專利名稱：形成在半導(dǎo)電襯底上的垂直電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
存在此項(xiàng)技術(shù)中已知用于電子電路中的各種無源電子組件。此些無源電子組件包含(但不限于)電阻器、電感器及電容器。電容器通常由通過非導(dǎo)電層分隔的一對(duì)或一對(duì)以上薄導(dǎo)體板組成。所述導(dǎo)電板均勻地在區(qū)域上方延伸，且通常是由金屬制造。所述非導(dǎo)電層是由具有介電常數(shù)e的介電材料形成。此些介電材料包含(但不限于)陶瓷材料、玻璃材料、紙質(zhì)材料、云母材料(例如，銀云母)及塑料材料(例如，聚碳酸酯、聚酯、聚苯乙烯及聚丙烯)。電容器的特征在于通過以下數(shù)學(xué)方程式(I)定義的電容C。C=Q/V=Q/ [Qd/ e A] = e A/d (I)其中C表示電容器的電容。Q表示導(dǎo)電板的相向表面上的電荷比率。V表示導(dǎo)電板之間的電壓。d是導(dǎo)電板之間的距離。A表示“作用面積”，即，通過兩個(gè)(2個(gè))導(dǎo)電板的重疊描述的面積。如從數(shù)學(xué)方程式(I) 了解，電容C隨著面積A而增加且隨著間隔d而降低。而且如從數(shù)學(xué)方程式(I) 了解，電容C在具有由具有高介電常數(shù)e的介電材料制造的非導(dǎo)電區(qū)域的電容器中是最大。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)當(dāng)前正用于在半導(dǎo)電襯底上形成電容器。此些電容器在本文稱為“MEMS電容器”。所述MEMS電容器通常具有介于I微米到100微米(S卩，0. OOlum到0.1um)之間的至少一個(gè)尺寸。所述MEMS電容器通常包括安置在所述半導(dǎo)電襯底上以與所述半導(dǎo)電襯底的表面水平地延伸的多個(gè)堆疊導(dǎo)電板。所述導(dǎo)電板中的每一者通常具有大致上小于一(I)的高度對(duì)寬度(h/w)比率。如上所述，所述電容器的電容C與所述導(dǎo)電層的面積A —起增加。因此，與值較小的MEMS電容器所占據(jù)的裸片空間相比，值較大的MEMS電容器占據(jù)半導(dǎo)電襯底上的 更多空間。雖然MEMS電容器的發(fā)展已有所改進(jìn)，但是對(duì)MEMS電容器的大小的減小存在著持續(xù)要求。因此，需要提供一種與常規(guī)MEMS電容器設(shè)計(jì)相比在裸片上需要較少不動(dòng)產(chǎn)的經(jīng)改進(jìn)的MEMS電容器設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例大致上涉及半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置中的每一者包括具有第一表面及相對(duì)的第二表面的襯底(例如，半導(dǎo)電襯底)。垂直電容性兀件安置在所述襯底的所述第一表面上。接地平面可安置在所述襯底的所述第二表面上。所述垂直電容性兀件包括相對(duì)于彼此固定的多個(gè)平行導(dǎo)電板。每一導(dǎo)電板橫向于所述襯底的所述第一表面延伸。每一導(dǎo)電板具有大于或等于一(I)的高度對(duì)寬度(h/w)比率。(注意圖1中展示所述導(dǎo)電板的高度h，且圖2中展示導(dǎo)電板的寬度W)。相鄰導(dǎo)電板彼此相隔距離D(展示在圖2中)。可在分隔所述相鄰導(dǎo)電板的空間中安置非導(dǎo)電材料。根據(jù)本發(fā)明的方面，導(dǎo)電板形成第一梳子結(jié)構(gòu)與第二梳子結(jié)構(gòu)的相互交叉指狀物。在此情形中，可提供互連元件以互連至少兩個(gè)相互交叉指狀物。而且，可提供沿通過分隔所述相互交叉指狀物的交叉指型空間所界定的曲折或彎曲路徑延伸的非導(dǎo)電材料。所述相互交叉指狀物形成一系列平行導(dǎo)電板，其中每一相鄰對(duì)導(dǎo)電板用作電容器。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及用于制造半導(dǎo)體裝置的方法。所述方法包括提供具有相對(duì)的第一表面及第二表面的半導(dǎo)電襯底。所述方法還包括在所述襯底上形成垂直電容性元件。所述垂直電容性兀件包括多個(gè)平行導(dǎo)電板。每一導(dǎo)電板橫向于所述襯底的第一表面延伸。每一導(dǎo)電板具有大于或等于I的高度對(duì)寬度(h/w)比率。相鄰導(dǎo)電板彼此相隔距離D。所述方法進(jìn)一步包括互連所述平行導(dǎo)電板中的兩者或兩者以上；及/或在分隔所述相鄰導(dǎo)電板的空間中安置非導(dǎo)電材料。


