專利名稱：晶片的吸附與支撐裝置及其襯墊、半導(dǎo)體處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
待處理晶片(Wafer)經(jīng)過光刻、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、等離子體刻蝕、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等半導(dǎo)體工藝后得到符合尺寸要求的半導(dǎo)體器件。 當(dāng)所需器件的厚度要求較薄時(shí)，為了增加待加工晶片的機(jī)械強(qiáng)度以致在后續(xù)的加工過程中不會(huì)出現(xiàn)因強(qiáng)度不足引起的其它問題，現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的做法是將待加工晶片與一個(gè)支撐晶片通過背膠粘連在一起，而后將它們固定在半導(dǎo)體加工設(shè)備的真空吸盤或靜電吸盤上對(duì)待加工晶片進(jìn)行各種半導(dǎo)體加工，待各種加工完成后將形成的器件與支撐晶片分離，這里的支撐晶片只是一個(gè)與待加工晶片尺寸相當(dāng)?shù)木?，該晶片?nèi)不需形成任何半導(dǎo)體元件。當(dāng)所需半導(dǎo)體器件的厚度很薄時(shí)，由于其與支撐晶片通過背膠粘連在一起，因此很難將半導(dǎo)體器件與支撐晶片分離，或者即使兩者分離了但在分離的過程中半導(dǎo)體器件因此產(chǎn)生了一些瑕疵，不符合質(zhì)量要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的問題是提供一種用于支撐晶片的襯墊，該襯墊與真空吸盤或靜電吸盤均可構(gòu)成一種晶片的吸附與支撐裝置，在該裝置上晶片能加工形成厚度很薄的半導(dǎo)體器件，并容易將半導(dǎo)體器件從所述裝置中分離，且在分離的過程中不會(huì)對(duì)器件造成損傷。為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種用于支撐晶片的襯墊，包括適于支撐待處理晶片的第一表面；第二表面；所述第一表面設(shè)有若干第一小孔；所述第二表面設(shè)有若干凹槽，所述凹槽未延伸至所述襯墊的側(cè)壁，且所述凹槽與所述第一小孔導(dǎo)通?？蛇x的，所述第一小孔的形狀為十字形。可選的，所述第一小孔的形狀為梅花形?？蛇x的，所述第一小孔在所述襯墊的第一表面間隔分布并形成矩形陣列，矩形陣列的排列對(duì)應(yīng)待處理晶片的切割道?？蛇x的，所述凹槽與排列在一條直線上的所有所述第一小孔導(dǎo)通，所述凹槽在所述襯墊的第二表面上呈縱橫交錯(cuò)排列?？蛇x的，所述襯墊的材料為導(dǎo)電材料?？蛇x的，所述導(dǎo)電材料為摻雜硅?？蛇x的，所述襯墊第一表面設(shè)有電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層對(duì)應(yīng)所述第一小孔的位置設(shè)有第三小孔，所述第三小孔的形狀、大小與所述第一小孔相同?？蛇x的，所述電介質(zhì)層為摻雜電介質(zhì)層?？蛇x的，所述電介質(zhì)層的材料為陶瓷?？蛇x的，所述襯墊的厚度與待處理晶片的厚度相當(dāng)?？蛇x的，所述襯墊的形狀大小與待處理晶片的形狀大小相當(dāng)。為解決上述問題，本實(shí)用新型還提供一種晶片的吸附與支撐裝置，包括如上所述的襯墊；適于支撐所述襯墊的真空吸盤，其表面上設(shè)有若干第二小孔，所述凹槽至少與一個(gè)所述真空吸盤的第二小孔導(dǎo)通?？蛇x的，所述真空吸盤上的每一第二小孔與所述襯墊的凹槽導(dǎo)通。為解決上述問題，本實(shí)用新型還提供一種晶片的吸附與支撐裝置，包括如上所述的襯墊；適于支撐所述襯墊的靜電吸盤。為解決上述問題，本實(shí)用新型還提供一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，包括處理腔室；位于所述處理腔室內(nèi)、如上所述的晶片的吸附與支撐裝置；適于對(duì)待處理晶片進(jìn)行處理的加工裝置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于一、襯墊與真空吸盤或靜電吸盤均可構(gòu)成一種晶片的吸附與支撐裝置，在晶片的加工過程中該襯墊可以增加晶片的機(jī)械強(qiáng)度，從而在該裝置上晶片能被加工成厚度很薄的半導(dǎo)體器件，并容易將半導(dǎo)體器件從所述裝置中分離，且在分離的過程中不會(huì)對(duì)器件造成損傷。二、襯墊可以多次使用，減少浪費(fèi)。三、該襯墊可以在多種半導(dǎo)體加工設(shè)備中使用，應(yīng)用范圍廣，而且能在某些特殊加工條件下使用，如被加工的晶片存在通透的部分。四、在實(shí)際應(yīng)用中該襯墊的尺寸可以調(diào)整，能適應(yīng)多種尺寸規(guī)格的晶片。
