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一種sod-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管的制作方法

文檔序號(hào):6949223閱讀:214來源:國知局
專利名稱:一種sod-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種二極管,特別涉及一種體積小的S0D123封裝結(jié)構(gòu)的二極管。
背景技術(shù)
隨著微電子電路、表面安裝技術(shù)(SMT)的采用和不斷發(fā)展完善,輕、薄、小成為衡量電子整機(jī)產(chǎn)品的重要標(biāo)志。而要使電子設(shè)備小型化,首先就要考慮電子元件的小型化。片式、小型化是電子元件近些年發(fā)展的主要方向,某種程度講,片式化、小型化已成為衡量電子元件技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。目前市面上的貼片二極管制造企業(yè)在生產(chǎn)S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的貼片二極管時(shí),由于產(chǎn)品的成熟度以及客戶認(rèn)可度,一直延用早期的結(jié)構(gòu)形式,未作任何改進(jìn)。該種結(jié)構(gòu)具體為包括芯片以及上、下料片,上、下料片折彎成高度不同的Z形,芯片通過焊料焊接在上、 下料片的Z形頂邊之間,并通過黑膠本體進(jìn)行封裝。缺點(diǎn)是由于上、下料片均為Z形,使得封裝后整體高度較高,達(dá)到1. 15mm。因此研發(fā)體積更小的S0D-123封裝結(jié)構(gòu)二極管勢在必行。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種體積小的S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管。為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管,包括上料片、下料片和芯片,其創(chuàng)新點(diǎn)在于所述下料片為平面結(jié)構(gòu),所述上料片折彎成 Z形,所述上料片的Z形底邊與下料片齊平,所述芯片通過焊料焊接在上料片的Z形頂邊和下料片之間;所述芯片外封裝有黑膠本體。進(jìn)一步的,所述黑膠本體的下端面與下料片下端面齊平。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于克服原有S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管結(jié)構(gòu)認(rèn)識(shí)偏見,將下料片設(shè)為平面結(jié)構(gòu),上料片折彎成Z形,芯片通過焊料焊接在上料片的Z形頂邊和下料片之間,由于減少下料片的高度,因此二極管整體的高度也得到降低,整體高度低于0. 98mm, 符合電子元件向片式、小型化發(fā)展。采用這種結(jié)構(gòu)的二極管在進(jìn)行封裝時(shí),可將封裝的黑膠本體的下端面與下料片下端面齊平,使得下料片的下端面均露出黑膠本體,相較原有結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)品的散熱效果。

圖1為本實(shí)用新型S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管俯視圖。圖2為本實(shí)用新型S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管剖視圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、2所示,包括上料片1、下料片2、芯片3、黑膠本體4。
3[0012] 上述下料片2為平面結(jié)構(gòu),上料片2折彎成具有頂邊和底邊的Z形,該上料片2的底邊與下料片1齊平,芯片3通過焊料5焊接在上料片1的Z形頂邊和下料片2之間,并在芯片3外封裝有黑膠本體4。封裝的黑膠本體4的下端面與下料片2下端面齊平,使得下料片2的下端面均位于黑膠本體4外,提高了散熱效果。
權(quán)利要求1.一種S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管,包括上料片、下料片和芯片,其特征在于所述下料片為平面結(jié)構(gòu),所述上料片折彎成Z形,所述上料片的Z形底邊與下料片齊平,所述芯片通過焊料焊接在上料片的Z形頂邊和下料片之間;所述芯片外封裝有黑膠本體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的S0D-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管,其特征在于所述黑膠本體的下端面與下料片下端面齊平。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種SOD-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管,包括上料片、下料片和芯片,其創(chuàng)新點(diǎn)在于所述下料片為平面結(jié)構(gòu),所述上料片折彎成Z形,所述上料片的Z形底邊與下料片齊平,所述芯片通過焊料焊接在上料片的Z形頂邊和下料片之間;所述芯片外封裝有黑膠本體??朔蠸OD-123封裝結(jié)構(gòu)的二極管結(jié)構(gòu)認(rèn)識(shí)偏見,將下料片設(shè)為平面結(jié)構(gòu),上料片折彎成Z形,芯片通過焊料焊接在上料片的Z形頂邊和下料片之間,由于減少下料片的高度,因此二極管整體的高度也得到降低,符合電子元件向片式、小型化發(fā)展。
文檔編號(hào)H01L23/49GK202268342SQ201120337539
公開日2012年6月6日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者曹孫根, 李國良, 許波春 申請人:南通康比電子有限公司
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