專利名稱：熒光物質(zhì)、發(fā)光裝置、表面光源裝置、顯示裝置和照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磷光體，更具體而言，本發(fā)明涉及具有高發(fā)光特性和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性的β-賽隆磷光體，以及使用所述磷光體的發(fā)光裝置、表面光源設(shè)備、顯示設(shè)備和照明裝置。
背景技術(shù)：
一般來說，波長轉(zhuǎn)換磷光體材料被用于將來自各種光源的特定波長的光轉(zhuǎn)換成所需波長的光。特別是，在各種光源中，發(fā)光二極管(LED)只需耗費較低的能量就能夠被驅(qū)動并且具有優(yōu)良的光效率，因此，其可以被有效地用于LCD背光源、車輛照明系統(tǒng)和家庭照明系統(tǒng)。近來，磷光體材料被認(rèn)為是制備發(fā)射白光的裝置(LED)的核心技術(shù)。
發(fā)射白光的裝置總體上是利用黃色磷光體轉(zhuǎn)換藍(lán)色LED這樣的方案來制備的。具體而言，可以通過下列方式來產(chǎn)生白光利用具有黃色YAG(Y3Al5O12) :Ce磷光體包覆具有GaN/InGaN活性層的藍(lán)色LED的發(fā)光表面以將特定量的藍(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光，使得經(jīng)轉(zhuǎn)換的黃光與未進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換的藍(lán)光可以組合，由此提供白光。根據(jù)相關(guān)技術(shù)，被設(shè)置成具有上述YAG = Ce磷光體(或TAG-型磷光體)-藍(lán)色LED的發(fā)射白光的裝置具有低顯色性。也就是說，由于利用黃色磷光體而產(chǎn)生的白光的波長僅分布在藍(lán)色和黃色中，因此顯色性相對較低，所以，實現(xiàn)所需的自然白光受到了限制。同時，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的波長轉(zhuǎn)換磷光體材料以有限的方式被用于特定光源的發(fā)光顏色和特定輸出光的顏色，并且能夠?qū)崿F(xiàn)的顏色分布也非常有限，因此，它們在各種光源的發(fā)光顏色和/或各種輸出光的顏色的應(yīng)用中受到了限制。對于上述缺陷，近來，韓國專利申請No. 2004-0076300(于2004年9月23日提交)公開了 通過將三種特定的藍(lán)色、綠色和紅色磷光體混合實現(xiàn)了優(yōu)良的顯色指數(shù)(CRI)和相對高的顏色分布。為了通過紅色磷光體、綠色磷光體和藍(lán)色磷光體的組合物來實現(xiàn)優(yōu)良的發(fā)光裝置，各磷光體都需要具有相對高的轉(zhuǎn)換效率。此外，根據(jù)相關(guān)技術(shù)，硅酸鹽磷光體在被加熱時是不穩(wěn)定的，因此當(dāng)磷酸鹽磷光體與高輸出LED芯片聯(lián)合使用時，其易于失效。面對這些缺陷，自從日本專利公開公布60-206889 (于1985年10月18日公開)公開一種新的磷光體材料這一初步提案之后，已經(jīng)對β-賽隆磷光體進(jìn)行了持續(xù)研究。日本專利注冊No. 3921545 (于2007年3月2日公開，專利權(quán)人NationalInstitute for Materials Science)提出使用β _賽隆磷光體作為綠色發(fā)光磷光體，但是難以在實際中進(jìn)行實施，因為其亮度非常低，并且波長和色坐標(biāo)特性均不適于獲得所需的白光。同時，已經(jīng)報道了一種通過使β-賽隆磷光體的基礎(chǔ)晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變來開發(fā)其新特性的方案。論文 “Fluorescence of Eu+in SiAlONs (SiAlON 中 Eu+的突光性)”(2005, Journal of the Ceramic Society ofjapan, R. J. Xie 等)提出了一種銀(Sr)賽隆，其是通過將晶體結(jié)構(gòu)中的Si或Al替換為Sr而獲得的。然而，由于該晶體結(jié)構(gòu)中置換了Sr,因此相穩(wěn)定性相對較弱，并且難以預(yù)期熱穩(wěn)定性。此外，韓國專利公開公布2009-0028724提出使用β -賽隆(SiAlON)作為綠色磷光體，但是，由于存在粒度相對較大這一缺陷，導(dǎo)致沉淀速度過快并且基于產(chǎn)品的類型色坐標(biāo)的分布相對較大。此外，與相關(guān)技術(shù)中的硅酸鹽磷光體的焙燒條件相比，在制備過程中，可能需要高焙燒溫度(例如，2000°C或更高)和長時間的焙燒時間，例如約1600°C的溫度和約3小時的焙燒時間。由于這些缺陷 ，可能導(dǎo)致難以添加I族和II族元素作為活化劑。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明的一方面提供了一種用于發(fā)射綠光的磷光體及其制備方法，由于所述磷光體具有高發(fā)光性，因此其能夠用于高輸出LED芯片，并且所述磷光體具有優(yōu)良的色彩重現(xiàn)性(color reproducibility)和熱穩(wěn)定性。本發(fā)明的一方面還提供了使用上述磷光體的發(fā)射白光的裝置、表面光源設(shè)備、照明裝置和顯示裝置。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種磷光體，該磷光體具有β_型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)并且包含由經(jīng)驗式Si6_zAlz0zN8_z:Eua，Mb表示的氧氮化物，其中M是選自鍶(Sr)和鋇(Ba)中的至少一者，銪(Eu)的量(a)在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)，M的量(b)在O. I摩爾％至10摩爾％范圍內(nèi)，鋁(Al)的組成比滿足O. l〈z〈l，并且當(dāng)激發(fā)光照射到所述磷光體上時，所述磷光體發(fā)射峰值波長在500nm至550nm范圍內(nèi)的光。所述激發(fā)光源的峰值波長可以在300nm至480nm的范圍內(nèi)。此外，當(dāng)所述磷光體被所述激發(fā)光照射時，所述磷光體發(fā)射的光的峰值波長為540nm或更小。當(dāng)將所述磷光體由于被激發(fā)光照射而發(fā)射的光表示成CIE 1931色坐標(biāo)中的(X，y)值時，X和y可以分別滿足X彡O. 336和y彡O. 637。