專利名稱：用于發(fā)光器件的載體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于半導體發(fā)光器件的載體。
背景技術：
包括發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)、垂直腔激光二極管(VCSEL)和邊緣發(fā)射激光器的半導體發(fā)光器件屬于當前可獲得的最為有效的光源之一。在能夠跨越可見光譜工作的高亮度發(fā)光器件的制造當中，當前引人注意的材料系統(tǒng)包括III-V族半導體，尤其是鎵、鋁、銦、氮的二元、三元和四元合金，它們又被稱為III族氮化物材料。典型地，通過金屬有機化學氣相淀積(M0CVD)、分子束外延(MBE)或其他外延生長技術在藍寶石、碳化硅、III族氮化物或其他適當?shù)囊r底上外延生長具有不同成分和摻雜濃度的半導體層的層疊結構，由此來制造III族氮化物發(fā)光器件。所述層疊結構往往包括形成于所述襯 底之上的一個或多個摻有例如Si的η型層、形成于所述一個或多個η型層之上的處于有源區(qū)內的一個或多個發(fā)光層以及形成于所述有源區(qū)之上的摻有例如Mg的一個或多個P型層。在所述η型區(qū)和P型區(qū)上形成電接觸。圖I示出了在US 7352011中更加詳細地描述的LED，通過引用將該文獻并入本文。將LED 10安裝到支撐結構12上，其可以是“具有金屬焊盤/引線的陶瓷基座”。在LEDlO之上模制透鏡22。可以如下形成透鏡22 :將具有透鏡22的形狀的模具放置到LEDlO之上。所述模具可以襯有無粘性的膜。采用諸如硅酮或環(huán)氧樹脂的適當透明熱固液體透鏡材料填充所述模具。在所述支撐結構12的外圍和所述模具之間建立真空密封，并對這兩片相互對著按壓，從而將每一 LED裸片10插入到液體透鏡材料內，并使透鏡材料處于受壓狀態(tài)下。之后，將所述模具加熱到大約150攝氏度(或其他適當溫度)并保持一定時間，從而使所述透鏡材料硬化。之后，使所述支撐結構12與所述模具分離。如圖I所示，支撐結構12必須明顯大于LED 10，以支撐模制透鏡22。這樣的大支撐結構可能顯著提高器件的成本。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于為光源提供載體。在本發(fā)明的實施例中，將半導體發(fā)光器件安裝到支撐襯底上。將所述支撐襯底設置到載體中的開口內。在一些實施例中，所述支撐襯底是陶瓷鋪片，所述載體是橫向延展范圍大到足以支撐在所述載體之上模制的或者附著至所述載體的透鏡的低成本材料。


圖I示出了安裝在支撐結構上的被模制透鏡覆蓋的現(xiàn)有技術LED。圖2示出了安裝在所述支撐襯底上的并連接至載體的LED。圖3是圖2所示的器件之一的頂視圖。圖4是沿圖3所示的軸得到的去掉了透鏡的圖3所示的器件的截面圖。
圖5示出了安裝在支撐襯底上并且通過所述支撐襯底的頂表面上的絲焊電連接至載體的LED。所述載體被示為安裝在用戶提供的PC板上。圖6示出了安裝在支撐襯底上并且通過處于所述支撐襯底側面上的電連接電連接至載體的LED。所述載體被示為安裝在用戶提供的PC板上。圖7示出了安裝在支撐襯底上并且通過所述支撐襯底的頂表面上的連接連接至載體的LED。所述載體被示為安裝在用戶提供的PC板上。圖8示出了安裝在支撐襯底上并且通過所述支撐襯底的頂表面上的抵達載體上的外部接觸的連接而連接至所述載體的LED。所述載體被示為安裝在用戶提供的PC板上。圖9示出了在生長襯底晶片上生長的LED。圖10示出了安裝在支撐襯底晶片上的LED。 圖11示出了設置在LED上的波長轉換元件。圖12示出了安裝在支撐襯底上并且附著至載體的LED。圖13示出了在LED上模制的透鏡。圖14示出了安裝在支撐襯底上并且位于載體中的開口內的LED。圖15示出了包括促進包覆模制透鏡的粘附的特征的載體的部分。
