專利名稱：電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在多層布線板上集成半導(dǎo)體芯片及無源器件而得到的高密度安裝的電子器件。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的小型化、輕量化、薄型化等，將電子器件復(fù)合化(將多個(gè)電子器件組合而做成I個(gè)電子器件)而高密度安裝的電子器件的開發(fā)被不斷推進(jìn)。關(guān)于高密度安裝，例如在多層布線板上集成半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)和無源器件(電感器、電容器、電阻器)，而構(gòu)成I個(gè)電子器件(例如，混合(混成)IC (集成電路))。另一方面，為了構(gòu)成以半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)為中心的反饋電路，在半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)上連接反饋(feed back)元件。例如，在半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的輸入 端及輸出端之間連接無源器件(反饋元件)，構(gòu)成為信號(hào)從輸出側(cè)向輸入側(cè)反饋(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。在構(gòu)成這樣的反饋電路的情況下，需要將半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的輸入端及輸出端之間電氣分離。如果不良好地進(jìn)行輸入端及輸出端之間的分離，則來自輸出端的輸出信號(hào)成為諧振狀態(tài)，不能夠得到希望的輸出信號(hào)。進(jìn)而，也有半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)自身因上述諧振的影響而被破壞的情況。但是，在將半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)和無源器件裝入到多層布線板上并高密度安裝的電子器件中，因?yàn)槭共季€基板間窄小化等，因此設(shè)置上述那樣的、能夠?qū)雽?dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的輸入端及輸出端之間電氣分離那樣的機(jī)構(gòu)是困難的?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2001 - 085803公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明概要發(fā)明要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的是，在將半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)及無源器件集成于多層布線板且半導(dǎo)體芯片及無源器件構(gòu)成反饋電路的電子器件中，能夠?qū)雽?dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的輸入端及輸出端之間電氣分離。用于解決技術(shù)問題的手段有關(guān)本發(fā)明的一技術(shù)方案的電子器件，具備多層布線板；半導(dǎo)體芯片，配置于上述多層布線板的主面上或內(nèi)部；以及無源器件，配置于上述多層布線板的內(nèi)部，具有與上述半導(dǎo)體芯片的輸入端及輸出端分別連接的第I端子及第2端子，構(gòu)成上述多層布線板的導(dǎo)電性部件配置在使得其距上述第I端子及上述第2端子的至少一方的距離比上述第I端子及第2端子間的距離小的位置上。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在將半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)及無源器件集成于多層布線板且半導(dǎo)體芯片及無源器件構(gòu)成反饋電路的電子器件中，能夠?qū)雽?dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的輸入端及輸出端之間電氣分離。


