專利名稱：清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法和用于清潔碳化硅半導(dǎo)體的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及清潔碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的方法和用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置，更特別地，涉及清潔具有氧化膜并用于半導(dǎo)體器件中的SiC半導(dǎo)體的方法和用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件的方法中，通常已進(jìn)行清潔以除去沉積在表面上的沉積物。這種清潔方法包括例如在日本特開平6-314679號公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中所公開的技木。該專利文獻(xiàn)I公開了ー種按如下清潔半導(dǎo)體襯底的方法。首先，利用含有臭氧的超純水對硅
(Si)襯底進(jìn)行清潔以形成Si氧化膜，從而將粒子和金屬雜質(zhì)收進(jìn)到這種Si氧化膜的內(nèi)部或表面中。然后，利用稀釋的氫氟酸水溶液對這種Si襯底進(jìn)行稀釋以蝕刻掉Si氧化膜并同時(shí)除去所述粒子和所述金屬雜質(zhì)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開平6-314679號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題SiC具有大的帶隙且還具有比Si更高的最大擊穿電場和熱導(dǎo)率，SiC具有與Si —樣高的載流子遷移率且其電子飽和漂移速度和擊穿電壓也高。因此，期望應(yīng)用到需要實(shí)現(xiàn)更高效率、更高擊穿電壓和更大容量的半導(dǎo)體器件上。然后，本發(fā)明人關(guān)注了將SiC半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體器件。在將SiC半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體器件時(shí)，應(yīng)對SiC半導(dǎo)體的表面進(jìn)行清潔。然而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在SiC半導(dǎo)體上形成Si氧化膜并嘗試將上述專利文獻(xiàn)I中公開的清潔方法應(yīng)用于SiC半導(dǎo)體而利用稀釋的氫氟酸水溶液對Si氧化膜進(jìn)行清潔時(shí)，由于Si氧化膜的膜品質(zhì)隨面取向而變化，所以在SiC半導(dǎo)體的面中蝕刻速度不同。如果因在SiC半導(dǎo)體中除去Si氧化膜而造成面內(nèi)變化，則可能產(chǎn)生清潔不充分的區(qū)域如殘留的Si氧化膜。即使已經(jīng)將Si氧化膜完全除去，蝕刻也僅在SiC半導(dǎo)體面內(nèi)的部分區(qū)域中發(fā)展且SiC半導(dǎo)體的表面特性會發(fā)生變化。因此，不能實(shí)現(xiàn)清潔后的SiC半導(dǎo)體的良好表面特性。因此，本發(fā)明的目的是提供用于清潔SiC半導(dǎo)體，使得獲得良好表面特性的SiC半導(dǎo)體清潔方法和SiC半導(dǎo)體清潔裝置。解決問題的手段 根據(jù)本發(fā)明的清潔SiC半導(dǎo)體的方法包括在SiC半導(dǎo)體的表面上形成氧化膜和除去所述氧化膜的步驟。在所述除去所述氧化膜的步驟中，使用鹵素等離子體或氫(H)等離子體將所述氧化膜除去。根據(jù)本發(fā)明中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法，通過在SiC半導(dǎo)體的表面上形成氧化膜，可以將沉積在所述表面上的雜質(zhì)、粒子等并入到氧化膜中。使用鹵素等離子體或H等離子體將該氧化膜除去，因此能夠減小因SiC的面取向而造成的各向異性的影響。由此，能夠?qū)⒃赟ic半導(dǎo)體的表面上形成的氧化膜除去，由此減小面內(nèi)變化。因此，能夠?qū)⒃赟iC半導(dǎo)體表面上的雜質(zhì)、粒子等除去以減小面內(nèi)變化。另外，由于SiC半導(dǎo)體是穩(wěn)定的化合物，所以即使使用鹵素等離子體，也不易損傷SiC半導(dǎo)體。因此，能夠清潔SiC半導(dǎo)體，使得獲得良好的表面特性。在上述清潔SiC半導(dǎo)體的方法中，優(yōu)選地，在所述除去所述氧化膜的步驟中，使用氟(F)等離子體作為所述鹵素等離子體。F等離子體的蝕刻效率高且金屬污染的可能性低。因此，可以對SiC半導(dǎo)體進(jìn)行清潔，使得獲得更好的表面特性。在上述清潔SiC半導(dǎo)體的方法中，優(yōu)選地，在所述除去所述氧化膜的步驟中，在20以上400°C以下的溫度下除去所述氧化膜。由此,能夠降低對SiC半導(dǎo)體的損傷。 在上述清潔SiC半導(dǎo)體的方法中，優(yōu)選地，在所述除去所述氧化膜的步驟中，在
O.IPa以上20Pa以下的壓カ下除去所述氧化膜。由此，由于能夠提高鹵素等離子體或H等離子體與所述氧化膜之間的反應(yīng)性，所以可容易地將所述氧化膜除去。在上述清潔SiC半導(dǎo)體的方法中，優(yōu)選地，在所述形成氧化膜的步驟中，使用氧