在由所述磷光體發(fā)射的光的CIE 1931色坐標(biāo)中，y的變化量可以為-O. 0065或更小。此處，例如，如果在3. 3V、120mA下驅(qū)動其上使用所述磷光體的藍(lán)色發(fā)光二極管的條件下對由所述磷光體發(fā)射的光進(jìn)行測量，在所述CIE 1931色坐標(biāo)中的y的值為yl，并且將上述驅(qū)動條件在85 °C下連續(xù)進(jìn)行24小時之后，對發(fā)射的光進(jìn)行測量，在CIE 1931色坐標(biāo)中的y的值為y2，則y的變化量可以定義為y2-yl。在本發(fā)明的實施方案中，M可以是鍶(Sr)。在這種情況下，所述鍶(Sr)的量(a)可以在0.5摩爾％至3摩爾％范圍內(nèi)，優(yōu)選可以在I摩爾％至I. 5摩爾％范圍內(nèi)。此外，所述鋁(Al)的組成比(Z)可以在O. I摩爾％至O. 3摩爾％范圍內(nèi)。所述銪(Eu)的量(b)可以在O. 9摩爾％至3摩爾％范圍內(nèi)。在本發(fā)明的另一個實施方案中，M可以既含有鋇(Ba)又含有鍶(Sr)。所述磷光體的粉末的粒度中的D50值可以在14. 5 μ m至18. 5 μ m范圍內(nèi)。在本發(fā)明的另一個實施方案中，所述磷光體可以是活化劑并且還包含選自由鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鎂(Mg)和鈣(Ca)構(gòu)成的組中的至少一種元素。這里，銪(Eu)的量(a)和M的量(b)也可以由單位ppm來限定。也就是說，也可以分別使用如下表述銪(Eu)的量(a)在IOOppm至5000ppm范圍內(nèi)，同時M的量(b)在IOOppm 至 IOOOOppm 范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制備用以制造氧氮化物磷光體的磷光體的方法，所述氧氮化物磷光體具有β -型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)并且由經(jīng)驗式Si6_zAlz0zN8_z:Eua, Mb表示，M是選自銀(Sr)和鋇(Ba)中的至少一者,銪(Eu)的量(a)在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi),M的量(b)在O. I摩爾％至10摩爾％范圍內(nèi)，鋁(Al)的組成比(z)滿足O. l〈z〈l，所述方法包括稱量原料，所述原料含有含Si氧化物或含Si氮化物、含Al氧化物或含Al氮化物、含Eu化合物以及含M化合物；除了所述含M化合物之外，將其他所述原料混合，從而制備初級混合物；初次焙燒所述初級混合物并研磨經(jīng)初次焙燒的混合物；將所述含M化合物與經(jīng)研磨的混合物混合，從而制備二級混合物；以及二次焙燒所述二級混合物并研磨 經(jīng)二次焙燒的混合物。可以在1850°C至2300°C的焙燒溫度下進(jìn)行所述初次焙燒工序，并且在低于所述初次焙燒工序溫度的溫度下進(jìn)行所述二次焙燒工序?？梢栽诘獨獾臍夥障逻M(jìn)行所述初次焙燒工序和所述二次焙燒工序。制備所述二級混合物的步驟包括與所述含M化合物一起添加含有選自由Li、Na、K、Mg和Ca構(gòu)成的組中的至少一種元素的化合物作為活化劑。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種發(fā)射白光的裝置，其包括發(fā)射激發(fā)光的LED芯片；綠色磷光體，其設(shè)置在所述LED芯片周圍以使至少一部分所述激發(fā)光發(fā)生波長轉(zhuǎn)換，所述綠色磷光體包含賽隆磷光體；以及至少一個發(fā)光元件，其發(fā)射的光的波長與所述LED芯片的波長和所述綠色磷光體的波長不同，所述至少一個發(fā)光元件是另外的LED芯片和不同類型的磷光體中的至少一者。所述LED芯片可以是發(fā)射紫外光的LED芯片，或者是發(fā)射峰值波長大于470nm的可見光的LED芯片。同時，所述LED芯片可以是峰值波長在430nm至470nm范圍內(nèi)的藍(lán)色LED芯片。在這種情況下，所述至少一個發(fā)光元件可以包括紅色磷光體。所述紅色磷光體的發(fā)光峰值波長可以在600nm至660nm的范圍內(nèi)，并且所述綠色磷光體的發(fā)光峰值波長可以在500nm至550nm的范圍內(nèi)。此外，所述藍(lán)色LED芯片的半峰全寬(FWHM)可以在IOnm至30nm范圍內(nèi)，所述綠色磷光體的半峰全寬(FWHM)可以在30nm至IOOnm范圍內(nèi)，并且所述紅色磷光體的半峰全寬(FWHM)可以在50nm至150nm范圍內(nèi)。此外，所述綠色磷光體的發(fā)光峰值波長可以在535nm至545nm的范圍內(nèi)，并且所述發(fā)光波長的半峰全寬(FWHM)可以在60nm至80nm的范圍內(nèi)。在CIE 1941色坐標(biāo)系中，由所述紅色磷光體發(fā)射的光的色坐標(biāo)分別在O. 55 < X < O. 65和O. 25 < y < O. 35的范圍內(nèi)，由所述藍(lán)色LED芯片發(fā)射的光的色坐標(biāo)分別在O. I彡X彡O. 2和O. 02彡y彡O. 15的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的另一個實施方案中，所述紅色磷光體可以是選自氮化物型磷光體MlAlSiNx = Re (I彡x彡5)、硫化物型磷光體MlD:Re、和硅酸鹽型磷光體(Sr，L)2Si04_xNy:Eu，(O < X < 4，y=2x/3)中的至少一者。這里，Ml是選自鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的至少一種元素山是選自硫(S)、硒(Se)、和碲(Te)中的至少一種元素山是選自由Ba、Ca和Mg構(gòu)成的組中的至少一種II族元素，或者是選自由鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)和銫(Cs)構(gòu)成的組中的至少一種I族元素；并且Re是選自釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、F、氯(Cl)、溴(Br)、和碘(I)中的至少一者。所述至少一個發(fā)光元件還可以包括黃色或黃橙色磷光體。在這種情況中，所述黃色磷光體或黃橙色磷光體可以是硅酸鹽型磷光體、石榴石型磷光體YAG和TAG、硫化物型磷光體或a-SiAlON = Re磷光體。同時，所述至少一個發(fā)光元件可以是紅色LED芯片。在本發(fā)明的實施方案中，所述LED芯片可以具有這樣的結(jié)構(gòu)在所述結(jié)構(gòu)中，第一電極和第二電極被設(shè)置成面對相同的表面。