專利名稱：晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種可以減少因材料熱膨脹系數(shù)差異所產(chǎn)生的翹曲變形及破裂等缺陷的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，其中各種不同的系統(tǒng)封裝(system in package, SIP)設(shè)計概念常用于架構(gòu)高密度封裝構(gòu)造，上述系統(tǒng)封裝又可再分為多芯片模塊(multi chip module,MCM)、封裝體上堆疊封裝體(package on package,POP)及封裝體內(nèi)堆疊封裝體(package in package, PIP)等。此外，也有為了縮小封裝構(gòu)造體積而產(chǎn)生的設(shè)計概念，例如晶圓級封裝構(gòu)造(waferlevel package, WLP)、芯片尺寸封裝構(gòu)造(chip scale package, CSP)以及無外引腳封裝構(gòu)造(quad-flat no-lead package, QFN)等。舉例來說，請參照圖I所示，其揭示一種現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造(WLP)的剖視圖，其中一晶圓級封裝構(gòu)造100包含一電路基板11、一娃間隔層(silicon interposer) 12、一芯片13、一封裝膠材14及一底部填充膠(underfill) 15，其中所述電路基板11的上表面具有數(shù)個接墊111，及其下表面具有數(shù)個錫球112 ;所述硅間隔層12的下表面具有一重布線層(re-distributed layer,RDL) 121,及其上表面具有數(shù)個焊墊122,所述娃間隔層12內(nèi)部并具有數(shù)個穿娃導(dǎo)通孔(through silicon via, TSV) 123,及所述重布線層121裸露有數(shù)個重分布焊墊分別結(jié)合有一凸塊124，所述重布線層121通過所述凸塊124電性連接在所述電路基板11的接墊111上；所述芯片13的一有源表面朝下并具有數(shù)個焊墊131，各焊墊131結(jié)合有一凸塊132，所述芯片13通過所述凸塊132電性連接在所述硅間隔層12的焊墊122上；所述底部填充膠15填充在所述硅間隔層12的重布線層121及所述電路基板11的上表面之間；所述封裝膠材14包覆保護(hù)所述硅間隔層12、芯片13及底部填充膠15。在上述現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造100中，所述硅間隔層12的重布線層121用以提供重分布焊墊以重新安排所述芯片13的接墊131的位置并擴大其間距，同時可以對所述芯片13進(jìn)行散熱。然而，所述硅間隔層12必需利用成本較高的晶圓工藝來制作所述重布線層121。再者，所述硅間隔層12的重布線層121與所述電路基板11的上表面之間存在大面積的接觸關(guān)系(例如長度或?qū)挾缺葹?. 8 I),同時所述硅間隔層12的硅材質(zhì)與所述電路基板11的環(huán)氧樹脂/玻璃纖維復(fù)合材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)(CTE)差異又甚大。因此，當(dāng)所述現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造100通電運作時，所述芯片13產(chǎn)生的熱能向下傳導(dǎo)到所述硅間隔層12及電路基板11，并造成所述硅間隔層12及電路基板11兩者受熱后產(chǎn)生不同程度的膨脹，及朝所述電路基板11的方向產(chǎn)生翹曲(warpage)變形。結(jié)果，長期受熱膨脹造成翹曲變形以及冷卻后再度回復(fù)形狀，當(dāng)不斷重復(fù)受熱及冷卻的多次循環(huán)后，將容易導(dǎo)致材質(zhì)較易脆的所述硅間隔層12及重布線層121發(fā)生破裂(crack)缺陷，因而造成所述現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造100失效，并大幅影響封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。故，有必要提供一種改良的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的硅間隔層與電路基板之間因熱膨脹系數(shù)(CTE)差異而衍生的技術(shù)問題。
