專利名稱：磁存儲器件及其制造方法、反應(yīng)室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲器件及其制造方法，特別是涉及一種磁存儲器件和一種制造該磁存儲器件的方法。
背景技術(shù)：
磁存儲器件，例如MRAM對因微弱讀出信號引起的單元之間磁阻的變化非常敏感。 因此，如果在單元之間有很大的磁阻偏離，可能會難以正確地讀出記錄在存儲器件中的數(shù)據(jù)。
即使通過將磁阻偏離降到最低使讀出誤差降到了最小，當(dāng)存儲單元的穩(wěn)定性得不到保證時，也就是說，當(dāng)未達(dá)到充分的磁阻(MR)比時，不僅可能會難以正確讀出數(shù)據(jù)，而且會難以將數(shù)據(jù)記錄到磁存儲器件中。
因此，已經(jīng)有人研究了最小化單元之間的磁阻偏離及確保單元穩(wěn)定性的問題。不過，仍未開發(fā)出更為可靠的磁存儲器件。
磁存儲器件單元之間的磁阻變化和MR比直接關(guān)系到隧穿膜的特性。
在傳統(tǒng)存儲器中，廣泛使用氧化鋁(Al2O3)膜作為隧穿膜。當(dāng)隧穿膜為氧化鋁膜時，為適合讀出電路可以將其形成得薄于12A,以便得到低至約10ΚΩ μπι2的磁阻，并令其具有均勻的厚度，以便單元之間的磁阻變化小于2%。當(dāng)氧化鋁膜的厚度偏離約為IA時，磁阻變動約為十的因子(一個數(shù)量級)。因此，優(yōu)選氧化鋁膜具有厚度均一性，以便單元之間的最大厚度變化小于1Α。
圖1和圖2為示出在制造傳統(tǒng)MRAM的過程中形成氧化鋁膜工序的橫截面圖，其中使用氧化鋁膜作為隧穿膜。
參考圖1，在合成反鐵磁(SAF)膜10上形成Al膜12。圖1中的附圖標(biāo)記12a表示晶粒間界。通過預(yù)定的氧化工藝氧化Al膜12。如圖2所示，氧化的結(jié)果是在SAF膜10 上形成了氧化鋁膜14。Al膜12的氧化沿著晶粒間界12a開始并進(jìn)入晶粒內(nèi)部，如箭頭所示。也就是說，Al膜12的氧化在鄰近晶粒間界1 的區(qū)域12b開始并進(jìn)展到晶粒內(nèi)部。
在傳統(tǒng)MRAM的情況下，因為Al膜12的氧化在Al膜12上的各處不是同時發(fā)生的， 所以形成的隧穿膜的磁阻在區(qū)域和區(qū)域之間有所變化。
在氧化過程中Al膜12的厚度增大。不過，因為Al膜12的氧化在Al膜12的整個區(qū)域上不是同時發(fā)生的，所以氧化后Al膜12的厚度是不均勻的。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有低磁阻、均勻厚度、高磁阻(MR)比和大工藝裕量的磁存儲器件。
本發(fā)明還提供了一種制造具有低磁阻、均勻厚度、高M(jìn)R比和大工藝裕量的磁存儲器件的方法。
本發(fā)明還提供了一種用于制造該磁存儲器件的等離子體反應(yīng)室。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種磁存儲器件，其包括開關(guān)裝置和連接到該開關(guān)裝置上的MTJ單元，其中MTJ單元包括連接到開關(guān)裝置的下電極以及依次堆疊在該下電極上的下磁層、包含氟的隧穿膜、上磁層和蓋帽層。
在包含氟的隧穿膜中，氟可以分布在接近隧穿膜上表面的區(qū)域中。隧穿膜可以是含有氟的氧化鋁膜。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種制造包括開關(guān)裝置和連接到該開關(guān)裝置的 MTJ單元的磁存儲器件的方法，該方法包括形成下電極，該下電極連接至開關(guān)裝置并在覆蓋開關(guān)裝置的層間絕緣層上形成；在所述下電極上形成下磁層；在下磁層上形成金屬膜； 氧化并氟化所述金屬膜；在經(jīng)氟氧化過的金屬膜上形成上磁層和蓋帽層；按照相反的順序構(gòu)圖依次堆疊在下電極上的層。