圖1是本實(shí)用新型襯墊實(shí)施例中襯墊的俯視圖。圖2是本實(shí)用新型襯墊實(shí)施例中襯墊的仰視圖。圖3是圖1所示襯墊沿A-A方向的剖視圖。圖4是圖1所示襯墊沿B-B方向的剖視圖。圖5是圖1所示襯墊沿C-C方向的剖視圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于支撐晶片的襯墊，該襯墊與真空吸盤或靜電吸盤均可構(gòu)成一種晶片的吸附與支撐裝置，在晶片的加工過程中該襯墊可以增加晶片的機(jī)械強(qiáng)度，從而在該裝置上晶片能被加工成厚度很薄的半導(dǎo)體器件，并容易將半導(dǎo)體器件從所述裝置中分離，且在分離的過程中不會(huì)對(duì)器件造成損傷。[0043]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的主要構(gòu)思是襯墊與待處理晶片接觸的表面設(shè)有小孔，其與真空吸盤接觸的表面設(shè)有凹槽，且該凹槽與真空吸盤表面上的孔導(dǎo)通，當(dāng)待處理晶片與襯墊一起置于真空吸盤上時(shí)，啟動(dòng)真空吸盤設(shè)備的真空泵，真空泵將待處理晶片與襯墊接觸表面之間的空氣抽走形成真空，這樣待處理晶片通過襯墊被緊緊吸附在真空吸盤上，然后就可以對(duì)待處理晶片進(jìn)行多種半導(dǎo)體加工以得到厚度較薄的半導(dǎo)體器件。當(dāng)真空泵向真空吸盤中的孔通入氣體時(shí)，在氣體壓強(qiáng)的作用下加工后的晶片、襯墊、真空吸盤相互分離，在分離的過程中晶片不會(huì)受到損傷。然而有時(shí)待處理晶片需在真空環(huán)境下進(jìn)行加工，如等離子注入機(jī)，這時(shí)真空吸盤無法在真空環(huán)境下工作，因此上述襯墊結(jié)構(gòu)無法繼續(xù)與真空吸盤一起吸附待處理晶片了。 根據(jù)半導(dǎo)體加工設(shè)備常用的吸附裝置可知，靜電吸盤可以在真空環(huán)境下吸附晶片，因此發(fā)明人考慮在上述襯墊結(jié)構(gòu)上作出一些改進(jìn)，使其既能與真空吸盤一起吸附待處理晶片，也能與靜電吸盤一起吸附待處理晶片。具體改進(jìn)包括使襯墊的材料為導(dǎo)電材料，然后在該襯墊表面上淀積一層電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層為摻雜電介質(zhì)層，其材料可以為陶瓷。當(dāng)待處理晶片與表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊一起置于靜電吸盤上時(shí)，對(duì)靜電吸盤施加電壓，電介質(zhì)層產(chǎn)生電荷，位于電介質(zhì)層上的晶片產(chǎn)生極性相反的電荷，這樣待處理晶片通過表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊被緊緊吸附在靜電吸盤上，然后就可以對(duì)待處理晶片進(jìn)行多種半導(dǎo)體加工了 ；對(duì)靜電吸盤施加反向電壓時(shí)， 待處理晶片、襯墊、靜電吸盤相互分離。相應(yīng)的，為了使這種表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊能同時(shí)與真空吸盤一起工作，電介質(zhì)層對(duì)應(yīng)襯墊表面小孔的位置也設(shè)置小孔。另外，根據(jù)離子注入機(jī)臺(tái)的特點(diǎn)適合放置厚度為常規(guī)硅片尺寸的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)晶片加工至很薄后，若需繼續(xù)對(duì)晶片進(jìn)行離子注入加工，則其與表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊的厚度之和應(yīng)當(dāng)與晶片加工前的厚度相當(dāng)。而其他半導(dǎo)體加工設(shè)備對(duì)待加工的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)厚度沒有要求，為了使該襯墊結(jié)構(gòu)能在多數(shù)半導(dǎo)體加工設(shè)備中使用，故本實(shí)用新型中可使表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊的厚度與待處理晶片的厚度相當(dāng)。為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施方式