具體實施例方式在本發(fā)明的實施例中，將諸如LED的發(fā)光器件安裝到諸如陶瓷鋪片的支撐襯底上。所述陶瓷鋪片可以具有對LED進行機械支撐、提供所述LED與其他結構的電連接以及提 供用于擴散來自所述LED的熱量的熱路徑所需的最小尺寸。將所述陶瓷鋪片放置到載體內或者可以使所述陶瓷鋪片附著到載體上。所述載體可以是一種低成本的可模制材料，其具有足夠的魯棒性來保護所述LED和陶瓷鋪片不受沖擊的影響?？梢赃x擇能夠承受將陶瓷鋪片附著到所述載體上以及在所述LED之上形成或附著透鏡或其他結構所需的條件的載體材料。例如，可以通過釬焊、絲焊、微釬焊、微熔焊、諸如一系列金屬凸起的順應(compliant)接合結構、通過超聲波或者熱超聲鍵合形成的金一金互連、采用例如銀環(huán)氧樹脂的接合、諸如彈簧力緊固的機械緊固或者表面安裝使所述陶瓷鋪片附著到所述載體上。所述支撐襯底可以通過頂表面或側表面機械附著到所述載體上，或者可以通過形成于或者附著在所述支撐襯底和載體之上的透鏡機械附著到所述載體上，其使得所述支撐襯底的底部可用于實現(xiàn)與諸如用戶提供的PC板的其他結構的電接觸和/或熱接觸。包括所述LED、支撐襯底和載體的器件可附著至諸如PC板的其他結構上。適當?shù)妮d體的例子包括可以被沖壓和彎折成預期形狀的金屬片以及諸如聚鄰苯二酰胺(PPA)的塑料?？梢圆捎枚喾N材料，例如，附著至PPA的金屬片、任何其他適當類型的塑料或聚合物或者電介質絕緣體。正文前需要言明的是，盡管在下面的例子中發(fā)光器件是III族氮化物薄膜倒裝芯片LED，但是也可以采用其他發(fā)光器件，包括由其他材料系統(tǒng)構成的LED或其他半導體器件，例如，所述材料系統(tǒng)為III-V族材料、111族氮化物材料、111族磷化物材料、111族砷化物材料、H-VI族材料和IV族材料。常規(guī)III族氮化物LED 10是通過首先在生長襯底上生長半導體結構而形成的。通常首先生長η型區(qū)，其可以包括多個具有不同成分和摻雜濃度的層，所述多個層包括(例如)諸如緩沖層或成核層的預備層，其可以是η型的或者非特意摻雜的，釋放層，該層被設計為促進以后對該襯底的釋放或者在去除該襯底之后對半導體結構的減薄，所述多個層還包括η型的或者甚至P型的器件層，所述器件層被設計為實現(xiàn)所希望具備的使發(fā)光區(qū)有效發(fā)光的特定光特性或電特性。在所述η型區(qū)之上生長發(fā)光或有源區(qū)。適當?shù)陌l(fā)光區(qū)的例子包括單個厚的或者薄的發(fā)光層或者含有多個通過勢壘層隔開的薄的或者厚的量子阱發(fā)光層的多量子阱發(fā)光區(qū)。在所述發(fā)光區(qū)之上生長P型區(qū)。與所述η型區(qū)類似，所述P型區(qū)可以包括多個具有不同成分、厚度和摻雜濃度的層，所述多個層包括非特意摻雜的層或者η型層。采用各種技術獲得與所述η型層的電通路。可以將所述P型層和有源層的部分蝕刻掉，從而露出用于實施金屬化的η型層。通過這種方式，所述P接觸和η接觸處于所述芯片的同一側上，并且能夠直接電附著到適當基座上的接觸焊盤上?？梢詮乃銎骷捻敱砻?即，形成接觸的表面)或者從所述器件(即，在倒裝芯片器件中，所述器件是相對于生長 方向翻轉了過來的具有至少一個反射接觸的器件)的底表面提取光。在倒裝芯片中，可以從半導體結構(薄膜器件)上去除生長襯底，或者所述生長襯底可以仍然作為所完成的器件的部分。在去除襯底之后，可以對所述半導體結構減薄，并例如通過粗糙化處理或者形成光子晶體結構而使因去除所述襯底而露出的η型區(qū)的表面織構化(textured)以改善光提取。在垂直注入LED中，在所述半導體結構的一側形成η接觸，在半導體結構的另一側形成P接觸。與所述P接觸或η接觸之一的電接觸通常是采用導線或者金屬橋完成的，而另一接觸則直接結合到所述支撐襯底上的接觸焊盤上。盡管下文的例子包括薄膜倒裝芯片器件，但是可以采用任何適當?shù)钠骷Y構?？梢詫⑺鯨ED安裝到支撐襯底12上。盡管在下面的例子中，支撐襯底12是陶瓷鋪片，但是可以采用任何適當?shù)闹我r底12。在一些實施例中，所述支撐襯底是在其上生長III族氮化物結構的生長襯底。在這些實施例中，在無需額外支撐襯底的情況下將LED直接連接至載體。可以在LED之上設置一種或多種諸如磷光體或染料的波長轉換材料。