圖1是對(duì)理解本發(fā)明有用的示范性半導(dǎo)體裝置的透視圖。圖2是圖1中所示的對(duì)理解本發(fā)明有用的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖3是繪制對(duì)理解本發(fā)明有用的電容器的高度H對(duì)電容C的仿真圖表。圖4是用于制造例如圖1到2中所示的對(duì)理解本發(fā)明有用的半導(dǎo)體裝置的示范性方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式參考附圖描述本發(fā)明，其中貫穿所述圖式使用相同的參考數(shù)字以指定類似或等效元件。所述圖式并未按比例繪制且其僅經(jīng)提供 以圖解說明本發(fā)明。下文參考用于圖解說明的實(shí)例應(yīng)用描述本發(fā)明的若干方面。應(yīng)了解，大量特定細(xì)節(jié)、關(guān)系及方法經(jīng)陳述以提供對(duì)本發(fā)明的完整了解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于認(rèn)識(shí)到，可在不具備所述特定細(xì)節(jié)中的一者或一者以上的情況下實(shí)踐本發(fā)明或使用其它方法實(shí)踐本發(fā)明。在其它例子中，未詳細(xì)展示眾所周知的結(jié)構(gòu)或操作以避免使本發(fā)明變得含糊不清。本發(fā)明并不受經(jīng)圖解說明的動(dòng)作或事件的次序限制，因?yàn)橐恍﹦?dòng)作可以不同次序發(fā)生及/或與其它動(dòng)作或事件同時(shí)發(fā)生。而且，并非需要所有經(jīng)圖解說明的動(dòng)作或事件來實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法。詞“示范性”在本文是用以指用作實(shí)例、例子或圖解說明。本文中描述為“示范性”的任何方面或設(shè)計(jì)無需被解釋為比其它方面或設(shè)計(jì)優(yōu)選或有利。而是，詞示范性的使用旨在以具體形式呈現(xiàn)概念。如本申請(qǐng)案中所使用，術(shù)語“或”旨在指包含性“或”而非排他性“或”。即，除非另有規(guī)定或上下文清楚指出，否則“X使用A或B”旨在指自然包含性排列中的任一者。即，如果X使用A ;X使用B ;或X使用A及B兩者，那么在前述例子中的任一者下滿足“X使用A或B”。本發(fā)明大致涉及無源元件，且更特定來說，涉及電容器。所述電容器可包含(但不限于)固定電容器，即，具有相對(duì)于彼此固定的靜止導(dǎo)電板的電容器。本發(fā)明的電容器可用于多種電子應(yīng)用中。此些電子應(yīng)用包含(但不限于)解耦合應(yīng)用、濾波應(yīng)用、調(diào)諧應(yīng)用及一般的電荷存儲(chǔ)應(yīng)用。所述電容器可包含(但不限于)在半導(dǎo)電襯底上形成的垂直電容器。所述垂直電容器大致包括橫向于半導(dǎo)電襯底的第一表面延伸的兩個(gè)或兩個(gè)以上平行導(dǎo)電板。此些垂直電容器克服常規(guī)水平電容器的各種缺陷。
舉例來說，如本文描述的垂直電容器與具有相同電容的常規(guī)水平電容器相比需要裸片上的較少不動(dòng)產(chǎn)。換句話說，本發(fā)明的垂直電容器與常規(guī)水平電容器相比每單位面積提供較高的電容。本發(fā)明的減小的不動(dòng)產(chǎn)需求至少部分歸因于以下事實(shí)其垂直導(dǎo)電板具有大于或等于I的高度對(duì)寬度(h/w)比率，即，高度h大于或等于板的寬度W。如從關(guān)于圖1到2的論述將了解到，導(dǎo)電板的高度h是沿水平X軸測(cè)量的，且導(dǎo)電板的寬度w是沿垂直Z軸測(cè)量的。相比來說，常規(guī)水平電容器的水平導(dǎo)電板通常具有大致小于一(I)的高度對(duì)寬度(h/w)比率，即，高度h大致小于板的寬度W。而且，本文所描述的垂直電容器并在可用以形成多板電容器的導(dǎo)電板的數(shù)目方面有所限制。相比來說，常規(guī)水平電容器受限于可在半導(dǎo)電襯底上堆疊以形成多層電容器的金屬層的數(shù)目。所述常規(guī)水平電容器的金屬層限制至少部分歸因于金屬層的退火需求。舉例來說，在襯底上安置第一或基底金屬層。此后，使第一或基底金屬層退火(即，經(jīng)受加熱)。在完成退火過程后，立即在所述經(jīng)退火的第一或基底金屬層上方安置介電材料層。