專利名稱：發(fā)光二極管封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種半導體發(fā)光元件，尤其涉及ー種發(fā)光二極管封裝結構。
背景技術：
目前，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)因具有功耗低、壽命長、體積小及亮度高等特性已經被廣泛應用到很多領域。傳統的發(fā)光二極管封裝結構一般包括ー個反射杯、容置于反射杯內的發(fā)光二極管芯片以及填滿所述反射杯的封裝體。所述封裝體用于保護發(fā)光二極管芯片，防止發(fā)光二扱管芯片受到水汽、灰塵等污染。然而，由于所述封裝體填滿所述反射杯，導致封裝體的厚度太厚，一方面造成了封裝體材料的浪費，另一方面，導致發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線被封裝 體吸收較多，造成整個發(fā)光二極管封裝結構出光效率較低。

實用新型內容有鑒于此，有必要提供ー種發(fā)光二極管封裝結構，以解決現有發(fā)光二極管封裝結構的封裝體材料的用量較多以及出光效率較低的技術問題。本實用新型是這樣實現的ー種發(fā)光二極管封裝結構，其包括反射杯、發(fā)光二極管芯片以及封裝體，所述反射杯包括底壁和側壁，所述底壁和側壁圍成一個用于收容發(fā)光二極管芯片的收容槽，所述封裝體填充部分收容槽并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述封裝體的厚度小于所述反射杯的側
壁的高度。進ー步地，所述底壁包括電氣分隔的兩個金屬支架，所述發(fā)光二極管芯片設置于所述底壁上并與所述兩個金屬支架電性連接。進ー步地，所述發(fā)光二極管芯片貼設于所述兩個金屬支架其中之一上。進ー步地，所述發(fā)光二極管芯片通過兩個鍵合線分別與所述兩個金屬支架電性連接，所述封裝體覆蓋所述鍵合線。進ー步地，所述反射杯的側壁包括抵接底壁的第一側壁以及連接于所述第一側壁遠離底壁的一端的第二側壁，所述第一側壁和第二側壁的內表面為非平滑過渡連接。優(yōu)選地，所述第一側壁和第二側壁的內表面之間形成有一個臺階面。優(yōu)選地，所述臺階面與所述底壁的內表面平行。優(yōu)選地，所述封裝體遠離底壁的頂面與所述第一側壁的內表面遠離底壁的頂端平齊。優(yōu)選地，所述第一側壁的內表面遠離底壁的頂端到底壁的內表面的距離大于所述鍵合線到底壁的內表面的最大距離。進ー步地，所述第一側壁的內表面遠離底壁的頂端到底壁的內表面的距離等于所述鍵合線到底壁的內表面的最大距離。所述發(fā)光二極管封裝結構中的封裝體的厚度小于所述發(fā)射杯的側壁的高度，使得所述封裝體具有較小的厚度，一方面，可以節(jié)省封裝體材料的用量，避免封裝體材料的浪費；另ー方面，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線被封裝體吸收較少，從而可以提高整個發(fā)光二極管封裝結構的出光效率。
以下結合附圖
描述本實用新型的實施例，其中圖I是本實用新型第一實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構的剖視圖；圖2是本實用新型第二實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構的剖視圖；圖3是本實用新型第三實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構的剖視圖；
具體實施方式
以下基于附圖對本實用新型的具體實施例進行進一歩詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅作為實施例，并不用于限定本實用新型的保護范圍。請參閱圖I，本實用新型第一實施例提供的ー種發(fā)光二極管封裝結構100包括反射杯10、發(fā)光二極管芯片20及封裝體30。所述反射杯10包括底壁11及側壁12。所述底壁11和側壁12圍成ー個用于收容發(fā)光二極管芯片20的收容槽。本實施例中，所述反射杯10的底壁11包括電氣分隔的兩個金屬支架111以及設置于所述兩個金屬支架111之間的絕緣材料112。所述側壁12可由絕緣材料制成，例如塑料等。具體的，所述整個反射杯10可通過注塑形成。本實施例中，所述反射杯10的側壁12包括抵接底壁11的第一側壁121以及連接于所述第一側壁121遠離底壁11的一端的第二側壁122，所述第一側壁121和第二側壁122的內表面為非平滑過渡連接，即所述第一側壁121和第二側壁122的內表面的過渡較明顯，以便于準確控制所述封裝體30的填充量。例如，所述第一側壁121的內表面與底壁11的內表面之間形成的夾角與所述第二側壁122的內表面與底壁11的內表面之間形成的夾角不同。所述第一側壁121、第二側壁122以及底壁11的內表面為第一側壁121、第二側壁122及底壁11面向收容槽的表面。所述發(fā)光二極管芯片20設置于所述底壁11的內表面上，并與所述兩個金屬支架111電性連接。本實施例中，所述發(fā)光二極管芯片20設置在所述兩個金屬支架111其中之一上，且通過兩個鍵合線21分別與所述兩個金屬支架111電性連接。可以理解，所述發(fā)光ニ極管芯片20與金屬支架111的連接方式并不限于本實施例，例如，所述發(fā)光二極管芯片20還可通過覆晶等方式與金屬支架111電性連接。由于金屬支架111 一般具有很好的導熱性能，通過將所述發(fā)光二極管芯片20設置在所述金屬支架111上，可大大提高發(fā)光二極管芯片20的散熱效率。所述封裝體30填充部分所述收容槽并覆蓋發(fā)光二極管芯片20，從而可保護發(fā)光ニ極管芯片20，防止發(fā)光二極管芯片20受到水汽、灰塵等污染。所述封裝體30的厚度小于所述反射杯10的側壁12的高度。所述封裝體30的厚度是指封裝體30遠離底壁11的ー側到底壁11的內表面的最大距離。所述側壁12的高度是指側壁12遠離底壁11的一端到底壁11的內表面的距離。本實施例中，所述封裝體30進ー步覆蓋所述鍵合線21，且其遠離底壁11的頂面與所述第一側壁121的內表面遠離底壁11的頂端平齊。