且ρ_型射極層Iio含有和吸收層108的材料(例如神化鋁鎵)不同帶隙的不同材料，并且p-n界面是異質(zhì)接面。如本文實(shí)施方案中所述，相比于常規(guī)光伏材料的異質(zhì)接面，異質(zhì)接面觀察到具有減小的暗電流、改善的電壓產(chǎn)生和改善的輻射復(fù)合性。在本文所述的ー些實(shí)施方案中，P-型射極層110的材料比η-型吸收層108的材料具有更高帶隙。射極層110可以含有III-V族化合物半導(dǎo)體以和η-型吸收層108形成異質(zhì)接面。例如，如果η-型吸收層108含有神化鎵，P-型射極層110可以含有不同半導(dǎo)體材料，例如神化鋁鎵(AlGaAs)。如果P-型射極層110和η-型第一窗ロ 106都含有神化鋁鎵，ρ_型射極層Iio的AlxGahAs組成可以和η-型第一窗ロ 106的AlyGa^yAs組成相同或不同。例如，P-型射極層110可以具有Ala3Gatl 7As的摩爾比。在一些實(shí)施方案中，異質(zhì)接面可以通過(guò)在吸收層108和射極層110之間設(shè)置中間層114而從p-n接面偏離。中間層114可以在吸收層108和射極層110之間提供材料過(guò)渡。例如，這種中間層的一些實(shí)施方案參照下面圖5和6有所描述。在一些實(shí)施方案中，p-n接面(無(wú)論是否有異質(zhì)接面)的耗盡區(qū)域可以設(shè)置有和吸收層不同的摻雜濃度，并且實(shí)現(xiàn)本文所述自-旁路ニ極管功能性。這些實(shí)施方案參照?qǐng)D5和6在下面詳述。任選地，接觸層112可以形成在射極層110上。例如，P-型接觸層112可以含有III-V族化合物半導(dǎo)體，例如神化鎵。P-型接觸層112通常是單晶的和P-摻雜的，并且對(duì)于ー些實(shí)施方案，P-型接觸層112的摻雜濃度可以大于lX1018cm_3。一旦形成射極層110，腔洞或凹陷(未示出)可以在射極層110(或任選的接觸層112)中形成足以到達(dá)下面基礎(chǔ)吸收層108的深度。這些凹陷可以通過(guò)下列方式來(lái)形成例如使用光蝕刻法將掩模施加至射極層110(或任選的接觸層112);以及除去未由掩模覆蓋的射極層110 (和任選的接觸層112)中的材料。按照該方式，吸收層108可以通過(guò)神化鎵基電池140的后側(cè)接入圖5和6是光伏電池140的實(shí)施方案的剖視圖，其中異質(zhì)接面偏離p_n接面。圖5示出包括吸收層108、中間層114和射極層110的電池140的一個(gè)實(shí)施方案的部分150。在一些實(shí)施方案中，中間層114含有和射極層110基本上相同的材料，例如在射極層110含有神化鋁鎵的實(shí)施方案中是神化鋁鎵。另外，中間層114具有和吸收層108相同的摻雜類型，例如η-型摻雜。在一些實(shí)施方案中，中間層114可以具有約兩個(gè)耗盡長(zhǎng)度的厚度，其中耗盡長(zhǎng)度是圍繞P-n接面形成的耗盡區(qū)域的寬度。例如，在一些實(shí)施方案中，中間層114可以具有約O至200nm的厚度。電池140的實(shí)施方案提供這樣的結(jié)構(gòu)，其允許p-n接面產(chǎn)生電壓，該電壓使電池從由具有不同帶隙的材料提供的異質(zhì)接面偏離。例如，P-n接面152是射極層110和中間層114的η-型和P-型材料之間的界面。因此，在一個(gè)實(shí)施方案中，p-n接面至少部分設(shè)置在構(gòu)成射極層110和中間層114的更高-帶隙材料內(nèi)(例如AlGaAs)，并且異質(zhì)接面122位于中間層114和吸收層108之間的界面(例如GaAs和AlGaAs之間的界面)。該偏離提供相對(duì)于一致的p-n接面和異質(zhì)接面的ー些優(yōu)點(diǎn)，例如可以減小器件的暗電流。在一些實(shí)施方案中，大部分吸收層108在由p-n接面形成的耗盡區(qū)域外部。