圖I是表示有關(guān)本發(fā)明的第I實(shí)施方式的電子器件的剖視圖。圖2是表示由圖I所示的電子器件的半導(dǎo)體芯片和無源器件構(gòu)成的電路的一例的電路圖。圖3是將圖I所示的電子器件的無源器件的附近放大表示的放大立體圖。圖4是表示有關(guān)本發(fā)明的比較例的電子器件的剖視圖。圖5是表示將圖4所示的電子器件的半導(dǎo)體芯片及無源器件從上方觀察的狀態(tài)的俯視圖。圖6是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖7是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖8是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖9是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖10是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖11是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖12是表示圖I所示的電子器件的制造工序的圖。圖13是表示有關(guān)本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電子器件的剖視圖。圖14是表示圖13所示的電子器件的無源器件附近的俯視圖。圖15是表示有關(guān)本發(fā)明的第3實(shí)施方式的電子器件的剖視圖。圖16是表示由圖I所示的電子器件的半導(dǎo)體芯片和無源器件構(gòu)成的電路的一例的電路圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。(第I實(shí)施方式)圖I是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的電子器件100的剖視圖。電子器件100具有多層布線板110、半導(dǎo)體芯片120、無源器件130、密封層140、及保護(hù)層150。多層布線板110具有絕緣層111 115及布線層LI L6。布線層LI L6從下方朝向上方依次配置，分別通過絕緣層111 115而電氣絕緣。另外，絕緣層111 115是由樹脂等絕緣材料構(gòu)成的層。此外，布線層LI L6是具有由金屬等導(dǎo)電性材料的圖案構(gòu)成的布線的層。布線層LI L6間用導(dǎo)電性凸塊等層間連接部BI B5電氣連接。在本實(shí)施方式中，例如半導(dǎo)體芯片120由硅等半導(dǎo)體的芯片構(gòu)成，構(gòu)成放大器(例如，OP放大器)。此外，在半導(dǎo)體芯片120的上表面左端設(shè)有輸入端121，在半導(dǎo)體芯片120的上表面右端上設(shè)有輸出端122。半導(dǎo)體芯片120將輸入到輸入端121的信號(hào)放大，向輸出端122輸出。另外，輸入端121及輸出端122分別通過金屬線W與多層布線板110的布線層LI內(nèi)的布線連接。在本實(shí)施方式中，無源器件130設(shè)置為在多層布線板110的內(nèi)部即半導(dǎo)體芯片120的正下方對(duì)置。無源器件130的第I端子131及第2端子132分別通過焊料等連接在布線層L2上。結(jié)果，無源器件130的第I端子131及第2端子132分別經(jīng)由布線層L2、層間連接部BI、布線層LI、金屬線W連接在半導(dǎo)體芯片120的輸入端121、輸出端122上，構(gòu)成反饋電路。無源器件130是反饋元件，例如是構(gòu)成電感器、電容器、電阻器等的芯片器件。假如無源器件130是構(gòu)成電阻器的芯片器件，則上述反饋電路構(gòu)成圖2所示那樣的電路。即，構(gòu)成將放大器AMP與反饋電阻元件R組合的模擬 電路。密封層140是用于將半導(dǎo)體芯片120密封、從外界進(jìn)行保護(hù)的例如樹脂的層。保護(hù)層150是用于從外界進(jìn)行保護(hù)布線層L6的例如抗蝕劑層。在保護(hù)層150上形成有開ロ，形成有用干與外部電路及外部元件電氣連接的未圖示的金屬端子。