專利名稱：半導(dǎo)體晶圓制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶圓制造裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)通常采用整體控制，因此半導(dǎo)體晶圓制造裝置內(nèi)部往往達(dá)不到較高潔凈等級；其次，這些半導(dǎo)體晶圓制造裝置一般采用單臂機(jī)械手，由于單臂機(jī)械手只能同時(shí)處理一張晶圓，自由度較少、覆蓋區(qū)域較小，因此其傳片效率較低；另外，由于現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓制造裝置中化學(xué)氣體分配系統(tǒng)布置不均衡，導(dǎo)致每個(gè)工藝腔室的流量及壓力不均一，從而影響了單位面積中產(chǎn)品的良率產(chǎn)出。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其能夠提高晶圓制造裝置內(nèi)部的潔凈等級，并可以提聞傳片效率，還可以提聞單位面積中廣品的良率廣出。( 二 )技術(shù)方案為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓制造裝置，包括:至少兩個(gè)機(jī)械手、至少一套化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)和風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)，所述風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)包括多個(gè)用于使其所控制的區(qū)域達(dá)到均一風(fēng)量和壓力的控制電機(jī)。優(yōu)選地，所述機(jī)械手為多自由度雙臂機(jī)械手。優(yōu)選地，每個(gè)所述機(jī)械手包括一個(gè)工藝單元晶圓存取機(jī)械手，用于將從工藝單元拾取的已處理晶圓放回內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元的同時(shí)，拾取未經(jīng)工藝單元處理的晶圓并放入工藝單元進(jìn)行處理。優(yōu)選地，所述化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)的內(nèi)部各部件對稱設(shè)置。優(yōu)選地，所述裝置還包括多個(gè)靜電消除裝置，分別覆蓋于晶圓傳片經(jīng)過的區(qū)域。優(yōu)選地，所述晶圓制造裝置中的多個(gè)工藝腔室呈直線型排列。優(yōu)選地，所述晶圓制造裝置中的閥組模塊系統(tǒng)對稱排布于所述裝置兩側(cè)、工藝腔室下方。(三)有益效果本發(fā)明通過對風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)進(jìn)行分區(qū)域控制，能夠提高晶圓制造裝置內(nèi)部的潔凈等級；其次，本發(fā)明使用多自由度雙臂機(jī)械手，具有更高的傳片效率；另外，本發(fā)明采用穩(wěn)定均一的化學(xué)氣體分配系統(tǒng)，從而可在每單位面積中有更高的產(chǎn)品良率產(chǎn)出。


圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓制造裝置的軸側(cè)視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓制造裝置的外部俯視圖；圖3本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓制造裝置的內(nèi)部俯視圖。
其中，1:機(jī)械手，2:化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)，3:風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)，4:工藝單元晶圓存取機(jī)械手，5:工藝單元，6:內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元，7:靜電消除裝置，8:工藝腔室，9:閥組模塊系統(tǒng)，10:晶圓裝載 阜，11:晶圓倉儲(chǔ)盒。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖1所示，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓制造裝置，包括:至少兩個(gè)機(jī)械手1、至少一套化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)2和風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)3，所述風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)3包括多個(gè)用于使其所控制的區(qū)域達(dá)到均一風(fēng)量和壓力的控制電機(jī)。如圖2所示，風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)3分三大塊:前部、中部、側(cè)部。前部兩小塊由同一的電機(jī)控制，使前部區(qū)域達(dá)到均一的風(fēng)量和壓力；中部兩小塊由同一的電機(jī)控制，使中部區(qū)域達(dá)到均一的風(fēng)量和壓力；側(cè)部八小塊分別獨(dú)立電機(jī)控制，使側(cè)部每一個(gè)區(qū)域達(dá)到均一的風(fēng)量和壓力?？傮w來說，側(cè)部區(qū)域的壓力大于中部區(qū)域的壓力，中部區(qū)域的壓力大于前部區(qū)域的壓力。所述機(jī)械手I為多自由度雙臂機(jī)械手。其中，每個(gè)所述機(jī)械手I包括一個(gè)工藝單元晶圓存取機(jī)械手4，用于將從工藝單元5拾取的已處理晶圓放回內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6的同時(shí)，拾取未經(jīng)工藝單元5處理的晶圓并放入工藝單元5進(jìn)行處理。所述化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)2的內(nèi)部各部件對稱設(shè)置。裝置還包括多個(gè)靜電消除裝置7，分別覆蓋于晶圓傳片經(jīng)過的區(qū)域。所述晶圓制造裝置中的多個(gè)工藝腔室8呈直線型排列。所述晶圓制造裝置中的閥組模塊系統(tǒng)9對稱排布于所述裝置兩側(cè)、工藝腔室下方。