專利名稱：嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板及其制法，尤指ー種承載半導(dǎo)體芯片用的嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法。
背景技術(shù)：
如圖1所示，其為現(xiàn)有倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖，該封裝結(jié)構(gòu)的エ藝先提供一具有核心板102、第一表面IOa及第ニ表面IOb的雙馬來酰亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine, BT)封裝基板10,且于該封裝基板10的第一表面IOa形成有倒裝芯片焊墊100 ;再借由焊錫凸塊11電性連接半導(dǎo)體芯片12的電性連接墊120 ;接著，于該封裝基板10的第一表面IOa與該半導(dǎo)體芯片12之間形成底膠17，以包覆該焊錫凸塊11 ；又于該封裝基板10的第二表面IOb具有植球墊101，以借由焊球13電性連接例如為印刷電路板的另ー電子裝置(未表示于圖中)。然而，為了增進(jìn)該半導(dǎo)體芯片12的電性效能，所以于該半導(dǎo)體芯片12的后端エ藝(Back-End Of Line,BE0L)中通常將米用超低介電系數(shù)(Extreme low-k dielectric,ELK)或超低介電常數(shù)(Ultra low-k, ULK)的介電材料，但該低k的介電材料為多孔且易脆的特性，以致于當(dāng)進(jìn)行倒裝芯片封裝后，在信賴度熱循環(huán)測(cè)試時(shí)，將因該封裝基板10與該半導(dǎo)體芯片12之間的熱膨脹系數(shù)(thermal expansion coefficient, CTE)差異過大，導(dǎo)致該焊錫凸塊11易因熱應(yīng)カ不均而產(chǎn)生破裂，使該半導(dǎo)體芯片12產(chǎn)生破裂，造成產(chǎn)品可靠度不佳。此外，隨著電子產(chǎn)品更趨于輕薄短小及功能不斷提升的需求，該半導(dǎo)體芯片12的布線密度愈來愈高，以納米尺寸作単位，因而各該電性連接墊120之間的間距更?。蝗欢?，現(xiàn)有封裝基板10的倒裝芯片焊墊100的間距以微米尺寸作単位，而無法有效縮小至對(duì)應(yīng)該電性連接墊120的間距的大小，導(dǎo)致雖有高線路密度的半導(dǎo)體芯片12，卻未有可配合的封裝基板，以致于無法有效生產(chǎn)電子產(chǎn)品。因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法，使封裝基板可結(jié)合具有高布線密度的半導(dǎo)體芯片，而達(dá)到整合高布線密度的半導(dǎo)體芯片的目的。本發(fā)明的另一目的在于提供一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法，可避免該半導(dǎo)體芯片與該穿孔中介層之間的焊錫凸塊破裂，有效使產(chǎn)品的可靠度提升。本發(fā)明所提供的嵌埋穿孔中介層的封裝基板包括:模封層；嵌埋于該模封層中的穿孔中介層，其具有多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔的相對(duì)兩端面均外露于該穿孔中介層；嵌埋于該模封層中且設(shè)于該穿孔中介層上的線路重布層，其電性連接該導(dǎo)電穿孔的其中一端面；以及設(shè)于該模封層與穿孔中介層上的增層結(jié)構(gòu)，其電性連接該導(dǎo)電穿孔的另一端面。
本發(fā)明還提供一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其包括:提供一具有多個(gè)導(dǎo)電穿孔的穿孔中介層，該導(dǎo)電穿孔的相對(duì)兩端面均外露于該穿孔中介層，又于該穿孔中介層上形成電性連接該導(dǎo)電穿孔一端面的線路重布層；將一模封層包覆該穿孔中介層，使該穿孔中介層與線路重布層嵌埋于該模封層中；以及于該模封層、該穿孔中介層上形成電性連接該導(dǎo)電穿孔另一端面的增層結(jié)構(gòu)。前述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法中，該導(dǎo)電穿孔的另一端面可凸出該穿孔中介層，以作為導(dǎo)電凸塊，以供電性連接該增層結(jié)構(gòu)。由上可知，本發(fā)明嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法中，其借由嵌埋該穿孔中介層，使該導(dǎo)電穿孔的其中一端電性連接該線路重布層以電性結(jié)合間距較小的半導(dǎo)體芯片的電性連接墊，而另一端電性連接間距較大的增層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電盲孔，使該封裝基板可結(jié)合具有高布線密度的半導(dǎo)體芯片，而達(dá)到整合高布線密度的半導(dǎo)體芯片的目的。所以借由該中介層，不僅可解決缺乏可配合的封裝基板的問題，且不會(huì)改變IC產(chǎn)業(yè)原本的供應(yīng)鏈(,supply chain)及石出設(shè)備(infrastructureノ。此外，若將半導(dǎo)體芯片設(shè)于該穿孔中介層上，因該穿孔中介層的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)相近，所以可避免該半導(dǎo)體芯片與該穿孔中介層之間的焊錫凸塊破裂，有效使產(chǎn)品的可靠度提升。再者，借由將該穿孔中介層嵌埋于該模封層中，可降低整體結(jié)構(gòu)的厚度，且借由于該模封層的第二表面上形成增層結(jié)構(gòu)，所以無需使用現(xiàn)有技術(shù)的核心板，也可降低整體結(jié)構(gòu)的厚度。