在本發(fā)明的另一個實施方案中，所述LED芯片具有這樣的結(jié)構(gòu)在所述結(jié)構(gòu)中，第一電極和第二電極分別被設(shè)置成面對彼此相對的不同表面。在本發(fā)明的另一個實施方案中，所述LED芯片可以包括半導(dǎo)體堆疊體，其具有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間形成的活性層，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層提供彼此相對的第一主表面和第二主表面；接觸孔，其穿過所述活性層從所述第二主表面連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一個區(qū)域；第一電極，其在所述半導(dǎo)體堆疊體的所述第二主表面上形成并且穿過所述接觸孔連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一個區(qū)域；以及第二電極，其在所述半導(dǎo)體堆疊體的第二主表面上形成的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成，以連接至所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。在這種情況下，所述第一電極和所述第二電極中的任何一者可以暴露于所述半導(dǎo)體堆疊體的側(cè)面。所述發(fā)射白光的裝置可以還包括包裝主體，其具有安裝有所述LED芯片的凹部。所述發(fā)射白光的裝置可以還包括用于封裝所述LED芯片的樹脂包裝部分，多種磷光體中的至少一種可以被分散在所述樹脂包裝部分中。所述多種磷光體可以分別形成多個不同的含磷光體樹脂層，并且所述多個含磷光體樹脂層可以具有堆疊結(jié)構(gòu)。由所述發(fā)射白光的裝置發(fā)射的白光的顯色指數(shù)(CRI)可以是70或更高。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種使用上述磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料的表面光源設(shè)備、顯示設(shè)備和照明裝置。有益效果可以將一定量的鍶(Sr)添加到以β -賽隆晶體形式提供的主體基質(zhì)的空球(即氣隙或孔隙)中，從而獲得與相關(guān)技術(shù)的β -賽隆磷光體相比，亮度得到顯著提高(例如提高約20%)并具有較短波長的綠色磷光體。綠色磷光體可以提供滿足CIE 1931色坐標(biāo)系中的標(biāo)準(zhǔn)RGE (sRGB)綠色區(qū)域的顏色特性，從而有助于產(chǎn)生強烈(光亮、銳利)的白光。此外，添加(或摻雜)鍶(Sr)能夠有助于β -賽隆的相變得穩(wěn)定，從而提高其可靠性，特別是顯著降低I色坐標(biāo)(其對隨時間推移的效率變化起主導(dǎo)作用)的變化，并且在生產(chǎn)性和產(chǎn)率方面獲得顯著的改善效果。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個方面提供的賽隆磷光體可以與其他磷光體(例如藍(lán)色和紅色磷光體)一起用于發(fā)光裝置，由此獲得各種顏色表達(dá)和優(yōu)良的色彩重現(xiàn)性。此外，在實施發(fā)射白光的裝置時，可以通過極大提高的顯色指數(shù)來獲得優(yōu)良的白光。根據(jù)本發(fā)明的一個方面的氧氮化物磷光體可以在各種類型的發(fā)射白光的裝置、表面光源設(shè)備、顯示設(shè)備和照明裝置中作為波長轉(zhuǎn)換材料。


結(jié)合附圖，根據(jù)以下詳細(xì)說明將會更清楚地理解本發(fā)明的以上方面和其他方面、特征和其他優(yōu)點。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的一個例子的β_賽隆磷光體的晶體結(jié)構(gòu)的視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例I和比較例I而制備的β -賽隆磷光體的XRD圖；如3和4是通過使用TOF-SMS對本發(fā)明實施例I和比較例I的各β -賽隆磷光體的構(gòu)成原子進(jìn)行分析而獲得的圖；圖5為示出了根據(jù)本發(fā)明實施例1-4的賽隆磷光體的照明改進(jìn)效果的圖；
圖6是用于解釋從磷光體發(fā)射的光以及所述磷光體隨時間變化而具有的特性的CIE 1931色坐標(biāo)系；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例1-4的β -賽隆磷光體的短波長效果的圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例1-4的β -賽隆磷光體的特性隨時間變化的改進(jìn)效果(y色坐標(biāo)的變化量減小)的圖；圖9是比較例1-4的β -賽隆磷光體的發(fā)射光譜圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例1、6和7的β -賽隆磷光體的發(fā)射光譜圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例8-13和比較例5和6的β -賽隆磷光體的發(fā)射光譜圖；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明實施例8-13和比較例5和6的β -賽隆磷光體的強度積分值和峰強度的圖；圖13是示出根據(jù)本發(fā)明實施例8-13和比較例5和6的β-賽隆磷光體的激發(fā)光譜圖；圖14是示出根據(jù)本發(fā)明實施例14-23的β -賽隆磷光體的發(fā)射光譜圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明實施例14-23的β -賽隆磷光體的強度積分值和峰強度的圖；圖16是示出根據(jù)本發(fā)明實施例14-23的β -賽隆磷光體激發(fā)光譜圖；圖17是示出根據(jù)本發(fā)明實施例14-23的β -賽隆磷光體的峰強度和半峰全寬(FffHM)的圖；圖18是示出根據(jù)本發(fā)明例子的β -賽隆磷光體的粒度情況的圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的發(fā)射白光的裝置的截面示意圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的發(fā)射白光的裝置的截面示意圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的發(fā)射白光的裝置的截面示意圖；圖22是示出根據(jù)本發(fā)明實施方案的綠色磷光體的光譜的圖；圖23Α和23Β是示出根據(jù)本發(fā)明實施方案的紅色磷光體的光譜的圖；圖24Α和24Β是示出根據(jù)本發(fā)明實施方案的黃色或黃橙色磷光體的光譜的圖；圖25是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施方案的LED光源模組的截面?zhèn)纫晥D；圖26是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的LED光源模組的截面?zhèn)纫晥D；圖27是作為本發(fā)明一個例子的用于發(fā)射白光的裝置的發(fā)光裝置的截面?zhèn)纫晥D；圖28是作為本發(fā)明另一個例子的用于發(fā)射白光的裝置的發(fā)光裝置的截面?zhèn)纫晥D；圖29和30是示出可以用于本發(fā)明實施方案的發(fā)射白光的裝置的發(fā)光裝置的一個例子的平面視圖和側(cè)視截面圖；圖31是示出可以用于本發(fā)明實施方案的發(fā)射白光的裝置的發(fā)光裝置的另一個例子的側(cè)視截面圖；圖32A和32B是示出根據(jù)本發(fā)明各實施方案的背光單元的截面視圖；圖33是根據(jù)本發(fā)明實施方案的直接型背光單元的截面視圖；圖34和35是根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的邊緣型背光單元的截面視圖；以及
圖36是根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的顯示設(shè)備的剖解立體圖。
具體實施例方式將結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施方案，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠容易地實施與本發(fā)明有關(guān)的實施方案。但是，在描述本發(fā)明實施方案的過程中，對眾所周知的功能和構(gòu)造的詳細(xì)描述將被省略，從而避免對本發(fā)明的說明與不必要的細(xì)節(jié)發(fā)生混淆。此外，在所有附圖中，相同的參考標(biāo)記表示相同的元件。除非另外明確地說明，否則措辭“包含”及其變體，例如“包括I ”或“含有”，均應(yīng)當(dāng)被理解為包括所述的元件，但不排除其他元件。在本文中，將結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施方案。根據(jù)本發(fā)明一個例子的磷光體可以具有β -型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)并且包含由經(jīng)驗式Si6_zAlz0zN8_z:Eua，Mb表示的氧氮化物。所述經(jīng)驗式可以滿足以下條件。I) M是選自鍶(Sr)和鋇(Ba)中的至少一者，2)銪(Eu)的量(a)在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)，3)M的量(b)在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)，以及4)鋁的組成比(Z)滿足O. l〈z〈l。根據(jù)本發(fā)明的例子的磷光體可以被占據(jù)藍(lán)光區(qū)域的光波長(包括紫外區(qū)域)激發(fā)，由此發(fā)射綠光。也就是說，當(dāng)使用峰值波長在300nm至480nm范圍內(nèi)的激發(fā)光照射用于發(fā)射峰值波長在500nm至550nm范圍內(nèi)的光的磷光體時,可以提供綠色磷光體。特別是,如果激發(fā)光在紫外(UV)波段，那么有望獲得相對較高的轉(zhuǎn)換效率。這樣，根據(jù)本發(fā)明例子的磷光體可以是β -賽隆型磷光體，其是通過將Sr和Ba中的任何一者或這二者與Eu —起添加到具有β-型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)的Si6_zAlz0zN8_z主體基質(zhì)中而獲得的。如圖I所示，與Eu —起添加的Sr (或Ba)可以作為摻雜劑被添加到空球中，而不是置換形成主體基質(zhì)的元素Si或Al。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的例子，添加Sr或Ba可以不使主體基質(zhì)(請參見圖2)轉(zhuǎn)變。M是Sr和Ba中的至少一者，其可有助于使β -賽隆磷光體的相變得穩(wěn)定并且有助于磷光體的波長變短，從而增強其可靠性和提高發(fā)光效率。M的量(b)可以在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)。在這種情況中，例如，當(dāng)Sr的量低于O. I摩爾％時，效率改善效果和波長縮短效果可能不足，如果超過5摩爾％，與不添加Sr的磷光體相比，其效率可能會劣化。因此，Sr的量(a)可以在0.5摩爾％至3摩爾％之間，優(yōu)選在I摩爾％至I. 5摩爾％之間。特別是，與不添加M的情況相比，在添加M的情況中，發(fā)光元件的亮度被提高20%或更高，因此，可以預(yù)期相對更高的轉(zhuǎn)換效率。在符合上述經(jīng)驗式的磷光體中，當(dāng)使用激發(fā)光照射所述磷光體時，由所述磷光體發(fā)射的光的峰值波長可以改變至具有540nm或更低的相對短波長。因此，標(biāo)準(zhǔn)RGB中所需的綠光波長特性可以滿足相對高的水平。也就是說，如果將磷光體由于被激發(fā)光照射而發(fā)射的光表示為CIE 1931色坐標(biāo)中的(x，y)值，由于x和y分別滿足x彡O. 336和y彡O. 637，因此可以有效地利用能夠提供強烈白光的綠色磷光體。如上所述，由于可以將根據(jù)本發(fā)明例子所選的M摻雜劑添加到空球中，因此β -賽隆磷光體可以在相對高的效率下變得相穩(wěn)定，從而降低效率隨時間發(fā)生的變化。總體上，效率隨時間的變化可以取決于I色坐標(biāo)。當(dāng)將根據(jù)測量方法的y色坐標(biāo)的變化量用于藍(lán)色發(fā)光二極管時，并且如果在3. 3V和120mA下對在驅(qū)動起始時間發(fā)射的光進(jìn)行測量獲得的CIE 1931色坐標(biāo)中的y值表示為yl,同時將對在上述驅(qū)動條件在85°C下持續(xù)24小時后發(fā)射的光進(jìn)行測量獲得的CIE 1931 色坐標(biāo)中的I值表示為y2，則y的變化量可以定義為y2-yl。在這種情況中，在磷光體發(fā)射的光的CIE 1931色坐標(biāo)中j的變化量可以為-O. 0065或更低。根據(jù)本發(fā)明的另一個例子，以下描述制備上述磷光體的方法。