本實用新型的主要目的在于提供一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中在制造期間是先制作重布線電路層，再于重布線電路層上堆疊結(jié)合間隔層及芯片，并在重布線電路層下方結(jié)合重分布凸塊做為輸入/輸出端子，如此可以在不使用電路基板的情況下直接建構(gòu)一個微型化晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，故有利于避免發(fā)生現(xiàn)有電路基板與硅間隔層之間因材料熱膨脹系數(shù)差異而衍生的技術(shù)問題，以確保封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。本實用新型的次要目的在于提供一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中在制造期間是先制作重布線電路層，再于重布線電路層上堆疊結(jié)合間隔層及芯片，并在重布線電路層下方結(jié)合重分布凸塊做為輸入/輸出端子，以及再進(jìn)一步結(jié)合一電路基板，但由于重布線電路層與電路基板的絕緣材質(zhì)相近，故兩者的材料熱膨脹系數(shù)差異可被縮小；且因為已具有重布線電路層，故間隔層本身也不需再設(shè)置任何重布線層并可以縮小其尺寸，以盡可能減少其與重布線電路層之間的接觸面積，如此也將有利于避免發(fā)生現(xiàn)有電路基板與硅間隔層之間因材料熱膨脹系數(shù)差異而衍生的技術(shù)問題，以確保封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。為達(dá)成本實用新型的前述目的，本實用新型提供一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其 中所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一重布線電路層，設(shè)有數(shù)個接墊及數(shù)個重分布接墊；一間隔層，位于所述重布線電路層上，并設(shè)有數(shù)個第一轉(zhuǎn)接墊、數(shù)個第二轉(zhuǎn)接墊及數(shù)個導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔位于所述間隔層內(nèi)并連接在所述第一及第二轉(zhuǎn)接墊之間，所述第二轉(zhuǎn)接墊電性連接到所述重布線電路層的接墊上；
一第一封裝膠材，位于所述重布線電路層上并圍繞在所述間隔層的周邊，所述第一封裝膠材具有一開口至少裸露所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊；以及至少一芯片，位于所述間隔層上，并設(shè)有數(shù)個焊墊，所述焊墊電性連接到所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊上。在本實用新型的一實施例中，所述第一封裝膠材為光刻膠(photo-resist)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、壓合片(prepreg)或激光活化材料(laser actived material)。在本實用新型的一實施例中，所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含一第二封裝膠材，包覆所述第一封裝膠材的開口、所述間隔層及所述芯片。在本實用新型的一實施例中，所述第二封裝膠材為環(huán)氧樹脂。在本實用新型的一實施例中，所述間隔層是娃間隔層(silicon interposer)、玻璃間隔層或其他具高導(dǎo)熱性的絕緣間隔層，如氮化鋁間隔層。在本實用新型的一實施例中，所述間隔層的第二轉(zhuǎn)接墊通過數(shù)個轉(zhuǎn)接凸塊結(jié)合到所述重布線電路層的接墊上。在本實用新型的一實施例中，所述芯片的焊墊通過數(shù)個凸塊結(jié)合到所述間隔層的
第一轉(zhuǎn)接墊上。[0020]在本實用新型的一實施例中，所述重布線電路層的重分布接墊各結(jié)合有一重分布凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述轉(zhuǎn)接凸塊、凸塊及重分布凸塊可以選自錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊(Cu pillar bumps)或鎳柱凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含一電路基板，具有一第一基板表面及一第二基板表面，所述第一基板表面設(shè)有數(shù)個第一金屬墊，所述第二基板表面設(shè)有數(shù)個第二金屬墊，所述第一金屬墊通過所述重分布凸塊電性連接所述重布線電路層的重分布接墊。在本實用新型的一實施例中，所述電路基板的第二金屬墊各結(jié)合有一錫球。