圖3是將無源器件130的附近放大表示的放大立體圖。圖3為了使本實(shí)施方式的特征變得明確，與圖I所示的電子器件相比，將上下倒轉(zhuǎn)表示。如圖3所示，在無源器件130的第I端子131及第2端子132上，連接著構(gòu)成多層布線板Iio的導(dǎo)電性部件、即布線層L2的布線L2a、L2b，布線層L4的布線L4a、L4b接近配置。此外，與第I端子131及第2端子132間的距離D2相比，將第I端子131及第2端子132與布線L4a、L4b的距離Dl變小。結(jié)果，從無源器件130的第I端子131及第2端子132產(chǎn)生的AC噪聲被布線L4a、L4b吸收。因而，能夠防止該AC噪聲疊加在半導(dǎo)體芯片120上，所以能夠進(jìn)行半導(dǎo)體芯片120的輸入端121及輸出端122的電氣分離。結(jié)果，能夠防止半導(dǎo)體芯片120的諧振而得到希望的輸出信號(hào)、并且能夠防止半導(dǎo)體芯片120的破壞。此外，能夠?qū)⒉季€L4a、L4b接地。在此情況下，上述的AC噪聲被釋放到多層布線板即電子器件的外部，所以能夠更有效地抑制AC噪聲對(duì)于半導(dǎo)體芯片120的疊加，能夠更可靠地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片120的輸入端121及輸出端122的電氣分離。另外，在本實(shí)施方式中，將布線L4a及布線L4b以距離Dl分別相對(duì)于無源器件130的第I端子131及第2端子132接近配置，但只要將布線L4a及布線L4b的某一方以距離Dl相對(duì)于第I端子131或第2端子132接近配置，就能夠發(fā)揮上述作用效果。但是，如本實(shí)施方式所示，如果將布線L4a及布線L4b以距離Dl分別相對(duì)于第I端子131及第2端子132接近配置，則能夠更有效地發(fā)揮上述作用效果。此外，在本實(shí)施方式中，無源器件130配置為在多層布線板110的內(nèi)部且半導(dǎo)體芯片120的正下方對(duì)置。因而，無源器件130被位于其下方的布線層L3 L6及位于其上方的半導(dǎo)體芯片120屏蔽，能夠減少外部噪聲的流入。此外，通過將無源器件130配置在半導(dǎo)體芯片120的正下方，減小無源器件130與半導(dǎo)體芯片120間的布線長(zhǎng)，所以能夠進(jìn)ー步減小外部噪聲對(duì)于無源器件130的影響。另外，在本實(shí)施方式中，在多層布線板110中，使布線L4a及布線L4b位于無源器件130的下方，但也可以位于其上方。(比較例)圖4是表示有關(guān)本發(fā)明的比較例的電子器件100X的剖視圖。圖5是表示將半導(dǎo)體芯片120X及無源器件130X從上方觀察的狀態(tài)的俯視圖。電子器件IOOX具有多層布線板110X、半導(dǎo)體芯片120X、無源器件130X、密封層140X、及保護(hù)層150X。布線層LlX L6X從下方朝向上方依次配置，分別通過絕緣層IllX 115X電氣絕緣。另外，絕緣層IllX 115X是由樹脂等絕緣材料構(gòu)成的層。此外，布線層LlX L6X是具有由金屬等導(dǎo)電性材料的圖案構(gòu)成的布線的層。布線層LlX L6X間通過導(dǎo)電性凸塊等層間連接部BlX B5X電氣連接。如圖4及圖5所示，在本比較例中，無源器件130X不配置在多層布線板IlOX的內(nèi)部，而是在多層布線板Iiox的主面上與半導(dǎo)體芯片120X并列配置。無源器件130X的第I端子131X及第2端子132X分別連接在布線層LlX的布線LllX及L12X上，半導(dǎo)體芯片120X的輸入端121X及輸出端122X經(jīng)由金屬線Wx同樣連接在布線層LlX的布線LllX及L12X上。在電子器件100X中，由于在多層布線板IlOX上配置有半導(dǎo)體芯片120X及無源器件130X，所以必須將無源器件130X與半導(dǎo)體芯片120X充分離開地配置，以使由無源器件130產(chǎn)生的AC噪聲不疊加在半導(dǎo)體芯片120X上。因而，難以得到高密度安裝的電子器件。此外，由于無源器件130X露出到表面上，所以該無源器件130X容易受到外部噪聲的影響。因而，需要對(duì)無源器件130X另外設(shè)置屏蔽部件來削減外部噪聲的影響。