的限制。本實(shí)用新型中晶片的吸附與支撐裝置包括適于支撐待處理晶片的襯墊10，如圖1 至圖5所示，其包括適于支撐待處理晶片的第一表面11、第二表面12 ；設(shè)于第一表面11上的若干第一小孔13 ；設(shè)于第二表面12的若干凹槽14，凹槽14未延伸至襯墊10的側(cè)壁以使真空吸盤 (未圖示)能吸附襯墊10，凹槽14與第一小孔13導(dǎo)通。所述裝置另包括真空吸盤，其表面上設(shè)有若干第二小孔。將待處理晶片與襯墊10 —起置于真空吸盤表面上后，襯墊10的第二表面12與真空吸盤表面接觸，使第二表面12上的凹槽14至少與一個(gè)真空吸盤表面上的第二小孔導(dǎo)通， 啟動(dòng)真空吸盤，真空泵將待處理晶片與襯墊10第一表面11之間的空氣依次由第一小孔13、
6與第一小孔13導(dǎo)通的凹槽14、第二小孔抽出，使待處理晶片與襯墊10 —起被吸附并固定在真空吸盤上。這樣就可以對(duì)待處理晶片進(jìn)行多種半導(dǎo)體加工從而得到所需半導(dǎo)體器件，當(dāng)真空泵向真空吸盤中的第二小孔通入氣體時(shí)，氣體由第二小孔通入與第二小孔導(dǎo)通的凹槽 14再通入與凹槽14導(dǎo)通的第一小孔13，在空氣壓強(qiáng)的作用下半導(dǎo)體器件與襯墊分離，在分離的過程中半導(dǎo)體器件不會(huì)產(chǎn)生損傷。尤其當(dāng)半導(dǎo)體器件厚度很薄時(shí)，在其形成過程中襯墊10可以增加其機(jī)械強(qiáng)度使其加工順利進(jìn)行并將其分離后能得到符合要求的器件。當(dāng)加工后的晶片厚度很薄時(shí)，為避免真空吸盤的吸附力過大以致被真空吸盤吸附的晶片在對(duì)應(yīng)第一小孔13的位置處形成塌陷，第一小孔13的形狀可以為十字形或梅花形， 在保證足夠吸附力的同時(shí)這種形狀的小孔與圓形小孔相比其開口面積更小，減少晶片塌陷的可能，從而提高晶片的質(zhì)量。需說明的是，為了說明第一小孔在襯墊表面的排列方式及整個(gè)襯墊的大體結(jié)構(gòu)，圖1、圖3、圖4、圖5中的第一小孔形狀為圓形，不應(yīng)當(dāng)以此限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。在對(duì)晶片進(jìn)行加工時(shí)，加工工藝包括刻蝕，因此有可能晶片會(huì)存在通透的部分，為了確保真空吸盤能吸附襯墊上這種結(jié)構(gòu)的晶片，可使第一小孔13在第一表面11上間隔分布并形成矩形陣列，矩形陣列的排列對(duì)應(yīng)待處理晶片的切割道。對(duì)應(yīng)的，襯墊10第二表面 12上的凹槽14與排列在一條直線上的所有第一小孔13導(dǎo)通以增大吸附力，凹槽14在襯墊10襯墊的第二表面12上呈縱橫交錯(cuò)排列。這樣由于晶片切割道不會(huì)存在通透的部分， 因此即使晶片被刻蝕形成通透的部分，真空吸盤依然可以吸附襯墊10上的晶片。此時(shí)，為了增大吸附力，可使凹槽14與真空吸盤表面上的所有第二小孔導(dǎo)通，即真空吸盤表面第二小孔的排列方式與凹槽14的排列方式相同。在具體應(yīng)用中，為了增大真空吸盤對(duì)襯墊、晶片的吸附力及防止當(dāng)晶片被刻蝕形成通透部分時(shí)真空吸盤無法繼續(xù)工作，需對(duì)真空吸盤、襯墊、晶片三者進(jìn)行定位對(duì)準(zhǔn)，例如可在真空吸盤上設(shè)置一小凹坑，在襯墊第二表面上設(shè)置一能與所述凹坑配合的突起結(jié)構(gòu)， 這樣兩者可以實(shí)現(xiàn)快速對(duì)準(zhǔn)；在襯墊側(cè)壁設(shè)置一標(biāo)記或標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)以使襯墊上第一小孔與晶片切割道對(duì)準(zhǔn)，這樣兩者可以實(shí)現(xiàn)快速對(duì)準(zhǔn)。如上所述，有時(shí)待處理晶片需在真空環(huán)境下進(jìn)行加工，如等離子注入機(jī)，這時(shí)可以使用靜電吸盤通過襯墊吸附待處理晶片，因此需對(duì)上述襯墊結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)以使真空吸盤能吸附襯墊10上的晶片，同時(shí)靜電吸盤也能吸附襯墊10上的晶片。使襯墊10的材料為導(dǎo)電材料，半導(dǎo)體領(lǐng)域中摻雜硅是一種很好的導(dǎo)電材料，且可以對(duì)其進(jìn)行精密加工得到所需的結(jié)構(gòu)，因此本實(shí)施例中優(yōu)選摻雜硅，當(dāng)然金屬材料也可以。 在襯墊10第一表面11上形成有電介質(zhì)層，將襯墊10與待處理晶片一起置于靜電吸盤上， 對(duì)靜電吸盤施加電壓，靜電吸盤表面會(huì)產(chǎn)生電荷，該電荷產(chǎn)生電場(chǎng)使襯墊10的第二表面12 產(chǎn)生極性相反的電荷，由于襯墊10為導(dǎo)電材料，電介質(zhì)層同時(shí)會(huì)受到電壓的作用，因此電介質(zhì)層也會(huì)產(chǎn)生電荷，電介質(zhì)層表面的電荷會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，這一電場(chǎng)使置于襯墊10上的晶片表面產(chǎn)生極性相反的電荷，根據(jù)異性電荷相吸的原理靜電吸盤將襯墊10與晶片吸附在一起。