可以采用與一種或多種波長轉換材料結合的LED生成白光或者其他顏色的單色光。可以通過所述波長轉換材料對所述LED發(fā)射的光的全部或者僅對所述光的部分進行轉換。未經轉換的光可以是最終光譜的部分，但未必一定如此。常用的組合的例子包括與發(fā)射黃光的磷光體結合的發(fā)射藍光的LED、與發(fā)射綠光和紅光的磷光體結合的發(fā)生藍光的LED、與發(fā)射藍光和黃光的磷光體結合的發(fā)射UV的LED以及與發(fā)射藍光、綠光和紅光的磷光體結合的發(fā)射UV的LED。適當?shù)牟ㄩL轉換層的例子包括膠粘或結合至LED的預先形成的陶瓷磷光體層或者設置在通過模板印制、絲網(wǎng)印刷、噴涂、蒸發(fā)、濺射、沉積、配發(fā)、旋涂或者其他方式置于LED之上的諸如硅酮的透明密封劑內的粉末磷光體?？梢圆捎貌煌愋偷牟ㄩL轉換層。可以使多種波長轉換材料混合，從而形成單個層或者形成為各個離散的層。圖14示出了一種根據(jù)本發(fā)明的實施例的器件。將波長轉換構件14置于安裝在支撐襯底12上的LED之上。將所述支撐襯底置于載體16中的開口內。圖14中所示的載體可以由受到沖壓和彎折的金屬片形成。圖2-4示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的器件，其中，通過其上安裝了 LED 10的陶瓷鋪片12的底表面建立與LED 10的電接觸。圖2示出了安裝在陶瓷鋪片12上的三個LED10。通過任何適當?shù)幕ミB，例如，焊料或金將LED 10電連接且物理連接至陶瓷鋪片12頂部的接觸。可以將波長轉換構件14設置到LED 10的頂表面上。將每一陶瓷鋪片12匹配到形成于載體16中的槽內?？梢栽谔沾射伷?2的側面將陶瓷鋪片12焊接到載體16上?？梢栽诿恳?LED 10之上模制透鏡22。透鏡22覆蓋LED 10、陶瓷鋪片12以及載體16的部分或全部。替換性地，可以使預先形成的透鏡越過LED 10附著到載體16上。陶瓷鋪片12底部的電接觸20允許將LED 10電連接到圖2中未示出的諸如用戶的PC板的其他結構上?？梢酝ㄟ^例如形成于陶瓷鋪片12內的采用諸如金屬的導電材料填充的通孔將電接觸20電連接到陶瓷鋪片12上的頂部接觸。圖3是連接至PC板之后的圖2所示的器件之一的頂視圖。圖4是沿圖3所示的軸得到的圖3的結構的截面圖。PC板17可以是市面上可得的PC板，其包括諸如Al或Cu的散熱金屬芯28、諸如電介質的絕緣層26以及可以通過絕緣層26相互電隔離的正負電跡線24a和24b?？梢詥为氈圃彀↙ED 10、可選的波長轉換元件14、陶瓷鋪片12、接觸20和載體16加上透鏡22的結構15，之后將其作為單個結構附著到PC板17上?？梢詫⑻沾射伷?2上的η接觸和P接觸20a和20b焊接或結合到PC板17上的電跡線24a和24b上。替換性地，可以將散熱層28電連接或物理連接至η或者P接觸20a或者20b，并且可以使所述散熱層與電跡線24a或24b —起使用或者代替所述電跡線使用。
在圖2-4所示的器件中，通過處于陶瓷鋪片12的底部的接觸20傳導熱量離開LED10。正負電接觸20之間所需的電隔離降低了陶瓷鋪片12的底部可用于導熱的面積，這可能減少能夠通過傳導離開LED 10的熱量。在圖5-8所示的器件中，通過陶瓷鋪片12的頂表面建立與LED 10的電接觸，其使得陶瓷鋪片12的整個底表面都可用于將熱量導離LED 10?？梢酝ㄟ^陶瓷鋪片12和載體16之間的電連接、通過設置在陶瓷鋪片12和載體16之間的諸如硅酮、焊料或環(huán)氧樹脂的粘合劑或膠粘劑或者通過模制到或附著到陶瓷鋪片12和載體16之上的透鏡使陶瓷鋪片12機械連接至載體16。在通過透鏡將陶瓷鋪片12連接至載體16的情況下，所述載體和陶瓷鋪片未必相互接觸。圖5-7的器件被示為安裝在了 PC板上。在圖5-8所示的器件中，可以通過例如將載體16的兩側16a和16b連接至載體16的可選的絕緣元件16c上而使所述兩側相互電隔離。替換性地，可以將陶瓷鋪片12置于由連接到一起的載體構成的薄板中的開口內。