隨后，在所述介電材料上方施加第二金屬層。為添加另一金屬層到所述堆疊，將必須使所述第二金屬層退火。所述第二退火過程涉及對(duì)整個(gè)襯底施加熱量。所述第二退火過程(或加熱循環(huán))將消耗所述介電材料，由此所述金屬層之間并未留下任何電介質(zhì)。因此，常規(guī)水平電容器受限于可堆疊的金屬層的數(shù)目。相比來說，本發(fā)明的垂直電容器并不限于可用以形成無源組件的金屬層的數(shù)目。因此，本發(fā)明的垂直電容器具有比所述常規(guī)水平電容器的電容范圍大的電容范圍?，F(xiàn)在將關(guān)于圖1到4詳細(xì)描述本發(fā)明。值得注意的是，下文關(guān)于交叉指型(或相互交叉)MEMS電容器描述本發(fā)明。本發(fā)明在此方面不受限制。舉例來說，本發(fā)明可與其它類型的電容器結(jié)構(gòu)一起使用。此些其它類型的電容器結(jié)構(gòu)包含(但不限于)僅包含兩個(gè)相對(duì)板的電容器結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在參考圖1，提供對(duì)理解本發(fā)明有用的半導(dǎo)體裝置100的透視圖。圖2中提供半導(dǎo)體裝置100的俯視圖。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置100是集成電路(IC)半導(dǎo)體裝置。在此情形中，半導(dǎo)體裝置100連接到至少一個(gè)其它半導(dǎo)體裝置(圖1到2中未展示)。本發(fā)明仍在此方面不受限制。如圖1到2所示，半導(dǎo)體裝置100包括安置或形成在半導(dǎo)電襯底102的第一表面118上的交叉指型(或相互交叉)電容器104。半導(dǎo)體裝置100還可包含安置或形成在與半導(dǎo)電襯底102的第一表面118相對(duì)的第二表面(圖1到2中未展不)上的接地平面150。半導(dǎo)電襯底102通常經(jīng)提供以支撐電容器104及/或IC的其它半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)電襯底102可包括適合用于特定應(yīng)用的任何襯底材料。舉例來說，半導(dǎo)電襯底102可包含硅襯底?？墒褂贸练e技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)及/或其它半導(dǎo)體裝置制造技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體裝置100。下文將關(guān)于圖4描述生產(chǎn)無源組件裝置(例如半導(dǎo)體裝置100)的示范性方法。再次參考圖1到2，交叉指型(或相互交叉)電容器104具有通過長(zhǎng)度L、寬度W及高度H界定的近似矩形形狀。值得注意的是，大寫字母標(biāo)號(hào)L、W、H用以界定交叉指型(或相互交叉)電容器104的幾何尺寸。小寫字母標(biāo)號(hào)l、w、h是用以界定交叉指型(或相互交叉)電容器104的子組件(S卩，導(dǎo)電板120a、120b、…、120n、121a、121b、…、121n)的幾何尺寸。
如圖1所示，沿水平Y(jié)軸從電容器104的側(cè)表面134的一點(diǎn)到電容器104的相對(duì)側(cè)表面(圖1到2中未展示)的一點(diǎn)測(cè)量長(zhǎng)度L。沿水平X軸從電容器104的側(cè)表面132上的一點(diǎn)到電容器104的相對(duì)側(cè)表面(圖1到2中未展示)上的一點(diǎn)測(cè)量寬度W。沿垂直Z軸從電容器104的底部表面(圖1到2中未展示)上的一點(diǎn)到電容器104的頂部表面130上的一點(diǎn)測(cè)量高度H。電容器104的頂部表面130與電容器104的底部表面(圖1到2中未展示)相對(duì)。電容器104的底部表面(圖1到2中未展示)鄰近于半導(dǎo)電襯底102的頂部表面118。電容器104的交叉指型(或相互交叉)結(jié)構(gòu)是通過安置或形成在半導(dǎo)電襯底102上的經(jīng)圖案化的導(dǎo)電材料108及介電材料110形成。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可在電容器104與半導(dǎo)電襯底102之間提供一個(gè)或一個(gè)以上額外的襯底層130。襯底層130可包含(但不限于)二氧化硅(“氧化物”)層。如圖1到2所示，導(dǎo)電材料108大致包圍介電材料110。導(dǎo)電材料108可包含(但不限于)金、鎳、鋁、銅、鉻、鈦、鎢、鉬及銀。介電材料110可包含(但不限于)硅材料及聚合物材料。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，介電材料110具有相對(duì)高的介電常數(shù)e (例如，大于100