在一些實(shí)施方案中，異質(zhì)接面154位于p-n接面152的兩個(gè)耗盡長(zhǎng)度內(nèi)。例如，在一些實(shí)施方案中耗盡區(qū)域的寬度可以為約1000人(IOOnm)。耗盡區(qū)域典型地仍舊具有通過(guò) 該區(qū)域的耗盡效應(yīng)，在P-n接面的約兩個(gè)耗盡區(qū)域?qū)挾?耗盡長(zhǎng)度)內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，中間層可以摻雜和吸收層108基本上相同的摻雜濃度。這允許本文所述自-旁路功能性。例如，中間層可以具有AlxGahAs的摩爾比的式，例如Alci 3Gatl 7As的摩爾比，并且是約4X IO17CnT3或更高η-摻雜的。在其他實(shí)施方案中，中間層114或其部分可以具有和吸收層108和射極層110不同的摻雜濃度。例如，相比于4xl017cm_3或更高的吸收層108的更高摻雜濃度，中間層114可以具有5X1016cm_3或更高、例如lX1017cm_3的較低摻雜濃度。通常，p-n接面的耗盡區(qū)域可以具有比吸收層108更低的摻雜濃度。在這些實(shí)施方案中，電池200保持自-旁路ニ極管功能性(下文詳細(xì)解釋)，盡管耗盡區(qū)域和/或中間層114具有更低摻雜濃度，因此提供自-旁路功能的P-n接面具有穿過(guò)中間層的厚度延伸的耗盡區(qū)域。該特征可以允許p-n接面和異質(zhì)接面在不考慮需要獲得自-旁路ニ極管功能性的高摻雜水平的條件下進(jìn)行設(shè)計(jì)。否則，在一些實(shí)施方案中，吸收層108的耗盡區(qū)域中高度摻雜可能影響p-n接面的運(yùn)行，例如增加載流子復(fù)合率。圖6描述中間層114的另外實(shí)施方案160，其中中間層114包括遞變層115和設(shè)置在吸收層108與射極層110之間的后窗ロ層117。p-n接面162從設(shè)置在具有不同帶隙的兩種材料之間的異質(zhì)接面164偏離。例如，η-型遞變層115可以形成在η-型吸收層108上并且η-型后窗ロ 117可以形成在η-型遞變層115上，接著在η-型后窗ロ 117上形成P-型射極層110。實(shí)施方案160包括在η-摻雜層117和ρ-摻雜層110之間形成的p-η接面162。在該例子中，吸收層108中的材料是GaAs并且遞變層115中的材料是AlGaAs。盡管異質(zhì)接面164示于圖6以用于因?yàn)椴牧线f變而在遞變層的中點(diǎn)處的描述性目的，異質(zhì)接面可以在層115內(nèi)的任何點(diǎn)處，或者層的整個(gè)寬度可以被認(rèn)為是異質(zhì)接面。如圖5的實(shí)施方案中所述，P-n接面優(yōu)選從異質(zhì)接面偏離兩個(gè)耗盡長(zhǎng)度內(nèi)。遞變層115可以是這樣的遞變層，其包括從吸收層至后窗ロ 117遞變的材料，其中遞變范圍為從接近吸收層的遞變層側(cè)處的吸收層材料至接近后窗ロ側(cè)處的后窗ロ 117的材料。因此，使用上述示例性材料，遞變材料可以從鄰近η-型吸收層108的神化鎵開(kāi)始，并且在鋁量增加和GaAs量減小的后窗ロ方向上遞變，使得遞變鄰近η-型后窗ロ 117(和后窗ロ 117的材料大致相同的神化鋁鎵材料(摩爾比))結(jié)束。在多個(gè)例子中，在遞變的窗ロ端處的神化鋁鎵可以具有摩爾比AlxGahAs的式，例如，可以使用Ala3Gaa7As的摩爾比。遞變層115的遞變可以是拋物線、指數(shù)或線性遞變，和/或也可以使用其他遞變圖線。η-型后窗ロ 117還可以含有神化鋁鎵，并且可以具有摩爾比AlxGahAs的式，例如，摩爾比Ala3Gaa7As15在其他實(shí)施方案中，中間層114僅含有遞變層115，或者中間層114僅含有非-遞變后窗ロ 117 (如圖5中所示)。遞變層115和η-型后窗ロ 117均可以是η-摻雜的。對(duì)于ー些實(shí)施方案，摻雜濃度可以基本上等同于η-型吸收層108。