所述第一側壁121的內表面遠離底壁11的頂端到底壁11的內表面的距離大于等于所述鍵合線21到底壁11的內表面的最大距離。優(yōu)選地，所述封裝體30剛沒過所述鍵合線21，即所述第一側壁121的內表面遠離底壁11的頂端到底壁11的內表面的距離略微大于或等于所述鍵合線21到底壁11的內表面的最大距離。所述封裝體30內還可混合有熒光粉，以使得發(fā)光二極管封裝結構100出射光為白光等多種波長的混合光。所述發(fā)光二極管封裝結構100中的封裝體30的厚度小于所述發(fā)射杯10的側壁12的高度，使得所述封裝體30具有較小的厚度，一方面，可以節(jié)省封裝體30材料的用量，避免封裝體30材料的浪費；另一方面，發(fā)光二極管芯片20發(fā)出的光線被封裝體30吸收較少，從而可以提高整個發(fā)光二極管封裝結構100的出光效率。另外，由于所述封裝體30僅填充部分收容槽，使得側壁12頂端的第二側壁122可用于反射發(fā)光二極管芯片20發(fā)出的光線以及在封裝體30內被散射的光線，從而可以更好地控制整個發(fā)光二極管封裝結構100的出光角度，最大的滿足發(fā)光二極管封裝結構100的使用要求。請參閱圖2，本實用新型第二實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構200與本實用新型第一實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構100基本相同，所述發(fā)光二極管封裝結構200與發(fā)光二極管封裝結構100的區(qū)別在于所述發(fā)光二極管封裝結構200中，所述第一側壁121和第二側壁122之間形成有一個臺階面123。在填充所述封裝體30時，通過在所述臺階面123上覆蓋ー個遮板等，可以更加準確的控制封裝體30的填充量。優(yōu)選地，所述臺階面123與所述底壁11的內表面平行。請參閱圖3，本實用新型第三實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構300與本實用新型第二實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構200基本相同，所述發(fā)光二極管封裝結構300與發(fā)光二極管封裝結構200的區(qū)別在于所述發(fā)光二極管封裝結構300中，所述第一側壁121內表面包括非平滑連接的第一內表面1211和第二內表面1212,所述第一內表面1211位于第二內表面1212和底壁11的內表面之間。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.ー種發(fā)光二極管封裝結構，其包括反射杯、發(fā)光二極管芯片以及封裝體，所述反射杯包括底壁和側壁，所述底壁和側壁圍成一個用于收容發(fā)光二極管芯片的收容槽，其特征在于，所述封裝體填充部分收容槽并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述封裝體的厚度小于所述反射杯的側壁的高度。
2.如權利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述底壁包括電氣分隔的兩個金屬支架，所述發(fā)光二極管芯片設置于所述底壁上并與所述兩個金屬支架電性連接。
3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片貼設于所述兩個金屬支架其中之一上。
4.如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片通過兩個鍵合線分別與所述兩個金屬支架電性連接，所述封裝體覆蓋所述鍵合線。
5.如權利要求I或4所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述反射杯的側壁包括抵接底壁的第一側壁以及連接于所述第一側壁遠離底壁的一端的第二側壁，所述第一側壁 和第二側壁的內表面為非平滑過渡連接。
6.如權利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一側壁和第二側壁的內表面之間形成有一個臺階面。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述臺階面與所述底壁的內表面平行。
8.如權利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述封裝體遠離底壁的頂面與所述第一側壁的內表面遠離底壁的頂端平齊。
9.如權利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一側壁的內表面遠離底壁的頂端到底壁的內表面的距離大于所述鍵合線到底壁的內表面的最大距離。
10.如權利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一側壁的內表面遠離底壁的頂端到底壁的內表面的距離等于所述鍵合線到底壁的內表面的最大距離。
專利摘要本實用新型涉及一種發(fā)光二極管封裝結構，其包括反射杯、發(fā)光二極管芯片以及封裝體。所述反射杯包括底壁和側壁，所述底壁和側壁圍成一個用于收容發(fā)光二極管芯片的收容槽。所述封裝體填充部分收容槽并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述封裝體的厚度小于所述反射杯的側壁的高度。所述發(fā)光二極管封裝結構中的封裝體具有較小的厚度，一方面，可以節(jié)省封裝體材料的用量，避免封裝體材料的浪費；另一方面，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線被封裝體吸收較少，從而可以提高整個發(fā)光二極管封裝結構的出光效率。
文檔編號H01L33/62GK202423375SQ20112050058
公開日2012年9月5日 申請日期2011年12月5日 優(yōu)先權日2011年12月5日
發(fā)明者羅錦長 申請人:深圳市瑞豐光電子股份有限公司