法拉/米)。導(dǎo)電材料108經(jīng)圖案化以使得電容器104包括剛性地附著到下伏層(例如，襯底層102或130)的兩個(gè)(2個(gè))相對(duì)梳子結(jié)構(gòu)124、126。梳子結(jié)構(gòu)124包括互連元件204及安置或形成在半導(dǎo)電襯底102上的多個(gè)導(dǎo)電板120a、120b、120c、…、120n。梳子結(jié)構(gòu)126包括互連元件206及安置或形成在半導(dǎo)電襯底102上的多個(gè)導(dǎo)電板121a、121b、121c、…、121n。更特定來說，每一梳子結(jié)構(gòu)124、126包括導(dǎo)電互連元件204、206，其中至少一個(gè)導(dǎo)電板垂直于導(dǎo)電互連元件204、206而延伸。每一互連元件204、206具有從其延伸的相應(yīng)的導(dǎo)電引線106、202。導(dǎo)電板120a、120b、120c、…、120n、121a、121b、121c、…、121n 中的每一者具有通過長(zhǎng)度1、寬度w(圖1到2中 未展示)及高度h界定的近似矩形形狀。所述長(zhǎng)度I是沿水平Y(jié)軸測(cè)量。所述寬度w是沿水平X軸測(cè)量。所述高度h是沿垂直Z軸測(cè)量。每一導(dǎo)電板120a、120b、120c、…、120n、121a、121b、121c、…、121n 具有大于或等于一 (I)的高度對(duì)寬度(h/w)比率，即，高度h大于或等于板的寬度W。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，導(dǎo)電板120a、120b、120c、…、120n、121a、121b、121c、…、121n具有相同矩形形狀、長(zhǎng)度1、寬度w(圖1到2中未展示)及高度h。本發(fā)明仍在此方面不受限制。舉例來說，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所述導(dǎo)電板可具有不同長(zhǎng)度1、寬度《(圖1到2中未展示)及高度h。導(dǎo)電板120a、120b、120c、…、120n、121a、121b、121c、…、121n 經(jīng)布置成近似垂直于半導(dǎo)電襯底102。因此,所述導(dǎo)電板中的每一者橫向于半導(dǎo)電襯底102的表面118延伸。導(dǎo)電板120a、…、120n與導(dǎo)電板121a、…、121n “相互交叉”,使得每一導(dǎo)電板與至少一個(gè)相鄰導(dǎo)電板大致平行且大致水平對(duì)準(zhǔn)。如圖1到2所示，相鄰導(dǎo)電板經(jīng)由介電材料110彼此相隔特定距離D。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述導(dǎo)電板的寬度w大于其間隔距離D。本發(fā)明的實(shí)施例仍在此方面不受限制。可根據(jù)任何特定應(yīng)用選擇所述導(dǎo)電板的尺寸。介電材料110安置在使導(dǎo)電板120a、…、120n與導(dǎo)電板121a、…、121n分隔的空間內(nèi)。換句話說，介電材料110沿通過分隔相互交叉導(dǎo)電板120a、…、120n及121a、…、121n的交叉指型空間界定的曲折或彎曲路徑延伸。因此，介電材料110使相應(yīng)的導(dǎo)電板與其相鄰導(dǎo)電板電隔離。舉例來說，導(dǎo)電板120b經(jīng)由介電材料110的部分122b、122c與導(dǎo)電板121a、121b電隔離。類似地，導(dǎo)電板120b經(jīng)由介電材料110的部分122b、122c與導(dǎo)電板121a、121b 電隔離。相互交叉導(dǎo)電板組成一系列平行導(dǎo)電板，其中每一相鄰對(duì)導(dǎo)電板(及相應(yīng)的介入的介電部分122a、122b、122c、…、122n)用作電容器。舉例來說，電容器是由導(dǎo)電板120a及121a及導(dǎo)電板121a及120b形成。上文提供的數(shù)學(xué)方程式(I)給出每一相鄰對(duì)導(dǎo)電板的電容。通過互連導(dǎo)電板120a、…、120n以形成第一端子210及互連導(dǎo)電板121a、…、121n以形成第二端子212，而形成單一電容器104?