在其他實(shí)施方案中，遞變層115和/或后窗ロ 117的摻雜濃度可以小于吸收層108的濃度，和涉及圖5上面用于中間層114所述類似。例如，遞變層115和后窗ロ 117的摻雜濃度可以為約lxl017Cm_3，而吸收層108的摻雜濃度為約4xl017cm 3。遞變層115和后窗ロ 117的厚度可以在不同實(shí)施方案中廣泛變化，而整個(gè)中間層114可以含有標(biāo)準(zhǔn)厚度(例如小于約2個(gè)耗盡長(zhǎng)度，例如在一些實(shí)施方案中在O至200nm的范圍內(nèi))。在一個(gè)例子中遞變層115的存在可有助于降低AlGaAs和GaAs層之間的界面的 勢(shì)壘效應(yīng)。后窗ロ 117還可提供鈍化以在吸收層108的表面處降低復(fù)合。圖7是適用于本發(fā)明的光伏電池200的一個(gè)實(shí)施方案的剖視圖，其中金屬接觸層202和抗反射涂層206形成在電池140的前側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，光伏電池200通過(guò)ELO法形成，ELO法如上面涉及圖I和2所述用在神化鎵基光伏單元100上。如圖7中所示，在一些實(shí)施方案中電池200可以是兩側(cè)光伏器件，并且可以包括設(shè)置在光伏電池140的相對(duì)側(cè)的前金屬接觸層202和后金屬接觸層204。前金屬接觸層202設(shè)置在前側(cè)或太陽(yáng)側(cè)上以接收光線210，而后金屬接觸層204設(shè)置在電池200的后側(cè)上。例如，在具有沉積在P-薄膜疊式存儲(chǔ)器上的η-薄膜疊式存儲(chǔ)器的實(shí)施方案中，前金屬接觸層202可以是η-金屬接觸，并且后金屬接觸層204可以是ρ-金屬接觸。根據(jù)任ー熟知方法前金屬接觸層202可以沉積在前接觸層105上。η_金屬接觸層202含有為導(dǎo)電材料的接觸材料，例如金屬或金屬合金。在一些實(shí)施方案中，金屬接觸層202含有相同或不同接觸材料的多個(gè)層。接觸材料的比接觸電阻率優(yōu)選為約3X KT3Q-Cm2或更低。在載流子濃度約IX IO18CnT3下，優(yōu)選接觸材料也具有肖特基勢(shì)壘高度(Obn)為約IeV或更低。如圖7中所示，前金屬層202和半導(dǎo)體接觸層105可以圖案化以形成金屬接觸。例如，在一些實(shí)施方案中，金屬接觸層202沉積在接觸層105上，隨后凹陷通過(guò)金屬接觸層202和接觸層105形成以在電池200的前側(cè)上暴露第一窗ロ 106。在可選擇的實(shí)施方案中，凹陷可以初始形成在接觸層105中以在電池200的前側(cè)上暴露第一窗ロ 106。此后，金屬接觸層202可以形成在接觸層105的剩余部分上，同時(shí)留下暴露的第一窗ロ 106。在另外實(shí)施方案中，接觸層105不存在，并且金屬接觸直接和前窗ロ層106接觸。后金屬接觸層204可以沉積鄰近接觸層112 (或射極層110)。后金屬接觸204含有為導(dǎo)電材料的接觸材料，例如金屬或金屬合金。金屬接觸層204可以含有相同或不同接觸材料的多個(gè)層。接觸材料的比接觸電阻率優(yōu)選為約IXKT1Q-Cm2或更低。在載流子濃度約IX IO18CnT3下，優(yōu)選接觸材料也具有肖特基勢(shì)壘高度(Obn)為約IeV或更低。后金屬接觸層204可以通過(guò)熟知方法在光伏電池200上制造。任選地，金屬保護(hù)層或金屬粘附層可以沉積在金屬接觸層204上，金屬接觸層204含有材料，包括鎳、鉻、鈦或其組合?？狗瓷渫扛?ARC)層206可以沉積在暴露的第一窗ロ 106以及半導(dǎo)體接觸層105和前金屬接觸層202上。ARC層含有這樣的ー種或多種材料，該材料允許光穿過(guò)，同時(shí)防止光從ARC層的表面反射。對(duì)于ー些實(shí)施方案,第一窗ロ 106、射極層110和/或后接觸層112可以是粗糙的或有紋理的，接著施加ARC層。在一些實(shí)施方案中，第一窗ロ 106可以含有多個(gè)窗ロ層。