(O)等離子體。通過使用O等離子體，可以在具有強(qiáng)鍵并表示穩(wěn)定化合物的SiC半導(dǎo)體的表面上容易地形成氧化膜。因此，可以利用并入到其中的沉積在表面上的雜質(zhì)、粒子等而容易地形成氧化膜。通過利用鹵素等離子體除去該氧化膜，能夠?qū)iC半導(dǎo)體表面上的雜質(zhì)、粒子等除去。另外，由于SiC半導(dǎo)體是穩(wěn)定的化合物，所以即使使用O等離子體，也不易損傷SiC半導(dǎo)體。因此，能夠?qū)iC半導(dǎo)體進(jìn)行清潔，使得獲得更好的表面特性。在上述清潔SiC半導(dǎo)體的方法中，優(yōu)選地，在所述形成氧化膜的步驟和所述除去所述氧化膜的步驟之間，將所述SiC半導(dǎo)體設(shè)置在與空氣隔絕的氣氛中。由此，能夠防止空氣中的雜質(zhì)重新沉積到SiC半導(dǎo)體的表面上。因此，能夠?qū)iC半導(dǎo)體進(jìn)行清潔，使得獲得更好的表面特性。根據(jù)本發(fā)明一方面的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置包含形成部、除去部和連接部。所述形成部在SiC半導(dǎo)體的表面上形成氧化膜。所述除去部利用鹵素等離子體或H等離子體除去所述氧化膜。所述連接部將所述形成部和所述除去部相互連接以使得可以在其中運(yùn)送所述SiC半導(dǎo)體。所述連接部中的用于運(yùn)送所述SiC半導(dǎo)體的區(qū)域可以與空氣隔絕。根據(jù)本發(fā)明另一方面的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置包含用于在SiC半導(dǎo)體的表面上形成氧化膜的形成部和用于利用鹵素等離子體或H等離子體除去所述氧化膜的除去部，且所述形成部和所述除去部同根據(jù)本發(fā)明一方面和另一方面的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置，在形成部中在SiC半導(dǎo)體上形成氧化膜之后在除去部中除去所述氧化膜的同時(shí)，能夠防止將所述SiC半導(dǎo)體暴露在空氣中。由此，能夠防止空氣中的雜質(zhì)重新沉積到所述SiC半導(dǎo)體的表面上。另外，由于將鹵素等離子體或H等離子體用于除去其中并入了雜質(zhì)、粒子等的氧化膜，所以能夠減小因SiC的面取向而造成的各向異性的影響。由此，能夠除去在SiC半導(dǎo)體表面上形成的氧化膜以減小面內(nèi)變化。因此，能夠?qū)iC半導(dǎo)體進(jìn)行清潔，使得獲得良好的表面特性。發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的方法和裝置，通過利用鹵素等離子體或H等離子體除去在表面上形成的氧化膜，能夠?qū)iC半導(dǎo)體進(jìn)行清潔，使得獲得良好的表面特性。


圖I是本發(fā)明實(shí)施方式I中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置的示意圖。圖2是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式I中制備的SiC半導(dǎo)體的剖視圖。圖3是顯示本發(fā)明實(shí)施方式I中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法的流程圖。

圖4是示意性顯示其中在本發(fā)明實(shí)施方式I中在SiC半導(dǎo)體上形成氧化膜的狀態(tài)的剖視圖。圖5是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式I中已經(jīng)將氧化膜除去的狀態(tài)的剖視圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施方式I的變體中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置的示意圖。圖7是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式2中的待清潔的SiC半導(dǎo)體的剖視圖。圖8是顯示本發(fā)明實(shí)施方式2中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法的流程圖。圖9是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式2中清潔SiC半導(dǎo)體的方法中的一個(gè)步驟的首1J視圖。圖10是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式2中清潔SiC半導(dǎo)體的方法中的一個(gè)步驟的剖視圖。圖11是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式2中清潔SiC半導(dǎo)體的方法中的一個(gè)步驟的剖視圖。圖12是示意性顯示實(shí)施例中的待清潔的外延晶片的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中參考附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在下述附圖中，對相同或相應(yīng)的元件分配相同的標(biāo)號且不再重復(fù)其說明。(實(shí)施方式I)圖I是本發(fā)明實(shí)施方式I中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置的示意圖。參考圖I對本發(fā)明ー個(gè)實(shí)施方式中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置進(jìn)行說明。如圖I中所示，SiC半導(dǎo)體清潔裝置10包含形成部11、除去部12和連接部13。形成部11和除去部12通過連接部13相互連接。形成部11、除去部12和連接部13的內(nèi)部與空氣隔絕，且所述內(nèi)部可相互連通。形成部11在SiC半導(dǎo)體的表面上形成氧化膜。例如，可將等離子體發(fā)生裝置、使用含O溶液如臭氧水形成氧化膜的裝置等用作形成部11。除去部12將在形成部11中形成的氧化膜除去。將等離子體發(fā)生裝置用作除去部12。除去部12利用鹵素等離子體或氫等離子體除去氧化膜。用于形成部11和除去部12的等離子體發(fā)生裝置無特別限制，例如使用平行板RIE (反應(yīng)性離子蝕刻)裝置、ICP (感應(yīng)耦合等離子體)RIE裝置、ECR (電子回旋共振)RIE裝置、SffP (表面波等離子體)RIE裝置、CVD (化學(xué)氣相沉積)裝置等。連接部13將形成部11與除去部12相互連接，從而能夠在其中運(yùn)送SiC襯底I。連接部13中的用于運(yùn)送SiC襯底I的區(qū)域(內(nèi)部空間)與空氣隔絕。此處，與空氣隔絕(與空氣隔絕的氣氛)是指其中未引入空氣的氣氛，例如是指其中產(chǎn)生真空或含有惰性氣體或氮?dú)獾臍夥?。