；ミB元件204、206促進(jìn)這些互連。因?yàn)槔昧硕鄠€(gè)導(dǎo)電板120a、…、120n及121a、…、121n(而非常規(guī)的兩個(gè)板)，所以交叉指型(或相互交叉)電容器104具有大致大于具有相同面積的常規(guī)兩個(gè)(2個(gè))板電容器的電容的電容C。現(xiàn)在參考圖3，提供一種繪制電容器高度H對(duì)類似于上文關(guān)于圖1到2描述的交叉指型(或相互交叉)電容器的電容C的仿真圖表300。如從圖表300 了解，交叉指型(或相互交叉)電容器的電容C隨著其高度H增加而增加。類似地，交叉指型(或相互交叉)電容器的電容C隨著其高度H降低而降低。本發(fā)明的實(shí)施例在此方面不受限制。舉例來說，所述導(dǎo)電板可具有根據(jù)特定應(yīng)用選擇的任何形狀及大小。應(yīng)注意，本發(fā)明的各種實(shí)施例可提供具有比當(dāng)前可用于具有相同電容的常規(guī)電容器的額定電壓高的額定電壓的電容器?？珊?jiǎn)單`地通過將導(dǎo)電板120a、…、120n及121a、…、121n的隅角250、252修圓，且將介電材料110的隅角260、262修圓來提供本發(fā)明的此增加的額定電壓特征。所述圓形隅角可通過每一隅角處的隅角半徑形成。所述隅角半徑越大，每一隅角處的圓度越大?，F(xiàn)在參考圖4，提供用于制造例如圖1到2中展示的對(duì)理解本發(fā)明有用的無源元件裝置的示范性方法400的流程圖。如圖4所示，方法400以步驟402開始且以步驟404繼續(xù)。在步驟404中，提供半導(dǎo)電襯底。所述半導(dǎo)電襯底具有相對(duì)的第一側(cè)及第二側(cè)。所述半導(dǎo)電襯底可包含(但不限于)硅。接著，執(zhí)行步驟406，其中在所述半導(dǎo)電襯底上形成垂直電容性元件?？墒褂贸练e技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)及/或其它半導(dǎo)體裝置制造技術(shù)形成所述垂直電容性元件。在一些情形中，使用上文列出的半導(dǎo)體裝置制造技術(shù)中的一者或一者以上在所述半導(dǎo)電襯底上形成兩個(gè)或兩個(gè)以上平行導(dǎo)電板。每一導(dǎo)電板經(jīng)形成以橫向于所述半導(dǎo)電襯底的第一表面延伸。每一導(dǎo)電板還經(jīng)形成以具有大于或等于I的高度對(duì)寬度(h/w)比率。相鄰導(dǎo)電板形成在所述襯底上以彼此相隔距離D。而且，相鄰導(dǎo)電板是經(jīng)形成以跨半導(dǎo)體襯底的表面橫向相隔開。在其它特定情形中，互連導(dǎo)電板中的兩者或兩者以上以形成一或一個(gè)以上互連梳子結(jié)構(gòu)。在此些情形中，可經(jīng)由沉積及/或蝕刻同時(shí)形成所述梳子結(jié)構(gòu)。在于所述半導(dǎo)電襯底上形成垂直電容性元件之后，可執(zhí)行任選的步驟410。在任選的步驟410中，在分隔所述相鄰導(dǎo)電板的空間中安置非導(dǎo)電材料。值得注意的是，如果將所述非導(dǎo)電材料選擇為空氣，那么將無需執(zhí)行步驟410。此后，執(zhí)行步驟412，其中方法400返回到步驟402或執(zhí)行其它步驟。值得注意的是，可使用方法400制造本發(fā)明的垂直電容性元件。然而，本發(fā)明在此方面不受限制。舉例來說，也可使用類似于或不同于方法400的方法制造所述垂直電容性元件。舉例來說，在形成平行導(dǎo)電板之前可在半導(dǎo)電襯底上形成非導(dǎo)電材料。申請(qǐng)人:在上文呈現(xiàn)據(jù)信為準(zhǔn)確的特定理論方面，所述方面看似解釋了關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例作出的觀察。然而，在未呈現(xiàn)所述理論方面的情況下可實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。而且，所述理論方面是在申請(qǐng)人不希望受限于所呈現(xiàn)的理論的理解的情況下呈現(xiàn)的。雖然上文已描 述本發(fā)明的各種實(shí)施例，但是應(yīng)了解，其已僅通過實(shí)例呈現(xiàn)，且并無限制。在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可根據(jù)本文的揭示內(nèi)容對(duì)所揭示的實(shí)施例作出大量改變。舉例來說，本發(fā)明的各種實(shí)施例并不在本文描述的任何特定類型的半導(dǎo)電襯底或?qū)щ姴牧戏矫媸艿较拗?。