專利名稱：無(wú)掩模制造oled器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造OLED器件(有機(jī)發(fā)光二極管)的領(lǐng)域。在一方面，本發(fā)明涉及無(wú)掩模制造OLED器件的方法，在該方法中，改進(jìn)了形成OLED器件的結(jié)構(gòu)化工藝。在另一方面，本發(fā)明涉及發(fā)光器件以及包括根據(jù)本發(fā)明的方面制造的OLED器件的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
OLED器件從現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。通常，OLED器件至少由布置在載體襯底上的第ー電極材料、沉積在第一電極材料上的有機(jī)光電有源材料、以及至少部分地覆蓋有機(jī)光電有源材料的第二電極材料構(gòu)成。電極材料中的ー個(gè)充當(dāng)陰極層，而其它的電極材料充當(dāng)陽(yáng)極層。作為光電有源材料場(chǎng)致發(fā)光材料，可以使用例如發(fā)光聚合物(如，聚對(duì)苯こ炔(PPV))，或者發(fā)光低分子量材料(如，三8 —羥基喹啉鋁)。 作為載體襯底絕緣材料，可以使用如玻璃或者塑料。作為電極材料復(fù)合物，可以使用如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)(如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅(ZnO))，或者金屬(如，銅、銀、金或者鋁)。從現(xiàn)有技術(shù)還已知的是，將所謂的空穴傳導(dǎo)層放置在電極材料和光電有源材料(如，PED0T/PSS層(聚(3，4-こ烯ニ氧噻吩/聚苯こ烯磺酸鹽)或者PANI/PSS層(聚苯胺/聚苯こ烯磺酸鹽))之間，其降低了空穴的注入勢(shì)壘。在操作中，電施加到第一電極材料層和第二電極材料層之間。所施加的電引起光電有源材料的激發(fā)狀態(tài)，通過(guò)其對(duì)非激發(fā)狀態(tài)的弛豫，光子發(fā)射。OLED器件可以用于例如顯示或者照明。從現(xiàn)有技術(shù)已知的是按照以下所描述的エ藝制造OLED器件。在第一步時(shí)，在圖案化的步驟中制造襯底。在該圖案化步驟中，第一電極材料以圖案的方式施加在載體襯底上。該圖案化步驟的主要功能是創(chuàng)建電隔離區(qū)域。該圖案化可以借助于由通過(guò)陰影掩模等的例如印刷或者噴射的例如沉積功能層而完成。在隨后的步驟中，施加由光電有源材料所形成的OLED功能層。通過(guò)在真空中熱蒸發(fā)來(lái)沉積小分子功能層。有機(jī)材料的沉積必須以如下方式被限制至少陰極接觸不被涂覆。通常，陽(yáng)極接觸也免受涂覆，以便于以后獲得良好的電接觸。該結(jié)構(gòu)化的沉積借助于陰影掩模來(lái)實(shí)現(xiàn)。該掩模對(duì)于每個(gè)OLED設(shè)計(jì)是特定的并且在有機(jī)層沉積過(guò)程中被放置在襯底上。進(jìn)行掩模可以在襯底和掩模之間以物理接觸或者具有小間隙來(lái)完成。在沉積エ藝過(guò)程中，陰影掩模將涂覆有有機(jī)材料。在下一個(gè)步驟中，對(duì)置電極通過(guò)沉積第二電極材料層來(lái)形成。這也應(yīng)用在真空熱蒸發(fā)エ藝中。同樣在該步驟中，層必須被結(jié)構(gòu)化，因?yàn)榉駝t將發(fā)生兩個(gè)電極材料層(即，陰極和陽(yáng)極)之間的短路。同樣在該步驟中，掩模將被涂覆以材料，其中，陰極材料典型地是金屬，例如，銅、銀、招、金、等等。因?yàn)楣怆娪性床牧虾完帢O的涂覆區(qū)域不同，所以不同組的掩模必須用在每ー個(gè)提到的エ藝步驟中。OLED器件的質(zhì)量取決于所使用的不同掩模的適當(dāng)對(duì)齊以及沉積光電有源材料和陰極層過(guò)程中掩模和襯底的熱膨脹。例如，在沉積陰極層過(guò)程中，對(duì)于50°C的典型溫升，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制造エ藝中所使用的掩模的熱膨脹可能約為O. 5mmO因此,制造エ藝的精確度被限制于該熱膨脹。因此，從現(xiàn)有技術(shù)已知的技術(shù)具有若干缺點(diǎn)。因?yàn)檠谀Ｊ翘囟ǖ脑O(shè)計(jì)，所以設(shè)計(jì)改變需要新的ー組掩摸。這限制了設(shè)計(jì)改變的產(chǎn)出時(shí)間并且增加了成本。