專利名稱：薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步，薄膜晶體管已被大量應(yīng)用在顯示器之中，以適應(yīng)顯示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶體管一般包括柵極、漏極、源極以及溝道層等組成部分，其通過控制柵極的電壓來改變溝道層的導(dǎo)電性，使源極和漏極之間形成導(dǎo)通或者截止的狀態(tài)。一般地，薄膜晶體管經(jīng)常使用銅或者鋁等作為源極電極或漏極電極的制作材料。然而，銅或鋁等材料容易在使用過程中擴(kuò)散或發(fā)生電子遷移。當(dāng)銅或鋁等金屬原子擴(kuò)散至溝道層時，將會對薄膜晶體管的工作性能造成影響，嚴(yán)重時甚至?xí)斐杀∧ぞw管短路。因此，上述的薄膜晶體管可靠性較差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可靠性較好的薄膜晶體管。一種薄膜晶體管，包括基板，設(shè)置在基板上的柵極，覆蓋所述柵極的柵絕緣層以及覆蓋在柵絕緣層表面的活性層，活性層包括溝道層，源極和漏極。源極和漏極分別設(shè)置在溝道層的相對兩側(cè)并與其對應(yīng)的源極電極和漏極電極電連接。溝道層的表面依次設(shè)置有第一蝕刻阻擋層和第二蝕刻阻擋層。第二蝕刻阻擋層中部形成有凹槽以暴露第一蝕刻阻擋層。所述凹槽將第二蝕刻阻擋層分成第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述源極電極從源極的表面延伸至覆蓋第一區(qū)域，所述漏極電極從漏極的表面延伸至覆蓋第二區(qū)域。在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，由于源極電極或漏極電極與溝道層之間具有第一蝕刻阻擋層及第二蝕刻阻擋層，該第一蝕刻阻擋層及第二蝕刻阻擋層可有效防止源極電極或漏極電極的金屬原子發(fā)生擴(kuò)散或電子遷移以致對溝道層的導(dǎo)電性能造成影響，從而提高了薄膜晶體管的可靠性。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括基板，設(shè)置在基板上的柵極，覆蓋所述柵極的柵絕緣層以及覆蓋在柵絕緣層表面的溝道層，源極和漏極分別設(shè)置在溝道層的相對兩側(cè)并與源極電極和漏極電極電連接，其特征在于，溝道層的表面依次設(shè)置有第一蝕刻阻擋層和第二蝕刻阻擋層，第二蝕刻阻擋層中部形成有凹槽以暴露第一蝕刻阻擋層，所述凹槽將第二蝕刻阻擋層分成第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述源極電極從源極的表面延伸至覆蓋第一區(qū)域，所述漏極電極從漏極的表面延伸至覆蓋第二區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋層由氧化物制成，所述第二蝕刻阻擋層由氮化物制成。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋層選自SiOx、AlOx, HfOx和YOx其中之一，所述第二蝕刻阻擋層為SiNx。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽位于柵極的上方且凹槽的寬度小于或等于柵極的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極電極和漏極電極的制作材料選自銅、鋁、鎳、鎂、鉻、鑰、鎢及其合金。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管進(jìn)一步包括第一透明導(dǎo)電層及第二透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層形成在源極電極與源極之間，所述第二透明導(dǎo)電層形成在漏極電極與漏極之間。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋層完全覆蓋溝道層的表面且延伸至與柵絕緣層相接觸，第二蝕刻阻擋層的第一區(qū)域形成在源極電極與第一蝕刻阻擋層之間，第二蝕刻阻擋層的第二區(qū)域形成在漏極電極與第一蝕刻阻擋層之間，一第一開孔穿過第一區(qū)域及第一蝕刻阻擋層以延伸至源極，一第二開孔穿過第二區(qū)域及第一蝕刻阻擋層以延伸至漏極，所述源極電極穿過第一開孔與源極形成電連接，所述漏極電極穿過第二開孔與漏極形成電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極電極的底部設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層，所述漏極電極的底部設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層穿過所述第一開孔與源極相接觸，所述第二透明導(dǎo)電層穿過所述第二開孔與漏極相接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋層與第二蝕刻阻擋層具有不同的介電常數(shù)。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋層與第二蝕刻阻擋層具有不同的折射率。
全文摘要
一種薄膜晶體管，包括基板，設(shè)置在基板上的柵極，覆蓋所述柵極的柵絕緣層以及覆蓋在柵絕緣層表面的活性層，活性層包括溝道層，源極和漏極。源極和漏極分別設(shè)置在溝道層的相對兩側(cè)并與其對應(yīng)的源極電極和漏極電極電連接。溝道層的表面依次設(shè)置有第一蝕刻阻擋層和第二蝕刻阻擋層。第二蝕刻阻擋層中部形成有凹槽以暴露第一蝕刻阻擋層。所述凹槽將第二蝕刻阻擋層分成第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述源極電極從源極的表面延伸至覆蓋第一區(qū)域，所述漏極電極從漏極的表面延伸至覆蓋第二區(qū)域。上述結(jié)構(gòu)可有效防止源極電極或漏極電極的金屬原子發(fā)生擴(kuò)散或電子遷移而對溝道層的導(dǎo)電性能造成影響，提高了其可靠性。
文檔編號H01L29/786GK103187451SQ20121000009
公開日2013年7月3日 申請日期2012年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月3日
發(fā)明者曾堅(jiān)信 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司