專利名稱：固態(tài)圖像拾取裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固態(tài)圖像拾取裝置，并且特別涉及固態(tài)圖像拾取裝置的元件隔離結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
日本專利公開No.2009-016810公開了光電轉(zhuǎn)換部分和像素晶體管(有源元件)之間的元件隔離結(jié)構(gòu)。特別地，公開了具有以下特性的元件隔離結(jié)構(gòu)。首先，在導(dǎo)電類型與像素晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域相反的半導(dǎo)體區(qū)域中形成元件隔離區(qū)域。第二，在不具 有段差(level differences)的平坦?fàn)顟B(tài)中形成設(shè)置在從像素晶體管的溝道區(qū)域到元件隔離區(qū)域的區(qū)域中的絕緣膜。根據(jù)日本專利公開No. 2009-016810，可通過這種元件隔離結(jié)構(gòu)減少由像素晶體管占據(jù)的面積。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置具有包含有源區(qū)的半導(dǎo)體基板；第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域；第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域；浮動擴散區(qū)域；被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的絕緣體；和通過絕緣體被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷的傳送的傳送柵電極，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域和浮動擴散區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與傳送柵電極的一部分重疊，第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分和第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為在沿半導(dǎo)體基板和絕緣體的界面的方向上相互鄰近，并且，從所述界面到第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述一部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離。從參照附圖對示例性實施例進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。


圖I是根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的等價電路圖。圖3A是根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3B是根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3C是根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。圖5A是根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5B是根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5C是根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖7A是根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7B是根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7C是根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8A是示出根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。圖SB是示出根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的例子4的固態(tài)圖像拾取裝置的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的例子4的固態(tài)圖像拾取裝置的等價電路11是根據(jù)本發(fā)明的例子5的固態(tài)圖像拾取裝置的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置具有半導(dǎo)體基板I。半導(dǎo)體基板I是構(gòu)成固態(tài)圖像拾取裝置的部件之中的半導(dǎo)體材料部分。半導(dǎo)體基板I指的是例如通過已知的半導(dǎo)體制造工藝在半導(dǎo)體晶片上形成半導(dǎo)體區(qū)域的半導(dǎo)體基板。作為半導(dǎo)體材料，提到硅。絕緣體2在半導(dǎo)體基板I上被設(shè)置為與半導(dǎo)體基板I接觸。例如，絕緣體2是氧化硅膜。半導(dǎo)體基板I具有有源區(qū)。有源區(qū)是半導(dǎo)體基板I的設(shè)置構(gòu)成元件的半導(dǎo)體區(qū)域的區(qū)域。有源區(qū)的邊界由絕緣體隔離部分限定。更具體地講，沒有設(shè)置絕緣體隔離部分的區(qū)域可被稱為有源區(qū)。在一些情況下，絕緣體隔離部分也被稱為場部分(field portion) 0特別地，通過LOCOS (硅的局部氧化)、STI (淺溝槽隔離)等限定有源區(qū)的邊界?；蛘撸麄€半導(dǎo)體基板I可以是有源區(qū)。在諸如STI或LOCOS的絕緣體隔離部分中，絕緣體在局部上相對于其它部分要厚，或者，在半導(dǎo)體基板中形成溝槽。沒經(jīng)受這種處理(加厚絕緣體、形成溝槽等)的區(qū)域可被稱為有源區(qū)。從不同的視角，在有源區(qū)中，半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面可以是幾乎平坦的?！皫缀跗教埂北硎具@樣的事實由于由疊層缺陷導(dǎo)致的段差、晶片水平的彎曲等，界面不是理想的表面。本說明書中的平面指的是有源區(qū)中與半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面平行的表面。本說明書中的深度方向是有源區(qū)中與半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面垂直的方向。以下，參照圖I描述本發(fā)明的主要部分。圖I示出固態(tài)圖像拾取裝置的平面示意圖。圖I示出多個有源區(qū)115a、115b和115c。特別地，示出設(shè)置光電轉(zhuǎn)換部分和FD的有源區(qū)115a以及設(shè)置像素晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的有源區(qū)115b和115c。在有源區(qū)115a中，設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域101。例如，N型半導(dǎo)體區(qū)域101構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部分的一部分。作為光電轉(zhuǎn)換部分，提到光電二極管(以下，稱為H))。在N型半導(dǎo)體區(qū)域101中收集通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電子。N型半導(dǎo)體區(qū)域101可以是能夠蓄積通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電子的區(qū)域。并且，在有源區(qū)115a上設(shè)置浮動擴散區(qū)域(以下，稱為FD) 105。FD 105由N型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成。通過絕緣體2在半導(dǎo)體基板I上設(shè)置用于從N型半導(dǎo)體區(qū)域101向FD 105傳送電子的傳送柵電極103。如圖I所示，構(gòu)成TO的N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分和傳送柵電極103的一部分相互重疊。換句話說，當(dāng)將N型半導(dǎo)體區(qū)域101和傳送柵電極103投影到一個平面上時，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分和傳送柵電極103的一部分投影在所述平面上的相同區(qū)域。在有源區(qū)115a上，設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域106。N型半導(dǎo)體區(qū)域101的與傳送柵電極103重疊的一部分與P型半導(dǎo)體區(qū)域106沿所述平面方向被設(shè)置為相互鄰近。所述平面方向是沿半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面的方向。因此，P型半導(dǎo)體區(qū)域106可用作對于N型半導(dǎo)體區(qū)域101的電子的勢壘。或者，P型半導(dǎo)體區(qū)域106可具有使N型半導(dǎo)體區(qū)域101與另一元件電氣隔離的功能。其他元件指的是設(shè)置在有源區(qū)115a上的另一 N型半導(dǎo)體區(qū)域。