因而，通過設(shè)置屏蔽部件，難以得到高密度安裝的電子器件，除此之外，設(shè)置屏蔽部件的新的制造エ序被要求，所以電子器件100X的制造エ序復(fù)雜化。(電子器件100的制造方法)以下，說明電子器件100的制造方法。在制造電子器件100時(shí)，最先制作內(nèi)置無源器件130的多層布線板110。此時(shí)，多層布線板110劃分為上層部110A、中層部110B、下層部IlOC而進(jìn)行制作。并且，通過將上層部110A、中層部110B、下層部IlOC合體而制作多層布線板110。A.上層部IlOA的制作(圖6)上層部IlOA具有絕緣層111、布線層LI、L2、無源器件130。(I)向金屬箔21形成導(dǎo)電性凸塊22 (圖6 (a))在作為布線層LI的金屬箔(例如銅箔)21上，形成作為層間連接部BI的導(dǎo)電性凸塊22。導(dǎo)電性凸塊22例如可以通過導(dǎo)電性膏的絲網(wǎng)印刷而形成。導(dǎo)電性膏例如是使金屬粒(銀、金、銅、焊料等)分散到膏狀樹脂中、混合揮發(fā)性的溶劑而得到的物質(zhì)。將導(dǎo)電性膏通過絲網(wǎng)印刷而印刷到金屬箔21上，能夠形成大致圓錐形的導(dǎo)電性凸塊22。(2)向金屬箔21層疊預(yù)成型料(pre-preg) 23 (圖6 (b))在形成有導(dǎo)電性凸塊22的金屬箔21上，層疊要做成絕緣層111的預(yù)成型料23。即，在金屬箔21上配置預(yù)成型料23并加壓。預(yù)成型料23例如是使環(huán)氧樹脂那樣的固化性樹脂含浸到玻璃纖維那樣的加強(qiáng)體中而成的。此外，在固化前處于半固化狀態(tài)，具有熱塑性及熱固化性。在該層疊的階段中，由于不加熱，所以預(yù)成型料23被保持為未固化狀態(tài)。層疊的結(jié)果是，導(dǎo)電性凸塊22將預(yù)成型料23貫通。這是因?yàn)?，預(yù)成型料23具有熱塑性、熱固化性，以及導(dǎo)電性凸塊22的形狀是大致圓錐。(3)金屬箔21、預(yù)成型料23、金屬箔24的層疊、加熱(圖6 (C))在金屬箔21、預(yù)成 型料23的層疊體上層疊金屬箔24，在加壓的狀態(tài)下加熱。結(jié)果，預(yù)成型料23固化而成為絕緣層111，與金屬箔21、24牢固地連接。此外，導(dǎo)電性凸塊22 (層間連接部BI)將金屬箔21,24電氣連接。金屬箔21、24的電氣導(dǎo)通由導(dǎo)電性凸塊22進(jìn)行，不需要通孔形成等的エ序。因此，不需要用于通孔形成的空間，高密度的安裝較容易。(4)金屬箔21、24的圖案化(圖6 (d))金屬箔21、24被圖案化，形成布線層LI、L2。圖案化例如可以通過由光致抗蝕劑的涂敷、基于曝光的掩模的形成、和通過該掩模的金屬箔21、24的蝕刻等來執(zhí)行。(5)無源器件130的安裝(圖6 Ce))在布線層L2上配置并固定無源器件130。、B.中層部IlOB的制作(圖7)中層部IlOB對(duì)應(yīng)于絕緣層112、一部分絕緣層113、布線層L3。(I)向金屬箔31形成導(dǎo)電性凸塊32 (圖7 (a))接著，在作為層間連接部B3的一部分的金屬箔(例如銅箔)31上，形成作為層間連接部B3的一部分的導(dǎo)電性凸塊32。(2)向金屬箔31層疊預(yù)成型料33 (圖7 (b))在形成有導(dǎo)電性凸塊32的金屬箔31上，層疊要作為絕緣層113的一部分的預(yù)成型料33。即，在金屬箔31上配置預(yù)成型料23并加壓。層疊的結(jié)果是，導(dǎo)電性凸塊32將預(yù)成型料33貫通。(3)金屬箔31、預(yù)成型料33、金屬箔34的層疊、加熱(圖7 (C))在金屬箔31、預(yù)成型料33的層疊體上層疊金屬箔34，在加壓的狀態(tài)下加熱。結(jié)果，預(yù)成型料33固化而成為絕緣層33A，與金屬箔31、34牢固地連接。此外，導(dǎo)電性凸塊32(層間連接部B3的一部分)將金屬箔31、34電氣連接。絕緣層33A及后述的預(yù)成型料49對(duì)應(yīng)于絕緣層113。(4)金屬箔31、34的圖案化(圖7 (d))金屬箔31、34被圖案，形成金屬箔圖案31A及布線層L3。金屬箔圖案31A、導(dǎo)電性凸塊32及后述的導(dǎo)電性凸塊48對(duì)應(yīng)于層間連接部B3。(5)向布線層L3形成導(dǎo)電性凸塊35 (圖7 Ce))在布線層L3上，形成作為層間連接部B2的導(dǎo)電性凸塊35。