首先，可以根據(jù)需要稱量滿足上述經(jīng)驗式中要求的化學(xué)計量比的原料，所述原料含有含Si氧化物或含Si氮化物、含Al氧化物或含Al氮化物、含Eu化合物以及含M化合物。隨后，可以將除了所述含M化合物之外的上述其他原料進(jìn)行混合來制備初級混合物。然后，對所述初級混合物進(jìn)行初次焙燒并將經(jīng)初次焙燒的混合物碾磨。隨后，可以將所述含M化合物與碾碎的初級混合物混合，從而制備二級混合物。隨后，可以對所述二級混合進(jìn)行二次焙燒并在隨后進(jìn)行碾磨，由此獲得上述β_賽隆磷光體。此外，可以對所得磷光體進(jìn)行酸洗處理，從而提高其結(jié)晶作用。在本發(fā)明的該例子中，通過兩次焙燒工序，可以將Sr添加到β -賽隆主體基質(zhì)中。此外，可以通過使所述二次焙燒在低于所述初次焙燒工序的溫度下進(jìn)行從而使本方法平穩(wěn)地進(jìn)行。特別是，由于所述二次焙燒工序可以在低于所述初次焙燒工序中所用的1850°C至2300°C范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行，因此可以通過將含有I族和II族元素的化合物與所述初次焙燒混合物混合來進(jìn)行所述二次焙燒工序，由此額外地添加I族和II族元素作為另外的活化齊U。添加活化劑能夠極大地有助于縮短磷光體的波長。I族和II族元素可以是選自由Li、Na、K、Mg和Ca構(gòu)成的組中的元素。以下將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明例子的制備磷光體的方法中各工序的例子?？梢允褂酶苫旆ê蜐窕旆ㄖ械囊徽邅砘旌显稀Ｊ紫?，根據(jù)濕混法，可以將稱量的混合物、在原料的混合和碾碎工序中起到輔助作用的球、以及溶劑裝入容器中并在隨后進(jìn)行混合。在這種情況中，對于球，可以使用由諸如氧化硅(Si3N4)或氧化鋯(ZrO2)等材料制成的球或者使用常規(guī)用于混合原料的球。對于溶齊U，蒸餾水(D. I.水)，諸如乙醇等醇、諸如己烷之類的有機溶劑等均可使用。即，可以將原料、溶劑和球放到容器中，所述容器可以是密封的，并且可以使用諸如研磨機等裝置將原料均勻混合I至24小時。在混合工序完成之后，將混合的原料與球分離，并且可以在烘箱中使包含在其中的溶劑蒸發(fā)I至48小時以蒸除大部分溶劑。干燥工序完成之后，可以在所需的微米尺寸條件下使用由金屬或聚合物制成的篩網(wǎng)對所得粉末進(jìn)行均勻分級。同時，根據(jù)干混法，可以在不使用溶劑的條件下將原料裝入容器中，隨后可以使用碾磨機進(jìn)行均勻混合?；旌铣掷m(xù)的時間可以為約I至24小時，并且在這種情況中，可以將球與原料一起裝入以便于進(jìn)行混合操作，由此縮短混合時間。與濕混法相比，使用干混法可以降低整體處理時間，因為干混法不需進(jìn)行溶劑干燥工序。當(dāng)原料的混合完成時，與濕混法類似的是，可以在所需微米尺寸的條件下使用由金屬或聚合物制成的篩網(wǎng)對所得粉末進(jìn)行均勻分級。以下將結(jié)合圖18來說明上述磷光體的顆粒情況。可以將經(jīng)分級的混合物粉末放到氮化硼(BN)坩堝(或熔化鍋)中并在其上進(jìn)行焙燒工序。在這種情況中，可以使用加熱爐在所需的焙燒溫度(例如1850° C 至2300° C、1000° C至1800。C)下進(jìn)行約I至24小時來進(jìn)行所述焙燒工序?？梢栽?00%氮氣(N2)或含有1%至10%氫氣的混合氮氣的氣氛下進(jìn)行所述焙燒工序?？梢允褂醚欣徎蚱扑闄C(或碾磨機、研磨機等)將合成的磷光體粉末均勻地破碎并且可以重復(fù)進(jìn)行1-3次后熱處理以提高磷光體的亮度。在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明的各個例子。實施例I根據(jù)滿足以下表I中的組成比的化學(xué)計量比稱量原料Si3N4、AIN、A1203、Eu2O3和SrCO3，從而準(zhǔn)備符合實施例I的原料組。使用球磨機利用乙醇溶劑將原料組中除SrCO3之外的其余原料混合。使用干燥器將原料混合物中的乙醇溶劑蒸除，將經(jīng)干燥的初級原料混合物裝入氮化硼(BN)坩堝中，并且將填充所述初級原料混合物的氮化硼(BN)坩堝裝入加熱爐中，在2050°C下在N2氣氛中在氣態(tài)下初次焙燒10小時。使用碾磨機將經(jīng)初次焙燒的混合物破碎并通過向其中加入稱量的SrCO3而將破碎的混合物進(jìn)行二次混合。隨后在1750°C下將所得二級混合物再次焙燒，由此基于實施例I的組成比制得磷光體。將制備的磷光體破碎并在隨后進(jìn)行后熱處理工序和酸洗工序，從而獲得 β -賽隆磷光體 Si5.8Α10.200.2Ν7.8: Eu0.0152, Sr0.01。比較例I除了上述實施例I中的Sr原料之外，本方法與實施例I的全部條件中的初次焙燒條件相同，隨后在與實施例I相同的條件下將所得磷光體破碎，隨后通過后熱處理工序和
酸洗工序制得β -賽隆磷光體Si5.8Α10.200.2Ν7.8: Eu0.0152。首先，對實施例I和比較例I的β -賽隆磷光體進(jìn)行XRD分析。分析結(jié)果如圖I中的XRD圖所示。如圖I所示，可以看出，實施例I的含有Sr的賽隆磷光體和比較例I中不含Sr的β-賽隆磷光體具有彼此相同的晶體峰。也就是說，實施例I的賽隆磷光體與比較例I的β -賽隆磷光體均可具有相同的β -型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)。這樣，可以確認(rèn)，實施例I中加入的Sr不會影響晶體結(jié)構(gòu)。此外，為了確認(rèn)實施例I中添加了 Sr，進(jìn)行TOF-SMS測量來檢測Sr密度。在比較例I的圖4的圖中沒有顯示檢測到Sr，但參考實施例I的圖3，可以確認(rèn)已經(jīng)摻雜了 Sr (請參見第四個圖)，這也可以在定性評價結(jié)果中得到類似的確認(rèn)。換言之，比較例I中示出沒有Sr，同時，實施例I中示出含有Sr。根據(jù)測量和檢測結(jié)果，可以看到，根據(jù)實施例1，Sr沒有與組成元素發(fā)生置換，而是摻雜到了空球中，從而保持了晶體結(jié)構(gòu)。表I
分類Al(z) Eu (a) Sr (b)
比較例 I 5720.0152 ^
實施例I 0 20.0152 I摩爾％ 實施例2 0 20.0152 1.5摩爾％
實施例3 0 20.0152 2摩爾％
實施例4 0 20.0152 3摩爾％
實施例5 0 20.0152 4摩爾％實施例2-5在與實施例I相同的條件下進(jìn)行實施例2-5，但是，為了滿足以上表I的組成比，制備了其中分別添加有I. 5摩爾％、2摩爾％、3摩爾％和4摩爾％的Sr的β -賽隆磷光體。對于實施例1-5的賽隆磷光體和比較例I的賽隆磷光體，測量了亮度水平以及由460nm激發(fā)光源得到的發(fā)光光譜中的峰值波長和半峰全寬(FWHM)、以及色坐標(biāo)。表2
