專利名稱：一種大面積超薄單晶硅太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池，尤其涉及一種大面積超薄單晶硅太陽能電池。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的太陽能電池，在世界太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)和市場的嚴峻的能源替代形式和人類生態(tài)環(huán)境壓力下，在持續(xù)進步和逐步完善的法規(guī)政策的強力推動下快速發(fā)展。太陽能電池的年產(chǎn)量最近10年得平均增長速度為37%，最近5年得平均增長速度為45%，成為世界上發(fā)展最快的行業(yè)之一。據(jù)歐洲聯(lián)合中心預(yù)測，到2030年，太陽能光伏發(fā)電在世界總電力的供應(yīng)達到10% 以上；2040年太陽能光伏發(fā)電將占總電力的20%以上；到本世紀末太陽能光伏發(fā)電將占電力的60%以上。在我國，隨著《可再生能源法》的頒布實施，利用法律和市場機制來推動新能源的利用，必將大大加快我國太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。目前，硅太陽電池是產(chǎn)量最為成熟的太陽能電池，占世界太陽能電池產(chǎn)量的90%，因此硅太陽能電池降低生產(chǎn)成本，提高轉(zhuǎn)化效率的意義十分重大，大面積化以及薄片化生產(chǎn)將成為電池片生產(chǎn)的主要發(fā)展趨勢。
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明目的為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實用新型提供一種結(jié)構(gòu)合理，轉(zhuǎn)化效率高的大面積超薄型高效率單晶硅太陽能電池。技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采樣的技術(shù)方案為一種大面積超薄單晶硅太陽能電池，其上、下表面積為125mmX125mm;該太陽能電池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作為負極面的N+P結(jié)層；在P型硅片背面制成作為正極面的P+P結(jié)層；所述負極面通過負極金屬電極引出，所述正極面通過正極金屬電極引出，所述負極金屬電極和正極金屬電極相串聯(lián)；在N+P結(jié)層和P+P結(jié)層噴涂有氮化硅層。有益效果本實用新型提供的大面積超薄單晶硅太陽能電池，在硅片的兩面都形成光照轉(zhuǎn)化結(jié)構(gòu)，與普通太陽能電池相比，可增加實際的輸出功率，更有效地利用了太陽能，并降低了生產(chǎn)成本。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型作更進一步的說明。如附圖1所示為一種大面積超薄單晶硅太陽能電池，該太陽能電池的上、下表面積為125mmX125mm;該太陽能電池包括P型硅片1，在P型硅片1正面制成作為負極面的 N+P結(jié)層2 ；在P型硅片1背面制成作為正極面的P+P結(jié)層3 ；所述負極面通過負極金屬電極 4引出，所述正極面通過正極金屬電極5引出，所述負極金屬電極4和正極金屬電極5相串聯(lián)；在N+P結(jié)層2和P+P結(jié)層3噴涂有氮化硅層。 以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1. 一種大面積超薄單晶硅太陽能電池，其特征在于該太陽能電池的上、下表面積為 125mmX 125mm ；該太陽能電池包括P型硅片(1 )，在P型硅片(1)正面制成作為負極面的N+P 結(jié)層(2);在P型硅片(1)背面制成作為正極面的P+P結(jié)層(3);所述負極面通過負極金屬電極(4)引出，所述正極面通過正極金屬電極(5)引出，所述負極金屬電極(4)和正極金屬電極(5)相串聯(lián)；在N+P結(jié)層(2)和P+P結(jié)層(3)噴涂有氮化硅層。
專利摘要本實用新型公開了一種大面積超薄單晶硅太陽能電池，其上、下表面積為125mm×125mm；該太陽能電池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作為負極面的N+P結(jié)層；在P型硅片背面制成作為正極面的P+P結(jié)層；所述負極面通過負極金屬電極引出，所述正極面通過正極金屬電極引出，所述負極金屬電極和正極金屬電極相串聯(lián)；在N+P結(jié)層和P+P結(jié)層噴涂有氮化硅層。本實用新型提供的大面積超薄單晶硅太陽能電池，在硅片的兩面都形成光照轉(zhuǎn)化結(jié)構(gòu)，與普通太陽能電池相比，可增加實際的輸出功率，更有效地利用了太陽能，并降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L31/0352GK202134563SQ20112021818
公開日2012年2月1日 申請日期2011年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月26日
發(fā)明者倪云達, 胡宏珊, 葛正芳 申請人:江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司