該金屬膜可以是具有預(yù)定厚度的鋁膜。
氧化和氟化金屬膜的工藝可以包括將金屬膜在其上形成的生成產(chǎn)品裝入反應(yīng)室，該反應(yīng)室包括氧等離子體產(chǎn)生構(gòu)件和氟源供應(yīng)構(gòu)件，以及將氧等離子體和氟源供應(yīng)到該金屬膜上。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種用于形成該磁存儲器件的反應(yīng)室，該反應(yīng)室包括一個工作臺，包含在所述工作臺上方的氟源供應(yīng)構(gòu)件，包含在所述氟源供應(yīng)構(gòu)件上方的氧等離子體生成構(gòu)件。
該氟源供應(yīng)構(gòu)件可以是聚四氟乙烯環(huán)。
本發(fā)明能夠通過最小化諸如MRAM的磁存儲器件單元間的磁阻偏離而減少讀出誤差，并能保持低磁阻但卻是高M(jìn)R比。還可以減少氧化工序的裕量。


通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的上述和其他特性和優(yōu)勢將會更加明顯，在附圖中
圖1和2為示出制造傳統(tǒng)存儲器件的磁隧穿結(jié)(MTJ)單元的方法的橫截面圖3為示出依據(jù)本發(fā)明實施例的存儲器件的MTJ單元的橫截面圖4到圖7為示出制造圖3所示的MTJ單元的方法的橫截面圖8為用于制造圖7所示的MTJ單元的等離子體反應(yīng)室的透視圖9為傳統(tǒng)磁存儲器件和依據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲器件的TMR和磁阻與氧化時間關(guān)系的曲線圖10和11分別是傳統(tǒng)磁存儲器件和依據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲器件的TMR對電壓V的依賴關(guān)系的曲線圖12和13分別是顯示傳統(tǒng)磁存儲器件和依據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲器件的隧穿膜的TEM圖14為顯示關(guān)于傳統(tǒng)磁存儲器件和依據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲器件的XPS的曲線圖15和16分別為顯示關(guān)于傳統(tǒng)磁存儲器件和依據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲器件的 Al 2p芯能級的XPS的曲線圖；以及
圖17和18分別為顯示關(guān)于傳統(tǒng)磁存儲器件和依據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲器件的 Fe 2p芯能級的XPS的曲線圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將在下文參照附圖對本發(fā)明做更為充分的介紹，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。附圖中，為清晰起見可能會放大層和區(qū)域的厚度。
圖3為示出依據(jù)本發(fā)明實施例的存儲器件的MTJ單元的橫截面圖。
