專利名稱：陣列基板和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。為提高產(chǎn)品的競爭力，通過采用新技術(shù)降低產(chǎn)品成本的方法是最直接也是最有效的方法之一。由于數(shù)據(jù)信號驅(qū)動IC的成本比柵掃描信號驅(qū)動IC的成本高，所以現(xiàn)有技術(shù)降低成本的一種方式是以增加柵線為代價盡量減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而減少數(shù)據(jù)線號驅(qū)動IC的數(shù)量。如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，示出了陣列基板上紅綠藍(RGB)三原色的子像素的布局以及數(shù)據(jù)線5和柵線2的大致位置。這種陣列基板中，構(gòu)成一個像素單元的RGB三個子像素單元沿數(shù)據(jù)線5方向縱向排列，則每個像素單元需要三條柵線2和一條數(shù)據(jù)線5來控制，該方式可以通過增加柵線2數(shù)量來減少數(shù)據(jù)線5的數(shù)量。相比于RGB子像素單元橫向排列的方式，柵線2增至原有的三倍。近年來，邊緣場切換開關(guān)技術(shù)(Fringe Field Switching，簡稱FFS)和高級超維場開關(guān)技術(shù)(Advanced-Super Dimensional Switching ；簡稱AD_SDS)等寬視角技術(shù)成為重要研究方向，AD-SDS通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維空間復合電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方以及液晶盒上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD畫面品質(zhì)，具有高透過率、 寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時間、無擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點。以上兩種技術(shù)的陣列基板包括襯底基板；襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線；數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的子像素單元；每個子像素單元包括TFT開關(guān)、第一透明電極和第二透明電極，TFT開關(guān)包括柵電極、有源層、源電極和漏電極。各種圖案的典型層次關(guān)系是自襯底基板開始，依次包括第一透明電極(1st ΙΤ0)；柵線和柵電極(Gate)；有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線(Multi & SD)；鈍化層(PVX)；第二透明電極O nd ΙΤ0)，即通?？捎洖?st ITO/Gate/Multi & SD/PVX/2 nd ITO的結(jié)構(gòu)。其中，第一透明電極通常為公共電極，第二透明電極通常為像素電極，由于公共電極10材料的電阻較大，為保證公共電極10 上電壓的均勻，通常會在陣列基板上采用良導電材料制備公共電極線12，如圖1所示，采用柵線2的材料同層形成公共電極線12，分別與各子像素單元中的公共電極10相連，公共電極線12連接至陣列基板外圍的線路，以供給公共電壓。但是，上述結(jié)構(gòu)存在一定的缺陷，由于柵線的數(shù)量增加，所以與柵線同層且相鄰間隔形成的公共電極線數(shù)量也相應(yīng)增加。圖1所示的三倍柵線(Triple Gate)結(jié)構(gòu)中，對于一個像素單元而言，其需要三條公共電極線，導致像素單元的開口率下降，透過率降低，則為避免亮度降低就需要提高驅(qū)動功耗，這顯然不利于產(chǎn)品總體成本的降低。
實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種陣列基板和液晶顯示器，以提高陣列基板中像素單元的開口率。本實用新型提供了一種陣列基板，包括襯底基板；襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線；數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的子像素單元；每個子像素單元包括 TFT開關(guān)、像素電極和公共電極，其中，還包括公共電極線，與所述數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，所述公共電極線分別與各子像素單元中的公共電極相連。所述公共電極線的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量對應(yīng)，且與數(shù)據(jù)線平行。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是所述像素電極直接形成在所述襯底基板上，并覆蓋在柵絕緣層之下；所述公共電極形成在覆蓋所述數(shù)據(jù)線和公共電極線的鈍化層之上；所述公共電極線通過所述鈍化層中的第一過孔與所述公共電極相連。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是還包括采用公共電極的材料制成且與公共電極一體成型的第一跨接線，所述第一跨接線通過第一過孔連接相鄰的公共電極和公共電極線。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是所述公共電極直接形成在所述襯底基板上，并覆蓋在柵絕緣層之下；所述像素電極形成在覆蓋所述數(shù)據(jù)線和公共電極線的鈍化層之上；所述公共電極線通過所述柵絕緣層中的第二過孔與所述公共電極相連。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是還包括采用像素電極的材料制成第二跨接線，所述第二跨接線通過鈍化層和柵絕緣層中的第二過孔連接相鄰的公共電極和公共電極線。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是每條所述公共電極線分別與相鄰的兩列子像素單元中的公共電極連接。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是構(gòu)成同一個像素單元的各個子像素單元沿數(shù)據(jù)線方向縱向排列。本實用新型還提供了一種液晶顯示器，包括液晶面板，其中所述液晶面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和本實用新型所提供的陣列基板。本實用新型提供的陣列基板和液晶顯示器，通過將公共電極線與數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，使得公共電極線的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量對應(yīng)，在通過增加柵線而減少數(shù)據(jù)線的方式來降低產(chǎn)品成本時，公共電極線的數(shù)量也相應(yīng)減少，不會過多地降低像素單元的開口率， 從而能夠避免透過率下降而驅(qū)動功耗增加。

