專利名稱：低阻抗傳輸線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及傳輸線，且更特定而言，涉及用于高頻率應(yīng)用的低阻抗傳輸線。
背景技術(shù)：
傳輸線在集成電路(IC)中使用傳輸線單元或元件是眾所周知的。通常，這些傳輸線單元的不同高度可改變單元(及傳輸線)的特征。就是說，阻抗與高度成反比。然而，在阻抗與間隔(布局)規(guī)范之間通常存在折衷。此外，許多組件(例如，平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(balun))使用不同的輸入阻抗。因此，需要具有可變元件以在遵守間隔規(guī)范的同時容納不同組件的傳輸線。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的實例實施例提供一種裝置。所述裝置包括:在襯底上形成的MOS電容器；在皿)3電容器上形成的金屬電容器；以及在金屬電容器上形成的共面波導(dǎo)管。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，金屬電容器進一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金屬化層。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，金屬化層進一步包括第一金屬化層，且其中共面波導(dǎo)管進一步包括:具有第一、第二和第三部分的第二金屬化層；在第一金屬化層的第一部分與第二金屬化層的第一部分之間所形成的第一組導(dǎo)電通孔；在第一金屬化層的第二部分與第二金屬化層的第二部分之間所形成的第二組導(dǎo)電通孔；以及在第一金屬化層的第三部分與第二金屬化層的第三部分之間所形成的第三組導(dǎo)電通孔。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，第一金屬化層進一步包括多個第一金屬化層，其中的
每一者具有第一、第二和第三部分。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，共面波導(dǎo)管進一步包括:具有第一、第二和第三部分的第三金屬化層；以及在第二金屬化層的第一和第三部分中的至少一者與第三金屬化層之間所形成的第四組導(dǎo)電通孔。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，MOS電容器進一步包括:具有第一部分和第二部分的第四金屬化層；在襯底中形成的多個源極/漏極區(qū)域；在襯底上形成的多個柵極絕緣體層，其中每一柵極絕緣體層是在至少兩個源極/漏極區(qū)域之間形成的；多個柵電極，其中每一柵電極是在柵極絕緣體層的至少一者上形成的；耦合到每一柵電極的搭接片；第七組導(dǎo)電通孔，其中來自第七組的每一導(dǎo)電通孔是在至少一個源極/漏極區(qū)域與第四金屬化層的第一部分之間形成的；以及第八組導(dǎo)電通孔，其中來自第八組的每一導(dǎo)電通孔是在搭接片處與第四金屬化層的第二部分之間形成的。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，裝置進一步包括在襯底上形成的二極管。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，提供一種裝置。裝置包括具有中心分接頭的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器；以及彼此鄰近以形成傳輸線的多個傳輸線單元，其中傳輸線耦合到中心分接頭，且其中靠近中心分接頭的傳輸線單元的尺寸經(jīng)設(shè)計以具有比遠(yuǎn)離中心分接頭的傳輸線單元小的高度，其中每一傳輸線單元包含:在襯底上形成的MOS電容器；在皿)3電容器上形成的金屬電容器；以及在金屬電容器上形成的共面波導(dǎo)管。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，每一傳輸線單元寬度為約4μπι，且其中位于遠(yuǎn)離中心分接頭處的每一傳輸線單元的高度為約9.5μπι或更高，且其中位于靠近中心分接頭處的每一傳輸線單元的高度為大于約小于約9.5 μ m。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，最靠近中心分接頭的傳輸線單元進一步包括在襯底上形成的二極管。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，提供一種裝置。