參考圖3，存儲器件的MTJ單元包括下電極42，其將開關(guān)裝置(未示出)，例如晶體管連接到MTJ單元，以及依次形成在下電極42上的下磁層44、隧穿膜46a、上磁層48和蓋帽膜50。在蓋帽膜50上形成上電極(未示出)。下電極42可以是鉭(Ta)電極或氮化鈦(TiN)電極。下磁層44包括形成在下電極42上的緩沖膜Ma或種晶層，以及依次堆疊在緩沖膜4 上的釘扎膜44b和被釘扎膜44c。緩沖膜4 可以是非晶體金屬膜、釕(Ru) 膜和鎳鐵(NiFe)膜中的一個。釘扎膜44b為反鐵磁(AF)膜，可以是銥錳(IrMn)膜或鉬錳 (PtMn)膜。被釘扎膜Mc可以是多層膜或單層膜。當(dāng)被釘扎膜Mc為多層膜時，其可以是 SAF膜，該SAF膜包括下被釘扎膜、中間膜和上被釘扎膜(未示出)。此時，下被釘扎膜可以是諸如( 膜的反鐵磁膜。中間膜可以是諸如Ru膜的金屬膜。同樣，上被釘扎膜也可以是諸如( 膜的反鐵磁膜。隧穿膜46a可以是包含氟化物(F)的絕緣膜。例如，隧穿膜46a 可以為AIOxFy膜。當(dāng)隧穿膜46a為包含氟化物的氧化鋁膜時，其厚度優(yōu)選小于12人且氟化物可以均勻分布在其表面上。隨后將參考與制造根據(jù)本發(fā)明的磁存儲器件的方法相關(guān)的實驗結(jié)果詳細(xì)描述這一點(diǎn)。
上磁層48為自由磁性層，其為具有預(yù)定磁矩的材料層。根據(jù)施加到該MTJ單元的電壓，自由磁性層的極化可以平行或反平行于被釘扎膜Mc的極化?？紤]到MR比的增加， 上磁層48可以是雙層。在蝕刻過程中形成蓋帽膜50以保護(hù)上磁層48，該蓋帽膜可以為Ru膜。
現(xiàn)在將描述制造包括上述的MTJ單元的存儲器件，即MRAM的方法。
在襯底(未示出)上形成開關(guān)裝置(未示出)，即晶體管之后，在襯底上形成層間絕緣層(未示出)，其具有暴露出諸如晶體管的源極區(qū)或漏極區(qū)的摻雜區(qū)的接觸孔。在該層間絕緣層上形成填充接觸孔的襯墊導(dǎo)電層。如圖4所示，在該襯墊導(dǎo)電層上依次形成下電極42、下磁層44和用于形成隧穿膜的金屬膜46。可以用所述的制造存儲器件的材料膜形成下電極42和下磁層44。用于形成隧穿膜的金屬膜46可以為鋁(Al)膜。此時，金屬膜 46可以形成小于12A的厚度，例如8A。
如圖5所示，將其中依次形成了下電極42、下磁層44和金屬膜46的生成產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到等離子體反應(yīng)室，在其中進(jìn)行氧化和氟化工序，亦即氟氧化工序。在進(jìn)行氟氧化工序時， 將氧等離子體與氟化物源一起提供到金屬膜46上。此時，由于金屬膜46和氟化物之間的反應(yīng)，在金屬膜上形成了包含金屬膜和氟化物成分的薄膜。由于金屬膜46上的該薄膜，氧等離子體可以均勻分布在金屬膜的整個表面之上，這樣它就能與諸如鋁的金屬成分反應(yīng)。因此，如圖6所示，在下磁層44上形成金屬氧化物膜46a，即隧穿膜。
由于金屬膜46是均勻分布在整個區(qū)域上的，包含氟化物的隧穿膜46a的厚度在整個區(qū)域上都是均勻的。當(dāng)金屬膜為鋁膜時，在氟氧化工藝中隧穿膜46a的厚度增大至12A。
如圖7所示，在隧穿膜46a上依次形成上磁層48和蓋帽膜50。為了形成根據(jù)本發(fā)明的存儲器件，可以用上述的材料形成隧穿膜46a和蓋帽膜50。
圖8為用于進(jìn)行氟氧化工序的等離子體反應(yīng)室的透視圖。
參考圖8，該反應(yīng)室包括一工作臺60，其上放置有將進(jìn)行處理的樣品62。該反應(yīng)室還包括氟化物源供應(yīng)構(gòu)件64和等離子體產(chǎn)生構(gòu)件66，該等離子體產(chǎn)生構(gòu)件66從等離子體源氣體，例如氧氣(O2)或氧氣和氬氣(Ar)的氣體混合物產(chǎn)生等離子體。該氟化物源供應(yīng)構(gòu)件64可以是聚四氟乙烯環(huán)。
現(xiàn)在將描述試驗結(jié)果。做實驗時，準(zhǔn)備由MO膜形成的傳統(tǒng)隧穿膜(下文稱為第一磁存儲器件)和根據(jù)本發(fā)明的由包含氟化物的氧化鋁膜(AIOxFy)形成的隧穿膜(下文稱為第二磁存儲器件)。關(guān)于第一和第二磁存儲器件，測量了隨形成隧穿膜所用的氧化時間而產(chǎn)生的TMR變化和磁阻變化。此外，針對第一和第二磁存儲器件，測量了 TMR、隧穿膜的均勻性、氟化物成分的效果、氟化物的位置和形成于隧穿膜之下的材料膜的氧化對電壓的依賴關(guān)系。