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例二提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例三提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實用新型實施例提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。[0029]附圖標記1-襯底基板；4-第一跨接線；7-第二跨接線；12-公共電極線
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板；襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線；數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的子像素單元；每個子像素單元包括TFT開關(guān)、像素電極和公共電極，該陣列基板還包括公共電極線，與數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，公共電極線分別與各子像素單元中的公共電極相連。本實用新型的技術(shù)方案通過將公共電極線與數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，使得公共電極線的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量對應(yīng)，在通過增加柵線而減少數(shù)據(jù)線的方式來降低產(chǎn)品成本時，公共電極線的數(shù)量也相應(yīng)減少，不會過多地降低像素單元的開口率，從而能夠避免透過率下降而驅(qū)動功耗增加。本發(fā)明實施例以FFS型或AD-SDS型技術(shù)舉例說明。實施例一圖2為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。在本實施例中，陣列基板，包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2 ；數(shù)據(jù)線 5和柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的子像素單元；每個子像素單元包括TFT開關(guān)、像素電極 11和公共電極10。TFT開關(guān)包括柵電極、有源層、源電極和漏電極。公共電極線12與數(shù)據(jù)線5同層且間隔形成，公共電極線12分別與各子像素單元中的公共電極10相連。本實施例中，公共電極10呈塊狀帶有狹縫的圖案，與其相鄰的公共電極線12相連。具體地，像素電極11直接形成在襯底基板1上，并覆蓋在柵絕緣層之下。柵線2和柵電極可以在像素電極11形成之前或之后形成在襯底基板1上，與像素電極11保持間隔， 也覆蓋在柵絕緣層之下。數(shù)據(jù)線5、有源層、源電極、漏電極和公共電極線12形成在柵絕緣層上，其上覆蓋鈍化層。公共電極10形成在覆蓋數(shù)據(jù)線5和公共電極線12的鈍化層之上， 公共電極線12通過鈍化層中的第一過孔3與公共電極10相連，并且具體可以采用公共電極10的材料制成的且與公共電極10 —體成型第一跨接線4，第一跨接線4通過第一過孔3 連接相鄰的公共電極10和公共電極線12。像素電極11與源電極的連接方式優(yōu)選是采用公共電極10的材料經(jīng)鈍化層和柵絕緣層中的過孔來跨接像素電極11和源電極。但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解兩者的連接方式并不限于此，本實用新型各實施例的附圖中并未具體示出像素電極11和源電極的連接細節(jié)。本實施例的技術(shù)方案為陣列基板的一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)，公共電極線與數(shù)據(jù)線同層形成，可以減少公共電極線的數(shù)量，提高像素單元的開口率。并且，本實施例為配合公共電極
2-柵線；3-第一過孔；
5-數(shù)據(jù)線； 6-第二過孔； 10-公共電極；11-像素電極；線的位置，將公共電極與像素電極的位置對調(diào)，將公共電極設(shè)置在鈍化層上，位于公共電極線的上方，易于采用公共電極的材料填充過孔來連接公共電極線。實際應(yīng)用中，公共電極不限于為塊狀圖案，并且優(yōu)選為布設(shè)在整個陣列基板上的帶有狹縫的整塊電極，而非對應(yīng)于各像素單元的塊狀圖案，采用該技術(shù)方案的優(yōu)點在于當公共電極覆蓋整個基板表面，尤其是覆蓋在公共電極線上方時，在像素電極與數(shù)據(jù)線的間隙處為等電位的電場，即不會驅(qū)動液晶分子扭轉(zhuǎn)而出現(xiàn)透光現(xiàn)象，所以無需在間隙處用黑矩陣遮擋，因而可以減小彩膜基板上的黑矩陣寬度，從而提高像素單元的透過率和開口率。實施例二圖3為本實用新型實施例二提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例與實施例一的結(jié)構(gòu)類似，區(qū)別在于公共電極10直接形成在襯底基板1上，并覆蓋在柵絕緣層之下；像素電極11形成在覆蓋數(shù)據(jù)線5和公共電極線12的鈍化層之上，且像素電極11為塊狀的帶有狹縫的圖案，像素電極11可通過鈍化層中的過孔與源電極相連；公共電極線12 通過柵絕緣層中的第二過孔6與公共電極10相連。優(yōu)選的是，可以采用像素電極11的材料制備第二跨接線7，在鈍化層和柵絕緣層中形成第二過孔6，第二跨接線7通過第二過孔 6連接相鄰的公共電極10和公共電極線12?