例如，P型半導(dǎo)體區(qū)域106可具有作為電氣隔離N型半導(dǎo)體區(qū)域101和包含于另一光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域102的元件隔離的功能。或者，P型半導(dǎo)體區(qū)域106可具有電氣隔離N型半導(dǎo)體區(qū)域101與埋入有源區(qū)115a中的導(dǎo)體的功能。因此，可認(rèn)為，當(dāng)P型半導(dǎo)體區(qū)域106至少用作對于N型半導(dǎo)體區(qū)域101的勢壘或元件隔離時，P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101相鄰。并且，可以認(rèn)為，當(dāng)P型半導(dǎo)體區(qū)域106與N型半導(dǎo)體區(qū)域101構(gòu)成PN結(jié)時，P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101相鄰。本發(fā)明具有從半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面到N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度不同于從半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面到P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度的特征。圖4A和圖4B示出沿半導(dǎo)體基板I的深度方向的雜質(zhì)分布?？v軸表示雜質(zhì)濃度，橫軸表示深度。沿深度方向的雜質(zhì)濃度的標(biāo)記形成曲線。所述曲線達(dá)到最大點處的點是雜質(zhì)濃度峰。這里，深度的標(biāo)準(zhǔn)(橫軸的開始點)是光電轉(zhuǎn)換部分中半導(dǎo) 體基板I和絕緣體2的界面。隨后，描述通過N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度相互不同的事實獲得的效果。首先，描述通過以與傳送柵電極103重疊的方式設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分來提高從N型半導(dǎo)體區(qū)域101到FD 105的電荷傳送效率。然后，描述通過以與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分相鄰的方式設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域106來提高傳送效率的效果降低的可能性。最后，描述作為本發(fā)明的特征的通過雜質(zhì)濃度峰的深度方向的位置關(guān)系解決上述的問題并且提聞傳送效率的事實。當(dāng)電荷從N型半導(dǎo)體區(qū)域101傳送到FD 105時，預(yù)先確定的電壓被供給到傳送柵電極103。結(jié)果，在傳送柵電極103正下方形成溝道。所述預(yù)先確定的電壓是用于形成溝道的電壓。電荷通過溝道從N型半導(dǎo)體區(qū)域101向FD 105移動。在本發(fā)明中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分和傳送柵電極103的一部分被設(shè)置為相互重疊。更具體地講，在傳送柵電極103正下方的要形成溝道的區(qū)域中設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分。這抑制溝道中的勢壘的產(chǎn)生。結(jié)果，傳送效率提高。相反，通過向預(yù)先確定的區(qū)域添加P型雜質(zhì)(受主)形成P型半導(dǎo)體區(qū)域106。但是，根據(jù)添加P型雜質(zhì)的半導(dǎo)體工藝的位置控制的精度，存在可能向預(yù)先確定的區(qū)域以外的區(qū)域添加了 P型雜質(zhì)的可能性?；蛘?，在離子注入之后的熱處理的工藝中，P型雜質(zhì)可能被擴散到了所述預(yù)先確定的區(qū)域以外的區(qū)域。因此，當(dāng)P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101相鄰時，存在P型雜質(zhì)也可能被添加到N型半導(dǎo)體區(qū)域101的可能性。通過這種P型雜質(zhì),補償N型半導(dǎo)體區(qū)域101中的N型雜質(zhì)(施主)。特別地，當(dāng)N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置處于相同的深度時，P型半導(dǎo)體區(qū)域106的相對高雜質(zhì)濃度部分被設(shè)置在N型半導(dǎo)體區(qū)域101附近。因此，通過大量的P型雜質(zhì)補償N型半導(dǎo)體區(qū)域101的N型雜質(zhì)。結(jié)果，存在N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度可大幅變低的可能性?；蛘?，還想象要作為N型半導(dǎo)體區(qū)域的區(qū)域變?yōu)楸菊靼雽?dǎo)體區(qū)域或P型半導(dǎo)體區(qū)域的情況。在這種情況下，存在N型半導(dǎo)體區(qū)域101的面積可能大幅變小的可能性。并且，N型半導(dǎo)體區(qū)域101中的包含設(shè)置雜質(zhì)濃度峰的部分的相對高雜質(zhì)濃度區(qū)域的雜質(zhì)濃度或面積可能是小的。N型半導(dǎo)體區(qū)域101的相對高雜質(zhì)濃度區(qū)域支配性地貢獻(xiàn)于提高傳送效率的上述效果。因此，當(dāng)這種區(qū)域的雜質(zhì)濃度或面積小時，傳送效率的提高的效果也可能被消除。因此，當(dāng)N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的雜質(zhì)濃度變低時或者當(dāng)其面積變小時，存在傳送效率會降低的可能性。首先，這是因為，上述的傳送效率的提高的效果降低。或者，第二，這是因為，由于N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的溝道寬度方向的長度的減小從而有效的溝道寬度變窄。當(dāng)N型半導(dǎo)體區(qū)域101的不與傳送柵電極103重疊的部分的雜質(zhì)濃度或面積變小時，例如，靈敏度(sensitivity)或飽和電荷量會減少。但是，由于N型半導(dǎo)體區(qū)域101的面積足夠大，因此，可以認(rèn)為影響是幾乎可忽略不計的。相反，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分具有小的面積。因此，即使當(dāng)雜質(zhì)濃度或面積減小的絕 對量相同時，相對的比率也變大。因此，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的面積或雜質(zhì)濃度的減小導(dǎo)致的傳送效率的降低是要解決的問題。在本發(fā)明中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上是不同的。因此，可以解決上述的問題。根據(jù)本發(fā)明，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰被設(shè)置在不同的深度處。因此，即使當(dāng)N型半導(dǎo)體區(qū)域101和P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置為在平面內(nèi)觀察時相互鄰近時，其高雜質(zhì)濃度部分也被設(shè)置在深度方向上的預(yù)先確定的距離處。因此，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的N型雜質(zhì)之中的被P型半導(dǎo)體區(qū)域106的P型雜質(zhì)補償?shù)腘型雜質(zhì)的數(shù)量減少。因此，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度或面積難以是小的。結(jié)果，通過N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分被設(shè)置為與傳送柵電極103的一部分重疊所獲得的傳送效率的提高的效果變好。可通過各種方法形成具有雜質(zhì)濃度峰的半導(dǎo)體區(qū)域。作為一種方法，提到離子注入。當(dāng)通過離子注入形成半導(dǎo)體區(qū)域時，半導(dǎo)體區(qū)域在預(yù)先確定的深度處具有雜質(zhì)濃度峰。然后，可在使得保持雜質(zhì)濃度峰的條件下執(zhí)行熱處理。即使在通過使用離子注入形成半導(dǎo)體區(qū)域的情況下，雜質(zhì)濃度峰位于層疊于半導(dǎo)體基板I上的絕緣體2中的通過能量的離子注入形成的半導(dǎo)體區(qū)域也未必在半導(dǎo)體區(qū)域中具有雜質(zhì)濃度峰。當(dāng)本發(fā)明被應(yīng)用于平面內(nèi)觀察時的FD 105的面積小于平面內(nèi)觀察時的N型半導(dǎo)體區(qū)域101的面積的配置時，效果更好。原因如下。當(dāng)FD面積小于ro面積時，溝道的寬度比ro的溝道方向的寬度窄。另外，就傳送效率而言，較短的溝道長度是有益的。因此，在許多情況下，溝道面積比ro面積小。因此，與N型半導(dǎo)體區(qū)域ιο 的其它部分的面積相比，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的面積非常小。因此，當(dāng)本發(fā)明被應(yīng)用于這種配置時，獲得更好的效果。