(6)向布線層L3層疊預(yù)成型料36 (圖7 Cf))在布線層L3上，層疊要作為絕緣層112的預(yù)成型料36。S卩，在金屬箔31上配置預(yù)成型料36并加壓。層疊的結(jié)果是，導(dǎo)電性凸塊35將預(yù)成型料36貫通。在該層疊的階段中，由于不加熱，所以預(yù)成型料36被保持為未固化狀態(tài)。(7)貫通孔37的形成(圖7 (g))在金屬箔31、預(yù)成型料33、金屬箔34、預(yù)成型料36的層疊體上形成貫通孔37。該貫通孔37成為用于收容無源器件130的空間。在無源器件130為某種程度較厚的情況下，需要這樣的貫通孔37。通過以上，形成中層部110B。此時(shí)，預(yù)成型料36為與之后的上層部IlOA的連接準(zhǔn)備，是未固化的狀態(tài)。該中層部IlOB具有作為層間連接部B3的一部分的金屬箔圖案31A、導(dǎo)電性凸塊32。在該例中，在預(yù)成型料36和布線層L3之下，配置有絕緣層33A、導(dǎo)電性凸塊32、金屬箔圖案31A的組合。根據(jù)情況，可以進(jìn)ー步層疊該組合。C.下層部IlOC的制作(圖8)下層部IlOC具有絕緣層114、115、布線層し4 し5。(I)布線層L6、絕緣層115、布線層L5的層疊體的形成(圖8 Ca 通過以下的エ序，形成布線層L6、絕緣層115、布線層L5的層疊體。I)向金屬箔41 (對(duì)應(yīng)于布線層L6)形成導(dǎo)電性凸塊42 (對(duì)應(yīng)于層間連接部B5)2)預(yù)成型料43的層疊
3)金屬箔44的層疊、加熱4 )金屬箔41、44的圖案化該エ序I) 4)與對(duì)應(yīng)于已述的圖6 (a) (d)及圖7 (a) (d)的エ序是同樣的，所以省略詳細(xì)的說明。(2)向布線層L5形成導(dǎo)電性凸塊45 (圖8 (b))在布線層L5上，形成作為層間連接部B4的導(dǎo)電性凸塊45。(3)向布線層L5層疊預(yù)成型料46 (圖8 (C))在形成有導(dǎo)電性凸塊45的布線層L5上，層疊要作為絕緣層114的預(yù)成型料46。即，在布線層L5上配置預(yù)成型料46并加壓。層疊的結(jié)果是，導(dǎo)電性凸塊45將預(yù)成型料46貫通。(4)金屬箔47的層疊、加熱(圖8 (d))在預(yù)成型料46上層疊金屬箔47，在加壓的狀態(tài)下加熱。結(jié)果，預(yù)成型料46固化，成為絕緣層114，與布線層L5、金屬箔47牢固地連接。此外，導(dǎo)電性凸塊45 (層間連接部B4)將布線層L5、金屬箔47電氣連接。(5)金屬箔47的圖案化(圖8 (e))金屬箔47被圖案化，形成布線層L4。(6)向布線層L4形成導(dǎo)電性凸塊48 (圖8 Cf))在布線層L4上，形成作為層間連接部B3的一部分的導(dǎo)電性凸塊48。(7)向布線層L4層疊預(yù)成型料49 (圖8 (g))在形成有導(dǎo)電性凸塊48的布線層L4上，層疊要作為絕緣層113的一部分的預(yù)成型料49。即，在布線層L4上配置預(yù)成型料49并加壓。層疊的結(jié)果是，導(dǎo)電性凸塊48將預(yù)成型料49貫通。通過以上，形成下層部110C。此時(shí)，預(yù)成型料49為與之后的中層部IlOB的連接準(zhǔn)備，是未固化的狀態(tài)。該下層部IlOC具有作為層間連接部B3的一部分的導(dǎo)電性凸塊48。D.上層部110A、中層部110B、下層部IlOC的接合(圖9、圖10)將上層部110A、中層部110B、下層部IlOC接合。即，將上層部110A、中層部110B、下層部IlOC層疊，在施加壓カ的狀態(tài)下加熱。此時(shí)，上層部IlOA與圖6的狀態(tài)上下相反地配置。通過預(yù)成型料36、49固化，上層部110A、中層部110B、下層部IlOC接合。此時(shí)，無源器件130被收容、密封到貫通孔37內(nèi)。此外，將導(dǎo)電性凸塊48、金屬箔圖案31A、導(dǎo)電性凸塊32連接，形成層間連接部B3。將預(yù)成型料49與絕緣層33A連接，形成絕緣層113。如以上這樣，形成內(nèi)置無源器件130的多層布線板110。
