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一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)的制作方法

文檔序號(hào):6972588閱讀:223來源:國知局
專利名稱:一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子元器件用觸點(diǎn)領(lǐng)域,特別是涉及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)。
背景技術(shù)
觸點(diǎn)是各種電子元器件中常用的元件,它體積雖小,但對其性能的要求很高,復(fù)合觸點(diǎn)應(yīng)用范圍廣泛且常常用到貴金屬材料,一般采用手工鉚接和自動(dòng)鉚接。目前市場上是用純銀的復(fù)合觸點(diǎn),但純銀強(qiáng)度低、硬度低、抗熔焊性及耐電弧燒損性能低,且用量大、價(jià)格昂貴,生產(chǎn)成本高,只能應(yīng)用在無線電、通訊用微型開關(guān)及小電流電器等領(lǐng)域。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn), 采用了純銅和銀氧化鎘復(fù)合成型,使觸點(diǎn)具有高的抗熔焊性、耐電磨損性及較低的接觸電阻。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),包括銀化合物復(fù)合層和純銅基體,所述的純銅基體由圓柱狀頭部和圓柱狀腳部組成,所述的圓柱狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度,銀化合物復(fù)合層復(fù)合于純銅基體的圓柱狀頭部一端。所述的頭部復(fù)合層的厚度為0.2mm 0.6mm。所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鎘(AgCdO)制成。所述的復(fù)合層采用先進(jìn)的燒結(jié)、擠壓工藝使氧化鎘質(zhì)點(diǎn)彌散分布于銀基體中組成銀氧化鎘,在電弧作用下,氧化鎘劇烈分解、蒸發(fā)使觸頭表面冷卻,起到降低電弧能量和熄弧的作用,從而使材料具有高的抗熔焊性、耐電磨損性及較低的接觸電阻。有益效果本實(shí)用新型涉及提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),采用了純銅和銀氧化鎘復(fù)合成型,利用銀氧化鎘的性能特點(diǎn)使觸點(diǎn)具有高的抗熔焊性、耐電磨損性及較低的接觸電阻,主要應(yīng)用于中大容量繼電器、接觸器、交直流開關(guān)及中小容量斷路器中,特別適合于中大容量交流接觸器。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例,進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。應(yīng)理解,這些實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解,在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容之后,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改,這些等價(jià)形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。如圖1所示,本實(shí)用新型的實(shí)施方式涉及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),包括銀化合物復(fù)合層1和純銅基體2,所述的純銅基體2由圓柱狀頭部和圓柱狀腳部組成,所述的圓柱狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度,銀化合物復(fù)合層1復(fù)合于純銅基體2 的圓柱狀頭部一端,所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鎘(AgCdO)制成,所述的頭部復(fù)合層的厚度為0. 2mm 0. 6mm。本實(shí)用新型主要的加工工藝是復(fù)合冷鐓,采用先進(jìn)的燒結(jié)、擠壓工藝使氧化鎘質(zhì)點(diǎn)彌散分布于銀基體中組成銀氧化鎘,再將銀氧化鎘和純銅兩種材料的絲材在冷鐓機(jī)沖擊力下,兩種金屬形成徑向塑性變形形成鐓形狀。
權(quán)利要求1.一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),包括銀化合物復(fù)合層(1)和純銅基體0), 其特征在于所述的純銅基體O)由圓柱狀頭部和圓柱狀腳部組成,所述的圓柱狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度,銀化合物復(fù)合層(1)復(fù)合于純銅基體( 的圓柱狀頭部一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),其特征在于,所述的頭部復(fù)合層的厚度為0. 2mm 0. 6mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),其特征在于,所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鎘制成。
專利摘要本實(shí)用新型及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn),包括銀化合物復(fù)合層和純銅基體,所述的純銅基體由圓柱狀頭部和圓柱狀腳部組成,所述的圓柱狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度,銀化合物復(fù)合層復(fù)合于純銅基體的圓柱狀頭部一端,所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鎘制成。本實(shí)用新型頭部采用銀氧化鎘材料,使觸點(diǎn)具有良好的抗熔焊性能及耐電磨損性能,主要應(yīng)用于中大容量繼電器、接觸器、交直流開關(guān)及中小容量斷路器中,特別適合于中大容量交流接觸器。
文檔編號(hào)H01H1/04GK202268257SQ20112037787
公開日2012年6月6日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者王海濤 申請人:寧波電工合金材料有限公司
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