并且，由于平面內(nèi)觀察時的FD 105的面積小于平面內(nèi)觀察時的N型半導(dǎo)體區(qū)域101的面積，因此，還獲得改善靈敏度、改善飽和電荷或者改善電荷/電壓轉(zhuǎn)換效率的效果。首先，這是由于，對于增加靈敏度或飽和電荷量，具有大的面積的ro是更有益的。第二，這是由于，F(xiàn)D容量對于增加電荷/電壓轉(zhuǎn)換效率適當(dāng)?shù)匦?，并且最終，具有小的面積的FD是更有益的。這里，平面內(nèi)觀察時的ro的面積指的是當(dāng)將ro投影到一個平面上時在該平面上投影ro的區(qū)域的面積。平面內(nèi)觀察時的FD 105的面積指的是當(dāng)將FD 105投影到一個平面上時FD 105被投影到該平面上的區(qū)域的面積。以下，除非另外規(guī)定，否則，平面內(nèi)觀察時的面積被簡稱為“面積”。在以上的描述中，作為例子公開了使用電子作為信號電荷的配置。但是，可以使用空穴作為信號電荷。當(dāng)使用電子作為信號電荷時，第一導(dǎo)電類型是N型并且第二導(dǎo)電類型是P型。當(dāng)使用空穴作為信號電荷時，各半導(dǎo)體區(qū)域的導(dǎo)電類型會與信號電荷是電子時的導(dǎo)電類型相反。更具體地講，第一導(dǎo)電類型是P型并且第二導(dǎo)電類型是N型。例子I參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的例子。圖I是根據(jù)本發(fā)明的例子I的固態(tài)圖像拾取裝置的示意性平面圖。 101和102表示構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部分的N型半導(dǎo)體區(qū)域。各區(qū)域與設(shè)置在半導(dǎo)體基板的深位置處的P型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成PN結(jié)H)。P型半導(dǎo)體區(qū)域為例如P型阱或P型埋入層。入射光在光電轉(zhuǎn)換部分中被轉(zhuǎn)換成電荷。在N型半導(dǎo)體區(qū)域101和102中蓄積通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電荷。103和104表不傳送柵電極。105表不FD。N型半導(dǎo)體區(qū)域101的電荷通過傳送柵電極103被傳送到FD 105。N型半導(dǎo)體區(qū)域102的電荷通過傳送柵電極104被傳送到FD105。FD 105用作后面描述的放大部分的輸入部分。特別地，F(xiàn)D 105將傳送到FD 105的電荷轉(zhuǎn)換成根據(jù)電荷量的電壓。在本例子中，兩個N型半導(dǎo)體區(qū)域101和102的電荷被傳送到作為共用節(jié)點的FD 105。但是，它可被配置為使得FD被設(shè)置為針對各光電轉(zhuǎn)換部分的不同的節(jié)點，其方式為N型半導(dǎo)體區(qū)域101的電荷被傳送到第一 FD并且N型半導(dǎo)體區(qū)域102的電荷被傳送到與第一 FD不同的第二 FD。在N型半導(dǎo)體區(qū)域101和N型半導(dǎo)體區(qū)域102之間，設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域106。P型半導(dǎo)體區(qū)域106電氣隔離N型半導(dǎo)體區(qū)域101和N型半導(dǎo)體區(qū)域102。P型半導(dǎo)體區(qū)域107是用于構(gòu)成作為埋入的光電二極管的ro的表面區(qū)域。P型半導(dǎo)體區(qū)域107相對于N型半導(dǎo)體區(qū)域101和102被設(shè)置在半導(dǎo)體基板的較淺的位置處。P型半導(dǎo)體區(qū)域107被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的整個表面重疊是合適的。當(dāng)然，它可被配置為使得P型半導(dǎo)體區(qū)域107被設(shè)置為僅與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分重疊。并且，P型半導(dǎo)體區(qū)域107可被設(shè)置為與P型半導(dǎo)體區(qū)域106的一部分或全部重疊。P型半導(dǎo)體區(qū)域107可與P型半導(dǎo)體區(qū)域106電連接。108表示復(fù)位晶體管的柵電極。109和110分別表示復(fù)位晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。復(fù)位晶體管的源極區(qū)域109與FD 105電連接。111表示放大晶體管的柵電極。112和113分別表示放大晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。放大晶體管的柵電極111與FD 105電連接。114表示絕緣體隔離部分。例如,絕緣體隔離部分114為STI。由絕緣體隔離部分114限定邊界的區(qū)域是有源區(qū)。特別地，在圖I中，由實線115a 115c包圍的區(qū)域是有源區(qū)。如圖I所示，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊。P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置在與N型半導(dǎo)體區(qū)域的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分相鄰的有源區(qū)115a中。
P型半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在在有源區(qū)115a中與傳送柵電極103重疊的部分中的不設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域101和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的區(qū)域中。例如，所述P型半導(dǎo)體區(qū)域是P型阱?；蛘?，所述區(qū)域可經(jīng)受溝道摻雜，以用作用于調(diào)整晶體管的閾值的閾值調(diào)整區(qū)域。圖2是本例子中的像素的等價電路圖。201表示第一光電轉(zhuǎn)換部分。202表示第二光電轉(zhuǎn)換部分。第一光電轉(zhuǎn)換部分201被構(gòu)造為包含圖I的N型半導(dǎo)體區(qū)域101。構(gòu)成包含圖I的N型半導(dǎo)體區(qū)域102的第二光電轉(zhuǎn)換部分202。203表不第一傳送晶體管。204是第二傳送晶體管。第一傳送晶體管203的柵極被構(gòu)造為包含圖I的傳送柵電極103。圖I的N型半導(dǎo)體區(qū)域101與第一傳送晶體管203的源極對應(yīng)。圖I的FD 105與第一傳送晶體管203的漏極對應(yīng)。圖I的傳送柵電極104、N型半導(dǎo)體區(qū)域102和FD 105分別與第二傳送晶體管204的柵極、源極和漏極對應(yīng)。206表示復(fù)位晶體管。207表示放大晶體管。205表示放大晶體管207的輸入節(jié)點。圖I的FD 105與放大晶體管207的輸入節(jié)點205對應(yīng)。更具體地講，在本例子中，F(xiàn)D105用作放大晶體管的輸入部分。208表示電源。電源208與復(fù)位晶體管206的漏極和放大晶體管207的漏極電連接。放大晶體管207的源極與輸出線209連接。通過上述的電路配置，根據(jù)入射到光電轉(zhuǎn)換部分的光的信號被輸出到輸出線209。簡要描述操作。首先，當(dāng)復(fù)位晶體管206接通時，輸入節(jié)點205被復(fù)位到電源電壓。隨后，當(dāng)傳送晶體管203接通時，在第一光電轉(zhuǎn)換部分201中蓄積的電荷被傳送到輸入節(jié)點205。傳送到輸入節(jié)點205的電荷被轉(zhuǎn)換成電壓。更具體地講，輸入節(jié)點205的電壓從電源電壓或復(fù)位FD時的電壓以根據(jù)傳送的電荷的量的電壓改變。放大晶體管向輸出線209輸出根據(jù)輸入節(jié)點的電壓的電壓。第一傳送晶體管203、第二傳送晶體管204和復(fù)位晶體管206的ON和OFF由供給到其各自的柵極的電壓控制。下面，描述本例子的截面的結(jié)構(gòu)和沿深度方向的雜質(zhì)分布。圖3A、圖3B和圖3C分別表示沿圖I的ΠΙΑ-ΙΠΑ線、IIIB-IIIB線和IIIC-IIIC線的截面的示意圖。與圖I中的那些對應(yīng)的部分由相同的附圖標(biāo)記表示。圖4A示出沿圖3A的虛線Pll和虛線P12的雜質(zhì)分布。圖4B示出沿圖3B的虛線P13和虛線P14的雜質(zhì)分布。在圖4A和圖4B中，縱軸表示雜質(zhì)濃度，并且橫軸表示距半導(dǎo)體基板與絕緣體2的界面的深度。圖3A表不兩個光電轉(zhuǎn)換部分的截面。P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置為相對于N型半導(dǎo)體區(qū)域102和103延伸到半導(dǎo)體基板的更深的位置。因此，N型半導(dǎo)體區(qū)域101和102在距所述界面深的位置處也被元件隔離部分106電氣隔離。P型半導(dǎo)體區(qū)域107被設(shè)置在比N型半導(dǎo)體區(qū)域101和102以及P型半導(dǎo)體區(qū)域106的位置淺的位置處。302表示半導(dǎo)體基板I和絕緣體2的界面。絕緣體2以與半導(dǎo)體基板I接觸的方式被設(shè)置在半導(dǎo)體基板I上。