專(zhuān)利名稱(chēng)：一種薄膜型太陽(yáng)能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池，特別涉及一種薄膜型太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
目前在太陽(yáng)能電池制造業(yè)中，晶體硅和多晶體硅為基材的產(chǎn)品占主導(dǎo)地位，其市場(chǎng)占有率約為80%以上。由于硅基材價(jià)格昂貴，生產(chǎn)成本高，這成為太陽(yáng)能電池發(fā)展推廣的重大障礙?，F(xiàn)有技術(shù)中，已有以非晶體硅薄膜為主體的薄膜型太陽(yáng)能電池，它以玻璃為襯底，具有制作成本低，并能制成較大面積產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，但其光熱穩(wěn)定性差，光電轉(zhuǎn)換效率低， 穩(wěn)定性也差，這些不可避免的缺點(diǎn)成為非晶體硅薄膜電池廣泛應(yīng)用的壁壘。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，發(fā)明了一種薄膜型太陽(yáng)能電池，不僅能減少對(duì)硅材料的浪費(fèi)，還能顯著增強(qiáng)光熱穩(wěn)定性，提高光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種薄膜型太陽(yáng)能電池，從底層到頂層依次包括玻璃基片、導(dǎo)電膜、非晶硅薄膜和納米級(jí)摻雜型硅薄膜。進(jìn)一步地，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)為玻璃基片為汽車(chē)級(jí)浮法玻璃。進(jìn)一步地，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電膜的厚度為20 50nm。進(jìn)一步地，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)為 納米級(jí)摻雜型硅薄膜的晶粒大小為1 6nm，膜層厚度為30 60nm。由于在太陽(yáng)能薄膜電池表面采用了納米級(jí)摻雜型硅薄膜，使得硅的使用量大大減少，降低了制造成本；另外，晶粒大小為1 6nm、膜層厚度為30 60nm的微晶結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了太陽(yáng)能薄膜電池的光熱穩(wěn)定性，提高了光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了太陽(yáng)能薄膜電池的使用壽命。

圖1是本實(shí)用新型薄膜型太陽(yáng)能電池的截面示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，以使得本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)更加明確。如圖1所示，薄膜型太陽(yáng)能電池從底層到頂層依次為汽車(chē)級(jí)浮法玻璃1、導(dǎo)電膜2、 非晶硅薄膜3和納米級(jí)摻雜型硅薄膜4。其中，導(dǎo)電膜3的厚度為20 50nm。納米級(jí)摻雜型硅薄膜4的晶粒大小為1 6nm，膜層厚度為30 60nm。納米級(jí)摻雜型硅薄膜4膜層的膜料為h、Sn、ai和Cd的氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料。采用磁控濺射法，對(duì)玻璃基片1進(jìn)行濺射涂覆，依次形成導(dǎo)電膜2、非晶硅薄膜 3和納米級(jí)摻雜型硅薄膜4。需要注意的是，上述具體實(shí)施例僅僅是示例性的，在本實(shí)用新型的上述教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行各種改進(jìn)和變形，而這些改進(jìn)或者變形落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，上面的具體描述只是為了解釋本實(shí)用新型的目的，并非用于限制本實(shí)用新型。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求1.一種薄膜型太陽(yáng)能電池，其特征在于從底層到頂層依次包括玻璃基片、導(dǎo)電膜、非晶硅薄膜和納米級(jí)摻雜型硅薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽(yáng)能電池，其特征在于所述玻璃基片為汽車(chē)級(jí)浮法玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜型太陽(yáng)能電池，其特征在于所述導(dǎo)電膜的厚度為 20 50 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽(yáng)能電池，其特征在于所述納米級(jí)摻雜型硅薄膜的晶粒大小為1 6 nm，膜層厚度為30 60匪。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄膜型太陽(yáng)能電池，從底層到頂層依次包括玻璃基片、導(dǎo)電膜、非晶硅薄膜和納米級(jí)摻雜型硅薄膜。采用該技術(shù)方案后，不僅增強(qiáng)了太陽(yáng)能薄膜電池的光熱穩(wěn)定性，而且提高了光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了太陽(yáng)能薄膜電池的使用壽命。
文檔編號(hào)H01L31/0392GK202205766SQ201120312290
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
發(fā)明者李攀登, 王志堅(jiān), 申偉, 趙霞 申請(qǐng)人:常州華美光伏材料有限公司