；^色坐標(biāo)峰值波長半峰全寬亮度(％)
.大:XY(nm) (FWHM)
比較例 I 0.3385 0.6352 ^540.65 1)IOO
文施例 I 10.33441 0.6372 340 O52J1216~文施例 2 0.3324 0.6398 ^539.55Z0123.5~
文施例 3 0.3273 0.6398 ^539.052 2119.6~以沒有添加Sr的比較例I (亮度為100%)為基礎(chǔ)，對于實施例1_5的亮度，其亮度測量結(jié)果在圖5的圖和表2中示出。如圖5所示，可以看出，與沒有添加Sr的比較例I的β -賽隆磷光體相比，實施例1-3的β -賽隆磷光體的相對亮度提高了 20%或更多。同時，例如，根據(jù)實施例4和5，當(dāng)Sr的量為3摩爾％或4摩爾％時，可以確認(rèn)亮度的增加分別為111. 2%和105%，因此其增加率稍有降低。因此，就提聞売度和提聞效率而目，如實施例1_3所提出的那樣,Sr的量可以確定在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)，并且可以優(yōu)選在O. 5摩爾％至3摩爾％范圍內(nèi)或在I摩爾％至I. 5摩爾％范圍內(nèi)。同時，與比較例I相比，實施例1-5的β -賽隆磷光體的色坐標(biāo)具有顯著不同的特征。也就是說，如以上表2所示的那樣，就短波長而言，實施例1-5的色坐標(biāo)中的X值低于比較例I中β_賽隆磷光體的X值，同時y值趨于升高。與之相關(guān)的是，對于峰值波長，可以確定，實施例1-5中的所有值均具有540nm或更低的短波長。特別是，這種趨勢可能與圖7中示出的Sr的量的增加有關(guān)。根據(jù)實施例1-5獲得的色坐標(biāo)滿足sRGB在相對高水平下發(fā)射綠光的條件。換言之，在圖6的CIE 1931色坐標(biāo)中，在其發(fā)射綠光的坐標(biāo)中，如果X相對較低而I相對較高，那么其可以視為更適于上述條件?？梢源_定的是，由于在實施例1-5的賽隆磷光體的發(fā)光色坐標(biāo)中，X為O. 336或更低并且y為O. 637或更高，因此，與比較例I相比，實施例1_5更合適。此外，在實施例1-5的β -賽隆磷光體中，由于添加了 Sr，相穩(wěn)定性可以得到加強，因此轉(zhuǎn)換效率隨時間發(fā)生的變化可以被顯著降低。特別是，這種效率變化可以通過y色坐標(biāo)的變化來進(jìn)行比較和確定。圖8是示出對特征改進(jìn)效果隨時間的變化而言，實施例1-3和比較例I中y發(fā)生的變化量。在測量y變化量的各種方法中，在本例子的方法中,將磷光體用于460nm的發(fā)射藍(lán)光的二極管并在3. 3V和120mA下開啟驅(qū)動，從而發(fā)光，此時，將對發(fā)射光進(jìn)行測量而獲得的CIE 1931色坐標(biāo)中的y值表示為yl，并且將在上述驅(qū)動條件在85°C下持續(xù)24小時之后對發(fā)射的光進(jìn)行測量而獲得的CIE 1931色坐標(biāo)中的y值表示為y2，則y變化量定義為y2_yl。結(jié)果是，在比較例I中，其顯示為相對高的-O. 0071，而在本發(fā)明的實施例1-3中，由磷光體發(fā)射的光在CIE 1931色坐標(biāo)中J的變化量可以為-O. 0065或更低?？梢源_定當(dāng)Sr的量升高時，隨著時間的推移，特性變得穩(wěn)定。在下文中，為了確定除了添加Sr之外，還添加其他組分是否會產(chǎn)生影響，進(jìn)行以下比較例2-5和實施例6和7。比較例2-4在比較例2-4中，除了使用CaCO3作為含Ca化合物來代替使用SrCO3之外，在與實施例I相同的條件和工藝下制備分別含有O. 5摩爾％、I. O摩爾％和I. 5摩爾％的Ca的β -賽隆磷光體，從而滿足以上表3中比較例2-4的組成比。比較例5在比較例5中，除了使用MgCO3作為含Ba化合物來代替使用SrCO3之外，在與實施例I相同的條件和方法下制備含有I. O摩爾％的Mg的β -賽隆磷光體，從而滿足以上表3中比較例5的組成比。實施例6在本實施例6的情況中，在與實施例I相同的條件和方法下制備分別含有O. 5摩爾％的Sr和Ba的β -賽隆磷光體，從而滿足以上表3中比較例6的組成比，不同之處在于除了使用SrCO3之外，還使用BaCO3作為含Ba化合物。實施例7在本實施例7中，除了額外使用BaCO3作為含Ba化合物代替SrCO3之外，在與實施例I相同的條件和方法下制備含有I. O摩爾％的Ba的β -賽隆磷光體，從而滿足以上表3中比較例7的組成比。表權(quán)利要求
1.一種磷光體，該磷光體具有β -型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)，并且包含由經(jīng)驗式Si6_zAlz0zN8_z:Eua, Mb 表示的氧氮化物， M是選自鍶(Sr)和鋇(Ba)中的至少一者，銪(Eu)的量(a)在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)，M的量(b)在O. I摩爾％至10摩爾％范圍內(nèi)，并且鋁(Al)的組成比率(z)滿足O.l〈z〈l，并且 當(dāng)激發(fā)光照射到所述磷光體上時，該磷光體發(fā)射峰值波長在500nm至550nm范圍內(nèi)的光。
2.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中所述激發(fā)光的峰值波長在300nm至480nm的范圍內(nèi)。
3.權(quán)利要求2所述的磷光體，其中當(dāng)所述磷光體被所述激發(fā)光照射時，所述磷光體發(fā)射的光的峰值波長為540nm或更小。
4.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中當(dāng)將所述磷光體由于被激發(fā)光照射而發(fā)射的光表示成CIE 1931色坐標(biāo)中的(X，y)值時，x和y分別滿足x彡O. 336和y彡O. 637。
5.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中在由所述磷光體發(fā)射的光的CIE1931色坐標(biāo)中，y的變化量為-O. 0065或更??；并且如果在3. 3V、120mA下驅(qū)動其中使用所述磷光體的藍(lán)色發(fā)光二極管的條件下對最初發(fā)射的光進(jìn)行測量，所述CIE 1931色坐標(biāo)中的y的值為yl，并且在將上述驅(qū)動條件在85°C下連續(xù)進(jìn)行24小時之后，對發(fā)射的光進(jìn)行測量，所述CIE 1931色坐標(biāo)中的I的值為y2,那么y的變化量定義為y2-yl。
6.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中M是鍶(Sr)。