再者，本實用新型提供另一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一重布線電路層，具有一第一表面及一第二表面，所述第一表面設(shè)有數(shù)個接墊，及所述第二表面設(shè)有數(shù)個重分布接墊；一間隔層，位于所述重布線電路層的第一表面上，并具有一第一轉(zhuǎn)接表面及一第二轉(zhuǎn)接表面，所述第一轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第一轉(zhuǎn)接墊，及所述第二轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第二轉(zhuǎn)接墊，所述間隔層內(nèi)具有數(shù)個導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔連接在所述第一及第二轉(zhuǎn)接墊之間，且所述第二轉(zhuǎn)接墊通過數(shù)個轉(zhuǎn)接凸塊結(jié)合到所述重布線電路層的接墊上；—第一封裝膠材，位于所述重布線電路層的第一表面上并圍繞在所述間隔層的周邊，所述第一封裝膠材具有一開口至少裸露所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接表面；以及至少一芯片，位于所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接表面上，并具有一有源表面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個焊墊，所述焊墊通過數(shù)個凸塊結(jié)合到所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊上。

圖I是一現(xiàn)有的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。圖2A、2B、2C、2D及2E是本實用新型第一實施例晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造制造方法各步驟的流程示意圖。圖2F是本實用新型第二實施例晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖2A至2E所示，其揭示本實用新型第一實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的流程示意圖，本實用新型將于下文利用圖2A至2E逐一詳細(xì)說明第一實施例各步驟的詳細(xì)加工處理過程，及各元件的細(xì)部構(gòu)造、組裝關(guān)系及其運作原理。請參照圖2A所示，本實用新型第一實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法首先是準(zhǔn)備一臨時性載板20，并在所述臨時性載板20的一粘著層201上依增層工藝(build-up process)制作一重布線電路層21 ;接著,并將一間隔層22堆疊結(jié)合在所述重布線電路層21上。在本步驟中，所述臨時性載板20可以是具有足夠硬度的金屬板(如不銹鋼板或銅板等)、玻璃板或塑膠板等。所述粘著層201優(yōu)選是銅種子層(Cu seed layer)或紫外光膠布(UV tape)。所述重布線電路層21是指由多個絕緣層及電路層交替堆疊排列而成的復(fù)合堆疊層，其中包含的絕緣層及電路層的層數(shù)是依照產(chǎn)品重新分布焊墊位置及間距的需求來進(jìn)行設(shè)計的。在依增層工藝制作完成所述重布線電路層21后，此時所述重布線電路層21具有一第一表面(即上表面)及一第二表面(即下表面)，所述第一表面裸露有數(shù)個接墊211,及所述第二表面裸露有數(shù)個重分布接墊(re-distribution pads) 2120再者，所述間隔層22可以是娃間隔層(silicon interposer)、玻璃間隔層或其他具高導(dǎo)熱性的絕緣間隔層(如氮化鋁間隔層等)。所述間隔層22位于所述重布線電路層21的第一表面上，并具有一第一轉(zhuǎn)接表面(即上表面)及一 第二轉(zhuǎn)接表面(即下表面)，所述第一轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第一轉(zhuǎn)接墊223，及所述第二轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第二轉(zhuǎn)接墊222，所述間隔層22內(nèi)另具有數(shù)個導(dǎo)通孔221。當(dāng)所述間隔層22是硅間隔層時，所述導(dǎo)通孔221屬于穿娃導(dǎo)通孔(through silicon via,TSV),其連接在所述第一及第二轉(zhuǎn)接墊223、222之間，且所述第二轉(zhuǎn)接墊222通過數(shù)個轉(zhuǎn)接凸塊224結(jié)合到所述重布線電路層21的接墊211上。所述轉(zhuǎn)接凸塊224可以選自錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊(Cu pillar bumps)或鎳柱凸塊，但并不限于此。請參照圖2B所示，本實用新型第一實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是制作一第一封裝膠材23，位于所述重布線電路層21的第一表面上并圍繞在所述間隔層22的周邊，所述第一封裝膠材23具有一開口 231至少裸露所述間隔層22的第一轉(zhuǎn)接表面。在本步驟中，所述第一封裝膠材23可選自光刻膠(photo-resist)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、壓合片(prepreg)或激光活化材料(laser actived material)。