具體地，與空氣隔絕的氣氛是指例如其中產(chǎn)生真空或填充有氮(N)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)或作為其組合的氣體的氣氛。在本實(shí)施方式中，連接部13將形成部11的內(nèi)部和除去部12的內(nèi)部相互連接。連接部13具有在內(nèi)部將從形成部11運(yùn)出的SiC半導(dǎo)體運(yùn)送至除去部12的空間。S卩，設(shè)置連接部13以將SiC半導(dǎo)體從形成部11運(yùn)送至除去部12而不將SiC半導(dǎo)體暴露在空氣中。連接部13具有可以在其中運(yùn)送SiC襯底I的尺寸?；蛘?，連接部13可還具有可以在其中運(yùn)送放置在基座上的SiC襯底I的尺寸。例如通過相互連接形成部11的出口和 除去部12的進(jìn)ロ的負(fù)荷固定艙來實(shí)現(xiàn)連接部13。清潔裝置10可還包含布置在連接部13中的第一運(yùn)送部，所述第一運(yùn)送部用于將SiC半導(dǎo)體從形成部11運(yùn)送至除去部12。清潔裝置10可還包含第二運(yùn)送部，所述第二運(yùn)送部用于將SiC半導(dǎo)體從清潔裝置10中取出，其中已經(jīng)在除去部12中將氧化膜從所述SiC半導(dǎo)體中除去；或者用于在與空氣隔絕的氣氛中，將所述SiC半導(dǎo)體運(yùn)送至用于形成構(gòu)成半導(dǎo)體器件的氧化膜的氧化膜形成部。所述第一運(yùn)送部和所述第二運(yùn)送部可相互相同或不同。另外，清潔裝置10可還包含布置在形成部11與連接部13之間的隔絕部，所述隔絕部用于將形成部11的內(nèi)部與連接部13的內(nèi)部相互隔絕。而且，清潔裝置10可還包含布置在除去部12與連接部13之間的隔絕部，所述隔絕部用于將除去部12的內(nèi)部與連接部13的內(nèi)部相互隔絕。所述隔絕部可包含例如能夠關(guān)閉各個(gè)連通部的閥、門等。清潔裝置10可還包含用于將內(nèi)部氛圍氣體排出的真空泵或用于置換內(nèi)部氛圍氣體的置換氣罐。可以將所述真空泵或置換氣罐連接到形成部11、除去部12和連接部13中的姆ー個(gè)部分上、或者連接到它們的至少任ー個(gè)上。盡管清潔裝置10可還包含上述以外的各種元件，但是為了便于描述，不再對這些元件進(jìn)行例示和說明。盡管圖I顯示了其中連接部13僅將形成部11和除去部12相互連接的形式，但是連接部13不特別限制于這種形式。例如，可將與空氣隔絕的室用作連接部13并可以將形成部11和除去部12布置在該室內(nèi)。圖2是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式I中制備的SiC半導(dǎo)體的剖視圖。圖3是顯示本發(fā)明實(shí)施方式I中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法的流程圖。圖4是示意性顯示其中在本發(fā)明實(shí)施方式I中在SiC半導(dǎo)體上形成氧化膜的狀態(tài)的剖視圖。圖5是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式I中已經(jīng)將氧化膜除去的狀態(tài)的剖視圖。接下來，參考圖I 5對本發(fā)明ー個(gè)實(shí)施方式中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，對清潔作為SiC半導(dǎo)體的圖2中所示的SiC襯底I的方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，使用圖I中所示的SiC半導(dǎo)體清潔裝置10。如圖2和3中所示，首先，準(zhǔn)備具有表面Ia的SiC襯底I (步驟SI)。盡管SiC襯底I無特別限制，但是例如可利用如下方法來準(zhǔn)備。具體地，準(zhǔn)備例如利用氣相外延法如HVPE (氫化物氣相外延)法、MBE (分子束外延)法、OMVPE (有機(jī)金屬氣相外延)法、升華法和CVD法；以及液相外延法如助熔劑法和高氮壓溶液法生長的SiC晶錠。其后，從SiC晶錠上切出具有表面的SiC襯底。切出方法無特別限制且通過切片等從SiC晶錠上切出SiC襯底。然后，對切出的SiC襯底的表面進(jìn)行研磨。所研磨的表面可僅為正面，或者可還對與所述正面相反的背面進(jìn)行研磨。研磨方法無特別限制，然而，例如為了使得表面平坦化并減小諸如裂紋的損傷，采用CMP (化學(xué)機(jī)械研磨)法。在CMP法中，將膠體ニ氧化硅用作研磨劑，將金剛石或氧化鉻用作磨粒，并將膠粘劑、蠟等用作固定劑。除了 CMP之外或作為替代，還可以實(shí)施其他研磨如電場研磨法、化學(xué)研磨法、機(jī)械研磨法等?；蛘?，可以不實(shí)施研磨。由此，能夠準(zhǔn)備具有圖2中所示的表面Ia的SiC襯底I。例如，使用具有η導(dǎo)電類型和O. 02 Ω cm電阻的襯底作為這種SiC襯底I。然后，如圖3和4中所示，在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3 (步驟S2)。在本實(shí)施方式的步驟S2中，在圖I中所示的清潔裝置10的形成部11中形成氧化膜3。

形成氧化膜3的方法無特別限制，例如可利用通過使用含O溶液、O等離子體、在含O氣的氣氛中的熱氧化等對SiC襯底I的表面Ia進(jìn)行氧化的方法。含O溶液的實(shí)例包括臭氧水?？紤]到SiC是穩(wěn)定化合物的事實(shí)，例如優(yōu)選使用具有例如不低于30ppm濃度的臭氧水。在這種情況下，由于能夠抑制臭氧的分解井能夠提高表面Ia與臭氧之間的反應(yīng)速度，所以可以在表面Ia上容易地形成氧化膜3?？紤]到SiC是穩(wěn)定化合物的事實(shí)，優(yōu)選在干燥氣氛下如在不低于700°C的溫度下實(shí)施含O氣體的熱氧化。應(yīng)注意，干燥氣氛是指在氣相中形成氧化膜3且其可含有不期望的液相成分。此外，O等離子體是指由含O元素的氣體產(chǎn)生的等離子體且例如通過向等離子體發(fā)生裝置供應(yīng)O氣能夠產(chǎn)生O等離子體?！袄肙等離子體形成氧化膜3”是指利用使用含O元素的氣體的等離子體形成氧化膜3。