在沉積過(guò)程中掩模被涂覆。這要求有規(guī)律地清洗并且引入了額外的成本。從掩模失去的粒子可能引起短路并且減少產(chǎn)品產(chǎn)量。由于掩模的熱膨脹，可以實(shí)現(xiàn)的最小特征尺寸是受限的，其隨著襯底尺寸和對(duì)齊精確度而改變大小。至少，真空中的掩模處理是很昂貴的。從現(xiàn)有技術(shù)已知的掩模方法的另ー個(gè)缺點(diǎn)是由于所要求的陰影掩模的限制，在一個(gè)涂覆步驟中制造由所涂覆的電極區(qū)域圍繞的封閉的非電極涂覆區(qū)域是不可能的。當(dāng)使用掩模時(shí)，將總存在將封閉的非涂覆區(qū)域的內(nèi)部區(qū)域連接至外部涂覆區(qū)域的紐帶。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制造OLED器件的改進(jìn)方法。該目的是由制造OLED器件的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的，包括步驟
-提供載體襯底；
-在所述載體襯底上沉積第一電極材料層；
-在所沉積的第一電極材料層內(nèi)部形成電隔離區(qū)域；
-在所述第一電極材料層上沉積有機(jī)光電有源材料層； -在所述有機(jī)光電有源材料層上沉積第二電極材料層，其特征在干，在沉積有機(jī)光電有源材料層和第二電極材料層的步驟中，載體襯底在其整個(gè)功能區(qū)域上利用所述層來(lái)無(wú)掩模覆蓋，以及至少第二電極材料層在至少所選擇的區(qū)域中被切除(ablate)或者被使得為非導(dǎo)電的以在第二電極材料層內(nèi)部形成非導(dǎo)電區(qū)域。本發(fā)明的意義中的功能區(qū)域應(yīng)當(dāng)理解為在其上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的載體襯底表面的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，例如，通過(guò)僅僅限制電極材料和光電有源材料向功能區(qū)域的沉積或者通過(guò)對(duì)各自的區(qū)域進(jìn)行掩摸，載體襯底表面的其它區(qū)域(例如，用于OLED器件的固定的邊緣區(qū)域)可以未被覆蓋。在本發(fā)明的一方面，創(chuàng)新的思想是將建立OLED器件所需要的不同層最多施加到襯底的全部區(qū)域上，以及隨后切除和/或在特定區(qū)域中導(dǎo)致非導(dǎo)電的特定層。這避免了改進(jìn)OLED生產(chǎn)的生產(chǎn)率所需要的細(xì)微圖案對(duì)齊。而且，切除方法(如，激光切除等等)更精確，其允許形成更小的圖案。該創(chuàng)新方法的益處是切除步驟不需要在真空腔中執(zhí)行。這使得整個(gè)生產(chǎn)更利于處理并且省略了對(duì)大真空生產(chǎn)腔的需求。而且，由于第二電極材料的無(wú)掩模沉積，也可以提供封閉的非涂覆/非導(dǎo)電電極區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第二電極材料層和有機(jī)光電有源材料層可以被切除，以在所述第一電極材料層的兩個(gè)電隔離區(qū)域上暴露至少兩個(gè)接觸墊，從而形成陽(yáng)極和陰極接觸墊，其中，在切除之后，ー個(gè)電隔離區(qū)域可以基本上沒(méi)有第二電極材料層和有機(jī)光電有源材料層，而其它區(qū)域可以仍然基本上覆蓋有第二電極材料層和有機(jī)光電有源材料層，以及其中，在ー個(gè)區(qū)域上殘余的第二電極材料層可以與其它區(qū)域的接觸墊電連接。該實(shí)施例的益處是在沉積有機(jī)光電有源材料層和第二電極材料層的過(guò)程中不需要合適以及耗時(shí)的掩模對(duì)齊來(lái)留下未覆蓋的接觸墊。這在一方面實(shí)現(xiàn)了較高的生產(chǎn)率，在另一方面允許較小的圖案尺寸，因?yàn)椴恍枰紤]掩模的任何熱膨脹。例如，當(dāng)使用典型的エ業(yè)激光系統(tǒng)來(lái)切除層吋，激光對(duì)齊的值將約低于10 μ m,并且束寬將約為20 μ m。這允許OLED器件的精確度，其比使用掩模技術(shù)高大約25倍。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，仍然殘余在ー個(gè)區(qū)域上的第二電極材料層可以通過(guò)應(yīng)用由銀金屬膏、導(dǎo)電膠、和電化學(xué)沉積的金屬所構(gòu)成的組中的導(dǎo)電材料與另外區(qū)域上的接觸墊電連接。