7.權(quán)利要求6所述的磷光體，其中所述鍶(Sr)的量(a)在O.5摩爾％至3摩爾％范圍內(nèi)。
8.權(quán)利要求7所述的磷光體，其中所述鍶(Sr)的量(a)在I摩爾％至I.5摩爾％范圍內(nèi)。
9.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中所述鋁(Al)的組成比率(z)在O.I摩爾％至0.3摩爾％范圍內(nèi)。
10.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中所述銪(Eu)的量(b)在O.9摩爾％至3摩爾％范圍內(nèi)。
11.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中所述M既包含鋇(Ba)又包含鍶(Sr)。
12.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中所述磷光體的粉末的粒度中的D50值在14.5 μ m至18. 5 μ m范圍內(nèi)。
13.權(quán)利要求I所述的磷光體，其中所述磷光體是活化劑并且還包含選自由鋰(Li)、鈉(Na)、鉀⑷、鎂(Mg)和鈣(Ca)構(gòu)成的組中的至少一種元素。
14.一種制備氧氮化物磷光體的方法，所述磷光體具有型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)并且由經(jīng)驗式Si6_zAlz0zN8_z:Eua，Mb表示，M是選自鍶(Sr)和鋇(Ba)中的至少一者，銪(Eu)的量(a)在O. I摩爾％至5摩爾％范圍內(nèi)，M的量(b)在O. I摩爾％至10摩爾％范圍內(nèi)，鋁(Al)的組成比率(z)滿足O. l〈z〈l,所述方法包括 稱量原料，所述原料含有含Si氧化物或含Si氮化物、含Al氧化物或含Al氮化物、含Eu化合物以及含M化合物； 除了所述含M化合物之外，將其他所述原料混合，從而制備初級混合物； 初次焙燒所述初級混合物并研磨經(jīng)初次焙燒的所述混合物；將所述含M化合物與經(jīng)研磨的所述混合物混合，從而制備二級混合物；以及 二次焙燒所述二級混合物并研磨經(jīng)二次焙燒的所述混合物。
15.權(quán)利要求14所述的方法，其中在1850°C至2300°C范圍內(nèi)的焙燒溫度下進(jìn)行所述初次焙燒工序，并且在低于所述初次焙燒工序的溫度的溫度下進(jìn)行所述二次焙燒工序。
16.權(quán)利要求14所述的方法，其中在氮氣或氮氣與氫氣的混合物的氣氛下進(jìn)行所述初次焙燒工序和所述二次焙燒工序。
17.權(quán)利要求14所述的方法，其中所述含M化合物是鍶(Sr)。
18.權(quán)利要求17所述的方法，其中所述鍶(Sr)的量(a)在O.5摩爾％至3摩爾％的范圍內(nèi)。
19.權(quán)利要求18所述的方法，其中所述鍶(Sr)的量(a)在I摩爾％至I.5摩爾％的范圍內(nèi)。
20.權(quán)利要求14所述的方法，其中所述鋁的組成比率(z)在O.I摩爾％至0.3摩爾％范圍內(nèi)。
21.權(quán)利要求14所述的方法，其中所述銪(Eu)的量(b)在O.9摩爾％至3摩爾％范圍內(nèi)。
22.權(quán)利要求14所述的方法，其中所述含M化合物既含有含鋇(Ba)化合物又含有含鍶(Sr)化合物。
23.權(quán)利要求14所述的方法，其中所述制備所述二級混合物的步驟包括與所述含M化合物一起添加含有選自由Li、Na、K、Mg和Ca構(gòu)成的組中的至少一種元素的化合物作為活化劑。
24.一種發(fā)射白光的裝置，包括 發(fā)光二極管(LED)芯片，其發(fā)射激發(fā)光； 綠色磷光體，其設(shè)置在所述LED芯片周圍以使至少一部分所述激發(fā)光發(fā)生波長轉(zhuǎn)換，并且包含根據(jù)權(quán)利要求I至13中任一項所述的磷光體；以及 至少一個發(fā)光元件，其發(fā)射的光的波長與所述LED芯片的波長和所述綠色磷光體的波長不同，所述至少一個發(fā)光元件是另外的LED芯片和不同類型的磷光體中的至少一者。
25.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述LED芯片是發(fā)射紫外光的LED芯片，或者是發(fā)射峰值波長為470nm或更大的可見光的LED芯片。
26.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述LED芯片是峰值波長在430nm至470nm范圍內(nèi)的藍(lán)色LED芯片，并且所述至少一個發(fā)光元件包括紅色磷光體。
27.權(quán)利要求26所述的裝置,其中所述紅色磷光體的發(fā)光峰值波長在600nm至660nm的范圍內(nèi)，并且所述綠色磷光體的發(fā)光峰值波長在500nm至550nm的范圍內(nèi)。
28.權(quán)利要求26所述的裝置，其中所述藍(lán)色LED芯片的半峰全寬(FWHM)在IOnm至50nm范圍內(nèi)，所述綠色磷光體的半峰全寬(FWHM)在30nm至200nm范圍內(nèi)，并且所述紅色磷光體的半峰全寬(FWHM)在50nm至250nm范圍內(nèi)，
29.權(quán)利要求27所述的裝置，其中所述綠色磷光體的發(fā)光峰值波長在535nm至545nm的范圍內(nèi)，并且所述發(fā)光波長的半峰全寬(FWHM)在60nm至80nm的范圍內(nèi)。
30.權(quán)利要求27所述的裝置，其中在CIE1941色坐標(biāo)系中，由所述紅色磷光體發(fā)射的光的色坐標(biāo)分別在O. 55 < X < O. 65和O. 25 < y < O. 35的范圍內(nèi)，并且由所述藍(lán)色LED芯片發(fā)射的光的色坐標(biāo)分別在O. I彡X彡O. 2和O. 02彡y彡O. 15的范圍內(nèi)。
31.權(quán)利要求26所述的裝置，其中所述紅色磷光體是選自氮化物型磷光體MlAlSiNx = Re (I彡x彡5)、硫化物型磷光體MlD:Re、和硅酸鹽型磷光體(Sr，L)2Si04_xNy:Eu，(O < X < 4，y=2x/3)中的至少一者， 其中，Ml是選自鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的至少一種元素山是選自硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一種元素；L是選自由Ba、Ca和Mg構(gòu)成的組中的至少一種II族元素，或者是選自由鋰(Li)、鈉(Na)、鉀⑷、銣(Rb)和銫(Cs)構(gòu)成的組中的至少一種I族元素；并且Re是選自釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、F、氯(Cl)、溴(Br)、和碘(I)中的至少一者。