由于P型半導(dǎo)體區(qū)域107以延伸到與元件隔離部分106重疊的位置的方式被設(shè)置的事實，因此，可更有效地執(zhí)行N型半導(dǎo)體區(qū)域101和N型半導(dǎo)體區(qū)域102之間的電氣隔離。301表示P型半導(dǎo)體區(qū)域。P型半導(dǎo)體區(qū)域301與N型半導(dǎo)體區(qū)域101和102構(gòu)成PN結(jié)。例如，P型半導(dǎo)體區(qū)域301是設(shè)置在N型半導(dǎo)體基板上的P型阱。P型阱可由設(shè)置在不同深度處的多個P型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成。或者，P型半導(dǎo)體區(qū)域301可以是P型半導(dǎo)體基板。更具體地講，在通過在P型半導(dǎo)體基板的預(yù)先確定的位置處設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域來構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部分的情況下，不設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域并且原樣保持P型半導(dǎo)體基板的區(qū)域可作為P型半導(dǎo)體區(qū)域301。圖4A表示沿圖3A的虛線？11和虛線？12的雜質(zhì)分布。虛線Pll表示光電轉(zhuǎn)換部分中的深度方向。虛線P12表示設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域106的區(qū)域中的深度方向。在光電轉(zhuǎn)換部分中，包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域107中的雜質(zhì)、包含于N型半導(dǎo)體區(qū)域102中的雜質(zhì)和包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域301中的雜質(zhì)從較淺的側(cè)起被依次設(shè)置。在設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域106的區(qū)域中，包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域107中的雜質(zhì)、包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域106中的雜質(zhì)和包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域301中的雜質(zhì)從較淺的側(cè)起被依次設(shè)置。因此，在示出雜質(zhì)分布的示圖中，N型半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)分布由“η”表示，并且，P型半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)分布由“p”表示。這也適用于以下的示圖。如圖4Α所示，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置不同。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置 位于比P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置淺的部分處。雖然沒有示出，但是，N型半導(dǎo)體區(qū)域102的雜質(zhì)濃度峰的位置位于與P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度不同的深度處。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域102的雜質(zhì)濃度峰的位置位于比P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置淺的位置處。圖3Β和圖3C示出包含傳送柵電極103的截面的示意圖。圖3Β示出與從N型半導(dǎo)體區(qū)域101到FD 105的電荷傳送方向垂直的截面的示意圖。圖3C示出包含電荷傳送方向的截面的示意圖。在圖3Β和圖3C中，傳送柵電極103通過絕緣體(未示出)被設(shè)置在半導(dǎo)體基板I上。如圖3Β和圖3C所示，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊。如圖3Β所示，P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置在與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分相鄰的區(qū)域中。絕緣體隔離部分114被設(shè)置在P型半導(dǎo)體區(qū)域106的相對側(cè)。如圖3Β所示，傳送柵電極103的一部分可與P型半導(dǎo)體區(qū)域106重疊。如圖3Β和圖3C所示，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分不與P型半導(dǎo)體區(qū)域107重疊。換句話說，相對于P型半導(dǎo)體區(qū)域107，N型半導(dǎo)體區(qū)域101沿電荷傳送方向延伸到FD 105的附近。根據(jù)這種配置，電荷傳送效率可增加?？赏ㄟ^以下的方法制造這種配置。例如，首先形成傳送柵電極103。然后，通過在沿潛入傳送柵電極103下面的方向給予傾度(inclination)的同時注入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體區(qū)域101，然后，相反地，通過在沿遠(yuǎn)離傳送柵電極103的方向給予傾度的同時注入雜質(zhì)形成P型半導(dǎo)體區(qū)域107。根據(jù)另一方法，首先形成N型半導(dǎo)體區(qū)域101。然后，傳送柵電極103形成為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101重疊。然后，通過使用傳送柵電極103作為掩模形成P型半導(dǎo)體區(qū)域107。圖4B示出沿圖3B的虛線P13和虛線P14的雜質(zhì)分布。虛線P13示出N型半導(dǎo)體區(qū)域101和傳送柵電極103重疊的區(qū)域中的深度方向。虛線P14示出被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分鄰近的P型半導(dǎo)體區(qū)域106中的深度方向。在N型半導(dǎo)體區(qū)域101和傳送柵電極103重疊的區(qū)域中，包含于N型半導(dǎo)體區(qū)域101中的雜質(zhì)和包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域301中的雜質(zhì)從較淺的側(cè)起被依次設(shè)置。在設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域106的區(qū)域中，包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域107中的雜質(zhì)、包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域106中的雜質(zhì)和包含于P型半導(dǎo)體區(qū)域301中的雜質(zhì)從較淺的側(cè)起被依次設(shè)置。如圖4B所示，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置不同。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分的雜質(zhì)濃度峰被設(shè)置在比P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置淺的位置處。雖然沒有示出，但是N型半導(dǎo)體區(qū)域102的被設(shè)置為與傳送柵電極104重疊的部分的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置不同。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域102的所述部分的雜質(zhì)濃度峰被設(shè)置在比P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置淺的位置處。當(dāng)N型半導(dǎo)體區(qū)域102的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置相互稍微不同時，可以獲得本發(fā)明的效果。從界面302到N型半導(dǎo)體區(qū)域 102的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度與從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離在深度上適當(dāng)?shù)叵嗖?0人或更大。當(dāng)通過離子注入形成半導(dǎo)體區(qū)域時，深度差大于侵入(penetration)深度的標(biāo)準(zhǔn)偏差的1/10是合適的。所述標(biāo)準(zhǔn)偏差是從離子的平均侵入深度到雜質(zhì)濃度達(dá)到平均侵入深度處的雜質(zhì)濃度的半值處的深度的距離。更具體地講，從雜質(zhì)濃度峰的位置到雜質(zhì)濃度達(dá)到雜質(zhì)濃度峰的半值的位置的距離是標(biāo)準(zhǔn)偏差。