應(yīng)當(dāng)理解，金屬的電化學(xué)沉積可以通過(guò)任何合適的電流或者自身催化的沉積來(lái)執(zhí)行。該實(shí)施例的益處是應(yīng)用這些導(dǎo)電材料可以在高產(chǎn)量同時(shí)具有合適的精確度，如，通過(guò)使用噴墨印刷技術(shù)等等。當(dāng)使用電化學(xué)沉積的金屬時(shí)，至少可以部分地施加絕緣材料。這實(shí)現(xiàn)了避免由金屬的非預(yù)期沉積所引起的短路。絕緣材料也可以借助于噴墨印刷技術(shù)來(lái)施カロ。可替代的，電連接可以通過(guò)連線或者應(yīng)用合適的導(dǎo)電罩蓋來(lái)實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將在ー個(gè)區(qū)域上的第二電極材料層與其它區(qū)域的接觸墊連接的導(dǎo)電材料可以在被施加后進(jìn)行退火。這種退火可以通過(guò)熱退火步驟、紫外線(UV)誘導(dǎo)退火或者任何其它合適的退火方法來(lái)執(zhí)行。熱退火可以通過(guò)局部應(yīng)用熱(例如，借助于激光束、微波束、UV束、IR束等)或者通過(guò)將熱施加到全部結(jié)構(gòu)上來(lái)執(zhí)行。此處，局部應(yīng)用熱由于以下益處可以是優(yōu)選的0LED器件將出現(xiàn)僅僅小的熱膨脹，這將使機(jī)械應(yīng)カ被保持為低的。為了進(jìn)一步改進(jìn)退火エ藝步驟，導(dǎo)電材料可以包括吸收被輻照的電磁輻射(即，光、微波、UV、IR)并啟動(dòng)和/或加速退火エ藝的復(fù)合物(compound )。這種復(fù)合物可以是顏料、自由基啟動(dòng)器(radical starter)、等等。由于加速和改進(jìn)的退火,這可以進(jìn)ー步地通過(guò)時(shí)間優(yōu)勢(shì)改進(jìn)整體方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在施加導(dǎo)電材料之前，絕緣材料可以至少部分地被施加。這具有如下優(yōu)點(diǎn)可以避免由導(dǎo)電材料的非預(yù)期沉積所引起的電短路。在該方法的變型中，有機(jī)光電有源材料可以通過(guò)印刷工藝來(lái)施加，例如，通過(guò)使用能夠功能材料的印刷溶液エ藝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將ー個(gè)區(qū)域上的第二電極材料層與其它區(qū)域的接觸墊連接的導(dǎo)電材料可以被確定尺寸，以在特定的電壓和/或電流密度時(shí)熔化。這具有如下益處一個(gè)區(qū)域上的第二電極材料層和其它區(qū)域的接觸墊之間的電連接可以充當(dāng)電保險(xiǎn)絲。這可以避免由過(guò)壓所引起的有機(jī)光電有源材料的分解和燃燒的危險(xiǎn)。根據(jù)本發(fā)明的方法可應(yīng)用在不同種類的OLED器件的生產(chǎn)エ藝中，如，其中頂電極是陽(yáng)極的倒置型(invertecOOLED器件，或者其中頂電極和/或底電極透明的頂發(fā)射或者透明的OLED器件。對(duì)于后者，TCO可以用作電極材料。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，OLED器件可以是倒置型OLED器件，其中，第二電極材料層將形成器件的陽(yáng)極，或者，其可以是頂發(fā)射0LED，其中，第二電極材料層可以是透明層，如，TC0。然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，至少ー個(gè)電極材料層可以是TCO。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)實(shí)施例，至少ー個(gè)電極材料層可以包括光散射兀件或者光散射顆粒。這具有如下益處光的外耦合可以被增加，其將增加OLED器件的效率。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電隔離區(qū)域通過(guò)圖案化地沉積第一電極材料層來(lái)形成。這種圖案化沉積可以通過(guò)對(duì)襯底進(jìn)行一般已知的掩模來(lái)執(zhí)行。因?yàn)榈谝浑姌O材料層直接沉積在襯底表面，所以對(duì)于先前的沉積結(jié)構(gòu)的任何對(duì)齊都不是必須的?？