裝置包括具有中心分接頭的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器；以及彼此鄰近以形成傳輸線的多個傳輸線單元，其中傳輸線耦合到中心分接頭，且其中靠近中心分接頭的傳輸線單元的尺寸經(jīng)設(shè)計以具有比遠(yuǎn)離中心分接頭的傳輸線單元小的高度，其中每一傳輸線單元包含:M0S電容器，其具有:在襯底中形成的多個源極/漏極區(qū)域；在襯底上形成的多個柵極絕緣體層，其中每一柵極絕緣體層是在至少兩個源極/漏極區(qū)域之間形成的；多個柵電極，其中每一柵電極是在柵極絕緣體層中的至少一者上形成的；耦合到每一柵電極的搭接片；具有第一部分和第二部分的第一金屬化層；第一組導(dǎo)電通孔，其中來自第一組的每一導(dǎo)電通孔是在至少一個源極/漏極區(qū)域與第一金屬化層的第一部分之間形成的；以及第二組導(dǎo)電通孔，其中來自第二組的每一導(dǎo)電通孔是在搭接片處與第一金屬化層的第二部分之間形成的；具有第一部分和第二部分的第二金屬化層；第三組導(dǎo)電通孔，其中來自第三組的每一導(dǎo)電通孔是在第一金屬化層的第一部分與第二金屬化層的第一部分之間形成的；第四組導(dǎo)電通孔，其中來自第四組的每一導(dǎo)電通孔是在第一金屬化層的第二部分處與第二金屬化層的第二部分之間形成的；金屬電容器，其具有:具有相互交叉的第一、第二和第三部分的第三金屬化層 ’第五組導(dǎo)電通孔，其中來自第五組的每一導(dǎo)電通孔是在第二金屬化層的第一部分與第三金屬化層的第一和第三部分中的至少一者之間形成的；以及第六組導(dǎo)電通孔，其中來自第六組的每一導(dǎo)電通孔是在第三金屬化層的第二部分處與第二金屬化層的第二部分之間形成的；第四金屬化層，其具有相 互交叉的第一、第二和第三部分；形成在第四金屬化層的第一部分與第三金屬化層的第一部分之間的第七組導(dǎo)電通孔；形成在第四金屬化層的第二部分與第三金屬化層的第二部分之間的第八組導(dǎo)電通孔；形成在第四金屬化層的第三部分與第三金屬化層的第三部分之間的第九組導(dǎo)電通孔；具有相互交叉的第一、第二和第三部分的第五金屬化層；形成在第四金屬化層的第一部分與第五金屬化層的第一部分之間的第十組導(dǎo)電通孔；形成在第四金屬化層的第二部分與第五金屬化層的第二部分之間的第十一組導(dǎo)電通孔；以及形成在第四金屬化層的第三部分與第五金屬化層的第三部分之間的第十二組導(dǎo)電通孔；以及共面波導(dǎo)管，其具有:具有第一、第二和第三部分的第六金屬化層，其中第六金屬化層的第二部分接收第一電源電壓；形成在第五金屬化層的第一部分與第六金屬化層的第一部分之間的第十三組導(dǎo)電通孔；形成在第五金屬化層的第二部分與第六金屬化層的第二部分之間的第十四組導(dǎo)電通孔；形成在第五金屬化層的第三部分與第六金屬化層的第三部分之間的第十五組導(dǎo)電通孔；接收第二電源電壓的第七金屬化層；以及耦合在第六金屬化層的第一和第三部分中的至少一者與第七金屬化層之間的第十六組導(dǎo)電通孔。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，搭接片和柵電極是由多晶硅形成的。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，第一、第二、第三、第四、第五、第六以及第七金屬化層是由銅或鋁形成的。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例，第二電源電壓是接地的。


參考附圖描述實例實施例，其中:圖1是根據(jù)本發(fā)明的實例實施例的系統(tǒng)的實例；圖2是圖1中的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器沿著截面線A-A的橫截面圖；圖3是圖1中的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器沿著截面線B-B的橫截面圖；圖4、7和8是圖1中的傳輸線單元的MOS電容器的部分的平面圖；圖5是圖4中的MOS電容器的部分沿著截面線C-C的橫截面圖；圖6是圖4中的MOS電容器的部分沿著截面線D-D的橫截面圖；圖9到11是圖1中的傳輸線單元的金屬電容器的部分的平面圖；圖12和13是圖1中的傳輸線單元的共面波導(dǎo)管的部分的平面圖；以及圖14到16是圖1中的傳輸線單元的MOS電容器/ 二極管的部分的平面圖。
具體實施例方式圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實例實施例的系統(tǒng)100。系統(tǒng)100大體包括在其中心分接頭120處耦合到平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器102的傳輸線104。通常，傳輸線104運載在約160GHz (例如)的頻率范圍內(nèi)的信號且可具有約20 μ m的長度。平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器102—般應(yīng)以約I到2 Ω的阻抗在其中心分接頭120處進行端接，但布線可產(chǎn)生約10 Ω (針對約160GHz下的20 μ m的布線長度)。因此，為了調(diào)整施加在中心分接頭120處的阻抗，傳輸線104的傳輸線單元112-1到112-9繞中心分接頭120而改變。通常，每一傳輸線單元112-1到112-9具有約4μπι的寬度，其中遠(yuǎn)離中心分接頭120的每一傳輸線(即112-4到112-9)具有約