因此，本發(fā)明的廣度及泛為不應(yīng)受上述實(shí)施例中的任一者限制。而是，應(yīng)根據(jù)所附權(quán)利要求書及其效物界定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 襯底，其具有第一表面及相對(duì)的第二表面； 垂直電容性元件，其安置在所述襯底的所述第一表面上，所述垂直電容性元件包括各自橫向于所述襯底的所述第一表面延伸并具有大于或等于I的高度對(duì)寬度h/w比率的多個(gè)平行導(dǎo)電板，所述多個(gè)導(dǎo)電板的相鄰導(dǎo)電板彼此相隔距離D。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置是集成電路半導(dǎo)體裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述襯底是半導(dǎo)電襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述多個(gè)導(dǎo)電板是相對(duì)于彼此固定的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括安置在所述相鄰導(dǎo)電板之間的非導(dǎo)電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述多個(gè)導(dǎo)電板形成第一及第二梳子結(jié)構(gòu)的指狀物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述指狀物是相互交叉的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括沿通過分隔所述相互交叉指狀物的交叉指型空間所界定的曲折路徑延伸的非導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述相互交叉指狀物形成一系列平行導(dǎo)電板，其中每一相鄰對(duì)導(dǎo)電板用作電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括互連所述多個(gè)導(dǎo)電板中的至少兩個(gè)導(dǎo)電板的互連元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括安置在所述襯底的所述第二表面上的接地平面。
12.—種半導(dǎo)體裝置，其包括 襯底，其具有第一表面及相對(duì)的第二表面； 交叉指型電容性元件，其安置在所述襯底的所述第一表面上，所述交叉指型電容性元件包括 多個(gè)相互交叉的導(dǎo)電板，其各自橫向于所述襯底的所述第一表面延伸且具有大于或等于I的高度對(duì)寬度h/w比率；及 至少一個(gè)互連元件，其互連所述多個(gè)相互交叉的導(dǎo)電板中的至少兩個(gè)板； 其中所述多個(gè)相互交叉的導(dǎo)電板形成一系列平行導(dǎo)電板，其中每一相鄰對(duì)的所述平行導(dǎo)電板用作電容器。
13.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括 提供具有相對(duì)的第一表面及第二表面的半導(dǎo)電襯底； 在所述半導(dǎo)電襯底上形成垂直電容性元件，所述垂直電容性元件包括多個(gè)平行導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板各自橫向于所述襯底的所述第一表面延伸且具有大于或等于I的高度對(duì)寬度h/w比率，所述多個(gè)導(dǎo)電板的相鄰導(dǎo)電板彼此相隔距離D。
全文摘要
本發(fā)明揭示半導(dǎo)體裝置(100)及其制造方法。所述半導(dǎo)體裝置中的每一者包含具有第一表面(118)及相對(duì)的第二表面的襯底(102)。在所述襯底的所述第一表面上安置垂直電容性元件(104)。所述垂直電容性元件包括橫向于所述襯底的所述第一表面延伸的多個(gè)平行導(dǎo)電板(120a、120b，…)。相鄰導(dǎo)電板彼此相隔距離D。介電材料(110)安置在分隔所述相鄰導(dǎo)電板的空間中。所述導(dǎo)電板中的每一者具有大于或等于1的高度對(duì)寬度h/w比率。
文檔編號(hào)H01L23/522GK103053009SQ201180038330
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者大衛(wèi)·M·史密斯 申請(qǐng)人:賀利實(shí)公司