專利名稱：一種天線及具有該天線的mimo天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于通信領(lǐng)域，具體地，涉及一種天線以及具有該天線的MIMO天線。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝的高度發(fā)展，對當(dāng)今的電子系統(tǒng)集成度提出了越來越高的要求， 器件的小型化成為了整個產(chǎn)業(yè)非常關(guān)注的技術(shù)問題。然而，不同于IC芯片遵循“摩爾定律” 的發(fā)展，作為電子系統(tǒng)的另外重要組成一射頻模塊，卻面臨著器件小型化的高難度技術(shù)挑戰(zhàn)。射頻模塊主要包括了混頻、功放、濾波、射頻信號傳輸、匹配網(wǎng)絡(luò)與天線等主要器件。 其中，天線作為最終射頻信號的輻射單元和接收器件，其工作特性將直接影響整個電子系統(tǒng)的工作性能。然而天線的尺寸、帶寬、增益、輻射效率等重要指標(biāo)卻受到了基本物理原理的限制(固定尺寸下的增益極限、帶寬極限等)。這些指標(biāo)極限的基本原理使得天線的小型化技術(shù)難度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其它器件，而由于射頻器件的電磁場分析的復(fù)雜性，逼近這些極限值都成為了巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。同時，隨著現(xiàn)代電子系統(tǒng)的復(fù)雜化，多模服務(wù)的需求在無線通信、無線接入、衛(wèi)星通信、無線數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)等系統(tǒng)中變得越來越重要。而多模服務(wù)的需求進(jìn)一步增大了小型化天線多模設(shè)計的復(fù)雜度。除去小型化的技術(shù)挑戰(zhàn)，天線的多模阻抗匹配也成為了天線技術(shù)的瓶頸。另一方面，多輸入多輸出系統(tǒng)(MIMO)在無線通信、無線數(shù)據(jù)服務(wù)領(lǐng)域的高速發(fā)展更進(jìn)一步苛刻地要求了天線尺寸的小型化并同時保證良好的隔離度、輻射性能以及抗干擾能力。然而，傳統(tǒng)的終端通信天線主要基于電單極子或偶極子的輻射原理進(jìn)行設(shè)計，比如最常用的平面反F天線(PIFA)。傳統(tǒng)天線的輻射工作頻率直接和天線的尺寸正相關(guān)，帶寬和天線的面積正相關(guān)，使得天線的設(shè)計通常需要半波長的物理長度。在一些更為復(fù)雜的電子系統(tǒng)中，天線需要多模工作，就需要在饋入天線前額外的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計。但阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)額外的增加了電子系統(tǒng)的饋線設(shè)計、增大了射頻系統(tǒng)的面積同時匹配網(wǎng)絡(luò)還引入了不少的能量損耗，很難滿足低功耗的系統(tǒng)設(shè)計要求。因此，小型化、多模式的新型天線技術(shù)成為了當(dāng)代電子集成系統(tǒng)的一個重要技術(shù)瓶頸。同時，天線在不同的產(chǎn)品中工作的環(huán)境及電磁特性存在較大的差異性，將會導(dǎo)致天線性能在設(shè)計和使用中存在較大的差異，所以要求設(shè)計出的天線必須具有較強(qiáng)的適應(yīng)性及通用性。綜上所述，原有的技術(shù)在使用中將就會遇到通用性及性能差異性的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的一個技術(shù)問題是，針對天線在不同產(chǎn)品中工作環(huán)境及電磁特性存在較大的差異性，導(dǎo)致天線性能在設(shè)計和使用中存在較大的差異，提供一種天線，該天線具有較強(qiáng)的適應(yīng)性及通用性。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種天線，所述天線包括第一介質(zhì)基板、饋線、附著在第一介質(zhì)基板一表面的金屬片以及覆蓋所述金屬片的第二介質(zhì)基板， 所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片，所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)以在金屬片上形成金屬走線，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在饋線、饋線與金屬片之間及金屬片這三個位置的至少一個上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在金屬片上的金屬走線上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在微槽結(jié)構(gòu)上，且連接兩側(cè)的金屬走線。進(jìn)一步地，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。進(jìn)一步地，所述空間為形成在所述天線上的焊盤。進(jìn)一步地，所述感性電子元件電感值的范圍在0_5uH之間。進(jìn)一步地，所述容性電子元件電容值的范圍在0_2pF之間。進(jìn)一步地，所述微槽結(jié)構(gòu)為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)以及互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)中的一種。實(shí)施本發(fā)明的天線，相對于現(xiàn)有的天線，具有以下有益效果通過在饋線、饋線與金屬片之間及金屬片這三個位置的至少一個上設(shè)置供電子元件嵌入的空間，可以通過改變嵌入的電子元件的性能對天線的性能進(jìn)行微調(diào)，設(shè)計出滿足適應(yīng)性及通用性的要求的天線。另外，通過設(shè)置覆蓋金屬片的第二介質(zhì)基板，使得天線在接收或者發(fā)射電磁波時均需要通過該第二介質(zhì)基板，使得天線整體的分布電容增大，分布電容的增大能有效降低天線工作頻率，因此可在不改變饋線長度的情況下使得天線在低頻時仍然工作良好，滿足天線小體積、低工作頻率及寬帶多模的要求。本發(fā)明所要解決的另一個問題是提供一種MIMO天線。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的方案是一種MIMO天線，所述MIMO天線包括多個上述的天線。根據(jù)本發(fā)明的MIMO天線，除了具備上述天線本身的特點(diǎn)外，還具有很高的隔離度，多個天線之間的抗干擾能力強(qiáng)。