再者，本實用新型可以利用注膠模具的模穴形狀直接對應(yīng)成型所述開口 231 ;或是，先制作一整層的第一封裝膠材23后，再利用紫外光照、械械鉆孔或激光鉆孔等方式來制作所述開口 231。請參照圖2C所示，本實用新型第一實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是去除所述臨時性載板20及粘著層201，并在所述重布線電路層21、間隔層22及第一封裝膠材23的組合體的重分布接墊212上結(jié)合數(shù)個重分布凸塊24。在本步驟中，當(dāng)所述粘著層201為銅種子層時，首先以外力剝除所述臨時性載板20，接著再蝕刻去除所述粘著層201，隨后對所述重布線電路層21裸露出的第二表面的重分布接墊212進(jìn)行表面處理，例如鍍上鎳/金層或鎳/鈀/金層，以便制作及結(jié)合所述重分布凸塊24。所述重分布凸塊24可以選自錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊，但并不限于此。在另一實施方式中，所述臨時性載板20可為玻璃板，及所述粘著層201為紫外光膠布，此時可通過紫外光照射所述粘著層201使其失去黏性，而使所述重布線電路層21、間隔層22及第一封裝膠材23的組合體順利的與所述臨時性載板20及粘著層201相互分離，并接著同樣可進(jìn)行所述重分布接墊212的表面處理，以及制作所述重分布凸塊24。請參照圖2D所示，本實用新型第一實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是將至少一芯片25結(jié)合到所述間隔層22上，并利用一第二封裝膠材26來包覆所述第一封裝膠材23的開口 231、所述間隔層22及所述芯片25。在本步驟中，所述至少一芯片25位于所述間隔層22的第一轉(zhuǎn)接表面上，并具有一朝下的有源表面及一朝上的背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個焊墊251，所述焊墊251通過數(shù)個凸塊252結(jié)合到所述間隔層22的第一轉(zhuǎn)接墊223上。所述凸塊252可以選自錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊，但并不限于此。接著，所述第二封裝膠材26例如是摻雜有固態(tài)填充物的環(huán)氧樹脂基材，其可以利用移轉(zhuǎn)注模成型(transfer molding)工藝來制作。所述第二封裝膠材26是用來包覆保護(hù)所述第一封裝膠材23的開口 231內(nèi)的所述間隔層22、凸塊252及芯片25等構(gòu)件的。但是，本實用新型亦可省略所述第二封裝膠材26，而僅使用底部填充膠(underfill)來填充在所述間隔層22及芯片25之間，以保護(hù)所述焊墊251、凸塊252及第一轉(zhuǎn)接墊223。請參照圖2E所示，本實用新型第一實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法最后是對所述重布線電路層21、第一封裝膠材23及第二封裝膠材26進(jìn)行切割，以分離成數(shù)個晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200，其中每一個晶圓級半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造200皆包含一重布線電路層21、一間隔層22、一第一封裝膠材23、數(shù)顆重分布凸塊24、至少一芯片25及一第二封裝膠材26。所述重布線電路層21具有一第一表面(即上表面)及一第二表面(即下表面)，所述第一表面設(shè)有數(shù)個接墊211，及所述第二表面設(shè)有數(shù)個重分布接墊212。所述間隔層22位于所述重布線電路層21的第一表面上，并具有一第一轉(zhuǎn)接表面(即上表面)及一第二轉(zhuǎn)接表面(即下表面)，所述第一轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第一轉(zhuǎn)接墊223，及所述第二轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第二轉(zhuǎn)接墊222，所述間隔層22內(nèi)具有數(shù)個導(dǎo)通孔221，所述導(dǎo)通孔221連接在所述第一及第二轉(zhuǎn)接墊223、222之間，且所述第二轉(zhuǎn)接墊222通過數(shù)個轉(zhuǎn)接凸塊224結(jié)合到所述重布線電路層21的接墊211上。所述第一封裝膠材23位于所述重布線電路層21的第一表面上并圍繞在所述間隔層22的周邊，所述第一封裝膠材23具有一開口 231至少裸露所述間隔層22的第一轉(zhuǎn)接表面的第一轉(zhuǎn)接墊223。所述重分布凸塊24結(jié)合在所述重布線電路層21裸露出的第二表面的重分布接墊212上。