專利名稱：發(fā)光二極管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。
背景技術(shù)：
作為一種新興的光源，發(fā)光二極管憑借其發(fā)光效率高、體積小、重量輕、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用到當(dāng)前的各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中，大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢(shì)。發(fā)光二極管是一種單向?qū)ǖ碾娮釉?，?dāng)經(jīng)過發(fā)光二極管的電流為正向?qū)〞r(shí)，可使發(fā)光二極管發(fā)光。當(dāng)電流反向時(shí)，發(fā)光二極管不能導(dǎo)通，并且若電流過大，有可能擊穿發(fā)光二極管，使發(fā)光二極管不能再正常工作。因此業(yè)界多有設(shè)置一穩(wěn)壓二極管與發(fā)光二極管并聯(lián)，若有異常的反向電流或靜電產(chǎn)生時(shí)，過高的反向電流可經(jīng)由該穩(wěn)壓二極管進(jìn)行放電，從而保護(hù)發(fā)光二極管不受到破壞。目前業(yè)界采用打線外置固定的方式，將穩(wěn)壓二極管與發(fā)光二極管并聯(lián)。然而，這種外置并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管不但使發(fā)光二極管封裝的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積增大，而且不能保證兩者電連接的穩(wěn)定性，這對(duì)于發(fā)光二極管的后端使用都是不利因素。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種制作簡單、利于產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的發(fā)光二極管的制造方法。一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟:
步驟一，提供一個(gè)第一電極、一個(gè)第二電極及一個(gè)穩(wěn)壓二極管，該穩(wěn)壓二極管的兩極分別與第一電極和第二電極連接；
步驟二，提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設(shè)形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設(shè)置的擋壁，該芯件與下模相對(duì)的表面上開設(shè)形成一凹槽；
步驟三，將第一電極、第二電極及穩(wěn)壓二極管設(shè)置在下模的收容槽中，然后將上模的芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，最后將擋壁圍繞所述芯件設(shè)置在下模上；
步驟四，由擋壁與芯件之間的通道向下模的收容槽中注入液體成型材料，直至液體成型材料填滿通道及凹槽；
步驟五，凝固成型后撤去下模和上模，基板、反射杯及擋墻一體形成，其中，芯件的凹槽中的液體成型材料凝固形成擋墻，而擋壁與芯件之間的通道中的液體成型材料凝固形成反射杯，而下模的收容槽中的液體成型材料凝固形成基板，擋墻完全包覆該穩(wěn)壓二極管；步驟六，將第一發(fā)光二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在第一、第二電極上，兩個(gè)發(fā)光二極管芯片與穩(wěn)壓二極管反向并聯(lián)；及
步驟七，在反射杯中填充封裝材料以包覆該兩個(gè)發(fā)光二極管芯片。一種發(fā)光二極管的制造方法，其步驟包括:
步驟一，提供第一電極和第二電極；
步驟二，提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設(shè)形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設(shè)置的擋壁，該芯件與下模相對(duì)的表面上開設(shè)形成一凹槽；步驟三，將第一電極和第二電極設(shè)置在下模的收容槽中，然后將上模的芯件覆蓋在第一電極以及第二電極上，最后將上模的擋壁設(shè)置在下模的收容槽的側(cè)壁上，并且圍繞芯件，其中，該擋壁與該芯件之間具有通道；
步驟四，從擋壁與芯件之間的通道中向下模的收容槽中注入液體成型材料，直至液體成型材料填滿通道及凹槽；
步驟五，凝固成型后撤去下模和上模，基板、反射杯及擋墻一體形成，其中，芯件的凹槽中的液體成型材料凝固形成擋墻，而擋壁與芯件之間的通道中的液體成型材料凝固形成反射杯，而下模的收容槽中的液體成型材料凝固形成基板，該擋墻具有一個(gè)開口，該開口的底部露出部分第一電極與第二電極；
步驟六，提供一個(gè)穩(wěn)壓二極管，將該穩(wěn)壓二極管置入該擋墻的開口內(nèi)，該穩(wěn)壓二極管的兩極分別與第一電極和第二電極連接，在該擋墻的開口頂部形成一個(gè)包覆層，使得該穩(wěn)壓二極管被擋墻完全包覆；
步驟七，將第一發(fā)光二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在第一、第二電極上，兩個(gè)發(fā)光二極管芯片與穩(wěn)壓二極管反向并聯(lián)；及
步驟八，在反射杯中填充封裝材料以包覆該兩個(gè)發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法中，通過在模具中注入液體成型材料一體形成基板、反射杯及擋墻，穩(wěn)壓二極管被封裝于該擋墻內(nèi)并與第一電極及第二電極牢靠地結(jié)合，不需要外部打線將穩(wěn)壓二極管與第一電極及第二電極電性連接，使發(fā)光二極管制作簡單利于產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，提高了穩(wěn)壓二極管與第一電極及第二電極的電性連接的穩(wěn)定性。


圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法制造的發(fā)光二極管的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明 第一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法中使用的模具的示意圖。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法中使用的模具的示意圖。圖4至圖6為反映本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的示意圖。圖7至圖9為反映本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的示意圖。主要元件符號(hào)說明__
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟: 步驟一，提供一個(gè)第一電極、一個(gè)第二電極及一個(gè)穩(wěn)壓二極管，該穩(wěn)壓二極管的兩極分別與第一電極和第二電極連接； 步驟二，提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設(shè)形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設(shè)置的擋壁，該芯件與下模相對(duì)的表面上開設(shè)形成一凹槽； 步驟三，將第一電極、第二電極及穩(wěn)壓二極管設(shè)置在下模的收容槽中，然后將上模的芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，最后將擋壁圍繞所述芯件設(shè)置在下模上； 步驟四，由擋壁與芯件之間的通道向下模的收容槽中注入液體成型材料，直至液體成型材料填滿通道及凹槽； 步驟五，凝固成型后撤去下模和上模，基板、反射杯及擋墻一體形成，其中，芯件的凹槽中的液體成型材料凝固形成擋墻，而擋壁與芯件之間的通道中的液體成型材料凝固形成反射杯，而下模的收容槽中的液體成型材料凝固形成基板，擋墻完全包覆該穩(wěn)壓二極管；步驟六，將第一發(fā)光 二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在第一、第二電極上，使兩個(gè)發(fā)光二極管芯片與穩(wěn)壓二極管反向并聯(lián)；及 步驟七，在反射杯中填充封裝材料以包覆該兩個(gè)發(fā)光二極管芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:第一電極和第二電極均彎折成U形，均位于基板兩相對(duì)側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:在步驟六和步驟七之間包括在第一電極和第二電極上分別形成第一、第二熒光粉層的步驟，第一、第二熒光粉層包覆該兩個(gè)發(fā)光二極管芯片且位于該擋墻兩側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:第一、第二熒光粉層的出光面與擋墻的上表面齊平。
5.一種發(fā)光二極管的制造方法，其步驟包括: 步驟一，提供第一電極和第二電極； 步驟二，提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設(shè)形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設(shè)置的擋壁，該芯件與下模相對(duì)的表面上開設(shè)形成一凹槽； 步驟三，將第一電極和第二電極設(shè)置在下模的收容槽中，然后將上模的芯件覆蓋在第一電極以及第二電極上，最后將上模的擋壁設(shè)置在下模的收容槽的側(cè)壁上，并且圍繞芯件，其中，該擋壁與該芯件之間具有通道； 步驟四，從擋壁與芯件之間的通道中向下模的收容槽中注入液體成型材料，直至液體成型材料填滿通道及凹槽； 步驟五，凝固成型后撤去下模和上模，基板、反射杯及擋墻一體形成，其中，芯件的凹槽中的液體成型材料凝固形成擋墻，而擋壁與芯件之間的通道中的液體成型材料凝固形成反射杯，而下模的收容槽中的液體成型材料凝固形成基板，該擋墻具有一個(gè)開口，該開口的底部露出部分第一電極與第二電極； 步驟六，提供一個(gè)穩(wěn)壓二極管，將該穩(wěn)壓二極管置入該擋墻的開口內(nèi)，該穩(wěn)壓二極管的兩極分別與第一電極和第二電極連接，在該擋墻的開口頂部形成一個(gè)包覆層，使得該穩(wěn)壓二極管被擋墻完全包覆； 步驟七，將第一發(fā)光二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在第一、第二電極上，使兩個(gè)發(fā)光二極管芯片與穩(wěn)壓二極管反向并聯(lián)；及 步驟八，在反射杯中填充封裝材料以包覆該兩個(gè)發(fā)光二極管芯片。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:在步驟七和步驟八之間包括在第一電極和第二電極上分別形成第一、第二突光粉層，第一、第二突光粉層包覆該兩個(gè)發(fā)光二極管芯片且 位于該擋墻兩側(cè)。
全文摘要
一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括步驟提供第一電極、第二電極及一個(gè)穩(wěn)壓二極管，該穩(wěn)壓二極管與第一電極和第二電極連接；提供一模具，該模具包括下模及上模；將第一電極、第二電極及穩(wěn)壓二極管設(shè)置在下模的收容槽中，將上模的芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，將擋壁圍繞所述芯件設(shè)置在下模上；由擋壁與芯件之間的通道向下模的收容槽中注入液體成型材料；凝固成型后撤去下模和上模，凹槽中的液體成型材料凝固形成擋墻，通道中的液體成型材料凝固形成反射杯，收容槽中的液體成型材料凝固形成基板，擋墻完全包覆該穩(wěn)壓二極管；將第一發(fā)光二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置在第一電極、第二電極上；及在反射杯中填充封裝材料。
文檔編號(hào)H01L33/00GK103187485SQ201110443709
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月27日
發(fā)明者羅杏芬 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司