之后，形成陶瓷鋪片12和載體16之間的電連接?？梢栽谳d體16和陶瓷鋪片12之上模制透鏡，從而對載體16和陶瓷鋪片12進行機械連接?；蛘咻d體16和陶瓷鋪片12之間的機械連接可以與電連接相同。之后，將個體載體從由各載體構成的薄板中沖壓下來，從而使載體16的兩側16a和16b分離，由此使所述載體的所述兩側相互電隔離。如上所述，可以單獨形成包括LED 10、陶瓷鋪片12、可選的波長轉換元件14、載體16和透鏡22的結構15。用戶將結構15作為單個部件安裝到PC板17或者任何其他適當?shù)慕Y構上。在圖5的器件中，通過圖5所示的絲焊30a和30b、或者通過微釬焊、微熔焊或撓曲箔將陶瓷鋪片12電連接到載體16?？梢酝ㄟ^陶瓷鋪片12的頂表面上的接觸將絲焊30a電連接至LED 10的η接觸和P接觸之一?？梢酝ㄟ^處于陶瓷鋪片12的頂表面上的接觸將絲焊30b電連接至LED 10的η接觸和ρ接觸中的另一個?？梢越柚?例如)焊料通過跡線24a和24b使通過抵達支撐襯底12的絲焊30a和30b電連接至LED的載體16的兩側16a和16b物理連接且電連接至PC板17。跡線24a和24b通過絕緣層26相互電隔離。可以通過諸如焊料的導熱材料27將陶瓷鋪片12的底表面直接連接至PC板的散熱層28。陶瓷鋪片12和導熱材料27形成了從LED 10向外傳導熱量的熱路徑。由于絲焊30a和30b提供了與LED 10的電連接，因而導熱材料27不必導電。在圖6的器件中，通過處于陶瓷鋪片12的側面上的電連接32a和32b使陶瓷鋪片12電連接至載體16。將電連接32a和32b電連接至其上安裝了 LED 10的陶瓷鋪片的頂表面上的接觸，例如，所述LED是通過所述陶瓷鋪片12的頂表面和側表面上的跡線或者是通過穿過陶瓷鋪片12的填充了導電材料的通孔安裝到所述陶瓷鋪片上的。例如，電連接32a和32b可以是焊接?？梢酝ㄟ^單個電和物理的連接或者通過分離的電連接和物理連接完成陶瓷鋪片12的每一側與載體16之間的連接。如圖5所示，可以通過跡線24a和24b將載體16電連接和物理連接至PC板17，可以通過導熱材料27將陶瓷鋪片12直接連接至PC板17的散熱層28。 在圖7的器件中，將陶瓷鋪片12通過陶瓷鋪片12的頂表面上的連接34a和34b電連接至載體16。例如，連接34a和34b可以是將載體16的兩個電隔離的部分16a和16b直接連接至陶瓷鋪片12的頂表面上的接觸的焊接。如圖5所示，可以通過跡線24a和24b將載體16電連接和物理連接至PC板17，可以通過導熱材料27將陶瓷鋪片12直接連接至PC板17的散熱層28。在一些實施例中，在附著到LED 10之上并與支撐襯底12的頂表面和載體16接觸的預先形成的透鏡的底部形成連接34a和34b。在圖8的器件中，載體16包括外部接觸38a和38b。外部接觸38a和38b通過(例如)焊接電連接至陶瓷鋪片12上的頂部接觸?？梢酝ㄟ^與外部接觸38a和38b的連接或者通過處于(例如)陶瓷鋪片12的側面的單獨連接將陶瓷鋪片12物理連接至載體16?？梢酝ㄟ^(例如)螺桿、夾具或撓曲箔將外部接觸電連接至諸如PC板的結構。通過導熱材料27將陶瓷鋪片12連接至散熱層28，所述散熱層可以是PC板或任何其他適當結構的部分?？梢酝ㄟ^(例如)焊接或任何其他適當連接將載體16物理連接至散熱層28?？梢詫⒖蛇x的填隙片36設置到散熱層28和載體16之間，從而將載體16置于適當?shù)母叨壬稀Ｔ谝恍嵤├?，如圖4-8中所示，所述載體可以足夠薄，從而使波長轉換元件14或LED 10的頂表面處于比所述載體的頂表面高的高度上，并且/或者使所述支撐襯底的底表面處于比所述載體的底表面低的高度上。在一些實施例中，選擇所述載體的底部和所述支撐襯底的底部之間的高度差，以容納諸如PC板的結構。例如，如圖5-7所示，PC板包括金屬芯28、絕緣層26以及跡線24a和24b。選擇載體底部和支撐襯底底部之間的高度差，從而使支撐襯底落在所述金屬芯上或者易于連接至所述金屬芯，同時使所述載體落在所述跡線上或者易于連接至所述跡線，例如，通過焊接或者任何其他適當?shù)膶щ娺B接實現(xiàn)所述連接。