換言之，其是指通過利用由含O元素的氣體產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行處理來形成氧化膜3。在步驟S2中使用O等離子體的情況中，優(yōu)選在200°C以上且700°C以下的溫度下形成氧化膜3。在這種情況下，能夠以提高的生產(chǎn)能力形成氧化膜3。另外，由于可以降低電力，所以能夠以更低的成本形成氧化膜3。而且，能夠均勻地形成氧化膜。在步驟S2中使用O等離子體的情況中，在O. IPa以上且20Pa以下的氣氛下形成氧化膜。在這種情況下，能夠提高對SiC襯底I的表面Ia的反應(yīng)性。在步驟S2中，形成具有例如I分子層以上且30nm以下厚度的氧化膜3。通過形成具有I分子層以上厚度的氧化膜3，能夠?qū)⒈砻鍵a上的雜質(zhì)、粒子等并入氧化膜中。通過形成30nm以下的氧化膜，在后述的步驟S3中易于將氧化膜3除去。大概實(shí)施該步驟S2吋，將沉積在SiC襯底I的表面Ia上的粒子、金屬雜質(zhì)等并入到氧化膜3的表面或內(nèi)部中。應(yīng)注意，氧化膜3由例如ニ氧化硅構(gòu)成。然后參考圖1，將具有在形成部11中形成的氧化膜3的SiC襯底I運(yùn)送至除去部12。此處，在設(shè)定為與空氣隔絕的氣氛的連接部13中運(yùn)送SiC襯底I。換言之，在形成氧化膜3的步驟S2和除去氧化膜3的步驟S3之間，將SiC襯底I布置在與空氣隔絕的氣氛中。由此，能夠抑制在形成氧化膜3之后將空氣中所含有的雜質(zhì)沉積到SiC襯底I上。
然后,如圖3和5中所示，除去氧化膜3(步驟S3)。在該步驟S3中，利用鹵素等離子體或H等離子體除去氧化膜3。在本實(shí)施方式的步驟S3中，在圖I中所示的清潔裝置10的除去部12中將氧化膜3除去。此處，鹵素等離子體是指由含鹵素元素的氣體產(chǎn)生的等離子體。鹵素元素是指F、氯(Cl)、溴(Br)和碘(I)?！袄名u素等離子體除去氧化膜3”是指利用使用含鹵素元素的氣體的等離子體對氧化膜3進(jìn)行蝕刻。換言之，其是指通過利用由含鹵素元素的氣體產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行處理而將氧化膜3除去。優(yōu)選使用F等離子體作為鹵素等離子體。此處，F(xiàn)等離子體是指由含F(xiàn)元素的氣體產(chǎn)生的等離子體，且例如可以通過向等離子體發(fā)生裝置単獨(dú)供應(yīng)四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、含氯氟烴(C2F6)、六氟化硫(SF6)、三氟化氮(NF3)、ニ氟化氙(XeF2)、氟(F2)和氟化氯(ClF3)的氣體或其氣體混合物而產(chǎn)生F等離子體?！袄肍等離子體除去氧化膜3”是指利用使用含F(xiàn)元素氣體的等離子體對氧化膜3進(jìn)行蝕刻。換言之，其是指通過利用由含F(xiàn)元素的氣體產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行處理而將氧化膜3除去。

H等離子體是指由含H元素的氣體產(chǎn)生的等離子體，且例如可以通過向等離子體發(fā)生裝置供應(yīng)H2氣而產(chǎn)生H等離子體?！袄肏等離子體除去氧化膜3”是指利用使用含H元素的氣體的等離子體對氧化膜3進(jìn)行蝕刻。換言之，其是指通過利用由含H元素的氣體產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行處理而將氧化膜3除去。在該步驟S3中，優(yōu)選在20°C以上且400°C以下的溫度下除去氧化膜3。另外，在該步驟S3中，優(yōu)選在O. IPa以上且20Pa以下的壓カ下除去氧化膜3。通過實(shí)施該步驟S3，能夠?qū)⒃诓襟ES2中并入了雜質(zhì)、粒子等的氧化膜除去，因此能夠?qū)⒊练e在步驟SI中準(zhǔn)備的SiC襯底I的表面Ia上的雜質(zhì)、粒子等除去。通過實(shí)施上述步驟(步驟SI S3),例如如圖5中所示,能夠?qū)崿F(xiàn)具有雜質(zhì)和粒子較少的表面2a的SiC襯底2。應(yīng)注意，可重復(fù)上述步驟S2和S3。而且，在步驟S I之后，可根據(jù)需要另外實(shí)施利用其它試劑進(jìn)行清潔的步驟、利用純水進(jìn)行漂洗的步驟、干燥步驟等。其它試劑的實(shí)例包括含硫酸和過氧化氫溶液的SPM。在步驟S2之前利用SPM進(jìn)行清潔的情況中，還能夠?qū)⒂袡C(jī)物質(zhì)除去。此外，可以在步驟S2之前實(shí)施RCA清潔。如上所述，本實(shí)施方式中的清潔表示SiC半導(dǎo)體的SiC襯底I的方法包括在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3的步驟(步驟S2)和除去氧化膜3的步驟(步驟S3)，并在除去步驟(步驟S3)中利用鹵素等離子體或H等離子體除去氧化膜3。通過在步驟S2中在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3，能夠利用已經(jīng)沉積在表面Ia上且并入其中的金屬雜質(zhì)如鈦(Ti)、粒子等形成氧化膜3。由于通過使用鹵素等離子體中的活性鹵素或H等離子體中的活性H來除去氧化膜3，所以能夠減小因SiC的面取向而造成的各向異性的影響。因此，能夠?qū)⒃赟iC襯底I的表面Ia上形成的氧化膜3除去，由此減小面內(nèi)變化。即，能夠?qū)⒀趸?均勻除去而不受氧化膜3的膜品質(zhì)影響。因此，能夠?qū)iC襯底I的表面Ia上的雜質(zhì)、粒子等除去以減小面內(nèi)變化。另外，還能夠防止在SiC襯底I的表面Ia上形成的氧化膜3的局部殘留。此外，由于能夠抑制僅對SiC襯底I面內(nèi)的部分區(qū)域的蝕刻的發(fā)展，所以還能夠抑制SiC襯底I的表面Ia中的局部凹迸。本發(fā)明人對SiC襯底化學(xué)穩(wěn)定的事實(shí)進(jìn)行了關(guān)注并發(fā)現(xiàn)，即使將使用會對Si襯底造成損傷的鹵素等離子體或H等離子體來除去氧化膜3的方法應(yīng)用于SiC襯底吋，SiC襯底I也不易受到損傷。因此，即使在步驟S3中使用鹵素等離子體或H等離子體，對SiC襯底I的損傷也較少。