對(duì)于這些實(shí)施方案,最外窗ロ層(例如，最接近光伏電池140的前側(cè)的窗ロ層)可以是粗糙的或有紋理的，接著施加ARC層。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一窗ロ 106含有鄰近吸收層108沉積的第一窗ロ層(未不出)、和夾置在第一窗ロ層和ARC層之間的第二窗ロ層(未不出)。第一和第二窗ロ層可以含有適用于如上所述第一窗ロ 106的任何材料，但典型地具有不同組成。而且，對(duì)于ー些實(shí)施方案，多個(gè)窗ロ層中的ー些可以是摻雜的，而其他的則是未摻雜的。在一些實(shí)施方案中，粘合劑層可以臨近后金屬接觸層204形成。粘合劑層可以提 供后接觸層的鄰近材料良好的粘附性，并且提供電池200和背襯(可以放置鄰近粘合劑層)的粘附。在其他實(shí)施方案中，在上面討論的層中可以使用相反類型的摻雜，和/或可以使用其他材料，該材料可以提供所述P-n接面。而且，在其他實(shí)施方案中層可以以和上述順序不同的順序沉積或者形成。其他類型、結(jié)構(gòu)和材料的金屬接觸層也可以用于電池200。例如，金屬接觸層可以都設(shè)置在電池200的背側(cè)上。一旦形成射極層110，腔洞或凹陷可以在射極層110(或后接觸層112)中形成足以達(dá)到基礎(chǔ)吸收層108的深度。按照該方式，吸收層108可以通過(guò)神化鎵基結(jié)構(gòu)100的后側(cè)接入。圖8-11是描述具有本文所述旁路ニ極管功能的示例性太陽(yáng)能電池的特性的圖。電池140或200的p-η接面設(shè)置有上述高度摻雜的吸收層和射極層半導(dǎo)體，以使齊納ニ極管在特定條件下形成。齊納擊穿效應(yīng)能夠由帶間隧道效應(yīng)引起，所述帶間隧道效應(yīng)在P-n接面處于足夠反向偏壓下時(shí)發(fā)生。假設(shè)吸收層和射極層摻雜水平足夠高，需要引起齊納效應(yīng)的反向偏壓的量級(jí)低于需要引起雪崩擊穿的反向偏壓量級(jí)，使得齊納擊穿在雪崩擊穿前代替其發(fā)生。該齊納擊穿是可逆的，并且不破壞太陽(yáng)能電池。雪崩擊穿效應(yīng)也可以是可逆的；然而，由于太陽(yáng)能電池中較高電場(chǎng)和晶體缺陷，當(dāng)接近或超過(guò)雪崩擊穿點(diǎn)反向偏壓時(shí)ニ極管可以遭受不可逆的損害，這稱為熱點(diǎn)加熱。為了使齊納效應(yīng)的帶間隧道效應(yīng)在雪崩擊穿前發(fā)生，吸附劑的摻雜應(yīng)該和上述實(shí)施方案中那么高。例如，吸收層中大于4xl017cm3的摻雜可以用于神化鎵光伏器件的實(shí)施方案。高摻雜的P-n接面太陽(yáng)能電池比具有較低摻雜的p-n接面的太陽(yáng)能電池具有更小的半導(dǎo)體薄層電阻。這可以提供優(yōu)點(diǎn)；例如，薄層電阻越低，在電池的頂側(cè)上的金屬接觸之間運(yùn)行越大的間隔，從而増加非金屬面積的大小，這可在電池的頂部接收太陽(yáng)光。本文所述自-旁路ニ極管功能性防止太陽(yáng)能電池陣列或串經(jīng)歷遮蔽(或者失配)的電池的熱點(diǎn)加熱或破壞性雪崩擊穿。這使太陽(yáng)能電池200本身實(shí)現(xiàn)旁路ニ極管功能性的保護(hù)，并且在遮蔽的條件下避免雪崩擊穿或太陽(yáng)能電池板中的其他類似失配。太陽(yáng)能電池200的p-n接面包括反向偏壓的旁路ニ極管的功能，因此避免需要制造和連接ー個(gè)或多個(gè)單獨(dú)或區(qū)別旁路ニ極管至ー個(gè)或多個(gè)太陽(yáng)能電池。
