專利名稱：Tft像素單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種液晶面板的像素單元，特別是有關(guān)于一種具有縱向結(jié)構(gòu)的 TFT像素單元。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參考圖1所示，是現(xiàn)有TFT (thin-film transistor,薄膜晶體管)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。一般來說，TFT像素單元包含掃描線90、資料線91、像素電極(圖中未示)及開關(guān)單元93，所述開關(guān)單元93包含柵極930、半導(dǎo)體層931、漏極932以及源極933。所述柵極930是所述掃描線90的一部分。所述半導(dǎo)體層931設(shè)置于所述柵極930上。所述漏極932則自所述資料線91 一側(cè)延伸出而配置于所述半導(dǎo)體層931上。所述源極933則配置于所述半導(dǎo)體層931上并連接所述像素電極。對(duì)柵極930施加適當(dāng)電壓，即可在半導(dǎo)體層931形成電子通道，而使漏極932與源極933之間形成導(dǎo)通狀態(tài)，達(dá)到開關(guān)的作用，此時(shí)， 連接源極933的像素電極即可被充電。從圖1可知，所述漏極932與所述源極933是配置于所述半導(dǎo)體層931的頂面。快速的充電能力及高開口率(aperture ratio)是一般TFT液晶顯示器對(duì)像素單元的設(shè)計(jì)需求。就現(xiàn)有技術(shù)而言，一般可藉由減少通道寬度(如圖1的C)或者增大源極與漏極之間的通道范圍，來提高像素單元的充電能力。然而，減少通道寬度通常需要輔以特殊光罩及光阻的配合，制作設(shè)計(jì)困難。而增大通道范圍則會(huì)造成開口率的損失，使TFT液晶顯示器的光穿透率下降。故，有必要提供一種TFT像素單元，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種TFT像素單元，其通過縱向的TFT像素結(jié)構(gòu)， 減少了開口率的損失。為達(dá)成本實(shí)用新型的前述目的，本實(shí)用新型提供一種TFT像素單元，所述TFT像素單元包含一掃描線，具有一內(nèi)側(cè)面；一第一絕緣層，設(shè)于所述掃描線上并包覆所述內(nèi)側(cè)面；一資料線，與所述掃描線彼此絕緣交錯(cuò)而共同定義一像素區(qū)；一漏極段，自所述資料線一側(cè)延伸出而配置于第一絕緣層上；一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述源極段的頂面；一源極段，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的頂面，所述漏極段、半導(dǎo)體層與所述源極段鄰近所述掃描線的內(nèi)側(cè)面；以及一像素電極，設(shè)置所述像素區(qū)內(nèi)并連接所述源極段。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述源極段的寬度與所述半導(dǎo)體層的寬度相等。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述TFT像素單元還包含一共電極線與一第二電極，其中所述共電極線是隔著所述第一絕緣層絕緣地配置于所述像素電極底下，并與所述掃描線平行，且與所述資料線絕緣交錯(cuò)；所述第二電極是對(duì)應(yīng)所述共電極線的位置而設(shè)于所述第一絕緣層上，并連接所述像素電極。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述TFT像素單元還包含一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層是覆蓋所述源極段、所述半導(dǎo)體層、所述漏極段及所述第二電極，并具有一對(duì)應(yīng)所述源極段的第一穿孔，所述像素電極是通過所述第一穿孔連接所述源極段。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第二絕緣層還具有一對(duì)應(yīng)所述第二電極的第二穿孔，所述像素電極是通過所述第二穿孔連接所述第二電極。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層包含非晶硅層及η型非晶硅層。本實(shí)用新型主要是將所述資料線、漏極段、半導(dǎo)體層與源極段構(gòu)成一縱向堆疊結(jié)構(gòu)的TFT開關(guān)，減少了開口率的損失。

圖1是現(xiàn)有TFT像素單元的局部平面圖。圖2是本實(shí)用新型TFT像素單元一較佳實(shí)施例的局部平面圖。圖3是圖2沿Α-Α，的剖視圖。
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實(shí)用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、 「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。請(qǐng)參考圖2及圖3所示，圖2及圖3分別為本實(shí)用新型TFT像素單元一較佳實(shí)施例的局部平面圖及剖視圖。本實(shí)用新型的TFT像素單元是應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器， 包含有一掃描線10、一第一絕緣層11、一資料線12、一漏極段13、一半導(dǎo)體層14、一源極段 15以及一像素電極16。所述掃描線10是導(dǎo)電材料所構(gòu)成，具有一內(nèi)側(cè)面100。所述第一絕緣層11是通過沉積方式設(shè)于所述掃描線10上并包覆所述內(nèi)側(cè)面100。 所述第一絕緣層11優(yōu)選是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)薄膜。所述資料線12與所述掃描線10是利用所述第一絕緣層11而彼此絕緣交錯(cuò)，且所述資料線12與所述掃描線10共同定義一像素區(qū)。所述漏極段13自所述資料線12 —側(cè)延伸出而配置于第一絕緣層上11。更詳細(xì)地，所述漏極段13是沿著與所述掃描線10平行的方向延伸，而隔著所述第一絕緣層11鄰近所述掃描線10的內(nèi)側(cè)面100。所述半導(dǎo)體層14是設(shè)置于所述漏極段13的頂面。