E.半導(dǎo)體芯片120的固定、密封(圖11、圖12)在多層布線板110上固定半導(dǎo)體芯片120，用金屬線W與多層布線板110電氣連接。進(jìn)而，用密封層140將半導(dǎo)體芯片120密封，用保護(hù)層150對(duì)多層布線板110的下表面進(jìn)行保護(hù)。如以上這樣，形成內(nèi)置作為反饋元件的無源器件130 (例如，調(diào)整用的電阻元件)的電子器件100。(第2實(shí)施方式)圖13是表不本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電子器件200的剖視圖，圖14是表不圖13所示的電子器件200的無源器件230附近的俯視圖。電子器件200與第I實(shí)施方式的電子器件100同樣，具有多層布線板210、半導(dǎo)體芯片220、無源器件230、密封層240及保護(hù)層250。 多層布線板210具有絕緣層211 215及布線層L21 L26。布線層L21 L26從下方朝向上方依次配置，分別通過絕緣層211 215電氣絕緣。另外，絕緣層211 215是由樹脂等絕緣材料構(gòu)成的層。此外，布線層L21 L26是具有由金屬等導(dǎo)電性材料的圖案構(gòu)成的布線的層。布線層L21 L26間用導(dǎo)電性凸塊等層間連接部B21 B25電氣連接。在本實(shí)施方式中，例如半導(dǎo)體芯片220由硅等半導(dǎo)體的芯片構(gòu)成，構(gòu)成放大器(例如，OP放大器)。此外，在半導(dǎo)體芯片220的上表面左端設(shè)有輸入端221，在半導(dǎo)體芯片220的上表面右端上設(shè)有輸出端222。半導(dǎo)體芯片220將輸入到輸入端221的信號(hào)放大，向輸出端222輸出。另外，輸入端221及輸出端222分別通過金屬線W連接在多層布線板210的布線層L21內(nèi)的布線上。在本實(shí)施方式中，無源器件230設(shè)置為在多層布線板210的內(nèi)部即半導(dǎo)體芯片220的正下方對(duì)置。無源器件230的第I端子231及第2端子232分別用焊料等連接在布線層L22上。結(jié)果，無源器件230的第I端子231及第2端子232分別經(jīng)由布線層L22、層間連接部B21、布線層L21、金屬線W連接在半導(dǎo)體芯片220的輸入端221、輸出端222上，構(gòu)成反饋電路。無源器件230是反饋元件，例如是構(gòu)成電感器、電容器、電阻器等的芯片器件。密封層240是用于將半導(dǎo)體芯片220密封、從外界進(jìn)行保護(hù)的例如樹脂的層。保護(hù)層250是用于將布線層L26從外界進(jìn)行保護(hù)的例如抗蝕劑層。在保護(hù)層250上形成有開ロ，形成有用干與外部電路及外部元件電氣連接的未圖示的金屬端子。如圖13及圖14所示，在無源器件230的第I端子231及第2端子232上，連接著構(gòu)成多層布線板210的導(dǎo)電性部件、即布線層L22的布線L22a、L22b，接近配置有層間連接部B23。此外，與第I端子231及第2端子232間的距離D2相比，將第I端子231及第2端子232與層間連接部B23的距離D3變小。結(jié)果，從無源器件230的第I端子231及第2端子232產(chǎn)生的AC噪聲被層間連接部B23吸收。因而，能夠防止該AC噪聲疊加在半導(dǎo)體芯片220上，所以能夠進(jìn)行半導(dǎo)體芯片220的輸入端221及輸出端222的電氣分離。結(jié)果，能夠防止半導(dǎo)體芯片220的諧振而得到希望的輸出信號(hào)，并且能夠防止半導(dǎo)體芯片220的破壞。此外，層間連接部B23可以接地。在此情況下，上述AC噪聲被釋放到多層布線板、即電子器件的外部，所以能夠更有效地抑制AC噪聲對(duì)于半導(dǎo)體芯片220的疊加，能夠更可靠地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片220的輸入端221及輸出端222的電氣分離。另外，在本實(shí)施方式中，將層間連接部B23以距離D3分別相對(duì)于無源器件230的第I端子231及第2端子232接近配置，但只要將某一方的層間連接部B23相對(duì)于第I端子231或第2端子232以距離D3接近配置，就能夠發(fā)揮上述作用效果。但是，如本實(shí)施方式所示，如果將層間連接部B23分別相對(duì)于第I端子231及第2端子232以距離D3接近配置，則能夠更有效地發(fā)揮上述作用效果。