專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高發(fā)光二極管亮度、高效率、高良率的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，因?yàn)榘l(fā)光二極管制造技術(shù)的快速進(jìn)步，使得發(fā)光二極管的發(fā)光效率增加。 因此，發(fā)光二極管開始在照明領(lǐng)域上應(yīng)用，例如以發(fā)光二極管制造的手電筒或發(fā)光二極管的汽車頭燈。現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝方式，為了要讓發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光可以較有效率的集中到特定方向，將發(fā)光二極管的晶片固定在具有凹陷的金屬板內(nèi)。因?yàn)榻饘侔灏枷輧?nèi)的側(cè)壁，可以將讓發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光導(dǎo)向特定方向。參照?qǐng)D1，其繪示現(xiàn)有的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。發(fā)光二極管晶片a固定于金屬板b的凹陷c內(nèi)。金屬板b具有快速散熱的功效，使發(fā)光二極管晶片a所產(chǎn)生的熱可以經(jīng)金屬板b快速散去。此外，金屬板b的凹陷c的側(cè)壁可以將發(fā)光二極管晶片a所產(chǎn)生的光導(dǎo)向特定方向。然而，上述的金屬板b的凹陷c常以CNC機(jī)械加工的成型，凹陷c的內(nèi)壁具有加工的紋路不利反射，且加工成本高、良率低。而且，印刷電路板d不易準(zhǔn)確的與金屬板b的凹陷c對(duì)位。因此，需要一種更創(chuàng)新的封裝結(jié)構(gòu)以解決上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高發(fā)光二極管亮度、效率、良率的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。為達(dá)上述的目的，本實(shí)用新型所設(shè)的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一鏡面金屬層；一銅箔基板，結(jié)合于鏡面金屬層上，且該銅箔基板上成形有一孔洞，使部份鏡面金屬層能夠被暴露于外；一發(fā)光二極管晶片，固定于上述被暴露于外的部份鏡面金屬層上；以及一封裝材料，用以覆蓋于孔洞上，以將該發(fā)光二極管晶片封閉于內(nèi)；其中 該銅箔基板相對(duì)于孔洞的內(nèi)壁上設(shè)有一電鍍層。實(shí)施時(shí)，該銅箔基板上增設(shè)有一第二銅箔基板，且該第二銅箔基板對(duì)應(yīng)于該孔洞同樣設(shè)有一缺口，使部份鏡面金屬層能夠被暴露于外，而該第二銅箔基板相對(duì)于缺口的內(nèi)壁上亦設(shè)有一電鍍層。實(shí)施時(shí)，該電鍍層為電鍍銀。實(shí)施時(shí)，該鏡面金屬層為鏡面鋁。實(shí)施時(shí)，該銅箔基板以黏合方式結(jié)合于鏡面金屬層上。本實(shí)用新型的有益效果是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高亮度、高效率、高良率。為進(jìn)一步了解本實(shí)用新型，以下舉較佳的實(shí)施例，配合附圖、圖號(hào)，將本實(shí)用新型的具體構(gòu)成內(nèi)容及其所達(dá)成的功效詳細(xì)說明如后

圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。附圖標(biāo)記說明1-鏡面金屬層；2-銅箔基板；21-孔洞；22-電鍍層；3_發(fā)光二極管晶片；31-導(dǎo)線；4-封裝材料；5-第二銅箔基板；51-缺口 ；52-電鍍層；a_發(fā)光二極管晶片；b-金屬板；C-凹陷；d-印刷電路板。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2，附圖內(nèi)容為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例，其由一鏡面金屬層1、一銅箔基板2、一發(fā)光二極管晶片3及一封裝材料4所組成。該鏡面金屬層1為鏡面鋁，該銅箔基板2以黏合方式結(jié)合于鏡面金屬層1上，且該銅箔基板2上成形有一孔洞21，使部份鏡面金屬層1可被暴露于外，且該銅箔基板2相對(duì)于孔洞21的內(nèi)壁上設(shè)有一電鍍層22，該電鍍層22為電鍍銀，該發(fā)光二極管晶片3固定于上述被暴露于外的部份鏡面金屬層1上，而該封裝材料4用以覆蓋于孔洞21上，以將該發(fā)光二極管晶片3封閉于內(nèi)。