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一種高封裝效率的半導體元件的制作方法

文檔序號:6941563閱讀:283來源:國知局
專利名稱:一種高封裝效率的半導體元件的制作方法
技術領域
本實用新型涉及半導體技術領域,特別是涉及一種高封裝效率的半導體元件。
背景技術
隨著目前手機和其他掌上設備的流行,便攜式消費電子產(chǎn)品也越來越向小型化發(fā)展,傳統(tǒng)的功率半導體的封裝形式越來越不能滿足便攜式消費電子產(chǎn)品的小型化發(fā)展要求。例如半導體封裝技術中,傳統(tǒng)的T0-252封裝其芯片與封裝體的面積比為1 :2,封裝效率比較低,芯片與封裝體的面積比值遠遠小于1 :1,致使封裝體占據(jù)了過多的PCB有效面積, 從而會影響電子產(chǎn)品的最終外形尺寸。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于避免現(xiàn)有技術中的不足之處而提供一種高封裝效率的半導體元件。本實用新型的目的通過以下技術措施實現(xiàn)。一種高封裝效率的半導體元件,包括封裝外殼、半導體核心和引線框架,所述半導體核心設置于所述封裝外殼內(nèi),所述引線框架的接腳與所述半導體核心電連接,所述半導體核心設置有硅通孔,所述硅通孔內(nèi)部設置有將半導體核心的背面電極引線至正面的金屬線。所述半導體核心的正面設置有絕緣層,所述絕緣層與正面電極對應部分設置有通孔,所述通孔內(nèi)設置有沉積金屬層。所述金屬線設置有保護層。所述硅通孔的內(nèi)壁設置有絕緣層。所述半導體核心的側部和底部設置有鈍化層。本實用新型在半導體核心設置硅通孔,半導體核心的正面的電極形成金屬凸點, 從而形成功率半導體,致使半導體核心與封裝體的面積比接近1,大大提高了芯片面積與封裝面積的比值,有助于提高電子產(chǎn)品的便攜性。

利用附圖對本實用新型做進一步說明,但附圖中的內(nèi)容不構成對本實用新型的任何限制。圖1是本實用新型的一個實施例的結構示意圖。圖2是圖1的右視圖。圖3是圖1的仰視圖。圖4是圖1的C-C剖面圖。附圖標記封裝外殼1,引腳2。
具體實施方式
結合以下實施例對本實用新型作進一步說明。實施例1本實施例的高封裝效率的半導體元件如圖1-4所示,包括封裝外殼、半導體核心和引線框架,所述半導體核心設置于所述封裝外殼內(nèi),所述引線框架的接腳與所述半導體核心電連接,所述半導體核心設置有硅通孔,所述硅通孔內(nèi)部設置有將半導體核心的背面電極引線至正面的金屬線。實施例2本實施例參照圖1-4,在實施例1的基礎上,所述半導體核心的正面設置有絕緣層,所述絕緣層與正面電極對應部分設置有通孔,所述通孔內(nèi)設置有沉積金屬層。所述金屬線設置有保護層。所述硅通孔的內(nèi)壁設置有絕緣層。所述半導體核心的側部和底部設置有鈍化層。最后應當說明的是,以上實施例僅用于說明本實用新型的技術方案而非對本實用新型保護范圍的限制,盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本實用新型技術方案的實質和范圍。
權利要求1.一種高封裝效率的半導體元件,其特征在于包括封裝外殼、半導體核心和引線框架,所述半導體核心設置于所述封裝外殼內(nèi),所述引線框架的接腳與所述半導體核心電連接,所述半導體核心設置有硅通孔,所述硅通孔內(nèi)部設置有將半導體核心的背面電極引線至正面的金屬線。
2.根據(jù)權利要求1所述的高封裝效率的半導體元件,其特征在于所述半導體核心的正面設置有絕緣層,所述絕緣層與正面電極對應部分設置有通孔,所述通孔內(nèi)設置有沉積 ^riM O
3.根據(jù)權利要求1所述的高封裝效率的半導體元件,其特征在于所述金屬線設置有保護層。
4.根據(jù)權利要求1所述的高封裝效率的半導體元件,其特征在于所述硅通孔的內(nèi)壁設置有絕緣層。
5.根據(jù)權利要求1所述的高封裝效率的半導體元件,其特征在于所述半導體核心的側部和底部設置有鈍化層。
專利摘要一種高封裝效率的半導體元件,包括封裝外殼、半導體核心和引線框架,所述半導體核心設置于所述封裝外殼內(nèi),所述引線框架的接腳與所述半導體核心電連接,所述半導體核心設置有硅通孔,所述硅通孔內(nèi)部設置有將半導體核心的背面電極引線至正面的金屬線。所述半導體核心的正面設置有絕緣層,所述絕緣層與正面電極對應部分設置有通孔,所述通孔內(nèi)設置有沉積金屬層。所述金屬線設置有保護層。本實用新型在半導體核心設置硅通孔,半導體核心的正面的電極形成金屬凸點,從而形成功率半導體,致使半導體核心與封裝體的面積比接近1,大大提高了芯片面積與封裝面積的比值,有助于提高電子產(chǎn)品的便攜性。
文檔編號H01L23/48GK202275820SQ20112032366
公開日2012年6月13日 申請日期2011年8月31日 優(yōu)先權日2011年8月31日
發(fā)明者席伍霞 申請人:杰群電子科技(東莞)有限公司
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