圖8示出圖300，描述砷化鎵太陽(yáng)能電池的擊穿電壓vs.太陽(yáng)能電池的吸收層中的摻雜濃度。線301示出神化鎵單側(cè)接面(例如p-n接面的一半，在接面的其他側(cè)上的理想化行為)的行為，并且數(shù)據(jù)點(diǎn)302示出在本文所述的ー個(gè)實(shí)施方案中實(shí)施的神化鎵太陽(yáng)能電池的行為。如圖中所示，在摻雜濃度降低時(shí)，太陽(yáng)能電池的擊穿電壓降低。為了使帶間隧道效應(yīng)在雪崩擊穿前發(fā)生，摻雜應(yīng)該足夠高，帶間隧道效應(yīng)在比雪崩擊穿電壓更低的電壓下發(fā)生。在該例子中，在約4xl017Cm_3的摻雜濃度下，隨著電壓增加以及更高摻雜濃度，帶間隧道效應(yīng)(齊納)擊穿效應(yīng)在雪崩擊穿前發(fā)生。該齊納擊穿區(qū)域在圖8中表示為區(qū)域303。在該例子中在該摻雜濃度下齊納效應(yīng)在約8-9伏特下發(fā)生，對(duì)于更高摻雜濃度齊納效應(yīng)在更低電壓下發(fā)生。當(dāng)吸收層中的摻雜足夠高時(shí)，例如在本文所述的例子中大于4xl017cm_3，帶間隧道效應(yīng)變?yōu)橹湫該舸C(jī)理。在這樣的情況下，當(dāng)反向偏壓時(shí)，太陽(yáng)能電池具有固有自-旁路路徑。圖9示出圖304，描述當(dāng)本文所述太陽(yáng)能電池被足夠反向偏壓時(shí)發(fā)生的雪崩擊穿。在反向偏壓下，直到達(dá)到擊穿電壓Vb時(shí)太陽(yáng)能電池中才有電流流動(dòng)，在該量級(jí)下電流可以 在具有極大增加的容量下流動(dòng)。圖10示出圖306，描述具有本文所述旁路功能的太陽(yáng)能電池的帶圖在高反向偏壓(對(duì)于齊納擊穿反向偏壓足夠，并且足夠小以引起雪崩擊穿)下。圖306表示電池中的厚度或深度vs.載流子的能量，其中虛線表示導(dǎo)帶并且實(shí)線表示基于從頂面深入到太陽(yáng)能電池的價(jià)帶能量。如所示，當(dāng)耗盡區(qū)域的反向偏壓場(chǎng)中能量帶合并接近時(shí)，發(fā)生帶間隧道效應(yīng)，其在圖10的例子中，如果摻雜濃度為4xl017Cm_3或更高，電池深度為O. 4至O. 6 μ m。該隧道效應(yīng)是齊納效應(yīng)。圖11示出圖308，描述示出在一個(gè)量級(jí)的反向偏壓下太陽(yáng)能電池中“軟性”(更遞進(jìn))擊穿效應(yīng)的線310，并且第二線312示出在更大量級(jí)的反向偏壓下更加尖銳的雪崩擊穿。軟性擊穿310由帶間隧道效應(yīng)引起，在具有更高吸收層摻雜(IxIO18CnT3)的太陽(yáng)能電池中，帶間隧道效應(yīng)在雪崩擊穿可發(fā)生前發(fā)生，而雪崩擊穿312在具有更低吸收層摻雜(IxlO17Cm-3)的太陽(yáng)能電池中發(fā)生，并且因此沒(méi)有帶間隧道效應(yīng)。如上所述，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)取決于吸收層摻雜濃度(如上所述具有高射極層摻雜)，神化鎵太陽(yáng)能電池表現(xiàn)出齊納擊穿效應(yīng)。例如，如果吸收層摻雜濃度為I或2X1017cnT3，約O. 7至2 μ m厚的薄吸收層在約-IOV或更大(量級(jí))的電壓下經(jīng)歷雪崩擊穿。然而，在吸收層厚度為約0.7至Ιμπι并且摻雜濃度為4X1017cm_3的器件中，在約-9V或更低(量級(jí))的電壓下，在可能發(fā)生雪崩擊穿前發(fā)生齊納擊穿，從而避免太陽(yáng)能電池受到破壞性雪崩擊穿的損害。太陽(yáng)能電池140或200的高摻雜的吸收層允許在雪崩擊穿效應(yīng)前在反向偏壓下發(fā)生齊納擊穿效應(yīng)。該齊納擊穿效應(yīng)或自-旁路ニ極管功能性是受控?fù)舸?，其允許遮蔽的電池的電流流動(dòng)，并且避免可以在雪崩擊穿下發(fā)生的太陽(yáng)能電池的任何損害。因此，電池的反向擊穿由帶間隧道效應(yīng)和自-旁路功能性而不是破壞性雪崩擊穿支配。自-旁路功能性允許太陽(yáng)能電池串中各太陽(yáng)能電池在遮蔽的或其他失配條件下接收旁路ニ極管的保護(hù)，然而避免需要連接分立旁路ニ極管。這降低分立旁路ニ極管的設(shè)計(jì)集成的成本和時(shí)間。而且，當(dāng)使用本文所述自-旁路ニ極管功能性時(shí)，在太陽(yáng)能電池的厚度、摻雜和擊穿電壓特性之間的效率具有很小或沒(méi)有妥協(xié)。