9.5μπι的或更大的高度。然而，靠近中心分接頭120的傳輸線單元(即，112-1到112-3)以遞減的高度(從大于9.5μπι收縮到中心分接頭120的中心處的相對最小的高度)串聯(lián)。此以可控方式逐漸按比例調(diào)整阻抗。舉例來說，傳輸線單元112-4(其遠(yuǎn)離中心分接頭120)可具有12 μ m的高度,而傳輸線單元112-2(其靠近中心分接頭120)可具有9μ m的高度。這些較高的偏壓線單元(即，傳輸線單元112-4到112-9)可減少串聯(lián)電感，且因此可降低信號路徑(從傳輸線104到平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器102)上的信號損失。這些傳輸線單元112-1到112-9中的每一者大體還包括MOS電容器、金屬電容器和共面波導(dǎo)管。如圖1到3中所展示，平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器102大體包括在襯底114上形成的三個環(huán)106-1、106-2和106-3且其使用介電層118 (其可為一個或一個以上層)。將內(nèi)環(huán)106-1耦合到中心分接頭120，且通過導(dǎo)電通孔108-5到108-8與耦合部件110-3和11_4將內(nèi)環(huán)106-1耦合到環(huán)106-2。如所展示，接著通過導(dǎo)電通孔108-1到108-4與耦合部件110-1和110-2將環(huán)106-2耦合到環(huán)106-3。此外，平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器102可由層116 (其可包含一個或一個以上層且可包含傳輸線104的部分)形成。轉(zhuǎn)到圖4到6，可看到用于每一傳輸線單元112-1到112_9的MOS電容器。如所展示，兩個單獨的區(qū)域(例如)用于此MOS電容器的部分，且每一區(qū)域大體可使用在襯底114中形成的許多源極/漏極區(qū)域210。舉例來說，可存在跨越每一區(qū)域延伸的五個源極/漏極區(qū)域。在源極/漏極區(qū)域210之間，柵極絕緣體208(其可包括二氧化硅)和柵電極203(其可由多晶硅形成)是在襯底114上形成的。接著使用導(dǎo)電通孔205將源極/漏極區(qū)域210耦合到金屬化層302的部分306，導(dǎo)電通孔205形成在電介質(zhì)212 (即，二氧化硅)中且用插頭206(即，鎢)塞滿。此形成MOS電容器的一個末端或電極。將柵電極203耦合到搭接片(strap) 205,搭接片205通過電介質(zhì)206 (即，二氧化娃)與襯底114分離且通過導(dǎo)電通孔204耦合到金屬化層302的部分308，以便形成MOS電容器的另一末端或電極。在圖8中，可看到再分布金屬化層402。此金屬化層402可被認(rèn)為是MOS電容器的部分，這是因為其對MOS電容器電極進行再分布。大體上，金屬化層402的部分408是在金屬化層302的部分308上形成的且通過導(dǎo)電通孔304耦合到金屬化層302的部分308，且金屬化層402的部分406是在金屬化層302的部分306上形成的且通過導(dǎo)電通孔304耦合到金屬化層302的部分306?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖9到11，可看到每一傳輸線單元112-1到112_9的金屬電容器。金屬電容器大體包括相互并聯(lián)稱合的若干(例如，三個)金屬電容器。如所展不，每一金屬化層502、602和702形成單獨的電容器且是在彼此之上形成的。就是說，每一金屬化層502、602和702可(分別)被形成相互交叉(使用電介質(zhì)，例如在其間的二氧化硅)的三個部分 506/508/510、606/608/610 和 706/708/710。通過導(dǎo)電通孔 404、504 和 604 將部分 506、510、606、610、706和710耦合到源極/漏極區(qū)域210，而通過導(dǎo)電通孔404、504和604將部分508、608和708耦合到搭接片205。在圖12和13中，可看到共面波導(dǎo)管(其可耦合到中心分接頭120)。在這里，金屬化層802大體包括部分806、808和810，可通過導(dǎo)電通孔704分別將其耦合到部分706、708和710。