圖1是本發(fā)明的天線透視圖；圖2是本發(fā)明的天線第一實(shí)施例去除第二介質(zhì)基板后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明的天線第二實(shí)施例去除第二介質(zhì)基板后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的天線第三實(shí)施例去除第二介質(zhì)基板后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的天線第四實(shí)施例去除第二介質(zhì)基板后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明的天線第五實(shí)施例去除第二介質(zhì)基板后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7a為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7c所示為開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7d所示為雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7e所示為互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖為圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其幾何形狀衍生示意圖；圖8b為圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其擴(kuò)展衍生示意圖；圖9a為三個圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意4[0033]圖9b為兩個圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖7b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的復(fù)合示意圖；圖10為四個圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了更好的描述本發(fā)明的天線的結(jié)構(gòu)，圖1采用透視圖畫法，如圖1所示，本發(fā)明的所述天線100包括第一介質(zhì)基板1、饋線2、附著在第一介質(zhì)基板1 一表面的金屬片4以及覆蓋所述金屬片4的第二介質(zhì)基板5，所述饋線2通過耦合方式饋入所述金屬片4，所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)41以在金屬片上形成金屬走線42，所述天線100預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間6。從圖1中我們可以看出，金屬片4位于第一介質(zhì)基板1與第二介質(zhì)基板 5之間，使得天線在接收或者發(fā)射電磁波時均需要通過該第二介質(zhì)基板，使得天線整體的分布電容增大，分布電容的增大能有效降低天線工作頻率，因此可在不改變饋線長度的情況下使得天線在低頻時仍然工作良好，滿足天線小體積、低工作頻率及寬帶多模的要求。圖1 至圖6中，金屬片4上的畫剖面線的部分為金屬走線42，金屬片4上的空白部分(鏤空的部分)表示微槽結(jié)構(gòu)41。另外，饋線2也用剖面線表示。饋線2圍繞金屬片4設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號耦合。另外金屬片4與饋線2可以接觸，也可以不接觸。當(dāng)金屬片4與饋線2接觸時，饋線2與金屬片4之間感性耦合；當(dāng)金屬片4與饋線2不接觸時，饋線2與金屬片4之間容性耦合。本發(fā)明中的所述微槽結(jié)構(gòu)41可以是圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、圖7b所示的互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、圖7c所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖7d所示的雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖 7e所示的互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)中的一種或者是通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。衍生分為兩種，一種是幾何形狀衍生，另一種是擴(kuò)展衍生，此處的幾何形狀衍生是指功能類似、形狀不同的結(jié)構(gòu)衍生，例如由方框類結(jié)構(gòu)衍生到曲線類結(jié)構(gòu)、三角形類結(jié)構(gòu)及其它不同的多邊形類結(jié)構(gòu)；此處的擴(kuò)展衍生即在圖7a至圖7e的基礎(chǔ)上開設(shè)新的槽以形成新的微槽結(jié)構(gòu)；以圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)為例，圖8a為其幾何形狀衍生示意圖，圖8b為其幾何形狀衍生示意圖。此處的復(fù)合是指，圖7a至圖7e的微槽結(jié)構(gòu)多個疊加形成一個新的微槽結(jié)構(gòu)，如圖9a所示，為三個圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖9b所示，為兩個圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖7b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)共同復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖。此處的組陣是指由多個圖7a至圖7e所示的微槽結(jié)構(gòu)在同一金屬片上陣列形成一個整體的微槽結(jié)構(gòu)，如圖10所示，為多個如圖7a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。以下均以圖7c所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)為例闡述本發(fā)明。下面分五個實(shí)施例來詳細(xì)介紹本發(fā)明。第一實(shí)施例如圖2所示，在本實(shí)施例中，在饋線2上預(yù)設(shè)有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間51，預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是饋線2上的任意位置，并且可以有多個?？稍诳臻g51中嵌入感性電子元件，以改變饋線2上的電感值。運(yùn)用公式f=l/ (ln^LC ), 可知電感值的大小和工作頻率的平方成反比，所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時， 通過適當(dāng)?shù)那度腚姼谢蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中，加入的感性電子元件的電感值范圍在0-5uH之間，若太大交變信號將會被感性元件消耗從而影響到天線的輻射效率。本實(shí)施例的所述天線具有多個頻段的良好輻射特性，五個主要輻射頻率從900MHz—直分布到 5. 5GHz，幾乎涵蓋了 GSM、CDMA、藍(lán)牙、W-Lan(IEEE802. 11 協(xié)議),GPS,TD-LTE 等各個主要的通信頻率，具有非常高的集成度且可通過對饋線上的電感值進(jìn)行調(diào)節(jié)達(dá)到改變天線工作頻率的目的。當(dāng)然，也可以在空間51中嵌入電阻，以改善天線的輻射電阻。當(dāng)然，饋線上的空間也可以是多個，其中分別嵌入電阻以及感性電子元件，既實(shí)現(xiàn)了工作頻率的調(diào)節(jié)，又能改善天線的輻射電阻。未加入電子元件的空間可用導(dǎo)線短接。實(shí)施例二如圖3所示，在本實(shí)施例中，在饋線2與金屬片4之間預(yù)設(shè)有嵌入容性電子元件的空間53，預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是饋線2與金屬片4之間的任意位置。圖 3中空間53為本實(shí)施例中嵌入容性電子元件的空間，饋線2與金屬片4之間本身具有一定的電容，這里通過嵌入容性電子元件調(diào)節(jié)饋線與金屬片4之間的信號耦合，運(yùn)用公式 f=l/ (2ttD，可知電容值的大小和工作頻率的平方成反比，所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時，通過適當(dāng)?shù)那度腚娙莼蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中，加入的容性電子元件的電容值范圍通常在0-2pF之間，不過隨著天線工作頻率的變化嵌入的電容值也可能超出0-2pF的范圍。當(dāng)然，也可以在饋線2與金屬片4之間預(yù)設(shè)多個空間。同樣，在未連接有電子元件的空間中，采用導(dǎo)線短接。實(shí)施例三如圖4所示，在本實(shí)施例中，在金屬片的金屬走線42上預(yù)留有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間，嵌入電子元件的空間不僅僅局限于圖中給出的空間55和空間56，其他位置只要滿足條件均可。此處嵌入感性電子元件的目的是增加金屬片內(nèi)部諧振結(jié)構(gòu)的電感值，從而對天線的諧振頻率及工作帶寬起到調(diào)節(jié)的作用；與實(shí)施例一相同，此處嵌入電阻的目的是改善天線的輻射電阻。至于是嵌入感性電子元件還是電阻，則根據(jù)需要而定。另外在未嵌入電子元件的空間中，采用導(dǎo)線短接。實(shí)施例四如圖5所示，在本實(shí)施例中，在微槽結(jié)構(gòu)41上預(yù)留有嵌入容性電子元件的空間，并且所述空間連接微槽結(jié)構(gòu)41兩側(cè)的金屬走線42。嵌入電子元件的空間不僅僅局限與圖5 中給出的空間57，其他位置只要滿足條件均可。嵌入容性電子元件可以改變金屬片的諧振性能，最終改善天線的Q值及諧振工作點(diǎn)。作為公知常識，我們知道，通頻帶BW與諧振頻率 w0和品質(zhì)因數(shù)Q的關(guān)系為BW = wo/Q，此式表明，Q越大則通頻帶越窄，Q越小則通頻帶越寬。另有Q = wL/R = 1/wRC，其中，Q是品質(zhì)因素；w是電路諧振時的電源頻率；L是電感； R是串的電阻；C是電容，由Q = wL/R = 1/wRC公式可知，Q和C呈反比，因此，可以通過加入容性電子元件來減小Q值，使通頻帶變寬。實(shí)施例五如圖6所示，在本實(shí)施例中，在饋線2、饋線2與金屬片4之間及金屬片4這三個位置上都設(shè)置供電子元件嵌入的空間。其中，金屬片4上的空間包括設(shè)置在金屬走線42上的空間以及設(shè)置在微槽結(jié)構(gòu)41上且連接兩側(cè)的金屬走線42的空間。具體地，本實(shí)施例中的空間包括饋線2上的空間61，饋線2與金屬片4之間的空間63，金屬走線42上的空間65、 66，微槽結(jié)構(gòu)41上的空間67，當(dāng)然，本實(shí)施例中給出的位置并不是唯一性的，本實(shí)施例中，在上述的空間中加入電子元件以調(diào)節(jié)天線的性能，其原理與實(shí)施例一至四的原理類似，本實(shí)施例不再描述。本發(fā)明的天線100上空間的預(yù)留位置并不限于上述五種形式，空間只要設(shè)置在天線上即可。例如，空間還可以設(shè)置在第一介質(zhì)基板上。本發(fā)明的所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。在天線的預(yù)留空間中加入此類電子元件后，可以改善天線的各種性能。