在本例子中，存在具有與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的深度相同的深度的雜質(zhì)濃度峰的P型半導(dǎo)體區(qū)域可被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101鄰接的情況。例如，提到P型半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度與N型半導(dǎo)體區(qū)域101或P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度相比足夠低的情況。例如，提到雜質(zhì)濃度為1/10或更低的情況等。當(dāng)雜質(zhì)濃度為1/10或更低時，對于N型半導(dǎo)體區(qū)域101或P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度的影響最多為約10%。因此，影響是可忽略不計的?？紤]入射光在基板內(nèi)經(jīng)受光電轉(zhuǎn)換的事實，當(dāng)P型半導(dǎo)體區(qū)域107被形成得深時，信號電荷由于再組合而消失從而導(dǎo)致靈敏度的降低，因此，P型半導(dǎo)體區(qū)域107的深度淺是合適的。特別地，P型半導(dǎo)體區(qū)域107的雜質(zhì)濃度峰的位置距界面302具有O. 10 μ m內(nèi)的深度是合適的。為了形成P型半導(dǎo)體區(qū)域107而注入的雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度峰可位于重疊于半導(dǎo)體基板I上的絕緣體中。在這種情況下，雜質(zhì)濃度峰不存在于P型半導(dǎo)體區(qū)域107中。當(dāng)為了減少界面302處雜質(zhì)的偏析(segregation)或堆積(pileup)而使用電子作為信號電荷時，通過硼或硼化合物適當(dāng)?shù)匦纬蒔型半導(dǎo)體區(qū)域107。當(dāng)使用空穴作為信號電荷時，導(dǎo)電類型反轉(zhuǎn)。更具體地講，通過砷或砷化合物適當(dāng)?shù)匦纬蒒型半導(dǎo)體區(qū)域107。當(dāng)N型半導(dǎo)體區(qū)域101的與傳送柵電極103重疊的部分被設(shè)置得深時，存在用于電荷傳送的電壓會變高的可能性。因此，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的雜質(zhì)濃度峰的位置適當(dāng)?shù)鼐嘟缑?02更深O. 00 μ m和距界面302更淺O. 30 μ m。從界面302到N型半導(dǎo)體區(qū)域101的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 10 μ m O. 20 μ m的范圍中?？紤]雜質(zhì)的擴散，當(dāng)使用電子作為信號電荷時，通過砷或砷化合物適當(dāng)?shù)匦纬蒒型半導(dǎo)體區(qū)域101。當(dāng)使用空穴作為信號電荷時，導(dǎo)電類型反轉(zhuǎn)。更具體地講，通過硼或硼化合物適當(dāng)?shù)匦纬蒔型半導(dǎo)體區(qū)域101。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 20 μ m O. 30 μ m的范圍中。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度更適當(dāng)?shù)靥幱贠. 22 μ m O. 25 μ m的范圍中?？紤]雜質(zhì)的擴散，當(dāng)使用電子作為信號電荷時，通過硼或硼化合物適當(dāng)?shù)匦纬蒔型半導(dǎo)體區(qū)域106。當(dāng)使用空穴作為信號電荷時，通過砷或砷化合物適當(dāng)?shù)匦纬稍綦x層106。因此，在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分的雜質(zhì)濃度峰的位置比P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置淺。根據(jù)這種配置，可以在降低用于電荷傳送的電壓的同時執(zhí)行電氣隔離。 如上所述，在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上相互不同。根據(jù)這種配置，可以抑制N型半導(dǎo)體區(qū)域101的與傳送柵電極103重疊的部分的雜質(zhì)濃度的降低。結(jié)果，可提高從光電轉(zhuǎn)換部分到FD 105的電荷傳送效率。在本例子中，多個光電轉(zhuǎn)換部分的電荷被傳送到共用FD。在這種情況下，沿與設(shè)置多個光電轉(zhuǎn)換部分的方向(由圖I的AB線表不的方向)不同的方向(由圖I的EF線表示的方向)傳送電荷。在這種配置中，緊密地設(shè)置多個光電轉(zhuǎn)換部分。為了隔離緊密設(shè)置的兩個光電轉(zhuǎn)換部分，P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度適當(dāng)?shù)剌^高。相反，當(dāng)P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度變高時，由于雜質(zhì)的擴散，傳送溝道的有效寬度變窄。更具體地講，確保電氣隔離性能和確保傳送溝道的寬度之間的關(guān)系建立折衷關(guān)系。因此，電荷傳送效率降低的問題變得更明顯。因此，通過向該配置應(yīng)用本發(fā)明使得如在本例子那樣向共用FD傳送多個光電轉(zhuǎn)換部分的電荷，獲得更明顯的效果。例子2描述根據(jù)本發(fā)明的例子2。本例子的平面結(jié)構(gòu)、等價電路和操作與例子I中的那些相同。例子2與例子I的不同在于，在一個光電轉(zhuǎn)換部分中包含被設(shè)置在不同的深度處的多個N型半導(dǎo)體區(qū)域。參照附圖描述這種不同。在圖I中示出本例子的平面結(jié)構(gòu)。圖5A、圖5B和圖5C分別示出沿圖I的VA-VA線、VB-VB線和VC-VC線的截面的示意圖。圖6A示出沿圖5A的虛線P21和虛線P22的雜質(zhì)分布。圖6B示出沿圖5B的虛線P23和虛線P24的雜質(zhì)分布。在圖6A和圖6B中，縱軸表示雜質(zhì)濃度并且橫軸表示距半導(dǎo)體基板I與絕緣體的界面的深度。具有與例子I相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，并且，省略其詳細(xì)描述。如圖5A 5C所示，在本例子中，相對于N型半導(dǎo)體區(qū)域101，N型半導(dǎo)體區(qū)域501設(shè)置在距界面302更深的位置處。在平面內(nèi)觀察，N型半導(dǎo)體區(qū)域501與N型半導(dǎo)體區(qū)域101部分或完全重疊。N型半導(dǎo)體區(qū)域101和501包含于一個光電轉(zhuǎn)換部分(圖2的第一光電轉(zhuǎn)換部分201)中。如圖5A所示，相對于N型半導(dǎo)體區(qū)域102，N型半導(dǎo)體區(qū)域502設(shè)置在距界面302更深的位置處。在平面內(nèi)觀察，N型半導(dǎo)體區(qū)域502與N型半導(dǎo)體區(qū)域102部分或完全重疊。N型半導(dǎo)體區(qū)域102和502包含于一個光電轉(zhuǎn)換部分(圖2的第二光電轉(zhuǎn)換部分202)中。圖6A示出沿光電轉(zhuǎn)換部分中的深度方向(虛線P21)的雜質(zhì)分布。由于被設(shè)置在不同的深度處的N型半導(dǎo)體區(qū)域101和N型半導(dǎo)體區(qū)域501相互重疊，因此，出現(xiàn)與兩個N型半導(dǎo)體區(qū)域?qū)?yīng)的兩個雜質(zhì)濃度峰。更具體地講，所述峰是N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰和N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰。N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置比N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰的位置淺。圖6A還示出沿P型半導(dǎo)體區(qū)域106中的深度方向(虛線P22)的雜質(zhì)分布。如圖6A所示，P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置和N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰的位置都不同。圖6B示出N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分中沿深度方向(虛線P23)的雜質(zhì)分布。圖6B還示出被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的一部分相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域106中沿深度方向(虛線P24)的雜質(zhì)分布。如圖6B所示，P型半導(dǎo) 型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰的位置都不同。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰、P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰和N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰從界面302起被依次設(shè)置。