部分808接收電源電壓VDD，電源電壓VDD被提供到電容器(來自金屬電容器)和MOS電容器中的每一者的一個“板極”或電極。此外，通過導(dǎo)電通孔804將金屬化層902(其是在金屬化層802上形成的且接收電源電壓VSS(其通常為接地的))耦合到電容器(來自金屬電容器)和MOS電容器中的每一者的另一“板極”或電極。替代地，可由MOS電容器/ 二極管、金屬電容器和共面波導(dǎo)管形成最靠近中心分接頭120的傳輸線單元(即，傳輸線單元112-1)。在圖14到16中，可看到MOS電容器/ 二極管的配置，其中圖4、7和8中的布局可分別由圖14到16中的布局代替。如圖14中所展示，MOS電容器是在下半部中形成的(類似于圖4)，但在圖14的上半部中，布局針對連接二極管的晶體管而配置。此外，圖14中的沿著截面線E-E的橫截面類似于圖5中所展示的沿著截面線C-C的橫截面。而且，通孔1402可提供主體連接。圖15展示最靠近中心分接頭120的傳輸線單元(即傳輸線單元112-1)的金屬化層302。在這里，圖15的上半部與圖7的上半部不同之處在于圖15包含部分1502和1504。如所展示，部分1502覆蓋源極/漏極區(qū)域210且大體通過通孔205耦合到源極/漏極區(qū)域210。部分1504接著覆蓋多晶硅層202的部分(即，上半部中的多晶硅“指”的部分)且大體通過通孔204耦合到多晶硅層202，以便將柵電極203電連接在一起。圖16展示傳輸線單元112-1的金屬化層402。在這里，圖16的上半部在部分406和408的配置上不同于圖8的上半部。如所展示，部分408大體耦合到部分1502和部分1504中的一些(S卩，兩個)(例如，意味著柵電極203耦合到源極/漏極區(qū)域210中的兩者)，而部分406耦合到剩余(即，三個)部分1502。
本發(fā)明所涉及的領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可對所描述的實施例做出修改且可在所主張的本發(fā)明范圍內(nèi)實現(xiàn)額外實施例。
權(quán)利要求
1.一種裝置，其包括: MOS電容器，其在襯底上形成； 金屬電容器，其在所述MOS電容器上形成；以及 共面波導(dǎo)管，其在所述金屬電容器上形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述金屬電容器進一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金屬化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述金屬化層進一步包括第一金屬化層，且其中所述共面波導(dǎo)管進一步包括: 第二金屬化層，其具有第一、第二和第三部分； 第一組導(dǎo)電通孔，其在所述第一金屬化層的所述第一部分與所述第二金屬化層的所述第一部分之間形成； 第二組導(dǎo)電通孔，其在所述第一金屬化層的所述第二部分與所述第二金屬化層的所述第二部分之間形成；以及 第三組導(dǎo)電通孔，其在所述第一金屬化層的所述第三部分與所述第二金屬化層的所述第三部分之間形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述第一金屬化層進一步包括多個第一金屬化層，所述第一金屬化層中的 每一者具有第一、第二和第三部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述共面波導(dǎo)管進一步包括: 第三金屬化層，其具有第一、第二和第三部分；以及 第四組導(dǎo)電通孔，其在所述第二金屬化層的所述第一和第三部分中的至少一者與所述第三金屬化層之間形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中MOS電容器進一步包括: 第四金屬化層，其具有第一部分和第二部分； 多個源極/漏極區(qū)域，其在所述襯底中形成； 多個柵極絕緣體層，其在所述襯底上形成，其中每一柵極絕緣體層是在至少兩個源極/漏極區(qū)域之間形成的； 多個柵電極，其中每一柵電極是在所述柵極絕緣體層中的至少一者上形成的； 搭接片，其耦合到每一柵電極； 第七組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第七組的每一導(dǎo)電通孔是在至少一個源極/漏極區(qū)域與所述第四金屬化層的所述第一部分之間形成的；以及 第八組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第八組的每一導(dǎo)電通孔是在所述搭接片處與所述第四金屬化層的所述第二部分之間形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置進一步包括在所述襯底上形成的二極管。
