專(zhuān)利名稱:一種太陽(yáng)能硅片的裂片工具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能硅片加工工具,具體涉及一種太陽(yáng)能硅片的裂片工具。
背景技術(shù):
隨著太陽(yáng)能電池行業(yè)的迅速發(fā)展,擁有一種能夠保證良好的晶粒外觀的作業(yè)方式,是去除影響產(chǎn)量提高的貧瘠,保證產(chǎn)品的信賴性,增加企業(yè)形象,增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力不可或缺的技術(shù)攻關(guān)。硅片采用刀片切剖,在保證切割外觀良好的前提下,切割的最大速度為50mm/s。對(duì)于大晶粒尺寸的硅片例如140mil,切割速度為20mm/s,切割效率偏低。而采用激光半切透, 激光切割的速度為160mm/s。其二,對(duì)于0/J的硅片若采用刀片切割完全切透的方式,由于刀片刀刃處呈現(xiàn)梯形的坡度,造成晶粒側(cè)面P/N結(jié)呈現(xiàn)波度,影響晶粒電壓以及電性的穩(wěn)定性。其三,采用刀片切割造成蘭膜的浪費(fèi),水、氣的浪費(fèi)。在太陽(yáng)能電池的硅片制程中,對(duì)于0/J硅片(沒(méi)有溝槽的類(lèi)型硅片)采用刀片半切透狀態(tài)后,或硅片(具有玻璃鈍化保護(hù)P/N結(jié)的類(lèi)型硅片)在激光切割硅片后,對(duì)呈現(xiàn)半切透狀態(tài)的硅片采用被切剖面朝下,在相反的一面施加垂直于硅片均勻的力進(jìn)行裂片,以達(dá)到將整個(gè)硅片分割成符合要求的單個(gè)小晶粒的目的。為此,我們將硅片放置在彈性承托板上,再將晶片上覆蓋一層膜,然后,用膠棒對(duì)晶片來(lái)回碾壓,著力點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)晶片上溝槽部位。 但使用中,我們發(fā)現(xiàn)硅片在膠棒往復(fù)碾壓過(guò)程中,分裂下來(lái)的晶粒會(huì)出現(xiàn)水平位移,造成錯(cuò)位。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種可避免晶粒出現(xiàn)水平位移的太陽(yáng)能硅片的裂片工具。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是設(shè)計(jì)一種太陽(yáng)能硅片的裂片工具,所述裂片工具包括一彈性的硅片承托板,以及滾碾硅片使硅片分裂為若干晶粒的硬質(zhì)膠棒, 其特征在于,所述硅片承托板上設(shè)置有若干個(gè)呈陣列排布的容納硅片的的凹槽,所述凹槽的深度小于硅片厚度。作為優(yōu)選的技術(shù)方案,在所述硅片承托板下還設(shè)有襯板。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于由于太陽(yáng)能硅片的裂片工具在晶片承托板上設(shè)置了若干個(gè)淺凹槽,相當(dāng)于給硅片整體的邊緣設(shè)置了一個(gè)定位阻攔臺(tái)階。這樣,無(wú)論從那個(gè)方向?qū)M(jìn)行碾壓,也不會(huì)造成晶粒的串動(dòng)、錯(cuò)位。在硅片承托板下部設(shè)置襯板,是為便于操作者轉(zhuǎn)動(dòng)硅片承托板,按90°角度轉(zhuǎn)動(dòng),適應(yīng)縱橫交錯(cuò)的溝槽,也更符合操作者用力習(xí)慣。
圖1是本實(shí)用新型太陽(yáng)能硅片的裂片工具的結(jié)構(gòu)示意圖;[0010]圖2是圖1的俯視圖。圖中1 晶片承托板;2、凹槽;3、溝槽;4、晶粒;5、膠棒;6、硅片;7、底板。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,而不能以此來(lái)限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本實(shí)用新型如圖1、2所示,包括一彈性的硅片承托板1,以及滾碾硅片6使硅片6 分裂為若干晶粒4的硬質(zhì)膠棒5,所述硅片承托板1上設(shè)有容納硅片6的凹槽2,所述凹槽的深度小于硅片6厚度。在所述晶片承托板1下還設(shè)有襯板7。本實(shí)用新型使用方法如下1)、將硅片6置入凹槽2內(nèi),再施加其它工藝手段;2)、采用膠棒5沿硅片6上的溝槽3進(jìn)行滾碾,橫向溝槽3滾碾完畢后,轉(zhuǎn)動(dòng)晶片承托板1,對(duì)縱向溝槽再進(jìn)行滾碾,直至硅片6沿溝槽3分裂為若干晶粒4。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能硅片的裂片工具,所述裂片工具包括一彈性的硅片承托板,以及滾碾硅片使硅片分裂為若干晶粒的硬質(zhì)膠棒,其特征在于,所述硅片承托板上設(shè)置有若干個(gè)呈陣列排布的容納硅片的的凹槽,所述凹槽的深度小于硅片厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能硅片的裂片工具,其特征在于,在所述硅片承托板下還設(shè)有襯板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)能硅片的裂片工具,所述裂片工具包括一彈性的硅片承托板,以及滾碾硅片使硅片分裂為若干晶粒的硬質(zhì)膠棒,所述硅片承托板上設(shè)置有若干個(gè)呈陣列排布的容納硅片的凹槽,所述凹槽的深度小于硅片厚度;在所述硅片承托板下還設(shè)有襯板。由于太陽(yáng)能硅片的裂片工具在晶片承托板上設(shè)置了若干個(gè)淺凹槽,相當(dāng)于給硅片整體的邊緣設(shè)置了一個(gè)定位阻攔臺(tái)階。這樣,無(wú)論從那個(gè)方向?qū)M(jìn)行碾壓,也不會(huì)造成晶粒的串動(dòng)、錯(cuò)位。在硅片承托板下部設(shè)置襯板,是為便于操作者轉(zhuǎn)動(dòng)硅片承托板,按90°角度轉(zhuǎn)動(dòng),適應(yīng)縱橫交錯(cuò)的溝槽,也更符合操作者用力習(xí)慣。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202189822SQ20112026317
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者李向清, 沈彪, 胡德良 申請(qǐng)人:江陰市愛(ài)多光伏科技有限公司