商娲?，第一電極材料層可以沉積在襯底的廣闊的區(qū)域上并且圖案化是借助于切除方法來(lái)執(zhí)行，例如，激光切除、等離子蝕刻、機(jī)械切除、化學(xué)切除，等等。這可以進(jìn)ー步地増加制造OLED器件中整個(gè)生產(chǎn)エ藝的生產(chǎn)率。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第二電極材料層和/或有機(jī)光電有源材料層被切除，和/或借助于激光束和/或等離子蝕刻被致使至少部分地非導(dǎo)電。使用激光束和/或等離子蝕刻具有如下益處非常精確的切除是可能的，其使得能夠形成具有高精確度的非常小的結(jié)構(gòu)。這可以使得能夠減少單個(gè)OLED器件的尺寸以及提供具有増加的像素密度和/或分辨率的發(fā)光系統(tǒng)。在方法的進(jìn)ー步變型中，切除是從襯底側(cè)開(kāi)始完成的。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)實(shí)施例，僅僅待切除的第二電極材料層和/或有機(jī)光電有源材料層的區(qū)域輪廓是借助于激光束和/或等離子蝕刻來(lái)切除的，而待切除的主區(qū)域通過(guò)機(jī) 械和/或化學(xué)切除裝置來(lái)切除。這具有如下益處所引進(jìn)的熱能可以被減少，其可以減少由熱膨脹所引起的OLED器件的機(jī)械應(yīng)カ。合適的機(jī)械切除方法可以使用切除輪廓結(jié)構(gòu)的內(nèi)部區(qū)域的膠帶。在本發(fā)明的實(shí)施例中，激光系統(tǒng)用于切除以及退火。在這種實(shí)施例中，激光系統(tǒng)可以包括不同的激光源和/或具有可調(diào)節(jié)輸出和/或波長(zhǎng)的激光源。這具有如下益處生產(chǎn)エ藝可以按照單個(gè)的生產(chǎn)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行。所提出的方法除了節(jié)約成本之外的ー個(gè)優(yōu)點(diǎn)是僅僅由于印刷精確度和/或切除精確度限制了 OLED器件的最小尺寸和/或間隔，可以創(chuàng)建小的特征尺寸。此外，可以實(shí)現(xiàn)OLED陣列的所有布置，而對(duì)OLED的形狀幾乎沒(méi)有限制。在另一方面，本發(fā)明涉及發(fā)光器件，包括根據(jù)該創(chuàng)新方法的以上所公開(kāi)的實(shí)施例中任何一個(gè)制造的OLED器件。由于OLED器件的改進(jìn)的精確度，這種發(fā)光器件可以具有增加的像素密度和/或分辨率。在另外的方面，本發(fā)明涉及包括根據(jù)該創(chuàng)新方法的以上所公開(kāi)實(shí)施例中任何ー個(gè)制造的OLED器件和/或如以上所公開(kāi)的發(fā)光器件的系統(tǒng)，該系統(tǒng)用在ー個(gè)或者多個(gè)以下應(yīng)用中
-辦公室照明系統(tǒng) -家用應(yīng)用系統(tǒng) -商店照明系統(tǒng)，
-家庭照明系統(tǒng)，
-重點(diǎn)照明系統(tǒng)，
-聚光燈系統(tǒng)，
-劇院照明系統(tǒng)，
-光纖應(yīng)用系統(tǒng)，
-投影系統(tǒng)，
-自點(diǎn)亮顯示系統(tǒng)，
-像素化顯示系統(tǒng)，
-分段顯示系統(tǒng)，
-警告標(biāo)志系統(tǒng)，
-醫(yī)療照明應(yīng)用系統(tǒng)，-指示標(biāo)志系統(tǒng)，以及 -裝飾照明系統(tǒng) -便攜式系統(tǒng) -汽車應(yīng)用 溫室照明系統(tǒng)。


在附加的權(quán)利要求、圖以及各個(gè)圖和實(shí)例的以下描述中公開(kāi)了本發(fā)明目的的附加詳細(xì)內(nèi)容、特征、特性和優(yōu)點(diǎn)，其一以示例性的方式一示出了根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例和材料的實(shí)例。在圖中
圖I示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)OLED的エ藝方案；
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明ー個(gè)方面的エ藝方案；
圖3描繪了根據(jù)本發(fā)明ー個(gè)方面的第二電極材料層的接觸；