8.一種裝置，其包括: 平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器，其具有中心分接頭；以及 多個傳輸線單元，其彼此鄰近以形成傳輸線，其中所述傳輸線耦合到所述中心分接頭，且其中靠近所述中心分接頭的所述傳輸線單元的尺寸經(jīng)設(shè)計以具有比遠(yuǎn)離中心分接頭的所述傳輸線單元小的高度，其中每一傳輸線單元包含:MOS電容器，其在襯底上形成； 金屬電容器，其在所述MOS電容器上形成；以及 共面波導(dǎo)管，其在所述金屬電容器上形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述金屬電容器進一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金屬化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述金屬化層進一步包括第一金屬化層，且其中所述共面波導(dǎo)管進一步包括: 第二金屬化層，其具有第一、第二和第三部分； 第一組導(dǎo)電通孔，其在所述第一金屬化層的所述第一部分與所述第二金屬化層的所述第一部分之間形成； 第二組導(dǎo)電通孔，其在所述第一金屬化層的所述第二部分與所述第二金屬化層的所述第二部分之間形成；以及 第三組導(dǎo)電通孔，其在所述第一金屬化層的所述第三部分與所述第二金屬化層的所述第三部分之間形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述第一金屬化層進一步包括多個第一金屬化層，所述第一金屬化層中的每一者具有第一、第二和第三部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述共面波導(dǎo)管進一步包括: 第三金屬化層，其具有第一、第二和第三部分；以及 第四組導(dǎo)電通孔， 其在所述第二金屬化層的所述第一和第三部分中的至少一者與所述第三金屬化層之間形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中MOS電容器進一步包括: 第四金屬化層，其具有第一部分和第二部分； 多個源極/漏極區(qū)域，其在所述襯底中形成； 多個柵極絕緣體層，其在所述襯底上形成，其中每一柵極絕緣體層是在至少兩個源極/漏極區(qū)域之間形成的； 多個柵電極，其中每一柵電極是在所述柵極絕緣體層中的至少一者上形成的； 搭接片，其耦合到每一柵電極； 第七組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第七組的每一導(dǎo)電通孔是在至少一個源極/漏極區(qū)域與所述第四金屬化層的所述第一部分之間形成的；以及 第八組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第八組的每一導(dǎo)電通孔是在所述搭接片處與所述第四金屬化層的所述第二部分之間形成的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中每一傳輸線單元寬度為約4μ m,且其中位于遠(yuǎn)離所述中心分接頭處的每一傳輸線單元高度為約9.5 μ m或更高，且其中位于靠近所述中心分接頭處的每一傳輸線單元高度為大于約小于約9.5 μ m。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中最靠近所述中心分接頭的所述傳輸線單元進一步包括在所述襯底上形成的二極管。
16.一種裝置，其包括: 平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器，其具有中心分接頭；以及 多個傳輸線單元，其彼此鄰近以形成傳輸線，其中所述傳輸線耦合到所述中心分接頭，且其中靠近所述中心分接頭的所述傳輸線單元的尺寸經(jīng)設(shè)計以具有比遠(yuǎn)離中心分接頭的所述傳輸線單元小的高度，其中每一傳輸線單元包含: MOS電容器，其具有: 多個源極/漏極區(qū)域，其在所述襯底中形成； 多個柵極絕緣體層，其在所述襯底上形成，其中每一柵極絕緣體層是在至少兩個源極/漏極區(qū)域之間形成的； 多個柵電極，其中每一柵電極是在所述柵極絕緣體層中的至少一者上形成的； 搭接片，其耦合到每一柵電極； 第一金屬化層，其具有第一部分和第二部分； 第一組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第一組的每一導(dǎo)電通孔是在至少一個源極/漏極區(qū)域與所述第一金屬化層的所述第一部之間形成的；以及 第二組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第二組的每一導(dǎo)電通孔是在所述搭接片處與所述第一金屬化層的所述第二部分之間形成的； 