專利名稱：半導(dǎo)體引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及半導(dǎo)體引線框架。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品已經(jīng)深入社會(huì)生活的各個(gè)領(lǐng)域。隨著電子技術(shù)、加工技術(shù)和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，電子元器件的散熱問題漸漸凸現(xiàn)出來。電子元器件的工作溫度范圍一般是-5 65°C，超過這個(gè)范圍，元器件性能將顯著下降，并且不能穩(wěn)定工作，因而影響系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性。單個(gè)半導(dǎo)體組件的溫度升高10°C，系統(tǒng)的可靠性能降低50%。目前，電子元器件不僅在國防、軍工，通訊等重要領(lǐng)域起著關(guān)鍵作用，而且在人民生活中也有廣泛的應(yīng)用，而這些領(lǐng)域中對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性的要求亦日益增高。所以電子元器件的散熱問題卻顯得越來越重要了。引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。產(chǎn)品類型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP (QFJ)、SOD、SOT等，主要用模具沖壓法和化學(xué)刻蝕法進(jìn)行生產(chǎn)。引線框架包括用于焊接半導(dǎo)體芯片的位于引線框架中心區(qū)域的焊芯片區(qū)，以及布置于焊芯片區(qū)周圍的管腳。在封裝時(shí)，先將半導(dǎo)體芯片布置于焊芯片區(qū)，然后用環(huán)氧樹脂塑封半導(dǎo)體芯片和引線框架?，F(xiàn)在大量生產(chǎn)的i^or RiWxm制程的SOP類電子組件采用的是全包封設(shè)計(jì)，主要通過環(huán)氧樹脂膠體散熱，由于環(huán)氧樹脂的膠體導(dǎo)熱性能不佳(環(huán)氧樹脂熱傳導(dǎo)率0. 94 W/mk)，在功率越來越大封裝尺寸越來越小的需求下，SOP全包封的散熱缺點(diǎn)越來越明顯。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種半導(dǎo)體引線框架， 其具有更為優(yōu)良的散熱特性。本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)措施實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體引線框架，包括焊芯片區(qū)和管腳，所述管腳和焊芯片區(qū)連接有彎折段，所述管腳與焊芯片區(qū)平行。所述彎折段與所述管腳和焊芯片區(qū)的相交角度為60°。所述管腳與所述焊芯片區(qū)的落差為0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸。優(yōu)選的，還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)外部的鋁箔。優(yōu)選的，還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)外部的銅板。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體引線框架以現(xiàn)有的封裝設(shè)備為基礎(chǔ)，在塑封后有暴露于環(huán)氧樹脂塑封體外的散熱板用于散熱，大大改善了 SOP全包封散熱不良的狀況。
利用附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明，但附圖中的內(nèi)容不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制。圖1 (a)是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)圖。圖1 (b)是圖1 (a)的B-B剖面圖。圖1 (c)是圖1 (a)的A-A剖面圖。圖2是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的封裝后的示意圖。附圖標(biāo)記焊芯片區(qū)1，管腳2，彎折段3，散熱板4。
具體實(shí)施方式
結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。實(shí)施例1本實(shí)施例的半導(dǎo)體引線框架如圖1所示，包括焊芯片區(qū)1和管腳2，所述管腳2和焊芯片區(qū)1連接有彎折段3，所述管腳2與焊芯片區(qū)1平行。所述彎折段3與所述管腳2和焊芯片區(qū)1的相交角度為60°。所述管腳2與所述焊芯片區(qū)1的落差為0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸。本實(shí)施例還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)1外部的鋁箔，如圖2，封裝后散熱板4露出。本實(shí)施例以現(xiàn)有的封裝設(shè)備為基礎(chǔ)新設(shè)計(jì)一款引線框架，該款框架于Ribbon 制程的SOP功用完全相同(腳位和焊線的內(nèi)引腳完全相同)，由于本設(shè)計(jì)的引線框架在塑封后有暴露于環(huán)氧樹脂塑封體外的散熱板用于散熱。本實(shí)施例有8只管腳和Pad構(gòu)成，其中上方四個(gè)管腳與I^ad(焊芯片區(qū))相連接作為接地極，下方四個(gè)腳中有三只相連作為Source極供焊線和焊鋁箔使用，另一獨(dú)立腳作為 Gate 極供焊線用。Pad 和 Source & Gate 極的 Down set (落差)為 0. 0236+0. 0013/-0. 000 Inch。第二部分0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸的落差可以保證在封裝后使散熱板4露出且避免溢膠以利于電鍍。為更好的避免溢膠需使I^ad Tilt為負(fù)值(逆時(shí)針方向)。實(shí)施例2本實(shí)施例參照?qǐng)D1 一 3，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，與實(shí)施例1不同的是，還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)1外部的銅板。純銅散熱板熱傳導(dǎo)系數(shù)為^4W/mk，大大改善了 SOP全包封散熱不良的狀況。最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.半導(dǎo)體引線框架，包括焊芯片區(qū)和管腳，其特征在于所述管腳和焊芯片區(qū)連接有彎折段，所述管腳與焊芯片區(qū)平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體引線框架，其特征在于所述彎折段與所述管腳和焊芯片區(qū)的相交角度為60°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體引線框架，其特征在于所述管腳與所述焊芯片區(qū)的落差為 0. 0236+0. 0013/-0. 000 英寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體引線框架，其特征在于還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)外部的鋁箔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體引線框架，其特征在于還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)外部的銅板。
專利摘要半導(dǎo)體引線框架，包括焊芯片區(qū)和管腳，所述管腳和焊芯片區(qū)連接有彎折段，所述管腳與焊芯片區(qū)平行。所述彎折段與所述管腳和焊芯片區(qū)的相交角度為60°。所述管腳與所述焊芯片區(qū)的落差為0.0236+0.0013/-0.000英寸，還包括設(shè)置于所述焊芯片區(qū)外部的鋁箔或銅板。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體引線框架以現(xiàn)有的封裝設(shè)備為基礎(chǔ)，在塑封后有暴露于環(huán)氧樹脂塑封體外的散熱板用于散熱，大大改善了SOP全包封散熱不良的狀況。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202189779SQ201120271059
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者席伍霞, 曹周, 陶少勇 申請(qǐng)人:杰群電子科技(東莞)有限公司