本發(fā)明的工作過程:設(shè)備剛剛開始運(yùn)行時(shí)， 晶圓裝載埠10接受來自廠房的晶圓倉儲(chǔ)盒11，機(jī)械手I從晶圓倉儲(chǔ)盒11中獲取晶圓，并將晶圓運(yùn)送到內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單兀6上，晶圓在內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上旋轉(zhuǎn)調(diào)整、讀碼，工藝單元晶圓存取機(jī)械手4從內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上拾取晶圓，并將晶圓輸送到工藝腔室8內(nèi)進(jìn)行工藝處理，工藝處理之后，工藝單元晶圓存取機(jī)械手4從工藝腔室8內(nèi)拾取晶圓，并將其輸送到內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上，同時(shí)將晶圓從內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上取走，之后將晶圓2送往工藝腔室8內(nèi)進(jìn)行工藝處理，而剛才那個(gè)在內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上的晶圓,被機(jī)械手I取走,并將晶圓送往晶圓倉儲(chǔ)盒11內(nèi)，同時(shí)再從晶圓倉儲(chǔ)盒11內(nèi)取走晶圓，并將晶圓送往內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上，晶圓在內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)調(diào)整、讀碼，重復(fù)上面過程。當(dāng)設(shè)備穩(wěn)步運(yùn)行時(shí)，工藝單元晶圓存取機(jī)械手4從工藝腔室8內(nèi)拾取晶圓(已經(jīng)過工藝處理的)，之后，再將另一晶圓(未經(jīng)過工藝處理的)送入工藝腔室8內(nèi)。因?yàn)椴捎玫氖请p臂機(jī)械手，可以同時(shí)加持兩張晶圓。工藝單元晶圓存取機(jī)械手4在來到工藝腔室8之前，一手為空，一手為加持晶圓(未經(jīng)過工藝處理)，空手從工藝腔室8內(nèi)取走晶圓(已經(jīng)過工藝處理的)，之后另一只手再將晶圓(未經(jīng)過工藝處理的)送往工藝腔室8。如圖3所示，工藝腔室8共8個(gè)，作用一樣，具體將晶圓(未經(jīng)過工藝處理的)送入哪一個(gè)工藝腔室8，1、采取就近原則；2、哪個(gè)工藝腔室8內(nèi)的晶圓完成工藝處理，工藝單元晶圓存取機(jī)械手4就帶著晶圓(未經(jīng)過工藝處理的)去哪個(gè)工藝腔室8面前，先取出內(nèi)部晶圓(已經(jīng)過工藝處理的)，再放入晶圓(未經(jīng)過工藝處理的)。
如圖1所示，內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元6共兩個(gè)，作用一樣，每一個(gè)分上下兩層，可同時(shí)存放兩張晶圓，上面一層，作用為中轉(zhuǎn)作用，僅存放已經(jīng)過工藝處理的晶圓；下面一層，作用為中轉(zhuǎn)作用，旋轉(zhuǎn)調(diào)整作用，讀碼ID作用，僅存放未經(jīng)過工藝處理的晶圓。設(shè)備運(yùn)行中，風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)3、靜電消除裝置7 —直起作用，風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)3是自上而下的垂直層流，靜電消除裝置7是自上而下的垂直離子流。以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，包括:至少兩個(gè)機(jī)械手(I)、至少一套化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)(2)和風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)(3)，所述風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)(3)包括多個(gè)用于使其所控制的區(qū)域達(dá)到均一風(fēng)量和壓力的控制電機(jī)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，所述機(jī)械手(I)為多自由度雙臂機(jī)械手。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，每個(gè)所述機(jī)械手(I)包括一個(gè)工藝單元晶圓存取機(jī)械手(4)，用于將從工藝單元(5)拾取的已處理晶圓放回內(nèi)部存儲(chǔ)調(diào)整單元出)的同時(shí)，拾取未經(jīng)工藝單元(5)處理的晶圓并放入工藝單元(5)進(jìn)行處理。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，所述化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)(2)的內(nèi)部各部件對稱設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，還包括多個(gè)靜電消除裝置(7)，分別覆蓋于晶圓傳片經(jīng)過的區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，所述晶圓制造裝置中的多個(gè)工藝腔室(8)呈直線型排列。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓制造裝置，其特征在于，所述晶圓制造裝置中的閥組模塊系統(tǒng)(9)對稱排布于所述裝置兩側(cè)、工藝腔室下方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶圓制造裝置，涉及半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù)領(lǐng)域，包括至少兩個(gè)機(jī)械手(1)、至少一套化學(xué)與氣源分配系統(tǒng)(2)和多個(gè)風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)(3)，所述風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)(3)分為前部區(qū)域、中部區(qū)域和側(cè)部區(qū)域，所述前部區(qū)域、中部區(qū)域和側(cè)部區(qū)域分別由使各區(qū)域達(dá)到均一風(fēng)量和壓力的同一電機(jī)控制。本發(fā)明通過對風(fēng)循環(huán)過濾系統(tǒng)進(jìn)行分區(qū)域控制，能夠提高晶圓制造裝置內(nèi)部的潔凈等級；其次，本發(fā)明使用多自由度雙臂機(jī)械手，具有更高的傳片效率；另外，本發(fā)明采用穩(wěn)定均一的化學(xué)氣體、液體分配系統(tǒng)，從而可在每單位面積中有更高的產(chǎn)品良率產(chǎn)出。
文檔編號H01L21/687GK103177985SQ20111044199
公開日2013年6月26日 申請日期2011年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月26日
發(fā)明者趙宏宇, 張曉紅, 裴立坤, 張豹, 王銳廷 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司