基于本文所述神化鎵而不是基于不同的、更加奇異的材料的電池來(lái)賦予光伏電池的自-旁路功能的能力允許使用已經(jīng)用于神化鎵結(jié)構(gòu)和電池的已知技術(shù)來(lái)生產(chǎn)更加通常和低成本的光伏電池。在太陽(yáng)能電池中使用齊納擊穿作為自-旁路功能的另ー優(yōu)點(diǎn)是在特定太陽(yáng)能電池的串中沒(méi)有遮蔽的太陽(yáng)能電池仍舊產(chǎn)生功率，盡管在該串中具有ー個(gè)或多個(gè)遮蔽的電池。一旦齊納擊穿電壓在特定電池(例如遮蔽的電池)中達(dá)到，該電池明顯表現(xiàn)為短路。相反，當(dāng)ー個(gè)或多個(gè)電池足夠遮蔽時(shí)，使用區(qū)別旁路ニ極管引起太陽(yáng)能電池的整個(gè)串具有旁路，使得串中沒(méi)有太陽(yáng)能電池產(chǎn)生功率。在太陽(yáng)能電池中使用自-旁路ニ極管功能的又一優(yōu)點(diǎn)是相比于雪崩擊穿，齊納擊穿是相對(duì)溫度不敏感的。在沒(méi)有齊納擊穿的情況下，雪崩擊穿的敏感性產(chǎn)生限制，在太陽(yáng)能電池的最低運(yùn)行溫度下，串聯(lián)太陽(yáng)能電池的整個(gè)串電壓必須小于雪崩擊穿電壓。因此，當(dāng)圍繞雪崩擊穿設(shè)計(jì)時(shí)，存在由溫度敏感性引起的另外的限制，當(dāng)使用本文所述齊納擊穿時(shí)這不是限制。 而且，如上所述可以提供實(shí)施方案，其中允許光伏器件的耗盡區(qū)域在比周圍吸收層更低摻雜濃度下，并且仍舊保持本文所述旁路功能。例如，P-n接面處的中間層可以具有比相鄰吸收層更低的摻雜濃度。這允許更大的設(shè)計(jì)靈活性，因?yàn)閜-n接面可以在沒(méi)有限制自-旁路功能所需要的較高摻雜濃度的條件下進(jìn)行設(shè)計(jì)。本文所述帶間隧道效應(yīng)可以通過(guò)在吸收層中設(shè)置高摻雜濃度來(lái)至少部分實(shí)現(xiàn)。在其他實(shí)施方案中，帶間隧道效應(yīng)和自-旁路ニ極管功能性可以使用其他方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)增加反向偏壓的量級(jí)時(shí)，帶間隧道效應(yīng)應(yīng)該支配反向偏壓條件，并且在雪崩擊穿效應(yīng)前發(fā)生。盡管已經(jīng)參照所示實(shí)施方案來(lái)描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易地認(rèn)識(shí)到可以對(duì)實(shí)施方案進(jìn)行改變，并且這些改變?cè)诒景l(fā)明的精神和范圍內(nèi)。因此，在不偏離所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行多種變化。
權(quán)利要求
1.ー種形成砷化鎵基光伏器件的方法，該方法包括 提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括包含神化鎵的吸收層；以及 提供在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏壓條件下，所述p-n接面以受控方式通過(guò)齊納擊穿效應(yīng)擊穿。
2.權(quán)利要求I所述的方法，其中在比引起所述p-n接面的雪崩擊穿的電場(chǎng)的量級(jí)低的電場(chǎng)中，所述p-n接面通過(guò)所述齊納擊穿效應(yīng)擊穿。