32.權(quán)利要求26所述的裝置，其中所述至少一個發(fā)光元件還包括黃色或黃橙色磷光體。
33.權(quán)利要求32所述的裝置，其中所述黃色磷光體是硅酸鹽型磷光體，并且所述黃橙色磷光體是a-SiAlON = Re磷光體。
34.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述至少一個發(fā)光元件是紅色LED芯片。
35.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述LED芯片具有這樣的結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中，第一電極和第二電極被設(shè)置成面對相同的表面。
36.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述LED芯片具有這樣的結(jié)構(gòu)在所述結(jié)構(gòu)中，第一電極和第二電極分別被設(shè)置成面對彼此相對的不同表面。
37.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述LED芯片包括 半導(dǎo)體堆疊體，其具有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間形成的活性層，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層提供彼此相對的第一主表面和第二主表面； 接觸孔，其穿過所述活性層從所述第二主表面連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一個區(qū)域； 第一電極，其在所述半導(dǎo)體堆疊體的所述第二主表面上形成并且穿過所述接觸孔連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一個區(qū)域；以及 第二電極，其在所述半導(dǎo)體堆疊體的第二主表面上形成的所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成，以連接至所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
38.權(quán)利要求37所述的裝置，其中所述第一電極和所述第二電極中的任何一者暴露于所述半導(dǎo)體堆疊體的側(cè)面。
39.權(quán)利要求24所述的裝置，還包括包裝主體，其具有安裝所述LED芯片的凹部。
40.權(quán)利要求24所述的裝置，還包括用于封裝所述LED芯片的樹脂包裝部分，多種磷光體中的至少一種分散在所述樹脂包裝部分中。
41.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述多種磷光體分別形成多個不同的含磷光體樹脂層，并且所述多個含磷光體樹脂層具有堆疊結(jié)構(gòu)。
42.權(quán)利要求26所述的裝置，其中由所述發(fā)射白光的裝置發(fā)射的白光的顯色指數(shù)(CRI)是70或更高。
43.一種表面光源設(shè)備，其使用權(quán)利要求I至13中任一項所述的磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料。
44.一種表面光源設(shè)備,包括 導(dǎo)光板；以及 LED光源模組,其被設(shè)置在所述導(dǎo)光板的至少一側(cè)上從而向所述導(dǎo)光板的內(nèi)部提供光，所述LED光源模組包括電路板和安裝在所述電路板上的多個發(fā)射白光的裝置，所述LED光源模組使用權(quán)利要求I至13中任一項所述的磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料。
45.一種顯示設(shè)備，其使用權(quán)利要求I至13中任一項所述的磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料。
46.一種顯不設(shè)備，包括 用于顯示圖像的圖像顯示面板；以及 背光單元，其具有權(quán)利要求44所述的表面光源設(shè)備從而為所述圖像顯示面板提供光。
47.一種照明裝置，其使用權(quán)利要求I至13中任一項所述的磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料。
48.一種照明裝置，其包括 LED光源模組；以及 擴散片，其被設(shè)置在所述LED光源模組的上部并使由所述LED光源模組輸入的光均勻擴散， 所述LED光源模組包括電路板和安裝在所述電路板上的多個發(fā)射白光的裝置，所述LED光源模組使用權(quán)利要求I至13中任一項所述的磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料。
49.一種發(fā)光磷光體，所述磷光體具有型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)并且包含由經(jīng)驗式Si6_zAlz0zN8_z:Eua, Mb 表示的氧氮化物，M是選自鍶(Sr)和鋇(Ba)中的至少一者，銪(Eu)的量(a)在IOOppm至5000ppm范圍內(nèi)，M的量(b)在IOOppm至IOOOOppm范圍內(nèi)，鋁(Al)的組成比率(z)滿足O. l〈z〈l，并且當(dāng)激發(fā)光照射到所述磷光體上時，所述磷光體的峰值波長在500nm至550nm范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明的一個方面提供了一種熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)包含具有β-型Si3N4晶體結(jié)構(gòu)并且由組成式Si6-zAlzOzN8-z:Eua,Mb表示的氧氮化物，其中M至少是Sr或Ba，銪(Eu)的量(a)落在0.1摩爾%至5摩爾%范圍內(nèi)，M的量(b)落在0.1摩爾%至10摩爾%范圍內(nèi)，并且鋁(Al)的組成比率(z)滿足0.1&lt;z&lt;1。當(dāng)所述熒光物質(zhì)暴露于來自激發(fā)源的光時，所述熒光物質(zhì)發(fā)射峰值波長在500nm至550nm范圍內(nèi)的光。
文檔編號H01L51/50GK102844405SQ201180018736
公開日2012年12月26日 申請日期2011年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者尹暢繁, 元炯植, 尹喆洙 申請人:三星電子株式會社