所述至少一芯片25位于所述間隔層22的第一轉(zhuǎn)接表面上，并具有一朝下的有源表面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個焊墊251，所述焊墊251通過數(shù)個凸塊252結(jié)合到所述間隔層22的第一轉(zhuǎn)接墊223上。所述第二封裝膠材26包覆所述第一封裝膠材23的開口 231、所述間隔層22及所述芯片25。所述重分布接墊212的目的是用以重新安排所述芯片25的接墊位置以及擴大其接墊間距。所述重分布凸塊24形成在所述重分布接墊212上，以做為信號、電源或接地的輸入/輸出端。請參照圖2F所示，本實用新型第二實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造相似于本實用新型第一實施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但第二實施例的差異特征在于所述第二實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200進(jìn)一步增設(shè)一電路基板27，所述電路基板27是用以承載芯片及制作封裝體的小型多層印刷電路板，其具有一第一基板表面(即上表面)及一第二基板表面(即下表面)，所述第一基板表面設(shè)有數(shù)個第一金屬墊271，所述第二基板表面設(shè)有數(shù)個第二金屬墊272，所述第一金屬墊271通過所述重分布凸塊24電性連接所述重布線電路層21的重分布接墊212，及所述第二金屬墊272各結(jié)合有一錫球273，以做為信號、電源或接地的輸入/輸出端。如上所述，相較于現(xiàn)有晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的硅間隔層與電路基板之間因熱膨脹系數(shù)(CTE)差異而衍生的技術(shù)問題，圖2A至2E的本實用新型的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200在制造期間是先制作所述重布線電路層21，再于所述重布線電路層21上堆疊結(jié)合所述間隔層22及芯片25，并在所述重布線電路層21下方結(jié)合所述重分布凸塊24做為輸入/輸出端子，如此即可以在不使用電路基板的情況下直接建構(gòu)一個微型化晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200，故有利于避免發(fā)生現(xiàn)有電路基板與硅間隔層之間因材料熱膨脹系數(shù)差異而衍生的翹曲變形與電路斷裂等技術(shù)問題，以確保封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。另一方面，圖2F的本實用新型的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200則是在制造期間是先制作所述重布線電路層21，再于所述重布線電路層21上堆疊結(jié)合所述間隔層22及芯片25，并在所述重布線電路層21下方結(jié)合所述重分布凸塊24做為輸入/輸出端子，以及再進(jìn)一步結(jié)合一電路基板27，但由于所述重布線電路層21與電路基板27的絕緣材質(zhì)相近，故兩者的材料熱膨脹系數(shù)差異可被縮??；且因為已具有所述重布線電路層21，故所述間隔層22本身也不需再設(shè)置任何重布線層并可以縮小其尺寸，因此有利于減少所述間隔層22與重布線電路層21之間的接觸面積，以及減小所述間隔層22與電路基板27的長度或?qū)挾缺?例如為O. 4 I)，如此也將有利于避免發(fā)生現(xiàn)有電路基板與硅間隔層之間因材料熱膨脹系數(shù)差異而衍生的翹曲變形與電路斷裂等技術(shù)問題，以確保封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命O 本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一重布線電路層，設(shè)有數(shù)個接墊及數(shù)個重分布接墊； 一間隔層，位于所述重布線電路層上，并設(shè)有數(shù)個第一轉(zhuǎn)接墊、數(shù)個第二轉(zhuǎn)接墊及數(shù)個導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔位于所述間隔層內(nèi)并連接在所述第一及第ニ轉(zhuǎn)接墊之間，所述第二轉(zhuǎn)接墊電性連接到所述重布線電路層的接墊上；一第一封裝膠材，位于所述重布線電路層上并圍繞在所述間隔層的周邊，所述第一封裝膠材具有一開ロ至少裸露所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊；以及至少ー芯片，位于所述間隔層上，并設(shè)有數(shù)個焊墊，所述焊墊電性連接到所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊上。
2.如權(quán)利要求I所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一封裝膠材為光刻膠、環(huán)氧樹脂、壓合片或激光活化材料。