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明ー個(gè)方面的電極材料層表面上圖案的形成。
具體實(shí)施例方式在圖I中，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的生產(chǎn)OLED的エ藝方案。在步驟IA中，透明的導(dǎo)體層102以限定后來(lái)OLED器件結(jié)構(gòu)的特定圖案沉積在載體襯底101上。圖案化可以通過(guò)對(duì)不被沉積(如，由通過(guò)陰影掩?；蛘哂∷⒎椒ǖ臑R射)覆蓋的區(qū)域進(jìn)行掩模而完成。透明導(dǎo)體可以是Ζη0、ΙΤ0和/或PED0T/PSS-層。在該透明導(dǎo)體層102上沉積可選的金屬線113。圖案結(jié)構(gòu)在步驟IB中利用光電有源材料105來(lái)填充。小分子光電有源材料一般地通過(guò)在真空中熱蒸發(fā)來(lái)沉積。有機(jī)材料的沉積必須以如下方式來(lái)限制至少陰極接觸115不被涂覆。通常，陽(yáng)極接觸也免于涂覆，以便于以后獲得良好的電接觸。正如步驟IC中可以看出的，該結(jié)構(gòu)化的沉積是借助于陰影掩模116來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這些掩模6對(duì)于每個(gè)OLED設(shè)計(jì)是特定的，并且在有機(jī)光電有源材料沉積過(guò)程中被放置在襯底頂部上。在步驟ID中，沉積陰極層117。這也發(fā)生在真空熱蒸發(fā)エ藝中。層117也必須被結(jié)構(gòu)化，因?yàn)榉駝t陰極層117和陽(yáng)極層102之間的短路將出現(xiàn)。因此，在陰極沉積中，陰影掩模118用來(lái)保護(hù)器件中的區(qū)域免于如步驟IE中描繪的沉積。同樣此處，掩模118將涂覆有材料，其中，陰極材料典型地是金屬，如，銅、銀、鋁、金，等等。正如在步驟IF中可以看出的，當(dāng)單個(gè)的OLED分段119的串聯(lián)需要被實(shí)現(xiàn)時(shí)，需要非常復(fù)雜的ー組陰影掩模，因?yàn)椹`個(gè)像素的陽(yáng)極120必須與下一個(gè)像素的陰極121連接。在圖2中，示出了根據(jù)本發(fā)明ー個(gè)方面的エ藝方案。在步驟2Α中，在載體襯底101上沉積第一電極材料層102。沉積可以被應(yīng)用為圖案化沉積，例如，通過(guò)使用一般地已知的掩模技木。優(yōu)選的，第一電極材料層102基本上沉積在襯底101的整個(gè)功能區(qū)域上，且通過(guò)切除所沉積的第一電極材料層102的特定區(qū)域來(lái)應(yīng)用圖案化，例如，借助于激光束113或者等離子刻蝕。然而，隔離的區(qū)域103、104通過(guò)層102的圖案化來(lái)形成。在圖案化的第一電極材料層102上沉積有機(jī)光電有源材料層105和第二電極材料層106，正如步驟C1中所示出的。有機(jī)光電有源材料還可以填充隔離的區(qū)域103和104之間的圖案區(qū)域，正如步驟C2中所示出的。在步驟D中，例如通過(guò)激光束113來(lái)切除第二電極材料層106和有機(jī)光電有源材料層105，以暴露接觸墊108和109。此處，切除是以以下方式來(lái)執(zhí)行第一電極材料層102的電隔離區(qū)域103基本上沒(méi)有第二電極材料層106和有機(jī)光電有源材料層105，而層102的其它電隔離區(qū)域104仍然基本上覆蓋有第二電極材料和有機(jī)光電有源材料的層。應(yīng)當(dāng)理解的是，第一和第二電極材料層102和106可以分別充當(dāng)陰極或者陽(yáng)極，這取決于圖案中的OLED器件的種類。在常規(guī)的OLED器件中，第二電極材料層106可以充當(dāng)陰極且第一電極材料層102可以充當(dāng)陽(yáng)極，而在倒置型OLED器件中，電極材料層的功能可以顛倒。在圖3中，描繪了如何將第二電極材料層106與各自的接觸墊108電連接。根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，第二電極材料層的電連接借助于導(dǎo)電材料112來(lái)執(zhí)行。材料112可以是由銀金屬膏、導(dǎo)電膠和電化學(xué)沉積的金屬所構(gòu)成的組中的材料。在優(yōu)選的實(shí)施例中，材料112借助于噴墨印刷來(lái)施加。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在施加后，材料112可以進(jìn)行退火。