因此，根據(jù)本實(shí)施方式中的清潔SiC襯底I的方法，能夠除去雜質(zhì)、粒子等，由此減小表面Ia的面內(nèi)變化且由清潔所造成的損傷較小。由此，能夠?qū)iC襯底I進(jìn)行清潔，使得獲得良好的表面特性。另外，在步驟S3中在干燥氣氛中利用鹵素等離子體或H等離子體除去氧化膜3。由于等離子體是潔凈的，所以其環(huán)境友好。此外，由干與在濕氣氛(含液相的氣氛)中進(jìn)行清潔相比，等離子體蝕刻步驟不需要諸如利用水進(jìn)行洗滌并干燥的后處理，所以能夠以簡化方式對SiC襯底I進(jìn)行清潔。此外，由于不需要諸如利用水進(jìn)行洗滌的后處理，所以能夠抑制在步驟S3之后因水在SiC襯底2的表面2a上而產(chǎn)生標(biāo)記。在上述實(shí)施方式中的清潔表示SiC半導(dǎo)體的SiC襯底I的方法中，優(yōu)選地，在形成氧化膜3的步驟(步驟S2)中，使用O等離子體。 本發(fā)明人對如下事實(shí)進(jìn)行了關(guān)注，由于SiC是比Si更加熱穩(wěn)定的化合物，所以當(dāng)將上述專利文獻(xiàn)I中的清潔方法應(yīng)用于SiC半導(dǎo)體吋，SiC半導(dǎo)體的表面不易被氧化。SP，盡管上述專利文獻(xiàn)I中的清潔方法能夠氧化Si的表面，但是其不能充分氧化SiC的表面，因此不能對SiC半導(dǎo)體的表面進(jìn)行充分清潔。然后，作為本發(fā)明人關(guān)于對SiC半導(dǎo)體表面進(jìn)行氧化的鋭意研究的結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用O等離子體，利用活性0，能夠容易地形成氧化膜3。另外，SiC晶體牢固并因此即使使用O等離子體對SiC襯底I的損傷也較小。因此，能夠?qū)iC襯底I進(jìn)行清潔，使得獲得更好的表面特性。另外，利用O等離子體在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3 (步驟S2)并利用鹵素等離子體或H等離子體除去氧化膜3 (步驟S3)，從而能夠在干燥氣氛中(在氣相中)對SiC襯底I的表面Ia進(jìn)行清潔。在濕氣氛(含液相的氣氛)中進(jìn)行清潔的情況中，可將金屬離子包含在用于清潔的液相、儀器等中。此外，源自清潔室的粒子可能增多。因此，與在濕氣氛(含液相的氣氛)中相比，在干燥氣氛中進(jìn)行清潔能夠更加減少在表面處的金屬雜質(zhì)和粒子。本發(fā)明實(shí)施方式中的用于清潔表示SiC半導(dǎo)體的SiC襯底I的裝置10包含用于在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3的形成部11、用于利用鹵素等離子體或H等離子體除去氧化膜3的除去部12以及將形成部11和除去部12相互連接從而使得可以在其中運(yùn)送SiC襯底的連接部13，所述連接部13中的用于運(yùn)送SiC襯底I的區(qū)域能夠與空氣隔絕。根據(jù)本實(shí)施方式中的用于清潔SiC襯底I的裝置10，能夠防止在形成部11中在SiC襯底I上形成氧化膜3之后并在除去部12中除去氧化膜3的同時(shí)將SiC襯底I暴露在空氣下。由此，能夠防止空氣中的雜質(zhì)重新沉積到SiC襯底I的表面Ia上。此外，由于利用鹵素等離子體或H等離子體來除去已經(jīng)并入了雜質(zhì)、粒子等的氧化膜3，所以能夠減小因SiC的面取向而造成的各向異性的影響。由此，能夠除去在SiC襯底I的表面Ia上形成的氧化膜3，由此減小了面內(nèi)變化。因此，能夠?qū)iC襯底I進(jìn)行清潔，使得獲得更好的表面特性。(變體)圖6是在本發(fā)明實(shí)施方式I的變體中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置的示意圖。參考圖6對在本實(shí)施方式變體中的用于清潔SiC半導(dǎo)體的裝置進(jìn)行說明。如圖6中所示，變體中的清潔裝置20包含室21、第一氣體供應(yīng)部22、第二氣體供應(yīng)部23和真空泵24。第一氣體供應(yīng)部22、第二氣體供應(yīng)部23和真空泵24連接到室21上。室21是其中容納SiC襯底I的等離子體發(fā)生裝置。將平行板RIE裝置、ICP RIE裝置、ECR RIE裝置、SWP RIE裝置、CVD裝置等用作等離子體發(fā)生裝置。第一和第二氣體供應(yīng)部22和23各自向室21供應(yīng)作為等離子體發(fā)生源的氣體。第ー氣體供應(yīng)部22供應(yīng)含有例如O的氣體。因此，第一氣體供應(yīng)部22能夠在室21中產(chǎn)生O等離子體，從而能夠在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3。第二氣體供應(yīng)部23供應(yīng)含有例如鹵素或H的氣體。因此，第二氣體供應(yīng)部23能夠在室21中產(chǎn)生鹵素等離子體或H等離子體，從而能夠?qū)⒃赟iC襯底I的表面Ia上形成的氧化膜3除去。真空泵24在室21內(nèi)產(chǎn)生真空。因此，在使用O等離子體在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3之后，在室21中產(chǎn)生真空并然后可以利用鹵素等離子體或H等離子體除去 氧化膜3。應(yīng)注意，不必設(shè)置真空泵24。應(yīng)注意，圖6中所示的清潔裝置可包含上述以外的各種元件，然而，為了便于說明，不再例示并描述這些元件。根據(jù)上述，本實(shí)施方式變體中的SiC半導(dǎo)體清潔裝置20包含在表示SiC半導(dǎo)體的SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3的形成部和利用鹵素等離子體或H等離子體除去氧化膜3的除去部，所述形成部和所述除去部同一(室21)。根據(jù)變體中的SiC半導(dǎo)體清潔裝置20，由于在形成部中在SiC襯底I上形成氧化膜3之后并在除去部中除去氧化膜3的同時(shí)不必運(yùn)送SiC襯底1，所以SiC襯底I不會暴露在空氣中。換言之，在形成氧化膜3的步驟S2與除去氧化膜3的步驟S3之間，將SiC襯底布置在與空氣隔絕的氣氛中。