圖9-13示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的器件形成。在圖9中，在生長襯底40上生長LED 10。在這一階段可以執(zhí)行LED 10的晶片級處理，例如，就倒裝芯片而言，可以執(zhí)行蝕刻以形成使η型區(qū)的一部分露出的臺面，以及形成η型接觸和ρ型接觸。可以對圖9所示的晶片劃片，形成各個LED。在圖10中，通過(例如)焊接或者金一金互連的熱超聲接合將LED 10安裝到諸如陶瓷鋪片的支撐襯底12的晶片上?？梢栽趯ED 10安裝到支撐襯底12上之前或之后形成支撐襯底12上的諸如通路孔或電接觸的任何必要結構42。在圖11中，將波長轉換元件14設置到LED 10上。例如，所述波長轉換元件14可以是預先形成的膠粘到或者結合至LED 10的陶瓷磷光體薄片，或者可以是電泳淀積、噴涂、沉積、蒸發(fā)或濺射的粉末磷光體，或者是與透明粘合材料混合的粉末磷光體，所述粘合材料被模板印制、絲網(wǎng)印刷、噴涂、沉積、旋涂或者淀積到所述LED 10之上。如有必要，可以在所述波長轉換元件14和LED 10上形成可選的側面涂層44，例如，以此降低通過所述波長轉換元件14和LED 10的側面逃逸的光的量。之后，可以將圖10和11中所示的支撐襯底12的晶片劃片成各個器件?？梢栽趩蝹€支撐襯底上形成多個LED。將每一支撐襯底12置于載體中的開口內。可選地通過(例如)焊接或者設置在支撐襯底12的側面上的粘合劑將支撐襯底直接連接至所述載體?？梢詫⒍鄠€支撐襯底連接至單個載體。形成與LED 10的電連接。盡管圖12所示的電連接為絲焊30a和30b，但是可以采用任何適當?shù)碾娺B接，例如，參考圖2-8描述的那些電連接。在一些實施例中，在諸如聚四氟乙烯的非粘合工作表面上使支撐襯底12附著至載體16，從而避免用于使載體16附著到支撐襯底12上的諸如硅酮的粘合劑附著到所述工作表面上。在一些實施例中，可以在所述工作表面內形成與所述支撐襯底12對準的凹口，從而將支撐襯底12的底部置于比載體16的底部低的高度上，如圖5-8所示以及上文所述。 在圖13中，在LED 10之上模制透鏡22，或者將預先形成的透鏡附著到LED 10之上。例如，可以通過美國專利7352011中描述的包覆模制形成透鏡22。在一些實施例中，包覆模制透鏡使所述載體附著到所述支撐襯底上?？梢栽谠O置于單個載體上的多個LED之上形成透鏡。透鏡22可以具有任何適當?shù)男螤?，并且其可以覆蓋多個LED。在一些實施例中，可以將透鏡22附著為在LED和透鏡之間設置一條通常以空氣填充的間隙。在一些實施例中，將非透鏡結構模制或者附著到LED 10之上，以保護LED 10，或者在LED 10、支撐襯底12和載體16之上不提供任何結構或透鏡。在一些實施例中，可以在載體16上包括改善包覆模制透鏡的粘附的特征，如圖15所示。例如，可以采用特征48使載體16的頂表面變得粗糙或者圖案化?？梢栽谳d體16內形成底切(undercut)開口 46。透鏡材料可以在模制過程期間填充底切開口 46，其可以將模制透鏡固定到載體16上。本發(fā)明的實施例可以具有超越其他光源的優(yōu)點。相對于載體而言，支撐襯底一般較為昂貴。在本發(fā)明的實施例中降低了支撐襯底的尺寸，這可以降低器件的成本。在通過支撐襯底的頂表面完成與LED的電接觸的實施例中，支撐襯底的底表面可用作將光從LED傳導開的熱路徑，這可以提高器件的光輸出?？梢詫⑺鲚d體、支撐襯底和LED以及透鏡形成到單個單元內，之后可以由用戶將其安裝到(例如)PC板上。諸如絲焊的頂表面接觸和所述透鏡可以不是由用戶形成的，而是在能夠嚴格控制的條件下形成的，這樣可以避免對接觸造成損壞，并且可以避免由用戶施加的透鏡引起的器件所發(fā)射的光顏色變異。已經詳細地描述了本發(fā)明，但是本領域技術人員將認識到，在給出了本公開的情況下，可以在不背離文中描述的發(fā)明構思的精神的情況下對本發(fā)明做出修改。因此，其并非旨在使本發(fā)明的范圍局限于給出了圖示和描述的具體實施例。
權利要求