因此，實(shí)施時(shí)，該鏡面金屬層1由于具有良好的導(dǎo)熱性，故可將固定于其上的發(fā)光二極管晶片3所產(chǎn)生的熱快速傳導(dǎo)于外，而發(fā)光二極管晶片3可經(jīng)打線的制程將導(dǎo)線31 與銅箔基板2上的電極連接，最后將封裝材料4覆蓋于孔洞21上，以將該發(fā)光二極管晶片 3封閉于內(nèi)。該封裝材料4可以是環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。因此，通過本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)，直接在銅箔基板2上相對(duì)于孔洞21的內(nèi)壁上設(shè)有一作為反射用途的電鍍層22，使通過電鍍層22而幫助反射率的提高，故無須如現(xiàn)有技術(shù)需在金屬層上設(shè)置凹陷區(qū)來作為反射用途。此外，如圖3所示，本實(shí)用新型于該銅箔基板2上可增設(shè)有一第二銅箔基板5，使形成一多層線路結(jié)構(gòu)，且該第二銅箔基板5對(duì)應(yīng)于該孔洞21同樣設(shè)有一缺口 51，使部份鏡面金屬層1依舊可被暴露于外，而該第二銅箔基板5相對(duì)于缺口 51的內(nèi)壁上亦設(shè)有一電鍍層52，由此，除可提供更加的反射效果，在制程中導(dǎo)線可選擇連接在位置較低的銅箔基板2 上，以降低導(dǎo)線31斷裂的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而提高整體的良率。以上所述是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例及所運(yùn)用的技術(shù)手段，根據(jù)本文的揭露或教導(dǎo)可衍生推導(dǎo)出許多的變更與修正，若依本實(shí)用新型的構(gòu)想所作的等效改變，其所產(chǎn)生的作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋的實(shí)質(zhì)精神時(shí)，均應(yīng)視為在本實(shí)用新型的技術(shù)范疇內(nèi)， 合先陳明。依上文所揭示的內(nèi)容，本實(shí)用新型確可達(dá)到實(shí)用新型的預(yù)期目的，提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，具有產(chǎn)業(yè)利用與實(shí)用的價(jià)值無疑，爰依法提出新型專利申請(qǐng)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一鏡面金屬層；一銅箔基板，結(jié)合于鏡面金屬層上，且該銅箔基板上成形有一孔洞，使部份鏡面金屬層能夠被暴露于外；一發(fā)光二極管晶片，固定于上述被暴露于外的部份鏡面金屬層上；以及一封裝材料，用以覆蓋于孔洞上，以將該發(fā)光二極管晶片封閉于內(nèi)；其特征在于 該銅箔基板相對(duì)于孔洞的內(nèi)壁上設(shè)有一電鍍層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該銅箔基板上增設(shè)有一第二銅箔基板，且該第二銅箔基板對(duì)應(yīng)于該孔洞同樣設(shè)有一缺口，使部份鏡面金屬層能夠被暴露于外，而該第二銅箔基板相對(duì)于缺口的內(nèi)壁上亦設(shè)有一電鍍層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電鍍層為電鍍銀。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鏡面金屬層為鏡面鋁。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該銅箔基板以黏合方式結(jié)合于鏡面金屬層上。
專利摘要一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一鏡面金屬層、一銅箔基板、一發(fā)光二極管晶片及一封裝材料，其中該銅箔基板結(jié)合于鏡面金屬層上，且該銅箔基板上成形有一孔洞，使部份鏡面金屬層可被暴露于外，且該銅箔基板相對(duì)于孔洞的內(nèi)壁上設(shè)有一電鍍層，該發(fā)光二極管晶片固定于上述被暴露于外的部份鏡面金屬層上，而該封裝材料用以覆蓋于孔洞上，以將該發(fā)光二極管晶片封閉于內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202308036SQ20112036455
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者葉家修, 張中浩, 洪漢祥 申請(qǐng)人:合正科技股份有限公司