同樣的，所述半導(dǎo)體層14是沿著與所述掃描線10平行的方向延伸，而隔著所述第一絕緣層上11鄰近所述掃描線10的內(nèi)側(cè)面100。所述半導(dǎo)體層14優(yōu)選是包含非晶硅層14a(Amorphus Silicon, a-Si)及η型非晶硅層14b。所述源極段15是設(shè)置于所述半導(dǎo)體層14的頂面。同樣的，所述源極段15是沿著與所述掃描線10平行的方向延伸，而隔著所述第一絕緣層上11鄰近所述掃描線10的內(nèi)側(cè)面100。所述源極段15的寬度優(yōu)選是與所述半導(dǎo)體層14的寬度相等。所述像素電極16是設(shè)置所述像素區(qū)內(nèi)并連接所述源極段15。本實(shí)施例中，本實(shí)用新型TFT像素單元還包含一共電極線17、一第二電極18及一第二絕緣層19。所述共電極線17是隔著所述第一絕緣層11絕緣地配置于所述像素電極16底下， 并與所述掃描線10平行，且同樣與所述資料線12絕緣交錯(cuò)。所述第二電極18是對(duì)應(yīng)所述共電極線17的位置而設(shè)于所述第一絕緣層11上，并連接所述像素電極16。所述第二電極18與所述共電極線17構(gòu)成一可儲(chǔ)存像素電壓的儲(chǔ)存電容。所述第二絕緣層19是覆蓋所述漏極段13、所述半導(dǎo)體層14、所述源極段15及所述第二電極18。再者，所述第二絕緣層19具有一對(duì)應(yīng)所述源極段15的第一穿孔200，使所述像素電極16可通過所述第一穿孔200連接所述源極段15。所述第二絕緣層19還具有一對(duì)應(yīng)所述第二電極18的第二穿孔201，使所述像素電極16可通過所述第二穿孔201連接所述第二電極18。本實(shí)用新型的TFT像素單元中，所述漏極段13、半導(dǎo)體層14與源極段15所堆疊而成的結(jié)構(gòu)隔著所述第一絕緣層11而相對(duì)所述掃描線10形成一縱向?qū)ΟB的TFT開關(guān)架構(gòu)， 其中所述掃描線10即為柵極端。當(dāng)掃描線10接收適當(dāng)電壓時(shí)，所述半導(dǎo)體層14即在所述漏極段13與源極段15之間形成電子通道。而此半導(dǎo)體層14可通過沉積工藝達(dá)到需求的膜厚，進(jìn)而產(chǎn)生小通道高電流充電的功能。由上述說明可知，相較于現(xiàn)有TFT像素單元的源極配置于半導(dǎo)體層的頂面，本實(shí)用新型的TFT像素單元的漏極段13、半導(dǎo)體層14與源極段15構(gòu)成縱向?qū)ΟB的TFT開關(guān)架構(gòu)，相對(duì)減少了開口率的損失，進(jìn)而有助于提升液晶顯示器的畫質(zhì)。本實(shí)用新型已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本實(shí)用新型的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本實(shí)用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種TFT像素單元，其特征在于所述TFT像素單元包含 一掃描線，具有一內(nèi)側(cè)面；一第一絕緣層，設(shè)于所述掃描線上并包覆所述內(nèi)側(cè)面； 一資料線，與所述掃描線彼此絕緣交錯(cuò)而共同定義一像素區(qū)； 一漏極段，自所述資料線一側(cè)延伸出而配置于第一絕緣層上； 一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述源極段的頂面；一源極段，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的頂面，所述漏極段、半導(dǎo)體層與所述源極段鄰近所述掃描線的內(nèi)側(cè)面；以及一像素電極，設(shè)置所述像素區(qū)內(nèi)并連接所述源極段。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于所述源極段的寬度與所述半導(dǎo)體層的寬度相等。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于所述TFT像素單元還包含一共電極線與一第二電極，其中所述共電極線是隔著所述第一絕緣層絕緣地配置于所述像素電極底下，并與所述掃描線平行，且與所述資料線絕緣交錯(cuò)；所述第二電極是對(duì)應(yīng)所述共電極線的位置而設(shè)于所述第一絕緣層上，并連接所述像素電極。
4.如權(quán)利要求3所述的TFT像素單元，其特征在于所述TFT像素單元還包含一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層是覆蓋所述漏極段、所述半導(dǎo)體層、所述源極段及所述第二電極，并具有一對(duì)應(yīng)所述源極段的第一穿孔，所述像素電極是通過所述第一穿孔連接所述源極段。
5.如權(quán)利要求4所述的TFT像素單元，其特征在于所述第二絕緣層還具有一對(duì)應(yīng)所述第二電極的第二穿孔，所述像素電極是通過所述第二穿孔連接所述第二電極。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于所述半導(dǎo)體層包含非晶硅層及η型非晶娃層。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種TFT像素單元，其包含掃描線、第一絕緣層、資料線、源極段、半導(dǎo)體層、漏極段及像素電極。所述第一絕緣層設(shè)于掃描線上并包覆其內(nèi)側(cè)面。資料線與掃描線彼此絕緣交錯(cuò)而共同定義一像素區(qū)。漏極段自資料線一側(cè)延伸出而配置于第一絕緣層上。半導(dǎo)體層設(shè)置于漏極段的頂面。源極段設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的頂面。漏極段、半導(dǎo)體層與源極段鄰近掃描線的內(nèi)側(cè)面。像素電極設(shè)置像素區(qū)內(nèi)并連接源極段。所述資料線、漏極段、半導(dǎo)體層與源極段構(gòu)成一縱向堆疊結(jié)構(gòu)的TFT開關(guān)，減少了開口率的損失。
文檔編號(hào)H01L27/02GK202167491SQ20112028612
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者康志聰 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司