此外，在本實(shí)施方式中，無源器件230配置為在多層布線板210的內(nèi)部且半導(dǎo)體芯片220的正下方對(duì)置。因而，無源器件230被位于其下方的布線層L23 L26及位于其上 方的半導(dǎo)體芯片220屏蔽，能夠減少外部噪聲的流入。此外，通過將無源器件230配置在半導(dǎo)體芯片220的正下方，減小無源器件230與半導(dǎo)體芯片220間的布線長(zhǎng)，所以能夠進(jìn)一歩降低外部噪聲對(duì)于無源器件230的影響。(第3實(shí)施方式)圖15是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的電子器件300的剖視圖。電子器件300具有多層布線板310、半導(dǎo)體芯片320、無源器件330a 330d、保護(hù)層350a、350b。多層布線板310具有絕緣層311 315及布線層L31 L36。布線層L31 L36從下方朝向上方依次配置，分別通過絕緣層311 315電氣絕緣。另外，絕緣層311 315是由樹脂等絕緣材料構(gòu)成的層。此外，布線層L31 L36是具有由金屬等導(dǎo)電性材料的圖案構(gòu)成的布線的層。布線層L31 L36間用導(dǎo)電性凸塊等層間連接部B31 B35電氣連接。半導(dǎo)體芯片320由硅等半導(dǎo)體的芯片構(gòu)成，與無源器件330a、330b —起配置在多層布線板310的內(nèi)部中。作為半導(dǎo)體芯片320，例如可以使用CSP(芯片尺寸封裝，Chip SizePackage)。即，能夠使用以與半導(dǎo)體芯片自身相同程度的尺寸實(shí)現(xiàn)的超小型的封裝，作為半導(dǎo)體芯片320。另外，也可以在多層布線板310的主面上配置別的半導(dǎo)體芯片，用樹脂等密封。即，可以將半導(dǎo)體芯片配置于多層布線板310的主面上及內(nèi)部這兩者上。在本實(shí)施方式中，例如半導(dǎo)體芯片320由硅等半導(dǎo)體的芯片構(gòu)成，構(gòu)成放大器(例如，OP放大器)。此外，在半導(dǎo)體芯片320的上表面左端設(shè)有輸入端321，在半導(dǎo)體芯片320的上表面右端設(shè)有輸出端322。輸入端321、輸出端322分別通過焊料等連接于布線層L32。半導(dǎo)體芯片320將輸入到輸入端321中的信號(hào)放大，向輸出端322輸出。無源器件330a 330d是構(gòu)成電感器、電容器、電阻器等的芯片器件。無源器件330a、330b與半導(dǎo)體芯片320并列配置在多層布線板310的內(nèi)部中，通過焊料等連接在布線層L32內(nèi)的布線上。其中，無源器件330b配置在比截面靠后方，所以用虛線表示。無源器件330c、330d配置在多層布線板310的主面上，通過焊料等連接在布線層L31上。假如無源器件330a 330d都為電阻，則半導(dǎo)體芯片320和無源器件330a 330d構(gòu)成與圖16所示的反饋電路等價(jià)的電路。在保護(hù)層350a、350b上形成有開ロ，形成有用于與外部電路及外部元件電氣連接的未圖示的金屬端子。如圖15所示，無源器件330a的第I端子331a及第2端子332a、以及無源器件330b的未圖示的端子，與構(gòu)成多層布線板310的導(dǎo)電性部件即布線層L32連接，布線層L35的布線L35a相對(duì)于這些端子接近配置。此外，與無源器件330a的第I端子331a及第2端子332a間的距離D2、以及無源器件330b的未圖示的端子間的距離相比，將這些端子與布線L35a的距離D4變小。結(jié)果，從無源器件330a的第I端子331a及第2端子332a發(fā)生的AC噪聲、以及從無源器件330b的未圖示的端子發(fā)生的AC噪聲被布線L35a吸收。因而，能夠防止該AC噪聲疊加到半導(dǎo)體芯片320上，所以能夠進(jìn)行半導(dǎo)體芯片320的輸入端321及輸出端322的電氣分離。結(jié)果，能夠防止半導(dǎo)體芯片320的諧振而得到希望的輸出信號(hào)，并且能夠防止半導(dǎo)體芯片320的破壞。此外，布線L35a能夠接地。在此情況下，由于上述AC噪聲被釋放到多層布線板310、即電子器件300的外部，所以能夠更有效地抑制AC噪聲對(duì)于半導(dǎo)體芯片320的疊加，能夠更可靠地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片320的輸入端321及輸出端322的電氣分離。