專(zhuān)利名稱(chēng)：一種安全led芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種安全LED芯片。
背景技術(shù)：
外量子效率是高亮度LED芯片的主要技術(shù)瓶頸，其大小等于內(nèi)量子效率與光的出射率之積。當(dāng)前，商業(yè)化LED的內(nèi)量子效率已經(jīng)接近100%，但是外量子效率小于30%。這主要是由于光的出射率低造成的。引起光的出射率低的主要因素有晶格缺陷對(duì)光的吸收， 襯底對(duì)光的吸收，光在出射過(guò)程中，在各個(gè)界面由于全反射造成的損失。目前，常用的LED 芯片在刻蝕后所有的側(cè)壁與垂直線的典型夾角小于10。，由于GaN和空氣的折射率分別是 2. 5和1，在^iGaN-GaN活性區(qū)產(chǎn)生的光能夠傳播出去的臨界角約為23。，因此LED發(fā)射的大部分光在界面被反射回來(lái)，形成波導(dǎo)光被困在器件內(nèi)部，經(jīng)過(guò)多次反射最終被半導(dǎo)體吸收， 這大大限制了 GaN基發(fā)光二極管的外量子效率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種安全LED芯片，能夠提高LED芯片的出光效率。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種安全LED芯片，包括硅片，設(shè)置在硅片里面處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和I/O接口模塊，所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，其中，該安全芯片還包括安全輸入模塊、安全輸出模塊和南橋接口模塊且所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接；管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0. 1 3. 5 μ m，LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋狀。優(yōu)選地，ICP刻蝕后的LED芯片周?chē)乃袀?cè)壁呈波紋狀。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述LED芯片的所有側(cè)壁呈鋸齒狀。本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型提出的LED芯片，通過(guò)將LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁設(shè)計(jì)成凹凸不平狀，從而可以提高LED芯片的出光效率。優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。

圖1為本實(shí)用LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)施例一請(qǐng)參閱圖1本實(shí)用新型揭示了一種安全LED芯片，包括硅片1，設(shè)置在硅片1里面處理器模塊6、加解密模塊9，存儲(chǔ)模塊10，電源檢測(cè)模塊11和I/O接口模塊12，所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，其中，該安全芯片還包括安全輸入模塊、安全輸出模塊和南橋接口模塊且所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接；管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0. 1 3. 5 μ m，LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。一種安全LED芯片，包括硅片，設(shè)置在硅片上面處理器模塊、加解密模塊9，存儲(chǔ)模塊10，電源檢測(cè)模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊8連接于處理器模塊6和管腳模塊7之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為 0. 1 2. 5 μ m，LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。在硅片背面依次設(shè)置的鈦層3、鎳層4、銀層5，在硅片1背面位于硅片1和鈦層3 之間設(shè)有高純鋁層2，所述的高純鋁層2的厚度為0. 1 2. 5 μ m，LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋狀。優(yōu)選地，ICP刻蝕后的LED芯片周?chē)乃袀?cè)壁呈波紋狀。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述LED芯片的所有側(cè)壁呈鋸齒狀。本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型提出的LED芯片，通過(guò)將LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁設(shè)計(jì)成凹凸不平狀，從而可以提高LED芯片的出光效率。優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。實(shí)施例二本實(shí)施例中，所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述LED芯片的所有側(cè)壁呈鋸齒狀。本實(shí)施例中LED芯片的這種側(cè)壁結(jié)構(gòu)也可以增加側(cè)向光源的出光面積，使芯片獲得更多的出光。此外，LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁還可以呈現(xiàn)其他凹凸不平狀，如不規(guī)則的凹凸不平狀，只要可以增加芯片側(cè)面的出光面積即可。這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本實(shí)用新型的精神或本質(zhì)特征的情況下，本實(shí)用新型可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例， 以及用其它組件、材料和部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在不脫離本實(shí)用新型范圍和精神的情況下，可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。 應(yīng)用本發(fā)明提供的安全芯片，應(yīng)用本發(fā)明提供的安全芯片，能夠?qū)π畔⑻幚碓O(shè)備的輸入輸出信息進(jìn)行加解密處理，保證輸入輸出信息的安全，從而防止了監(jiān)聽(tīng)，避免了信息的外泄。
權(quán)利要求1.一種安全LED芯片，其特征在于，包括硅片，設(shè)置在硅片里面處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和I/O接口模塊，所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，其中，該安全芯片還包括安全輸入模塊、安全輸出模塊和南橋接口模塊且所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接；管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0. 1 3. 5 μ m，LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于所述LED芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種安全LED芯片，包括硅片，設(shè)置在硅片里面處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和I/O接口模塊，所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，其中，該安全芯片還包括安全輸入模塊、安全輸出模塊和南橋接口模塊且所述所有模塊通過(guò)安全芯片內(nèi)部的總線相互連接；管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，應(yīng)用本實(shí)用新型提供的安全芯片，應(yīng)用本實(shí)用新型提供的安全芯片，能夠?qū)π畔⑻幚碓O(shè)備的輸入輸出信息進(jìn)行加解密處理，保證輸入輸出信息的安全，從而防止了監(jiān)聽(tīng)，避免了信息的外泄。
文檔編號(hào)H01L33/02GK202282381SQ20112042668
公開(kāi)日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者丁杰, 王金 申請(qǐng)人:深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司