退火可以通過(guò)例如借助于激光束或者聚焦的微波束的局部熱暴露來(lái)執(zhí)行。在將第二電極材料層106與接觸墊108連接之下，導(dǎo)電材料112也可以施加到其它接觸墊109，以增加該接觸 墊109的導(dǎo)電性，從而將第一電極材料層102與電路連接。然而，這不得不非常仔細(xì)地完成，以避免在第一和第二電極材料層102和106之間形成短路。圖4示出了在第二電極材料層106上所覆蓋的閉合非電極材料和/或非導(dǎo)電圖案的形成。通過(guò)該創(chuàng)新的方法，這種圖案可以通過(guò)切除特定區(qū)域107中所沉積的電極層來(lái)形成，而不需要任何紐帶。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，僅僅圖案的輪廓110借助于例如激光束或者等離子刻蝕來(lái)切除，而圖案的內(nèi)部區(qū)域111由機(jī)械裝置(例如，膠帶)來(lái)切除。這具有如下益處被引進(jìn)到OLED器件中的熱量被進(jìn)ー步減少，并且使熱膨脹最小化。以上詳細(xì)描述的實(shí)施例中的元件和特征的特別結(jié)合僅僅是實(shí)例性的；這些教導(dǎo)與在本申請(qǐng)和通過(guò)引用并入的專利/申請(qǐng)中的其它教導(dǎo)的互換和替換也是明確地預(yù)期的。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到此處所描述的內(nèi)容的改變、修改和其它實(shí)現(xiàn)方式對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以發(fā)生，而不脫離如所要求權(quán)利的本發(fā)明的精神和范圍。因此，前述描述僅僅是通過(guò)實(shí)例的方式并且不g在限制。在權(quán)利要求中，單詞“包括”不排除其它元件或者步驟，并且不定冠詞“一”不排除多個(gè)。在相互不同的從屬權(quán)利要求中陳述某些方法的純粹事實(shí)不指示這些方法的結(jié)合不能被使用以受益。本發(fā)明的范圍限定在以下的權(quán)利要求和其等價(jià)描述中。而且，在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求中所使用的附圖標(biāo)記不限制如所要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造OLED器件的方法，包括以下步驟 -提供載體襯底(101); -在所述載體襯底(101)上沉積第一電極材料層(102)； -在所沉積的第一電極材料層(102)內(nèi)部形成電隔離區(qū)域(103，104)； -在所述第一電極材料層(102)上沉積有機(jī)光電有源材料層(105)； - 在所述有機(jī)光電有源材料層(105)上沉積第二電極材料層(106)，其特征在干，在沉積有機(jī)光電有源材料層(105)和第二電極材料層(106)的步驟中，載體襯底(101)在其整個(gè)功能區(qū)域上利用所述層(105，106)來(lái)無(wú)掩模覆蓋，以及至少第二電極材料層(106)在至少所選擇的區(qū)域中被切除或者被使得為非導(dǎo)電的以在第二電極材料層(106)內(nèi)部形成非導(dǎo)電區(qū)域(107)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中，第二電極材料層(106)和有機(jī)光電有源材料層(105)被切除，以在所述第一電極材料層(102)的兩個(gè)電隔離區(qū)域(103，104)上暴露至少兩個(gè)接觸墊(108，109)，從而形成陽(yáng)極和陰極接觸墊，其中，在切除之后，ー個(gè)電隔離區(qū)域(103)基本上沒(méi)有第二電極材料層(106)和有機(jī)光電有源材料層(105)，而其它區(qū)域(104)仍然至少部分地覆蓋有第二電極材料層(106)和有機(jī)光電有源材料層(105)，以及其中，在ー個(gè)區(qū)域(104)上殘余的第二電極材料層(106)與其它區(qū)域(103)的接觸墊(108)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，通過(guò)施加由銀金屬膏、導(dǎo)電膠和電化學(xué)沉積的金屬所構(gòu)成的組中的導(dǎo)電材料(112)，區(qū)域(104)上的第二電極材料層(106)與接觸墊(108)電接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2和3中任意項(xiàng)的方法，其中，將在ー個(gè)區(qū)域(104)上的第二電極材料層(106)與其它區(qū)域(103)的接觸墊(108)連接的導(dǎo)電材料(112)在被施加后進(jìn)行退火。