此外，在本實(shí)施方式中，無源器件330a及330b被配置在多層布線板310的內(nèi)部。因而，這些無源器件330a及330b被多層布線板310的布線層L31 L36屏蔽，能夠減少外部噪聲的流入。以上，基于上述具體例對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于上述具體例，在不脫離本發(fā)明的范疇內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形及變更。標(biāo)號(hào)說明100,200,300 電子器件110、210、310 多層布線板111 115、211 215、311 315 絕緣層LI L6、L21 L25、L31 L35 布線層L2a、L2b、L4a、L4b、L22a、L22b、L35a 布線120、220、330 半導(dǎo)體芯片121、221、321 輸入端122、222、322 輸出端130、230、330a 330d 無源器件131、231、331a 第 I 端子132、232、332a 第 2 端子140、240、350 密封層150、250、350a、350b 保護(hù)層權(quán)利要求
1.一種電子器件，其特征在于， 具備 多層布線板； 半導(dǎo)體芯片，配置于上述多層布線板的主面上或內(nèi)部；以及 無源器件，配置于上述多層布線板的內(nèi)部，具有與上述半導(dǎo)體芯片的輸入端及輸出端分別連接的第I端子及第2端子， 構(gòu)成上述多層布線板的導(dǎo)電性部件配置在使得其距上述第I端子及上述第2端子的至少一方的距離比上述第I端子及第2端子間的距離小的位置上。
2.如權(quán)利要求I所述的電子器件，其特征在于， 構(gòu)成上述多層布線板的導(dǎo)電性部件配置在使得其距上述第I端子及上述第2端子的距離比上述第I端子及第2端子間的距離小的位置上。
3.如權(quán)利要求I或2所述的電子器件，其特征在于， 上述導(dǎo)電性部件接地。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于， 上述導(dǎo)電性部件是構(gòu)成上述多層布線板的布線層。
5.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于， 上述導(dǎo)電性部件是構(gòu)成上述多層布線板的層間連接部。
6.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的電子器件,其特征在于， 上述無源器件和上述半導(dǎo)體芯片相互對(duì)置地配置。
7.如權(quán)利要求I 6中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于， 上述無源器件是相對(duì)于上述半導(dǎo)體芯片的反饋元件。
8.如權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于， 上述無源器件是從電感器、電容器及電阻器中選擇的至少I個(gè)。
全文摘要
在將半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)及無源器件集成于多層布線板且半導(dǎo)體芯片及無源器件構(gòu)成反饋電路的電子器件中，將半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)的輸入端及輸出端之間電氣分離。該電子器件具備多層布線板；半導(dǎo)體芯片，配置于上述多層布線板的主面上或內(nèi)部；無源器件，配置于上述多層布線板的內(nèi)部，具有與上述半導(dǎo)體芯片的輸入端及輸出端分別連接的第1端子及第2端子，構(gòu)成上述多層布線板的導(dǎo)電性部件配置在使得其距上述第1端子及上述第2端子的至少一方的距離比上述第1端子及第2端子間的距離小的位置上。
文檔編號(hào)H01L23/12GK102726129SQ20118000551
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者島田修 申請(qǐng)人:大日本印刷株式會(huì)社