關(guān)閉對(duì)靜電吸盤施加的電壓，襯墊10與晶片之間會(huì)存在殘余的靜電荷從而使兩者繼續(xù)吸附在一起。當(dāng)向靜電吸盤施加反向電壓時(shí)，可使靜電吸盤、襯墊10、晶片相互分離，分離的過程中不會(huì)對(duì)晶片產(chǎn)生損傷。其中，電介質(zhì)層為摻雜電介質(zhì)層，其材料可為陶瓷。[0061]在某些特殊的半導(dǎo)體制程中，如BSI制程，晶片被減至很薄以后會(huì)對(duì)其進(jìn)行離子注入工藝，而根據(jù)離子注入機(jī)臺(tái)的特點(diǎn)適合放置厚度為常規(guī)硅片尺寸的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)加工至很薄的晶片還需進(jìn)行離子注入工藝時(shí)，其與表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊的厚度之和應(yīng)當(dāng)與晶片加工前的厚度相當(dāng)。而其他半導(dǎo)體加工設(shè)備對(duì)待加工的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)厚度沒有要求，為了使該襯墊結(jié)構(gòu)能在多數(shù)半導(dǎo)體加工設(shè)備中使用，可使表面設(shè)有電介質(zhì)層的襯墊的厚度與待處理晶片的厚度相當(dāng)。同時(shí)，為了適用半導(dǎo)體加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及減少成本，可使襯墊的大小與待處理晶片的大小相當(dāng)。為了使以上改進(jìn)后的襯墊可以同時(shí)應(yīng)用在真空吸盤上，電介質(zhì)層上對(duì)應(yīng)第一小孔 13的位置設(shè)有第三小孔，其形狀大小與第一小孔13相同。在實(shí)際制造過程中，第三小孔可與第一小孔13通過同一加工一次形成。在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)待處理晶片需進(jìn)行某種特殊的半導(dǎo)體加工，如晶片存在通透的部分，此時(shí)需使襯墊10第一表面11上的第一小孔13與待處理晶片的切割道對(duì)準(zhǔn)。需說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)用新型中襯墊尺寸需根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整，如其厚度、直徑需根據(jù)其支撐的待加工晶片作調(diào)整，以使其厚度、直徑與晶片的厚度、直徑相當(dāng)；第一小孔的大小需根據(jù)其支撐的待加工晶片作調(diào)整，以使第一小孔的最大尺寸小于晶片切割道的寬度；第二表面上的凹槽需根據(jù)第一小孔的尺寸作調(diào)整，以使凹槽的寬度大于第一小孔的最大尺寸。對(duì)應(yīng)的，當(dāng)利用真空吸盤對(duì)襯墊上的晶片進(jìn)行吸附時(shí)，為了增加吸附力，需對(duì)真空吸盤表面上小孔的直徑、排列方式作調(diào)整。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)一、襯墊與真空吸盤或靜電吸盤均可構(gòu)成一種晶片的吸附與支撐裝置，在晶片的加工過程中該襯墊可以增加晶片的機(jī)械強(qiáng)度，從而在該裝置上晶片能被加工成厚度很薄的半導(dǎo)體器件，并容易將半導(dǎo)體器件從所述裝置中分離，且在分離的過程中不會(huì)對(duì)器件造成損傷。二、襯墊可以多次使用，減少浪費(fèi)。三、該襯墊可以在多種半導(dǎo)體加工設(shè)備中使用，應(yīng)用范圍廣，而且能在某些特殊加工加工條件下使用，如被加工的晶片存在通透的部分。四、在實(shí)際應(yīng)用中該襯墊的尺寸可以調(diào)整，能適應(yīng)多種尺寸規(guī)格的晶片。另外，本實(shí)用新型還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括處理腔室；位于所述處理腔室內(nèi)、如上所述的晶片的吸附與支撐裝置；適于對(duì)待處理晶片進(jìn)行處理的加工裝置。