圖9到18為顯示計量結(jié)果的曲線圖。
圖9顯示了第一和第二磁存儲器件的TMR和磁阻與氧化時間的關(guān)系。參考標(biāo)志灰和·分別表示第一和第二磁存儲器件的TMR變化。參考標(biāo)志Δ和ο分別表示第一和第二磁存儲器件的磁阻變化。
參考圖9，隨著時間增加第一磁存儲器件的TMR值劇烈減小至5%，然而，第二磁存儲器件的TMR值則相對平穩(wěn)地保持在30-34%的高水平上。該結(jié)果表明第二磁存儲器件的氧化工藝裕量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第一磁存儲器件的氧化工藝裕量。
了解到在氧化約10分鐘之后，第一磁存儲器件的TMR值的變化劇烈減小到5%， 用于第一磁存儲器件的氧化時間優(yōu)選小于10分鐘?？紤]到生產(chǎn)率，短的氧化時間也是有利的。
如圖9所示，隨著時間增加第二磁存儲器件的磁阻增加。不過，當(dāng)氧化時間小于10 分鐘時，第二磁存儲器件的磁阻值低于第一磁存儲器件。
圖10和11分別顯示了測量得到的第一和第二磁存儲器件的TMR對電壓的依賴關(guān)系。
圖10最上面的曲線顯示了第一磁存儲器件的TMR V和電壓的關(guān)系，該第一磁存儲器件包括通過將金屬膜氧化一分鐘而形成的隧穿膜。從上數(shù)第二個曲線顯示了第一磁存儲器件的TMR V和電壓之間的關(guān)系，其中該第一磁存儲器件包括通過氧化2分鐘而形成的隧穿膜。第三和第四和第五個曲線分別顯示了第一磁存儲器件的TMR V和電壓的關(guān)系，其中該第一磁存儲器件包括通過氧化三分鐘、四分鐘和六分鐘形成的隧穿膜。
圖11最上面的曲線顯示了第二磁存儲器件的TMR V和電壓的關(guān)系，其中該第二磁存儲器件包括通過將金屬膜氟氧化兩分鐘所形成的隧穿膜。從上數(shù)第二和第三條曲線分別顯示了第二磁存儲器件的TMR V和電壓的關(guān)系，其中該第二磁存儲器件包括通過將金屬膜氟氧化四分鐘和十分鐘所形成的隧穿膜。從上數(shù)第四條到第七條曲線分別顯示了第二磁存儲器件的TMR V和電壓的關(guān)系，其中該第二磁存儲器件包括通過將金屬膜氟氧化十六分鐘、二十四分鐘、三十分鐘和四十分鐘所形成的隧穿膜。
對比圖10和圖11，在所有情況下，TMR V隨電壓的變化在第一磁存儲器件中大于在第二磁存儲器件中。該結(jié)果表明第一磁存儲器件的電壓依賴性大于第二磁存儲器件的電壓依賴性。
圖12顯示了部分包括第一磁存儲器件的隧穿膜70的MTJ單元的區(qū)域的透射電子顯微鏡(TEM)圖。圖13為部分包括第二磁存儲器件的隧穿膜80的MTJ單元的區(qū)域的TEM 圖。
比較圖12中的第一磁存儲器件的隧穿膜70和圖13中的第二磁存儲器件的隧穿膜80，可以看出第二磁存儲器件的隧穿膜80表現(xiàn)出較第一磁存儲器件的隧穿膜70更好的厚度的均勻性和平面性。
也就是說，圖12所顯示的第一磁存儲器件的隧穿膜70具有很大局部變化的不均勻的厚度。另一方面，圖13顯示的第二磁存儲器件的隧穿膜80在其整個區(qū)域上有著均勻的厚度和光滑的表面。
圖14為一曲線圖，顯示了在將堆疊的層蝕刻為MTJ單元之前，用于形成第一和第二磁存儲器件的MTJ單元的堆疊的層在O-IOOOeV的能量范圍內(nèi)的X射線光譜。
在圖14中，第一條曲線Gl代表第一磁存儲器件的光譜，而第二曲線G2代表第二磁存儲器件的光譜。第一條曲線Gl的第一個峰Pl和第二條曲線G2的第二個峰P2顯示了 F Is的強(qiáng)度。
對比第一條曲線Gl的第一個峰Pl和第二條曲線G2的第二個峰P2，很明顯第二個峰P2遠(yuǎn)小于第一個峰Pl。這意味著，第二磁存儲器件的隧穿膜所含的氟的量大于第一磁存儲器件的隧穿膜所含的氟的量。通過對比第一和第二曲線Gl和G2的峰，可以看出第一曲線Gl的第一個峰Pl小于大部分其他的峰。這意味著，與第二磁存儲器件的隧穿膜所含的氟的量相比，第一磁存儲器件的隧穿膜所含的氟的量幾乎可以忽略。