在本例子中，從界面302到N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 10 μ m O. 20 μ m的范圍中。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 20 μ m O. 25 μ m的范圍中。從界面302到N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 25 μ m O. 35 μ m的范圍中。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域107的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. ΟΟμπι O. 10 μ m的范圍中。因此，由于在一個光電轉(zhuǎn)換部分中包含具有不同深度的多個N型半導(dǎo)體區(qū)域的事實，因此，可以在更深的位置處設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域。這是由于可通過不同的注入能量通過多次的離子注入容易地形成具有不同的深度的多個N型半導(dǎo)體區(qū)域。由于N型半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在更深的位置處的事實，因此，可以蓄積在半導(dǎo)體基板I的深的位置處產(chǎn)生的電荷。結(jié)果，靈敏度可以提高。如圖5C所示，在本例子中，相對于N型半導(dǎo)體區(qū)域501，N型半導(dǎo)體區(qū)域101沿電荷傳送方向延伸到FD 105。這種配置對于形成傳送柵電極103并然后形成N型半導(dǎo)體區(qū)域101和501的情況是有益的。當(dāng)在淺側(cè)形成N型半導(dǎo)體區(qū)域101時，可通過在沿潛入傳送柵電極103下面的方向給予傾度的同時注入雜質(zhì)，降低用于從N型半導(dǎo)體區(qū)域101到FD105的電荷傳送的電壓。在這種情況下，通過增加傾度，通過光致抗蝕劑或傳送柵電極103獲得的遮蔽效果變大，并且將被注入的雜質(zhì)的量減少。結(jié)果，N型半導(dǎo)體區(qū)域101中的雜質(zhì)總量減少。為了補償雜質(zhì)的減少，通過在與形成N型半導(dǎo)體區(qū)域101的情況相比降低傾度的同時或者在垂直狀態(tài)中注入離子，形成更深側(cè)的N型半導(dǎo)體區(qū)域501。因此，遮蔽效果降低，并且，光電轉(zhuǎn)換部分的雜質(zhì)量可增加。結(jié)果，用于傳送電荷的電壓可保持在低水平而不減少蓄積的電荷量。并且，可通過砷或砷化合物的離子注入形成N型半導(dǎo)體區(qū)域101，并且，可通過磷或磷化合物的離子注入形成N型半導(dǎo)體區(qū)域501。由于磷比砷輕，因此，雜質(zhì)可被注入到更深的位置中。相反，由于砷比磷重，因此，砷的優(yōu)點在于砷難以擴散。當(dāng)然，N型半導(dǎo)體區(qū)域101和N型半導(dǎo)體區(qū)域501均可通過砷或砷化合物的離子注入形成。例子3描述根據(jù)本發(fā)明的例子3。本例子的平面結(jié)構(gòu)、等價電路和操作與例子I和2中的那些相同。例子3與例子I和例子2的不同在于，具有不同的深度的多個P型半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為與包含于光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰。參照附圖描述這種不同在圖I中示出本例子的平面結(jié)構(gòu)。圖7A和圖7B分別示出沿圖I的線VIIA-VIIA和線VIIB-VIIB的截面的示意圖。圖8A示出沿圖7A的虛線P31和虛線P32的雜質(zhì)分布。圖8B示出沿圖7B的虛線P33和虛線P34的雜質(zhì)分布。在圖8A和圖8B中，縱軸表示雜質(zhì)濃度并且橫軸表示距半導(dǎo)體基板I與絕緣體的界面的深度。具有與例子I或例子2相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，并且，省略其詳細(xì)描述。如圖7A所示，在本例子中，P型半導(dǎo)體區(qū)域106和P型半導(dǎo)體區(qū)域701被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101相鄰。P型半導(dǎo)體區(qū)域106和P型半導(dǎo)體區(qū)域701都被設(shè)置在有源區(qū)115中。并且，如圖7B所示，P型半導(dǎo)體區(qū)域106和P型半導(dǎo)體區(qū)域701被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置與傳送柵電極103重疊的部分相鄰。相對于P型半導(dǎo)體區(qū)域106，P型半導(dǎo)體區(qū)域701設(shè)置在距界面302更深的位置處。在平面內(nèi)觀察，P型半導(dǎo)體區(qū)域701與P型半導(dǎo)體區(qū)域106部分或完全重疊。P型半導(dǎo)體區(qū)域701電氣隔離N型半導(dǎo)體區(qū)域101與其它的元件。在圖7A中，P型半導(dǎo)體區(qū)域701電氣隔離N型半導(dǎo)體區(qū)域101和N型半導(dǎo)體區(qū)域102。因此，在本例子中，為了電氣隔離包含于光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域101與其它的元件，具有不同的深度的多個P型半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101相鄰。在圖8A中，光電轉(zhuǎn)換部分中的沿深度方向(虛線P31)的雜質(zhì)分布與例子2中的相同。P型半導(dǎo)體區(qū)域106中的沿深度方向(虛線P32)的雜質(zhì)分布具有P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰和P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰。P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置不同。在圖8B中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的被設(shè)置為與傳送柵電極103重疊的部分中沿深度方向(虛線P33)的雜質(zhì)分布與例子2中的相同。P型半導(dǎo)體區(qū)域106中沿深度方向(虛線P32)的雜質(zhì)分布具有P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰和P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰。P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置不同。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰、P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰、N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰和P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰從較淺的側(cè)起被依次設(shè)置。這四個半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的深度相互不同。在本例子中，從界面302到N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. ΙΟμ O. 20 μ m的范圍中。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 20 μ m O. 25 μ m的范圍中。從界面302到N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 25 μ m O. 35 μ m的范圍中。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 35 μ m O. 50 μ m的范圍中。從界面302到P型半導(dǎo)體區(qū)域107的雜質(zhì)濃度峰的位置的深度適當(dāng)?shù)靥幱贠. 00 μ m O. 10 μ m的范圍中。如上所述，在本例子中，P型半導(dǎo)體區(qū)域106和P型半導(dǎo)體區(qū)域701被設(shè)置為與N型半導(dǎo)體區(qū)域101相鄰。P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置都不同。根據(jù)這種配置，除了例子2的效果以外，存在有利于在更深的位置處設(shè)置P型半導(dǎo)體區(qū)域的優(yōu)點。并且，在本例子中，P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰可被設(shè)置在比N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰的位置淺的位置處。它可被配置，使得P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰、N型半導(dǎo)體區(qū)域101的雜質(zhì)濃度峰、P型半導(dǎo)體區(qū)域701的雜質(zhì)濃度峰和N型半導(dǎo)體區(qū)域501的雜質(zhì)濃度峰從較淺的側(cè)起被依次設(shè)置。