專(zhuān)利名稱(chēng)：光敏電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種光敏元件，特別是一種對(duì)發(fā)散光線靈敏度高的光敏電阻。
背景技術(shù)：
光敏電阻是一種常用的電路元件，電阻會(huì)隨著光線的變化而變化?？墒乾F(xiàn)有的光敏電阻的光敏層通常是金屬的硫化物、硒化物和碲化物等半導(dǎo)體制成的片狀，對(duì)發(fā)散光線的敏感度比較低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種對(duì)發(fā)散光線靈敏度高的光敏電阻。本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)光敏電阻，包括基座、光敏層和電極，所述基座的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層為硫化鎘材料的薄膜，光敏層鍍?cè)谒霭记蛎娴谋砻嫔?，電極連接于光敏層上。本實(shí)用新型的有益效果是光敏電阻的基座頂端為凹球面，光敏層為鍍?cè)谒龅陌记蛎嫔系牧蚧k材料的薄膜，因此與片狀光敏層相比對(duì)發(fā)散光線的靈敏度會(huì)更高。

圖I為本實(shí)用新型的示意圖。其中，附圖標(biāo)記I-基座2——電極3——光敏層
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。從圖I中可以看出，光敏電阻包括基座I、光敏層3和電極2，所述基座I的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層3為硫化鎘材料的薄膜，光敏層3鍍?cè)谒霭记蛎娴谋砻嫔?，電極2連接于光敏層3上。當(dāng)發(fā)散光線射在光敏電阻上時(shí)，籍由光敏電阻的基座I頂端為凹球面，光敏層3為鍍?cè)谒龅陌记蛎嫔系牧蚧k材料的薄膜，因此與片狀光敏層光敏電阻相比此光敏電阻對(duì)發(fā)散光線的靈敏度會(huì)更高。
權(quán)利要求1.光敏電阻，包括基座、光敏層和電極，其特征在于基座的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層為硫化鎘材料的薄膜，光敏層鍍?cè)谒霭记蛎娴谋砻嫔?，電極連接于光敏層上。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種光敏電阻，其包括基座、光敏層和電極，基座的頂部設(shè)有一凹球面，光敏層為硫化鎘材料的薄膜，光敏層鍍?cè)谒霭记蛎娴谋砻嫔?，電極連接于光敏層上。本實(shí)用新型的光敏層為凹球面狀，有利于發(fā)散光的接收，因此與一般的光敏電阻相比，此結(jié)構(gòu)對(duì)發(fā)散光的靈敏度會(huì)更高，便于精確控制。
文檔編號(hào)H01L31/08GK202363505SQ201120480770
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者張習(xí)蓮 申請(qǐng)人:東莞市宇馳電子有限公司