第一條曲線Gl的第一個峰Pl歸因于清洗工序之后銹蝕在第一磁存儲器件的隧穿膜表面上的CF4。也就是說，在用于形成第一磁存儲器件的制造過程中，在形成隧穿膜之后， 包括了一道利用CF4等離子體清洗隧穿膜的過程。在該清洗過程中，CF4可在隧穿膜的表面被銹蝕，從而出現(xiàn)像第一個峰P1。因此，第一條曲線Gl的第一個峰Pl并不意味著第一磁存儲器件的隧穿膜中含有氟。
圖15和16分別是顯示第一和第二磁存儲器件的Al 2p芯能級光譜的曲線圖。也就是說，圖15和16所示的光譜含有關(guān)于第一和第二磁存儲器件的隧穿膜中鋁的存在的信肩、ο
圖15顯示了第一磁存儲器件的光譜，其包含通過氧化約八分鐘而形成的隧穿膜， 而圖16顯示了第二磁存儲器件的光譜，其包含通過氟氧化十五分鐘所形成的隧穿膜。
圖15和16所示的光譜是在第一和第二磁存儲器件的每一個隧穿膜的表面下不同的深度測量的。
在圖15和16中，附圖標(biāo)記1代表第一和第二磁存儲器件的隧穿膜表面處的光譜， 而附圖標(biāo)記2代表第一和第二磁存儲器件的隧穿膜表面稍下處的光譜。隨著附圖標(biāo)記變大，在隧穿膜內(nèi)的測量深度在增大。因此，隨著附圖標(biāo)記變大，距隧穿膜的表面的距離在增加，即，測量深度離下磁層更近了。
參考圖15，當(dāng)結(jié)合能為74. 4eV時，在第一磁存儲器件的隧穿膜表面上測量的光譜 1出現(xiàn)峰值。該峰值意味著，鋁以AlOx的形式存在于第一磁存儲器件的隧穿膜的表面上。在第一磁存儲器件的隧穿膜的更深處測量的光譜2到9中，峰值的位置與在隧穿膜表面層測量的光譜1中的位置相同。這一結(jié)果表明第一磁存儲器件的整個隧穿膜都是由AlOx形成的。
參考圖16，當(dāng)結(jié)合能為75. 6eV時，在第二磁存儲器件的隧穿膜表面上測量的光譜 1出現(xiàn)峰值。這一結(jié)果表明，在第二磁存儲器件的隧穿膜的表面層中的鋁以AlOxFy的形式存在。
不過，參照圖16中在第二磁存儲器件的隧穿膜更深處測得的光譜2到7，隨著深度增大峰值的位置向著74. 4eV的結(jié)合能偏移。這一結(jié)果表明，盡管第二磁存儲器件的隧穿膜表面的鋁以AlOxFy的形式存在，而在表面以下，鋁則以AlOx的形式存在。
圖17和18分別為示出第一和第二磁存儲器件的隧穿膜的！^ 2p芯能級光譜的曲線圖。這些曲線包含關(guān)于在形成第一和第二磁存儲器件的隧穿膜的過程中在氧化工序期間形成在隧穿膜之下的下磁層的氧化方面的信息。
圖17顯示了第一磁存儲器件的光譜，其包含通過氧化約八分鐘形成的隧穿膜，而圖18顯示了第二磁存儲器件的光譜，其包含通過氟氧化十五分鐘所形成的隧穿膜。
參考圖17，第一個峰值出現(xiàn)在結(jié)合能為724. OeV的位置而第二峰值出現(xiàn)在結(jié)合能為710. ^V的位置。不過，在圖18中，峰值未出現(xiàn)在同一位置。圖17中第一和第二峰值歸因于氧化鐵(FeOx)或氧化鈷(CoOx)的存在。
通過比較圖17和18，對于第一磁存儲器件，在氧化隧穿膜的過程中氧化形成在隧穿膜之下的下磁層。然而，對于第二磁存儲器件來說，盡管其氟氧化時間比第一磁存儲器件要長，但形成在隧穿膜之下的下磁層并未被氧化。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以在整個區(qū)域之上形成具有均勻厚度的磁存儲器件的隧穿膜，因為是利用氟氧化工藝形成該隧穿膜的。因此，可以將單元之內(nèi)和單元之間隧穿膜的厚度偏離降到最低。同時，能夠在保持高M(jìn)R比的同時保持MTJ單元的低磁阻，因為隧穿膜的整個區(qū)域都是被均勻氧化的，而隧穿膜之下的材料膜卻未通過氟氧化過程被氧化。同樣，可以提高氧化工藝裕量，因為隧穿膜的優(yōu)異特性不隨氟氧化過程的長度而變化。