根據(jù)這種配置，可以提高電氣隔離性能。當(dāng)向傳送柵電極103或另一柵電極施加電壓時，通過電場效應(yīng)，界面302附近的區(qū)域的電勢大幅改變。這是因為，由于具有電氣隔離功能的P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置在界面附近的區(qū)域中的事實，因此可以改善電氣隔離性能。例子4描述根據(jù)本發(fā)明的例子4。圖9是本例子的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。具有與例子I 3相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，并且，省略其詳細(xì)描述。本例子具有四個光電轉(zhuǎn)換部分的電荷被傳送到共用FD 105的特征。在圖9中，901表示包含于第一光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域。902表示包含于第二光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域。903表示包含于第三光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域。904表示包含于第四光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域。四個N型半導(dǎo)體區(qū)域901 904分別蓄積在第一到第四光電轉(zhuǎn)換部分中產(chǎn)生的電荷。分別與四個N型半導(dǎo)體區(qū)域901 904對應(yīng)地設(shè)置傳送柵電極905 908。通過傳送柵電極905 908，蓄積于四個N型半導(dǎo)體區(qū)域901 904中的電荷被傳送到共用FD 105。在本例子中，N型半導(dǎo)體區(qū)域901的一部分被設(shè)置為與相應(yīng)的傳送柵電極905重疊。類似地，N型半導(dǎo)體區(qū)域902 904中的各個的一部分被設(shè)置為分別與各個相應(yīng)的傳送柵電極906 908重疊。P型半導(dǎo)體區(qū)域106被設(shè)置在與被設(shè)置為與傳送柵電極重疊的部分相鄰的有源區(qū)115中。設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域901 904的區(qū)域中沿深度方向的雜質(zhì)分布與例子I 3的設(shè)置N型半導(dǎo)體區(qū)域101的區(qū)域中的雜質(zhì)分布相同。因此，N型半導(dǎo)體區(qū)域901 904中的各個的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上與P型半導(dǎo)體區(qū)域106的雜質(zhì)濃度峰的位置不同。圖10示出本例子的等價電路。1001表示第一光電轉(zhuǎn)換部分，1002表示第二光電轉(zhuǎn)換部分，1003表不第三光電轉(zhuǎn)換部分，以及1004表不第四光電轉(zhuǎn)換部分。1005表不第一傳送晶體管，1006表不第二傳送晶體管，1007表不第三傳送晶體管，1008表不第四傳送晶體管。第一到第四傳送晶體管的ON和OFF被相互獨立地控制。如圖10所示，在本例子中，四個光電轉(zhuǎn)換部分共享一個放大晶體管207。根據(jù)這種配置，除了例子I 3的效果以外，光電轉(zhuǎn)換部分的面積可被擴大。例子5描述根據(jù)本發(fā)明的第五例子。圖11是本例子的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。具有與例子I相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，并且，省略其詳細(xì)描述。本例子的等價電路與例子4相同。圖11示出四個光電轉(zhuǎn)換部分。第一到第四光電轉(zhuǎn)換部分分別包含N型半導(dǎo)體區(qū)域1101 1104。分別與四個N型半導(dǎo)體區(qū)域1101 1104對應(yīng)地設(shè)置傳送柵電極1105 1108。包含于第一光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域1101和包含于第二光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域1102的電子被傳送到第一 FD 1109。包含于第三光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域1103和包含于第四光電轉(zhuǎn)換部分中的N型半導(dǎo)體區(qū)域1104的電子被傳送到第二 FD 1110。第一 FD 1109、第二 FD 1110、放大晶體管的柵電極111通過連接布線1113相互電連接。放大晶體管的柵電極111和連接布線1113被一體化。第一 FD 1109和連接布線1113通過共享接觸部件1114電連接。第二 FD 1110和連接布線1113通過共享接觸部件1115電連接。共享接觸部件指的是在沒有布線層的情況下連接各半導(dǎo)體區(qū)域、半導(dǎo)體區(qū)域和柵電極、或者各柵電極的接觸部件。在圖11中，第二 FD 1110是與復(fù)位晶體管的源極或漏極的共用區(qū)域。因此，復(fù)位晶體管被設(shè)置在設(shè)置光電轉(zhuǎn)換部分和FD的有源區(qū)115a中。在本例子中，第一 FD 1109和第二 FD 1110通過連接布線1113電連接。根據(jù)這種 配置，四個光電轉(zhuǎn)換部分共享一個放大晶體管207。因此，除了例子I 3的效果以外，光電轉(zhuǎn)換部分的面積可被擴大。在以上的例子I 5中，作為例子描述了從在光電轉(zhuǎn)換部分中包含N型半導(dǎo)體區(qū)域的N型半導(dǎo)體區(qū)域到FD的電荷的傳送。但是，可應(yīng)用本發(fā)明的配置不限于這種配置。例如，可以在從包含于蓄積電荷的蓄積區(qū)域中的N型半導(dǎo)體區(qū)域向FD傳送電荷的傳送部分中應(yīng)用本發(fā)明。本發(fā)明也可被應(yīng)用于C⑶的電荷傳送部分。對于實現(xiàn)，例子I 5的配置可被適當(dāng)?shù)亟M合。雖然已參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的變更方式以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)圖像拾取裝置，包括 包含有源區(qū)的半導(dǎo)體基板； 第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域； 第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域； 浮動擴散區(qū)域； 被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上的絕緣體；和 第一傳送柵電極，所述第一傳送柵電極通過所述絕緣體被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷的傳送， 其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域和浮動擴散區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中， 其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與第一傳送柵電極的第一部分重疊， 其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分和第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為在沿所述半導(dǎo)體基板和所述絕緣體的界面的方向上相互鄰近，并且， 其中，從所述界面到第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)域；和 第二傳送柵電極，所述第二傳送柵電極通過所述絕緣體被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第三半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷的傳送， 其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中， 其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與第二傳送柵電極的一部分重疊，并且， 其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分和第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為沿所述方向相互鄰近。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的固態(tài)圖像拾取裝置，其中， 從所述界面到第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離，并且， 第一半導(dǎo)體區(qū)域和第三半導(dǎo)體區(qū)域的排列方向與從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷傳送方向以及從第三半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷傳送方向均不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的面積比浮動擴散區(qū)域的面積大。