由此，在SiC襯底I的清潔期間，能夠防止空氣中的雜質(zhì)重新沉積到SiC襯底I的表面Ia上。另外，由于利用鹵素等離子體或H等離子體除去已經(jīng)并入了雜質(zhì)、粒子等的氧化膜3，所以能夠減小因SiC的面取向造成的各向異性的影響。由此，能夠除去在SiC襯底I的表面Ia上形成的氧化膜3，由此減小面內(nèi)變化。因此，能夠?qū)iC襯底I進(jìn)行清潔，使得獲得良好的表面特性。(實(shí)施方式2)圖7是示意性顯示本發(fā)明實(shí)施方式2中的待清潔的SiC半導(dǎo)體的剖視圖。圖8是顯示本發(fā)明實(shí)施方式2中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法的流程圖。圖9 11是示意性顯示在本發(fā)明實(shí)施方式2中清潔SiC半導(dǎo)體的方法中的一個(gè)步驟的剖視圖。參考圖2、4、5和7 11對本實(shí)施方式中的SiC半導(dǎo)體進(jìn)行清潔的方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，如圖7中所示，對清潔作為SiC半導(dǎo)體的外延晶片100的方法進(jìn)行說明，所述外延晶片100包含SiC襯底2和在SiC襯底2上形成的外延層120。首先，如圖2和8中所示，準(zhǔn)備SiC襯底1(步驟S I)。由于步驟SI與實(shí)施方式I中相同，所以不再重復(fù)其說明。然后，如圖4和8中所示，在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3 (步驟S2)，其后按圖5和8中所示將氧化膜3除去(步驟S3)。由于步驟S2和S3與實(shí)施方式I中相同，所以不再重復(fù)其說明。由此，能夠?qū)iC襯底I的表面Ia進(jìn)行清潔并能夠準(zhǔn)備具有雜質(zhì)和粒子較少的表面2a的SiC襯底2。應(yīng)注意，不必對SiC襯底I的表面Ia進(jìn)行清潔。
然后，如圖7 9中所示，利用氣相外延法、液相外延法等在SiC襯底2的表面2a上形成外延層120(步驟S4)。在本實(shí)施方式中，例如按如下形成外延層120。具體地，如圖9中所示，在SiC襯底2的表面2a上形成緩沖層121。緩沖層121為由例如具有η導(dǎo)電類型的SiC構(gòu)成并具有例如0.5 μ m厚度的外延層。另外，緩沖層121中導(dǎo)電雜質(zhì)的濃度為例如5X 1017cm_3。其后，如圖9中所示，在緩沖層121上形成擊穿電壓保持層122。作為擊穿電壓保持層122，利用氣相外延法、液相外延法等形成由具有η導(dǎo)電類型的SiC構(gòu)成的層。擊穿電壓保持層122具有例如15 μ m的厚度。另外，擊穿電壓保持層122中η型導(dǎo)電雜質(zhì)的濃度為例如 5X1015cnT3。然后，如圖7和8中所示，向外延層120中注入離子(步驟S5)。在本實(shí)施方式中，如圖7中所示，按如下形成P型阱區(qū)123、n+源區(qū)124和p+接觸區(qū)125。首先，通過向擊穿電壓保持層122的一部分中選擇性地注入具有P導(dǎo)電類型的雜質(zhì)而形成阱區(qū)123。其后，通過向指定區(qū)域中選擇性地注入η型導(dǎo)電雜質(zhì)而形成源區(qū)124，并通過向指定區(qū)域中選擇性 地注入具有P導(dǎo)電類型的導(dǎo)電雜質(zhì)而形成接觸區(qū)125。應(yīng)注意，例如通過使用由氧化膜形成的掩模來實(shí)施雜質(zhì)的選擇性注入。在注入雜質(zhì)之后將該掩模除去。在這種注入步驟之后，可實(shí)施活化退火處理。例如，在氬氣氛中，在1700°C的加熱溫度下退火30分鐘。通過這些步驟，如圖7中所示，可以準(zhǔn)備包含SiC襯底2和在SiC襯底2上形成的外延層120的外延晶片100。然后，對外延晶片100的表面IOOa進(jìn)行清潔。具體地，如圖8和10中所示，在外延晶片100的表面IOOa上形成氧化膜3 (步驟S2)。該步驟S2與實(shí)施方式I中在SiC襯底I的表面Ia上形成氧化膜3的步驟S2相同。應(yīng)注意，如果表面IOOa因在步驟S5中向外延晶片中注入離子而受到損傷，則可將損傷的層氧化以除去這種損傷層。在這種情況下，例如利用O等離子體或1100°C以上的熱氧化，從表面IOOa朝向SiC襯底2氧化超過IOnm且IOOnm以下的厚度。然后，利用鹵素等離子體或H等離子體將在外延晶片100的表面IOOa上形成的氧化膜3除去(步驟S3)。由于該步驟S3與實(shí)施方式I中將在SiC襯底I的表面Ia上形成的氧化膜3除去的步驟S3相同，所以不再重復(fù)其說明。通過實(shí)施上述步驟(SI S5)，能夠?qū)Τ练e到外延晶片100的表面IOOa上的雜質(zhì)、粒子等進(jìn)行清潔。應(yīng)注意，與實(shí)施方式I中相同，步驟S2和步驟S3能夠重復(fù)進(jìn)行且可還包括其他清潔步驟。由此，例如如圖11中所示，能夠?qū)崿F(xiàn)具有雜質(zhì)和粒子較少的表面IOla的外延晶片101 ο應(yīng)注意，在本實(shí)施方式中的清潔外延晶片中，可使用圖I中所示的清潔裝置10和圖6中所示的清潔裝置20中的任意裝置。在使用圖I中所示的清潔裝置10的情況中，通過清潔裝置10的連接部13來運(yùn)送在其上形成有氧化膜3的外延晶片100。因此，連接部13具有諸如能夠運(yùn)送外延晶片100或其上放置外延晶片100的基座的形狀。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式中的清潔外延晶片100的方法，利用因會造成損傷而不能用于Si的鹵素等離子體或H等離子體來將氧化膜3除去，因?yàn)镾iC晶體牢固。由于鹵素等離子體和H等離子體潔凈且均勻性高，所以能夠在減小因面取向而造成的各向異性的影響的條件下將氧化膜3除去。因此，能夠?qū)嵤┣鍧?，使得獲得外延晶片100的表面IOOa的更好特性。通過實(shí)施本實(shí)施方式中的清潔表示SiC半導(dǎo)體的外延晶片100的方法，如圖11中所不，能夠制造具有雜質(zhì)、粒子等較少的表面IOla的外延晶片101。通過在該表面IOla上形成構(gòu)成半導(dǎo)體器件的絕緣膜如柵氧化膜，能夠提高絕緣膜的特性井能夠減少存在于表面IOla與絕緣膜之間的界面處以及存在于絕緣膜中的雜質(zhì)、粒子等。