并且通過加入不同參數(shù)的電子元件，可以實(shí)現(xiàn)天線性能參數(shù)的可調(diào)。因此，本發(fā)明的天線在不加入任何元件之前可以是一樣的結(jié)構(gòu)，只是通過在不同位置加入不同的電子元件，以及電子元件的參數(shù)(電感值、電阻值、電容值)，來實(shí)現(xiàn)不同天線的性能參數(shù)。即實(shí)現(xiàn)了通用性?？梢源蠓档蜕a(chǎn)成本。本發(fā)明的所述空間可以是焊盤，也可以是一個空缺。焊盤的結(jié)構(gòu)可以參見普通的電路板上的焊盤。當(dāng)然，其尺寸的設(shè)計根據(jù)不同的需要會有所不同。另外，本發(fā)明中，第一介質(zhì)基板及第二介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。優(yōu)選地，由高分子材料制成，具體地可以是FR-4、F4B等高分子材料。本發(fā)明中，金屬片為銅片或銀片。優(yōu)選為銅片，價格低廉，導(dǎo)電性能好。本發(fā)明中，饋線選用與金屬片同樣的材料制成。優(yōu)選為銅。本發(fā)明中，關(guān)于天線的加工制造，只要滿足本發(fā)明的設(shè)計原理，可以采用各種制造方式。最普通的方法是使用各類印刷電路板(PCB)的制造方法，當(dāng)然，金屬化的通孔，雙面覆銅的PCB制造也能滿足本發(fā)明的加工要求。除此加工方式，還可以根據(jù)實(shí)際的需要引入其它加工手段，比如RFID (RFID是Radio Frequency Identification的縮寫，即射頻識別技術(shù)，俗稱電子標(biāo)簽)中所使用的導(dǎo)電銀漿油墨加工方式、各類可形變器件的柔性PCB加工、鐵片天線的加工方式以及鐵片與PCB組合的加工方式。其中，鐵片與PCB組合加工方式是指利用PCB的精確加工來完成天線微槽結(jié)構(gòu)的加工，用鐵片來完成其它輔助部分。另外， 還可以通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法來加工。本發(fā)明還提供了一種MIMO天線，所述的MIMO天線由多個上述的天線100組成。此處的MIMO即是指多輸入多輸出。即MIMO天線上的所有單個的天線100同時發(fā)射，同時接收。MIMO天線可以在不需要增加帶寬或總發(fā)送功率損耗的前提下大幅度增加系統(tǒng)的信息吞吐量及傳輸距離。另外本發(fā)明的MIMO天線還具有很高的隔離度，多個天線之間的抗干擾能力強(qiáng)。本發(fā)明的MIMO天線，其每個天線100的饋線均與一個接收/發(fā)射機(jī)連接，所有的接收/發(fā)射機(jī)均連接到一個基帶信號處理器上。上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種天線，其特征在于，所述天線包括第一介質(zhì)基板、饋線、附著在第一介質(zhì)基板一表面的金屬片以及覆蓋所述金屬片的第二介質(zhì)基板，所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片，所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)以在金屬片上形成金屬走線，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在饋線、饋線與金屬片之間及金屬片這三個位置的至少一個上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在金屬片上的金屬走線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在微槽結(jié)構(gòu)上，且連接微槽結(jié)構(gòu)兩側(cè)的金屬走線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的天線，其特征在于，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線，其特征在于，所述空間為形成在所述天線上的焊盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線，其特征在于，所述感性電子元件電感值的范圍在0-5uH 之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線，其特征在于，所述容性電子元件電容值的范圍在0-2pF 之間。
9.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述微槽結(jié)構(gòu)為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)以及互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)中的一種。
10.一種MIMO天線，其特征在于，所述MIMO天線包括多個如權(quán)利要求1所述的天線。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種天線，包括第一介質(zhì)基板、饋線、附著在第一介質(zhì)基板一表面的金屬片以及覆蓋所述金屬片的第二介質(zhì)基板，所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片，所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)以在金屬片上形成金屬走線，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。根據(jù)本實(shí)用新型的天線，在接收或者發(fā)射電磁波時均需要通過該第二介質(zhì)基板，使得天線整體的分布電容增大，分布電容的增大能有效降低天線工作頻率，因此可在不改變饋線長度的情況下使得天線在低頻時仍然工作良好，滿足天線小體積、低工作頻率及寬帶多模的要求。另外本實(shí)用新型還涉及一種具有多個上述的天線的MIMO天線。
文檔編號H01Q1/38GK202127093SQ201120181040
公開日2012年1月25日 申請日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄, 楊松濤 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院