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任ー項(xiàng)的方法，其中，至少ー個(gè)電極材料(102，106)是透明導(dǎo)電氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求3到5中任意項(xiàng)的方法，其中，在施加導(dǎo)電材料(112)之前，絕緣材料至少部分地被施加。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意項(xiàng)的方法，其中，電隔離區(qū)域(103，104)是通過(guò)第一電極材料層(102)的圖案化沉積來(lái)形成。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意項(xiàng)的方法，其中，第二電極材料層(106)和/或有機(jī)光電有源材料層(105)至少部分地借助于激光束和/或等離子刻蝕被切除和/或被使得為非導(dǎo)電的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中，僅僅待切除的第二電極材料層(106)和/或有機(jī)光電有源材料層(105)的區(qū)域輪廓(110)借助于激光束和/或等離子刻蝕來(lái)切除，而待切除的主區(qū)域(111)由機(jī)械和/或化學(xué)切除裝置來(lái)切除。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，主區(qū)域(111)由膠帶來(lái)切除。
11 ·根據(jù)前述權(quán)利要求中任意項(xiàng)的方法，其中，將ー個(gè)區(qū)域上的第ニ電極材料層與其它區(qū)域的接觸墊連接的導(dǎo)電材料(112)被確定尺寸，以在導(dǎo)致OLED器件過(guò)電壓的所施加的電壓和/或電流密度時(shí)熔化。
12.一種發(fā)光器件，其包括根據(jù)權(quán)利要求I到11中任何一個(gè)所制造的OLED器件。
13.—種包括根據(jù)權(quán)利要求I到11中任何一個(gè)所制造的OLED器件和/或根據(jù)權(quán)利要求12的發(fā)光器件的系統(tǒng)，該系統(tǒng)用在ー個(gè)或者多個(gè)以下應(yīng)用中 -辦公室照明系統(tǒng) -家用應(yīng)用系統(tǒng) -商店照明系統(tǒng)， -家庭照明系統(tǒng)， -重點(diǎn)照明系統(tǒng)， -聚光燈系統(tǒng)， -劇院照明系統(tǒng)， -光纖應(yīng)用系統(tǒng)， -投影系統(tǒng)， -自點(diǎn)亮顯示系統(tǒng)， -像素化顯示系統(tǒng)， -分段顯示系統(tǒng)， -警告標(biāo)志系統(tǒng)， -醫(yī)療照明應(yīng)用系統(tǒng)， -指示標(biāo)志系統(tǒng)，以及 -裝飾照明系統(tǒng) -便攜式系統(tǒng) -汽車應(yīng)用 -溫室照明系統(tǒng)。
全文摘要
通過(guò)本發(fā)明提出了一種制造OLED器件的方法，包括以下步驟提供載體襯底，在所述載體襯底上沉積第一電極材料層，在所沉積的第一電極材料層內(nèi)部形成電隔離區(qū)域，在所述第一電極材料層上沉積有機(jī)光電有源材料層(105)，在所述有機(jī)光電有源材料層上沉積第二電極材料層。該方法特征在于，沉積有機(jī)光電有源材料層和第二電極材料層的步驟中，載體襯底在其整個(gè)功能區(qū)域上利用所述層來(lái)無(wú)掩模覆蓋，以及至少第二電極材料層在至少所選擇區(qū)域中被切除或者被使得為非導(dǎo)電的，以在第二電極材料層內(nèi)部形成非導(dǎo)電區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L51/00GK102696125SQ201180005526
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者H.施瓦布 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司