第二金屬化層，其具有第一部分和第二部分； 第三組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第三組的每一導(dǎo)電通孔是在所述第一金屬化層的所述第一部分與所述第二金屬化層的所述第一部分之間形成的； 第四組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第四組的每一導(dǎo)電通孔是在所述第一金屬化層的所述第二部分處與所述第二金屬化層的所述第二部分之間形成的；金屬電容器，其具有: 第三金屬化層，其具有相互交叉的第一、第二和第三部分； 第五組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第五組的每一導(dǎo)電通孔是在所述第二金屬化層的所述第一部分與所述第三金屬化層的所述第一和第三部分中的至少一者之間形成的；以及第六組導(dǎo)電通孔，其中來自所述第六組的每一導(dǎo)電通孔是在所述第三金屬化層的所述第二部分處與所述第二金屬化層的所述第二部分之間形成的； 第四金屬化層，其具有相互交叉的第一、第二和第三部分； 第七組導(dǎo)電通孔，其在所述第四金屬化層的所述第一部分與所述第三金屬化層的所述第一部分之間形成； 第八組導(dǎo)電通孔，其在所述第四金屬化層的所述第二部分與所述第三金屬化層的所述第二部分之間形成； 第九組導(dǎo)電通孔，其在所述第四金屬化層的所述第三部分與所述第三金屬化層的所述第三部分之間形成； 第五金屬化層，其具有相互交叉的第一、第二和第三部分； 第十組導(dǎo)電通孔，其在所述第四金屬化層的所述第一部分與所述第五金屬化層的所述第一部分之間形成； 第十一組導(dǎo)電通孔，其在所述第四金屬化層的所述第二部分與所述第五金屬化層的所述第二部分之間形成；以及 第十二組導(dǎo)電通孔，其在所述第四金屬化層的所述第三部分與所述第五金屬化層的所述第三部分之間形成；以及共面波導(dǎo)管，其具有: 第六金屬化層，其具有第一、第二和第三部分，其中所述第六金屬化層的所述第二部分接收第一電源電壓； 第十三組導(dǎo)電通孔，其在所述第五金屬化層的所述第一部分與所述第六金屬化層的所述第一部分之間形成； 第十四組 導(dǎo)電通孔，其在所述第五金屬化層的所述第二部分與所述第六金屬化層的所述第二部分之間形成； 第十五組導(dǎo)電通孔，其在所述第五金屬化層的所述第三部分與所述第六金屬化層的所述第三部分之間形成； 第七金屬化層，其接收第二電源電壓；以及 第十六組導(dǎo)電通孔，其耦合在所述第六金屬化層的所述第一和第三部分中的至少一者與所述第七金屬化層之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述搭接片和所述柵電極是由多晶硅形成的。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一、第二、第三、第四、第五、第六和第七金屬化層是由銅或鋁形成的。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述第二電源電壓是接地的。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中每一傳輸線單元寬度為約4μ m，且其中位于遠(yuǎn)離所述中心分接頭處的每一傳輸線單元高度為約9.5 μ m或更高，且其中位于靠近所述中心分接頭處的每一傳輸線單元高度為大于約小于約9.5 μ m。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種具有傳輸線(104)的系統(tǒng)(100)，所述傳輸線(104)在其中心分接頭(120)處耦合到平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(102)。通常，傳輸線(104)運載在約160GHz(例如)的頻率范圍內(nèi)的信號且可具有約20μm的長度。為了調(diào)整施加在所述中心分接頭(120)處的阻抗，傳輸線(104)的傳輸線單元(112-1到112-9)繞所述中心分接頭(120)而改變?？拷鲋行姆纸宇^(120)的傳輸線單元(即，112-1到112-3)以遞減的高度串聯(lián)。這些傳輸線單元(112-1到112-9)中的每一者大體包括金屬氧化物半導(dǎo)體MOS電容器、金屬電容器和共面波導(dǎo)管。
文檔編號H01L21/768GK103098210SQ201180040984
公開日2013年5月8日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月22日
發(fā)明者布賴恩·P·金斯伯格, 維賈伊·B·倫塔拉, 斯里納特·M·拉馬斯瓦米, 巴赫爾·S·哈龍, 碩恩永 申請人:德州儀器公司