3.如權(quán)利要求I所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含一第二封裝膠材，包覆所述第一封裝膠材的開ロ、所述間隔層及所述芯片。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二封裝膠材為環(huán)氧樹脂。
5.如權(quán)利要求I所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述間隔層是硅間隔層、玻璃間隔層或氮化鋁間隔層。
6.如權(quán)利要求I所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述間隔層的第二轉(zhuǎn)接墊通過數(shù)個轉(zhuǎn)接凸塊結(jié)合到所述重布線電路層的接墊上。
7.如權(quán)利要求I所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述芯片的焊墊通過數(shù)個凸塊結(jié)合到所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊上。
8.如權(quán)利要求I所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在干所述重布線電路層的重分布接墊各結(jié)合有一重分布凸塊。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含ー電路基板，具有一第一基板表面及一第二基板表面，所述第一基板表面設(shè)有數(shù)個第一金屬墊，所述第二基板表面設(shè)有數(shù)個第二金屬墊，所述第一金屬墊通過所述重分布凸塊電性連接所述重布線電路層的重分布接墊。
10.一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一重布線電路層，具有一第一表面及一第二表面，所述第一表面設(shè)有數(shù)個接墊，及所述第二表面設(shè)有數(shù)個重分布接墊； 一間隔層，位于所述重布線電路層的第一表面上，并具有一第一轉(zhuǎn)接表面及一第二轉(zhuǎn)接表面，所述第一轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第ー轉(zhuǎn)接墊，及所述第二轉(zhuǎn)接表面設(shè)有數(shù)個第ニ轉(zhuǎn)接墊，所述間隔層內(nèi)具有數(shù)個導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔連接在所述第一及第ニ轉(zhuǎn)接墊之間，且所述第二轉(zhuǎn)接墊通過數(shù)個轉(zhuǎn)接凸塊結(jié)合到所述重布線電路層的接墊上； 一第一封裝膠材，位于所述重布線電路層的第一表面上并圍繞在所述間隔層的周邊，所述第一封裝膠材具有一開ロ至少裸露所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接表面；以及 至少ー芯片，位于所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接表面上，并具有一有源表面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個焊墊，所述焊墊通過數(shù)個凸塊結(jié)合到所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊上。
專利摘要本實用新型公開一種晶圓級半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包含一重布線電路層，設(shè)有數(shù)個接墊及數(shù)個重分布接墊；一間隔層，位于所述重布線電路層上，并設(shè)有數(shù)個第一轉(zhuǎn)接墊、數(shù)個第二轉(zhuǎn)接墊及數(shù)個導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔位于所述間隔層內(nèi)并連接在所述第一及第二轉(zhuǎn)接墊之間，所述第二轉(zhuǎn)接墊電性連接到所述重布線電路層的接墊上；一第一封裝膠材，位于所述重布線電路層上并圍繞在所述間隔層的周邊，所述第一封裝膠材具有一開口裸露所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊；以及至少一芯片，位于所述間隔層上，并設(shè)有數(shù)個焊墊，所述焊墊電性連接到所述間隔層的第一轉(zhuǎn)接墊上。
文檔編號H01L23/00GK202443962SQ201120555480
公開日2012年9月19日 申請日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月27日
發(fā)明者王昱祺, 翁肇甫 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司