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晶體硅太陽能電池正面電極布局結構的制作方法

文檔序號:6995923閱讀:203來源:國知局
專利名稱:晶體硅太陽能電池正面電極布局結構的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種關于絲網印刷晶體硅太陽能電池的正面電極布局結構。
技術背景 要收集太陽能電池產生的電流,金屬正電極是必須的。主柵線和外部導線直接相連,而副柵線是更細小的金屬化區(qū)域,用來收集電流傳輸給主柵線。晶體硅太陽能電池的正面電極布局結構的設計理念提高電流的收集效率、低金屬柵線電阻、低接觸電阻、低遮光面積。正面電極工藝要求盡可能大的高寬比,目的是減小遮光面積,增大柵線橫截面,這樣可以減少柵線遮光造成的電池功率損失,同時較大柵線橫截面可以降低柵線的體電阻從而降低柵線電阻引起的功率損失。目前,市場上主要有125S-165和156S-200兩種單晶電池片,分別采用2主柵(尖柵)_54副柵和3主柵(尖柵)_77副柵兩種設計,此種應用獲得了行業(yè)內領先的轉化率。同時我們注意到,在歐洲各國相繼降低光伏補貼的大背景下,最大限度的降低成本成為企業(yè)提高競爭力的重要舉措。因此在正面電極的設計上,在保證轉化率同時,應盡量減少銀漿的單耗,目前125S和156S的單耗分別在O. llg、0. 19g,還有降低的空間。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,以減少銀漿的單耗。為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術方案如下晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,包括主柵和副柵,其特征在于,所述主柵上沿長度方向間隔設置有若干個鏤空空間,所述若干個鏤空空間將主柵分隔開來。在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中,所述主柵分段上設置有未印刷有銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈結構封閉式。在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中,所述副柵的邊緣加設半框,可增加電流的收集,減少接觸電阻。本實用新型通過在主柵上設置有鏤空空間,可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區(qū)域和焊帶彌補。本實用新型在保證轉化率同時,減少銀漿的單耗。本實用新型的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。

圖I為實施例I的示意圖。圖2為實施例2的示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施例進一步闡述本實用新型。實施例I如圖I所示,一種125S-165的晶體硅太陽能電池,包括主柵100和副柵200,主柵100上沿長度方向間隔設置有四個鏤空空間110,四個鏤空空間將主柵分隔成五個主柵分段120。該結構可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區(qū)域和焊帶彌補。在主柵分段120上制作未印刷銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈封閉式??晒?jié)約銀漿使用量,還可有效消除銀硅合金和硅的膨脹系數不同而帶來的應力,從而降低電池片的彎曲以及組件焊接碎片率;能夠增強主柵線導電漿料燒結后在硅片表面的附著牢固性,有效解決銀主柵線的脫落問題;減小導電漿料和硅的表面的接觸面積,增大開路電壓和短路電流;同時可彌補由于鏤空空間結構增加接觸電阻帶來的效率損失。在本實施例中,副柵200數量從原有的54根變成61根,以增加電流的收集,減少接觸電阻。副柵200的邊緣加設半框210,可增加電流的收集,減少接觸電阻。實施例2一種156S-200的晶體硅太陽能電池,包括主柵和副柵,主柵上沿長度方向間隔設置有六個鏤空空間310,六個鏤空空間將主柵分隔成七個主柵分段410。該結構可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區(qū)域和焊帶彌補。在主柵分段410上制作未印刷銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈封閉式??晒?jié)約銀漿使用量,還可有效消除銀硅合金和硅的膨脹系數不同而帶來的應力,從而降低電池片的彎曲以及組件焊接碎片率;能夠增強主柵線導電漿料燒結后在硅片表面的附著牢固性,有效解決銀主柵線的脫落問題;減小導電漿料和硅的表面的接觸面積,增大開路電壓和短路電流;同時可彌補由于鏤空空間結構增加接觸電阻帶來的效率損失。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型的范圍內。本實用新型要求的保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。
權利要求1.晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,包括主柵和副柵,其特征在于,所述主柵上沿長度方向間隔設置有若干個鏤空空間,所述若干個鏤空空間將主柵分隔開來。
2.根據權利要求I所述的晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,其特征在于,所述主柵分段上設置有未印刷有銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈結構封閉式。
3.根據權利要求I所述的晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,其特征在于,所述副柵的邊緣加設半框。
專利摘要本實用新型公開了一種晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,包括主柵和副柵,所述主柵上沿長度方向間隔設置有若干個鏤空空間,所述若干個鏤空空間將主柵分隔開來。本實用新型通過在主柵上設置有鏤空空間,可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區(qū)域和焊帶彌補。本實用新型在保證轉化率同時,減少銀漿的單耗。
文檔編號H01L31/0224GK202373594SQ20112041736
公開日2012年8月8日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權日2011年10月27日
發(fā)明者賈平 申請人:上海索日新能源科技有限公司
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