因此，能夠提高當(dāng)向半導(dǎo)體器件施加反向電壓時(shí)的擊穿電壓并能夠提高在施加正向電壓時(shí)的運(yùn)行的穩(wěn)定性和長期可靠性。因此，本發(fā)明中的清潔SiC半導(dǎo)體的方法特別適用于形成柵氧化膜之前的外延晶片100的表面IOOa0由于利用根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法清潔的外延晶片101，能夠提高作為在清潔的表面IOla上形成絕緣膜的結(jié)果的絕緣膜的特性，所以其可適用于具有絕緣膜的半導(dǎo)體器件。因此，根據(jù)本實(shí)施方式清潔的外延晶片101可適用于例如具有絕緣柵電場效應(yīng)部分的半導(dǎo)體器件如MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或IGBT (絕緣柵雙極晶體管)、JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)等。 此處，在實(shí)施方式I中，已經(jīng)對清潔SiC襯底I的表面Ia的方法進(jìn)行了說明。在實(shí)施方式2中，已經(jīng)對清潔外延晶片100的表面IOOa的方法進(jìn)行了說明，所述外延晶片100包含SiC襯底2和在SiC襯底2上形成的SiC外延層120，且SiC外延層120具有離子注入表面100a。然而，根據(jù)本發(fā)明的清潔方法也適用于具有其中未注入離子的表面的SiC外延層。另外，在清潔外延晶片100時(shí)，可對形成外延晶片100的SiC襯底2的表面2a和外延晶片100的表面IOOa中的至少ー個(gè)表面進(jìn)行清潔。即，根據(jù)本發(fā)明的清潔SiC半導(dǎo)體的方法包括(i)對SiC襯底進(jìn)行清潔的情況和(ii)對具有SiC襯底和在所述SiC襯底上形成的SiC外延層的外延晶片進(jìn)行清潔的情況，且(ii)中的SiC外延層包括已經(jīng)通過正面向其中注入了離子的層和未向其中注入離子的層。實(shí)施例在本實(shí)施例中，對清潔圖12中所示的并表示SiC半導(dǎo)體的外延晶片130并利用鹵素等離子體除去氧化膜的效果進(jìn)行了檢驗(yàn)。圖12是示意性顯示在實(shí)施例中清潔的外延晶片130的剖視圖。(本發(fā)明例I)首先，準(zhǔn)備具有表面2a的4H_SiC襯底以作為SiC襯底2 (步驟SI)。然后，作為形成外延層120的層，利用CVD法生長具有IOym厚度和I X IO16CnT3雜質(zhì)濃度的P型SiC層131 (步驟S4)。然后，使用SiO2作為掩模，形成各自具有I X 1019cm_3的雜質(zhì)濃度的源區(qū)124和漏區(qū)129，并將磷⑵用作η型雜質(zhì)。另外，形成具有I X IO19CnT3的雜質(zhì)濃度的接觸區(qū)125，并將鋁(Al)用作P型雜質(zhì)(步驟S5)。應(yīng)注意，在注入各種離子之后，將掩模除去。然后，進(jìn)行活化退火處理。在這種活化退火處理中，使用Ar氣作為氣氛氣體，并將條件設(shè)定為1700 1800°C的加熱溫度和30分鐘的加熱時(shí)間。由此，準(zhǔn)備了具有表面130a的外延晶片130。接下來，使用圖6中所示的清潔裝置20對外延晶片130的表面130a進(jìn)行清潔。利用O等離子體形成氧化膜(步驟S2)。在該步驟S2中，使用圖6中所示的平行板RIE清潔裝置20，將外延晶片130布置在室21內(nèi)，并在如下條件下實(shí)施O等離子體處理。以使得在50SCCm下從第一氣體供應(yīng)部供應(yīng)O2氣體、將室21內(nèi)的氣氛壓力設(shè)定為I. OPajf外延晶片130的SiC襯底2的背面加熱溫度設(shè)定為400°C并施加500W電カ(功率)的方式形成氧化膜。由此確認(rèn)了，在外延晶片130的表面130a上可形成Inm厚的氧化膜。然后，在將外延晶片130布置在室21中的同時(shí)，利用F等離子體除去氧化膜(步驟S3)。在該步驟S3中，以使得停止從第一氣體供應(yīng)部22供應(yīng)O、在30sccm下從第二氣體供應(yīng)部供應(yīng)F2氣體、將室21內(nèi)的氣氛壓力設(shè)定為I. OPa、將外延晶片130的SiC襯底2的背面的加熱溫度設(shè)定為400°C并施加300W電カ(功率)的方式將氧化膜除去。由此確認(rèn)了，可均勻地將在步驟S2中形成的氧化膜除去(同時(shí)減小了面內(nèi)變化)。通過上述步驟(SI S5)，對外延晶片130的表面130a進(jìn)行清潔。本發(fā)明例I中的清潔后的外延晶片130的表面具有比清潔前的表面130a更少的雜質(zhì)和粒子。另外，在本發(fā)明例I的清潔后的外延晶片130的表面上未局部殘留氧化膜。(比較例I) 在比較例I中，首先，與本發(fā)明例I中同樣地準(zhǔn)備如圖12中所示的外延晶片130。然后，對外延晶片130進(jìn)行清潔。盡管比較例I中的清潔外延晶片130的方法與本發(fā)明例I中的清潔外延晶片130的方法基本相同，但是不同之處在于，在除去氧化膜的步驟S3中使用HF代替F等離子體并使用圖I中所示的清潔裝置10代替圖6中所示的清潔裝置20。具體地，在比較例I中，在圖I中所示的清潔裝置10中利用O等離子體在準(zhǔn)備的外延晶片130的表面130a上形成氧化膜(步驟S2)。在該步驟S2中，使用平行板RIE作為形成部11，將外延晶片130布置在形成部11中，并與本發(fā)明例I中同樣地在如下條件下實(shí)施O等離子體處理。以使得在50sCCm下供應(yīng)02氣體、將形成部11內(nèi)的氣氛壓力設(shè)定為