3.權(quán)利要求I所述的方法，其中所述旁路功能為所述光伏器件的所述p-n接面固有，使得所述光伏器件提供沒(méi)有連接或包括在所述光伏器件中的區(qū)別旁路ニ極管的旁路功能。
4.權(quán)利要求I所述的方法，其中所述吸收層以約4x1017cm_3或更高高度摻雜。
5.權(quán)利要求I所述的方法，其中提供所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成射極層，所述射極層由和所述吸收層不同的材料制成，并且具有比所述吸收層更高帶隙，其中異質(zhì)接面在所述射極層和所述吸收層之間形成。
6.權(quán)利要求5所述的方法，其中中間層在所述吸收層和所述射極層之間形成，所述中間層具有和所述吸收層相同的摻雜類型，并且包括和所述射極層不同的材料，其中P-n接 面形成于從所述異質(zhì)接面偏離的位置。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中所述吸收層以約4xIO17CnT3或更高高度摻雜并且所述中間層以比所述吸收層更低濃度摻雜。
8.—種砷化鎵基光伏器件,包括 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括包含神化鎵的吸收層；以及 所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的p-n接面,所述p-n接面提供旁路功能,其中在反向偏壓條件下，所述p-n接面以受控方式通過(guò)齊納擊穿效應(yīng)擊穿。
9.權(quán)利要求8所述的光伏器件，其中在比引起所述p-n接面的雪崩擊穿的電場(chǎng)的量級(jí)低的電場(chǎng)中，所述P-n接面通過(guò)所述齊納擊穿效應(yīng)擊穿。
10.權(quán)利要求9所述的光伏器件，其中所述光伏器件提供沒(méi)有連接或包括在所述光伏器件中的區(qū)別旁路ニ極管的旁路功能。
11.權(quán)利要求8所述的光伏器件，其中所述吸收層以約4xIO17CnT3或更高高度摻雜。
12.權(quán)利要求8所述的光伏器件，其中所述p-n接面在所述吸收層和射極層之間形成，其中所述吸收層臨近所述射極層設(shè)置。
13.權(quán)利要求8所述的光伏器件，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括射極層，所述射極層由和所述 吸收層不同的材料制成，并且具有比所述吸收層更高帶隙，其中異質(zhì)接面在所述射極層和所述吸收層之間形成。
14.權(quán)利要求13所述的光伏器件，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在所述吸收層和所述射極層之間形成的中間層，所述中間層具有和所述吸收層相同的摻雜類型，并且包括和所述射極層不同的材料，其中P-n接面形成于從所述異質(zhì)接面偏離的位置。
15.權(quán)利要求14所述的光伏器件，其中所述吸收層以約4xIO17CnT3或更高高度摻雜并且所述中間層以比所述吸收層更低濃度摻雜。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施方案通常涉及光伏器件。在一個(gè)實(shí)施方案中，形成砷化鎵基光伏器件的方法包括提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括包含砷化鎵的吸收層。提供在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏壓條件下p-n接面以受控方式通過(guò)齊納擊穿效應(yīng)擊穿。
文檔編號(hào)H01L31/02GK102683479SQ20121002795
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月9日
發(fā)明者B·M·卡耶斯, H·聶, I·C·凱茲亞力 申請(qǐng)人:埃爾塔設(shè)備公司