；蛘撸部梢圆捎霉搽姌O線的材料一體成型一跨接線，通過柵絕緣層中的過孔連接下方的公共電極。本實施例的技術(shù)方案為陣列基板的另一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)，公共電極線與數(shù)據(jù)線同層形成，可以減少公共電極線的數(shù)量，提高像素單元的開口率。實施例三圖4為本實用新型實施例三提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例與上述實施例的區(qū)別在于，每條公共電極線分別與相鄰的兩列子像素單元中的公共電極連接。以類似于實施例一的結(jié)構(gòu)，公共電極10形成在鈍化層上為例進行說明。每條公共電極線12通過鈍化層中的第一過孔3與相鄰的兩列公共電極10相連，并且具體可以采用公共電極10的材料制成的且與公共電極10 —體成型第一跨接線4，第一跨接線4通過第一過孔3連接相鄰的兩列公共電極10和公共電極線12。相鄰的兩列塊狀圖案的公共電極 10，其各自的圖案通過第一跨接線4相連，且通過第一過孔3與公共電極線12相連，該第一跨接線4跨過數(shù)據(jù)線5實現(xiàn)兩公共電極10的連通。該技術(shù)方案尤其適用于塊狀圖案的公共電極10，可以進一步減少公共電極線10的數(shù)量。本實用新型各實施例的陣列基板可以采用不同方式來布設(shè)柵線和數(shù)據(jù)線，避免了對增加柵線時公共電極線相應(yīng)增加的限制。優(yōu)選的是構(gòu)成同一個像素單元的各個子像素單元沿數(shù)據(jù)線方向縱向排列，如圖5所示，或者也可以采用其他增加柵線而減少數(shù)據(jù)線的布局方式。本實用新型實施例還提供了一種液晶顯示器，包括液晶面板，該液晶面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和本實用新型任意實施例所提供的陣列基板。公共電極線與數(shù)據(jù)線同層形成，可以減少公共電極線的數(shù)量，提高像素單元的開口率，從而具有良好的透過率，避免增加驅(qū)動功耗來提高亮度。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解 其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括襯底基板；襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線；數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的子像素單元；每個子像素單元包括TFT開關(guān)、像素電極和公共電極，其特征在于，還包括公共電極線，與所述數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，所述公共電極線分別與各子像素單元中的公共電極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述公共電極線的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量對應(yīng)，且與數(shù)據(jù)線平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述像素電極直接形成在所述襯底基板上，并覆蓋在柵絕緣層之下；所述公共電極形成在覆蓋所述數(shù)據(jù)線和公共電極線的鈍化層之上；所述公共電極線通過所述鈍化層中的第一過孔與所述公共電極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括采用公共電極的材料制成且與公共電極一體成型的第一跨接線，所述第一跨接線通過第一過孔連接相鄰的公共電極和公共電極線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述公共電極直接形成在所述襯底基板上，并覆蓋在柵絕緣層之下；所述像素電極形成在覆蓋所述數(shù)據(jù)線和公共電極線的鈍化層之上；所述公共電極線通過所述柵絕緣層中的第二過孔與所述公共電極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括采用像素電極的材料制成第二跨接線，所述第二跨接線通過鈍化層和柵絕緣層中的第二過孔連接相鄰的公共電極和公共電極線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6任一所述的陣列基板，其特征在于每條所述公共電極線分別與相鄰的兩列子像素單元中的公共電極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 6任一所述的陣列基板，其特征在于構(gòu)成同一個像素單元的各個子像素單元沿數(shù)據(jù)線方向縱向排列。
9.一種液晶顯示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和權(quán)利要求1 8任一所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板和液晶顯示器。該陣列基板包括襯底基板；襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線；數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的子像素單元；每個子像素單元包括TFT開關(guān)、像素電極和公共電極，其中，還包括公共電極線，與數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，公共電極線分別與各子像素單元中的公共電極相連。本實用新型提供的陣列基板和液晶顯示器，通過將公共電極線與數(shù)據(jù)線同層且間隔形成，使得公共電極線的數(shù)量與數(shù)據(jù)線的數(shù)量對應(yīng)，在通過增加柵線而減少數(shù)據(jù)線的方式來降低產(chǎn)品成本時，公共電極線的數(shù)量也相應(yīng)減少，不會過多地降低像素單元的開口率，從而能夠避免透過率下降而驅(qū)動功耗增加。
文檔編號H01L27/12GK202159214SQ20112001460
公開日2012年3月7日 申請日期2011年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者呂敬, 孫陽, 黃應(yīng)龍 申請人:京東方科技集團股份有限公司