I.OPa、將外延晶片130的SiC襯底2的背面的加熱溫度設(shè)定為400°C并施加500W電カ(功率)的方式形成氧化膜。由此確認(rèn)了，在外延晶片130的表面130a上可形成Inm厚的氧化膜。然后，將具有在形成部11中形成的氧化膜的外延晶片130運(yùn)送至除去部12。此處，通過設(shè)定為與空氣隔絕的氣氛的連接部13運(yùn)送外延晶片130。然后，利用HF將氧化膜除去。在該步驟中，通過使得HF停留在除去部12中并將外延晶片130浸潰在HF中而將氧化膜3除去。其后，將外延晶片130從清潔裝置10中取出并利用純水對外延晶片130的表面進(jìn)行清潔(純水漂洗步驟)。然后，利用旋轉(zhuǎn)法對外延晶片130進(jìn)行干燥(干燥步驟)。然后，重復(fù)上述使用O等離子體形成氧化膜的步驟(步驟S2)、利用HF除去氧化膜的步驟、純水漂洗步驟和干燥步驟。通過上述步驟，對外延晶片130的表面130a進(jìn)行清潔。在比較例I中，不能與本發(fā)明例I (具有較少面內(nèi)變化)中一祥均勻地將在步驟S2中形成的氧化膜除去，原因可能如下。在比較例I中，利用HF除去氧化膜，且因氧化膜的膜品質(zhì)隨面取向變化而導(dǎo)致在外延晶片130的面中的蝕刻速度不同，這使得在氧化膜的除去中發(fā)生面內(nèi)變化。根據(jù)上述發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本實(shí)施例，通過在SiC半導(dǎo)體的表面上形成氧化膜并使用鹵素等離子體除去該氧化膜，能夠?qū)⒊练e到表面上的雜質(zhì)、粒子等除去以減小面內(nèi)變化，因此能夠在SiC半導(dǎo)體的表面特性良好的條件下實(shí)施清潔。盡管上面已經(jīng)對本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是也從起初就預(yù)期了各實(shí)施方式和實(shí)施例的特征的適當(dāng)組合。另外應(yīng)理解，本文中公開的實(shí)施方式和實(shí)例在各方面都是例示性的和非限制性的。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書的項(xiàng)限定，而不是由上述實(shí)施方式和實(shí)施例限定，且本發(fā)明的范圍_在包括在與權(quán)利要求書的項(xiàng)等價(jià)的范圍和含義內(nèi)的所有修改。附圖標(biāo)記

1、2 :SiC 襯底;la、2a、100a、101a、130a :表面；3 :氧化膜;10、20 :清潔裝置；11 形成部；12 :除去部；13 :連接部；21 :室；22 :第一氣體供應(yīng)部；23 :第二氣體供應(yīng)部；24 :真空泵;100、101、130 :外延晶片；120 :外延層；121 :緩沖層；122 :擊穿電壓保持層；123 :講區(qū)；124 :源區(qū)；125 :接觸區(qū)；129 :漏區(qū);和131 :p型SiC層。
權(quán)利要求
1.一種清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法，所述方法包括如下步驟 在碳化硅半導(dǎo)體(I)的表面上形成氧化膜(3);和 除去所述氧化膜(3)， 在所述除去所述氧化膜(3)的步驟中，使用鹵素等離子體或氫等離子體。
2.如權(quán)利要求I所述的清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法，其中 在所述除去所述氧化膜(3)的步驟中，使用氟等離子體作為所述鹵素等離子體。
3.如權(quán)利要求I所述的清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法，其中 在所述除去所述氧化膜(3)的步驟中，在20°C以上且400°C以下的溫度下除去所述氧化膜⑶。
4.如權(quán)利要求I所述的清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法，其中 在所述除去所述氧化膜(3)的步驟中，在0. IPa以上且20Pa以下的壓力下除去所述氧化膜⑶。
5.如權(quán)利要求I所述的清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法，其中 在所述形成氧化膜(3)的步驟中，使用氧等離子體。
6.如權(quán)利要求I所述的清潔碳化硅半導(dǎo)體的方法，其中 在所述形成氧化膜(3)的步驟和所述除去所述氧化膜(3)的步驟之間，將所述碳化硅半導(dǎo)體(I)設(shè)置在與空氣隔絕的氣氛中。
7.一種用于清潔碳化硅半導(dǎo)體的裝置，其包含 形成部(11)，所述形成部用于在碳化硅半導(dǎo)體(I)的表面上形成氧化膜(3)； 除去部(12)，所述除去部用于利用鹵素等離子體或氫等離子體除去所述氧化膜；以及連接部(13)，所述連接部用于將所述形成部(11)和所述除去部(12)相互連接以使得可以在其中運(yùn)送所述碳化硅半導(dǎo)體(1)，其中 所述連接部(13)中的用于運(yùn)送所述碳化硅半導(dǎo)體(2)的區(qū)域可以與空氣隔絕。
8.一種用于清潔碳化硅半導(dǎo)體的裝置，其包含 形成部(11)，所述形成部用于在碳化硅半導(dǎo)體(I)的表面上形成氧化膜(3);和 除去部(12)，所述除去部用于利用鹵素等離子體或氫等離子體除去所述氧化膜(3)， 所述形成部(11)和所述除去部(12)同一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種清潔SiC半導(dǎo)體的方法，所述方法包括在碳化硅半導(dǎo)體(1)的表面上形成氧化膜(3)的步驟(步驟S2)和除去所述氧化膜(3)的步驟(步驟S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步驟(步驟S3)中，使用鹵素等離子體或氫等離子體除去所述氧化膜(3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步驟(步驟S3)中，優(yōu)選使用氟等離子體作為鹵素等離子體。能夠?qū)λ鯯iC半導(dǎo)體(1)進(jìn)行清潔，使得實(shí)現(xiàn)良好的表面特性。
文檔編號H01L21/205GK102687250SQ201180004208
公開日2012年9月19日 申請日期2011年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月16日
發(fā)明者和田圭司, 宮崎富仁, 日吉透 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社