盡管已參照其優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了特別地展示和描述，仍不應(yīng)理解為本發(fā)明受到這里所述實施例的限制。例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將制造根據(jù)本發(fā)明的隧穿膜的方法應(yīng)用到需要類似于本發(fā)明的隧穿膜的特性的存儲器件或其他半導(dǎo)體器件的制造中。 因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)由所附權(quán)利要求的技術(shù)精神所界定。
權(quán)利要求
1.一種磁存儲器件，其包括開關(guān)裝置和連接到所述開關(guān)裝置的MTJ單元，其中所述MTJ 單元包括一連接到所述開關(guān)裝置的下電極；和依次堆疊在所述下電極上的一下磁層、一包含氟的隧穿膜、一上磁層和一蓋帽層， 其中所述隧穿膜的氟分布在所述隧穿膜的表面層上，且其中所述隧穿膜是單層。
2.如權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其中所述下磁層包括依次堆疊的一緩沖膜、一AF 膜和一 SAF膜。
3.如權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其中所述隧穿膜為含有氟的氧化鋁膜。
4.一種用于制造包括開關(guān)裝置和連接到所述開關(guān)裝置的MTJ單元的磁存儲器件的方法，該方法包括形成一下電極，該下電極在覆蓋所述開關(guān)裝置的層間絕緣層上與所述開關(guān)裝置連接； 在所述下電極上形成一下磁層； 在所述下磁層上形成一金屬膜； 氧化并氟化該金屬膜；在所述被氟氧化的金屬膜上形成一上磁層和一蓋帽層；以及按照相反的順序構(gòu)圖依次堆疊在下電極上的層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中金屬膜通過具有預(yù)定厚度的鋁膜形成。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中氧化和氟化金屬膜的工序包括將在其上形成金屬膜的生成產(chǎn)品裝入反應(yīng)室，該反應(yīng)室包括氧等離子體產(chǎn)生構(gòu)件和氟源供應(yīng)構(gòu)件；以及將氧等離子體和氟源供應(yīng)到所述金屬膜上。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述氟源供應(yīng)構(gòu)件為聚四氟乙烯環(huán)。
8.一種反應(yīng)室，包括一工作臺；設(shè)置在所述工作臺上方的氟源供應(yīng)構(gòu)件；以及設(shè)置在所述氟源供應(yīng)構(gòu)件上方的氧等離子體生成構(gòu)件， 其中該氟源供應(yīng)構(gòu)件設(shè)置在所述反應(yīng)室內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的反應(yīng)室，其中所述氟源供應(yīng)構(gòu)件為聚四氟乙烯環(huán)。
全文摘要
本發(fā)明提供磁存儲器件及其制造方法、反應(yīng)室。該磁存儲器件包括開關(guān)裝置和連接到該開關(guān)裝置上的MTJ單元，其中MTJ單元包括連接到開關(guān)裝置的下電極以及依次堆疊在該下電極上的下磁層、包含氟的隧穿膜、上磁層和蓋帽層。
文檔編號H01L21/8246GK102522498SQ20111044185
公開日2012年6月27日 申請日期2005年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月29日
發(fā)明者車國麟, 金大植, 金泰完 申請人:三星電子株式會社