1.一種結構，包括 半導體發(fā)光器件； 支撐襯底，其中，所述半導體發(fā)光器件安裝在所述支撐襯底上；以及具有開口的載體，其中，所述支撐襯底設置到所述開口內，并且所述支撐襯底通過所述支撐襯底的頂表面和所述支撐襯底的側表面的至少其中之一機械連接至所述載體。
2.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，所述支撐襯底為陶瓷。
3.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，通過形成于所述支撐襯底和所述載體的頂表面上的絲焊將所述支撐襯底電連接至所述載體。
4.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，通過設置在所述支撐襯底的頂表面上的電連接將所述支撐襯底電連接至所述載體。
5.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，通過設置在所述支撐襯底的至少一個側表面上的電連接將所述支撐襯底電連接至所述載體。
6.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，所述載體的底表面設置到比所述支撐襯底的底表面高的高度上。
7.根據(jù)權利要求I所述的結構，還包括設置到所述半導體發(fā)光器件之上的透鏡，其中，所述透鏡的底表面接觸所述載體。
8.根據(jù)權利要求7所述的結構，其中，所述透鏡具有比所述支撐襯底大的橫向延展范圍。
9.根據(jù)權利要求7所述的結構，其中，所述透鏡附著至所述載體。
10.根據(jù)權利要求7所述的結構，其中，所述透鏡模制到所述半導體發(fā)光器件、支撐襯底和載體之上。
11.根據(jù)權利要求10所述的結構，其中，所述透鏡將所述支撐襯底機械連接至所述載體。
12.根據(jù)權利要求10所述的結構，還包括處于所述載體內的額外開口，其中，所述額外開口對所述載體的表面構成了底切，并且其中，在模制期間將透鏡材料設置到所述額外開口內。
13.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，所述支撐襯底配置為具有從所述半導體發(fā)光器件到所述支撐襯底的底表面的導熱路徑。
14.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中，所述開口貫穿所述載體的整個厚度延伸。
15.根據(jù)權利要求I所述的結構，其中 波長轉換元件附著到所述半導體發(fā)光器件上；并且 所述波長轉換元件的頂表面設置到比所述載體的頂表面高的高度上。
16.—種方法,包括 提供安裝在支撐襯底上的半導體發(fā)光器件； 將所述支撐襯底置于載體中的開口內；以及 通過所述支撐襯底的頂表面和所述支撐襯底的側表面的至少其中之一將所述載體機械連接至所述支撐襯底。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中，將所述載體機械連接至所述支撐襯底包括將所述載體膠粘至所述支撐襯底。
18.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中，將所述載體機械連接至所述支撐襯底包括在所述載體和所述支撐襯底之上模制透鏡。
全文摘要
將半導體發(fā)光器件(10)安裝到支撐襯底(12)上。將所述支撐襯底設置到載體(16)中的開口內。在一些實施例中，所述支撐襯底是陶瓷鋪片，所述載體是橫向延展范圍大到足以支持在所述載體之上模制的或者附著至所述載體的透鏡(22)的低成本材料。
文檔編號H01L33/64GK102804419SQ201180015932
公開日2012年11月28日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權日2010年3月25日
發(fā)明者S.J.A.比爾休曾 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司, 飛利浦拉米爾德斯照明設備有限責任公司