本實(shí)用新型雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于支撐晶片的襯墊，其特征在于，包括 適于支撐待處理晶片的第一表面；第二表面；所述第一表面設(shè)有若干第一小孔；所述第二表面設(shè)有若干凹槽，所述凹槽未延伸至所述襯墊的側(cè)壁，且所述凹槽與所述第一小孔導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯墊，其特征在于，所述第一小孔的形狀為十字形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯墊，其特征在于，所述第一小孔的形狀為梅花形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯墊，其特征在于，所述第一小孔在所述襯墊的第一表面間隔分布并形成矩形陣列，矩形陣列的排列對(duì)應(yīng)待處理晶片的切割道。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯墊，其特征在于，所述凹槽與排列在一條直線上的所有所述第一小孔導(dǎo)通，所述凹槽在所述襯墊的第二表面上呈縱橫交錯(cuò)排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯墊，其特征在于，所述襯墊的材料為導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯墊，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為摻雜硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯墊，其特征在于，所述襯墊第一表面上設(shè)有電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層對(duì)應(yīng)所述第一小孔的位置設(shè)有第三小孔，所述第三小孔的形狀、大小與所述第一小孔相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯墊，其特征在于，所述電介質(zhì)層為摻雜電介質(zhì)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯墊，其特征在于，所述電介質(zhì)層的材料為陶瓷。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯墊，其特征在于，所述襯墊的厚度與待處理晶片的厚度相當(dāng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯墊，其特征在于，所述襯墊的形狀大小與待處理晶片的形狀大小相當(dāng)。
13.一種晶片的吸附與支撐裝置，其特征在于，包括 如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的襯墊；適于支撐所述襯墊的真空吸盤，其表面上設(shè)有若干第二小孔，所述凹槽至少與所述若干第二小孔中的一個(gè)導(dǎo)通。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片的吸附與支撐裝置，其特征在于，所述真空吸盤上的每一第二小孔與所述襯墊的凹槽導(dǎo)通。
15.一種晶片的吸附與支撐裝置，其特征在于，包括 如權(quán)利要求6至12任一項(xiàng)所述的襯墊；適于支撐所述襯墊的靜電吸盤。
16.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，包括 處理腔室；位于所述處理腔室內(nèi)、如權(quán)利要求13或14所述的晶片的吸附與支撐裝置； 適于對(duì)待處理晶片進(jìn)行處理的加工裝置。
17.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，包括 處理腔室；位于所述處理腔室內(nèi)、如權(quán)利要求15所述的晶片的吸附與支撐裝置；適于對(duì)待處理晶片進(jìn)行處理的加工裝置。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種用于支撐晶片的襯墊，包括適于支撐待處理晶片的第一表面、第二表面；所述第一表面設(shè)有若干第一小孔；所述第二表面設(shè)有若干凹槽，所述凹槽未延伸至所述襯墊的側(cè)壁，且所述凹槽與所述第一小孔導(dǎo)通。該襯墊與真空吸盤或靜電吸盤均可構(gòu)成一種晶片的吸附與支撐裝置，在晶片的加工過程中該襯墊可以增加晶片的機(jī)械強(qiáng)度，從而在該裝置上晶片能被加工成厚度很薄的半導(dǎo)體器件，并容易將半導(dǎo)體器件從所述裝置中分離，且在分離的過程中不會(huì)對(duì)器件造成損傷。本實(shí)用新型還提供一種包含所述襯墊的晶片的吸附與支撐裝置，另外本實(shí)用新型還提供一種包含所述晶片的吸附與支撐裝置的半導(dǎo)體加工設(shè)備。
文檔編號(hào)H01L21/683GK202307844SQ20112037255
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者李強(qiáng), 李 杰, 趙立新 申請(qǐng)人:格科微電子(上海)有限公司