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一傳送柵電極的第二部分與第二半導(dǎo)體區(qū)域的一部分重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置與第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 被設(shè)置為與第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置與第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域；和 被設(shè)置為與第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置、第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置、第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置和第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域和第四半導(dǎo)體區(qū)域以不同的雜質(zhì)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 第二導(dǎo)電類型的第六半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第六半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊并被設(shè)置在比第 一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域更接近所述界面的位置處。
11.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 光電轉(zhuǎn)換部分，其中， 第一半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部分的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域是對于第一半導(dǎo)體區(qū)域的電荷的勢壘。
13.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域是用于電氣隔離第一半導(dǎo)體區(qū)域與另一元件的隔離區(qū)域。
14.一種固態(tài)圖像拾取裝置，包括 包含有源區(qū)的半導(dǎo)體基板； 第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域； 第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域； 第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)域； 浮動擴散區(qū)域； 被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上的絕緣體； 第一傳送柵電極，所述第一傳送柵電極通過所述絕緣體被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷的傳送；和 第二傳送柵電極，所述第二傳送柵電極通過所述絕緣體被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第三半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷的傳送， 其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域、第三半導(dǎo)體區(qū)域和浮動擴散區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中， 其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與第一傳送柵電極的第一部分重疊， 其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與第二傳送柵電極的一部分重疊， 其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分和第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分之間， 其中，從所述半導(dǎo)體基板與所述絕緣體的界面到第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離， 其中，從所述界面到第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置， 其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域和第三半導(dǎo)體區(qū)域的排列方向與從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷傳送方向以及從第三半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴散區(qū)域的電荷傳送方向均不同。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的面積比浮動擴散區(qū)域的面積大。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一傳送柵電極的第二部分與第二半導(dǎo)體區(qū)域的一部分重疊。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置和第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 被設(shè)置為與第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置和第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域；和 被設(shè)置為與第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置、第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置、第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置和第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域和第四半導(dǎo)體區(qū)域以不同的雜質(zhì)形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 第二導(dǎo)電類型的第六半導(dǎo)體區(qū)域，其中， 第六半導(dǎo)體區(qū)域與第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊并被設(shè)置在比第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域更接近所述界面的位置處。
23.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括 光電轉(zhuǎn)換部分，其中， 第一半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成所述光電轉(zhuǎn)換部分的一部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域用作對于第一半導(dǎo)體區(qū)域的電荷的勢壘。
25.根據(jù)權(quán)利要求14的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域是用于電氣隔離第一半導(dǎo)體區(qū)域與另一元件的隔離區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種固態(tài)圖像拾取裝置。N型半導(dǎo)體區(qū)域和浮動擴散區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中。用于從PD向FD傳送電荷的傳送柵電極通過絕緣體被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上。構(gòu)成PD的N型半導(dǎo)體區(qū)域的一部分和傳送柵電極的一部分相互重疊。P型半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中。P型半導(dǎo)體區(qū)域和N型半導(dǎo)體區(qū)域的與傳送柵電極重疊的部分被設(shè)置為沿與半導(dǎo)體基板和絕緣體的界面平行的方向相互鄰近。N型半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置和P型半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在深度上相互不同。
文檔編號H01L27/146GK102637753SQ201210024578
公開日2012年8月15日 申請日期2012年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月9日
發(fā)明者小林昌弘 申請人:佳能株式會社