專利名稱：一種應用于晶片擴散摻雜的固定裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種應用于晶片擴散摻雜的固定裝置，屬半導體晶片制備設備技術領域。
背景技術：
擴散外延技術是將晶片放置在具有一定摻雜源濃度的環(huán)境中，在高溫、高壓的環(huán)境下使得所需的摻雜材料從半導體晶片表面向材料內部擴散，使得半導體材料表面的局部或全部區(qū)域出現(xiàn)高濃度摻雜，從而在半導體表材料表面制作PN結的一種方法。比如在摻Si 的N型GaAs半導體晶片表面摻入高濃度的Si，可使得晶片在摻有高濃度Si的區(qū)域轉化為 P型半導體，從而形成所需的PN結結構。擴散制作PN結的外延技術具有設備簡單，摻雜區(qū)域可控，生長過程及廢棄物無毒、安全等優(yōu)點，在發(fā)光二極管、太陽能電池、微波器件等材料領域占有重要位置。目前，半導體晶片所用的擴散外延裝置未見公開報道。發(fā)明內容本實用新型的目的是，公開一種簡單、適用的半導體晶片擴散外延裝置。本實用新型的技術方案是，本裝置在于它是由石墨制作成內有多個晶片固定位置，同時在晶片的邊緣設置有放置擴散材料的小孔，裝置上下四周有可上下相互嵌套的固定沿，在使用時多層疊加時不同層的舟上下可以相互嵌套，并使的每一層舟內部形成一個具有一定空間的密閉區(qū)域。所述裝置是由石墨制成，形狀為薄長方體，裝置的外形尺寸為長250 mm-500 mm, 寬80 mm -100 mm,高8 mm-12 mm ；所述裝置包括石墨舟、晶片固定區(qū)、擴散材料放置區(qū)和相互嵌套的上、下固定沿；石墨舟為一長方形平面凹臺，邊沿為上固定沿，石墨舟上固定沿內框稍大于所述裝置底部凸沿的長方形尺寸，石墨舟上固定沿的深度大于所述裝置底部的凸沿的高度，可以在使用不同層的石墨舟上下相互嵌套，但又能留有一定空隙，使得每一層舟內部形成一個具有一定空間的密閉區(qū)域。晶片固定區(qū)是設在石墨舟平面凹臺上的圓形凹臺， 多個晶片固定區(qū)合理安排在石墨舟平面凹臺上，晶片固定區(qū)的直徑為60 mm -80 mm,深度為 1 mm -3 mm ；擴散材料放置區(qū)是設在石墨舟凹臺上的小圓形凹槽，多個擴散材料放置區(qū)分布在石墨舟平面凹臺上晶片固定區(qū)之間的空余位置，擴散材料放置區(qū)直徑為5 mm -20 mm,深度為 2 mm -5 mm。本實用新型裝置結構簡單，安裝方便，使用可靠，尤其是多個石墨舟同時工作時， 可使用不同層的石墨舟上下相互嵌套時，使得每一層舟內部形成一個具有一定空間的密閉區(qū)域。本實用新型可應用于大規(guī)模半導體表面擴散摻雜的生產(chǎn)。
圖1為本實用新型晶片擴散摻雜的固定裝置主視圖；圖2為本實用新型晶片擴散摻雜的固定裝置剖視圖；其中，1是石墨舟；2是晶片固定區(qū)；3是擴散材料放置區(qū)；4是相互嵌套的固定沿。
具體實施方式
本實用新型具體實施方式
如圖1和圖2所示。本實施例晶片擴散摻雜的固定裝置由石墨制成，包括石墨舟1、晶片固定區(qū)2、擴散材料放置區(qū)3和相互嵌套的上固定沿4。本實施例晶片擴散摻雜的固定裝置由石墨制成， 裝置尺寸(長X寬X高)為280 mm X 80 mm X 25 mm，石墨舟平面凹臺尺寸(長X寬X深) 為272 mm X 72 mm XlO mm，裝置底部的凸沿的尺寸(長χ寬X高)為270 mm χ 70 mm χ 7 mm ；在石墨舟平面凹臺上開設4個晶片固定區(qū)，晶片固定區(qū)直徑為60 mm，深度為2 mm ；在石墨舟平面凹臺上開設4個擴散材料放置區(qū)，擴散材料放置區(qū)直徑為15 mm，深度為5mm。本實施例一次可放置4塊晶片進行擴散摻雜處理，可以將多個裝置相互嵌套進行處理。
權利要求1.一種應用于晶片擴散摻雜的固定裝置，其特征在于，所述裝置形狀為薄長方體，所述裝置包括石墨舟、晶片固定區(qū)、擴散材料放置區(qū)和相互嵌套的上、下固定沿；石墨舟為一長方形平面凹臺，邊沿為上固定沿，石墨舟上固定沿內框稍大于所述裝置底部的長方形凸沿尺寸，石墨舟上固定沿的深度大于所述裝置底部的凸沿的高度；晶片固定區(qū)是設在石墨舟平面凹臺上的圓形凹臺，多個晶片固定區(qū)合理安排在石墨舟平面凹臺上；擴散材料放置區(qū)是設在石墨舟凹臺上的小圓形凹槽，多個擴散材料放置區(qū)分布在石墨舟平面凹臺上晶片固定區(qū)之間的空余位置。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種應用于晶片擴散摻雜的固定裝置，其特征在于，所述裝置的外形尺寸為長250 mm -500 mm,寬80 mm -100 mm,高8 mm -12 mm ；所述晶片固定區(qū)的直徑為 60 mm -80 mm,深度為1 mm -3 mm ；所述擴散材料放置區(qū)直徑為5 mm -20 mm,深度為2 mm -5 mm。
專利摘要一種應用于晶片擴散摻雜的固定裝置，該裝置形狀為薄長方體，所述裝置包括石墨舟(1)、晶片固定區(qū)(2)、擴散材料放置區(qū)(3)和相互嵌套的上固定沿(4)和下固定沿；石墨舟(1)為一長方形平面凹臺，邊沿為上固定沿，石墨舟上固定沿(4)內框稍大于所述裝置底部下凸沿的長方形尺寸，石墨舟上固定沿的深度大于所述裝置底部的下凸沿的高度；晶片固定區(qū)(2)是設在石墨舟平面凹臺上的圓形凹臺，多個晶片固定區(qū)合理安排在石墨舟平面凹臺上；擴散材料放置區(qū)(3)是設在石墨舟凹臺上的小圓形凹槽，多個擴散材料放置區(qū)分布在石墨舟平面凹臺上晶片固定區(qū)之間的空余位置。本實用新型可應用于大規(guī)模半導體表面擴散摻雜的生產(chǎn)。
文檔編號H01L21/673GK202084521SQ20112022162
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權日2011年6月28日
發(fā)明者萬金平, 任強, 何民華, 涂小昆 申請人:江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司