圖1為現(xiàn)有倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；圖2A至圖2J為本發(fā)明嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法的第一實(shí)施例的剖視示意圖；圖21’、圖21”為圖21的其它實(shí)施例，圖2J’、圖2J”、圖2K為圖2J的其它實(shí)施例；圖3A至圖3E為本發(fā)明嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法的第二實(shí)施例的剖視示意圖；圖3D’、圖3D”為圖3D的其它實(shí)施例，圖3E’、圖3E”為圖3E的其它實(shí)施例；以及圖4A、圖4A’及圖4A”為本發(fā)明嵌埋穿孔中介層的封裝基板的第三實(shí)施例的剖視示意圖。主要組件符號(hào)說明10，3，3’，3”，4，4’，4” 封裝基板10a，22a，22a，，22a”第一表面10b, 22b第二表面100倒裝芯片焊墊101植球墊102核心板11焊錫凸塊12半導(dǎo)體芯片

120電性連接墊13，25焊球
17底膠2，2’，2”，5封裝基板20,30穿孔中介層20’中介層20a, 30a第一側(cè)20b,20b,,30b第二側(cè)200,300導(dǎo)電穿孔200’穿孔200a, 300a第一端面200b, 300b第二端面201絕緣層21線路重布層210電極墊22模封層220,240開孔23增層結(jié)構(gòu)230介電層230a線路槽231，231’線路層232，232’導(dǎo)電盲孔233電性接觸墊24絕緣保護(hù)層301導(dǎo)電凸塊K，L假想線。
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所掲示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí) 質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所掲示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，也當(dāng)視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。請(qǐng)參閱圖2A至圖2J，其為本發(fā)明嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法的第一實(shí)施例的剖視示意圖。如圖2A所示，提供一中介層20’，該中介層20’具有相対的第一側(cè)20a與第二側(cè)20b’，再于該中介層20’的第一側(cè)20a形成多個(gè)穿孔200’。
于本實(shí)施例中，該中介層20’的材質(zhì)為硅。如圖2B所示，于該穿孔200’的側(cè)壁與底部上形成絕緣層201，再于該穿孔200’中形成銅材，以形成導(dǎo)電穿孔200，該導(dǎo)電穿孔200具有對(duì)應(yīng)該中介層20’的第一側(cè)20a與第ニ側(cè)20b’的第一端面200a與第二端面200b。于本實(shí)施例中，形成該導(dǎo)電穿孔200的材質(zhì)也可為鎳、金、鎢、鋁或?qū)щ姼?，而該絕緣層201的材質(zhì)可為Si02、Si3N4或Polymer,又該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a與該中介層20’的第一側(cè)20a齊平。另外，要補(bǔ)充說明的是，本發(fā)明的中介層20’除了如前述圖2B的實(shí)施例之外，也可為不具有該絕緣層201的實(shí)施例，也就是該中介層20’的材質(zhì)可為玻璃、或例如為Al2O3或AlN的陶瓷等絕緣材料，并在該中介層20’中直接形成貫穿的導(dǎo)電穿孔200，由于此實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的通常知識(shí)者所能了解，所以不在此加以贅述與圖標(biāo)。如圖2C所示，于該中介層20’的第一側(cè)20a與該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a上形成線路重布層(Redistribution layer, RDL) 21,該線路重布層21電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a，且該線路重布層21的最外層具有多個(gè)電極墊210。如圖2D所示，將該中介層20’的第一側(cè)20a與該線路重布層21結(jié)合至ー載板(圖未示)上，再經(jīng)研磨該中介層20’的第二側(cè)20b’，使該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b外露于該穿孔中介層20的第二側(cè)20b，再移除該載板，以完成該穿孔中介層20的制作。于本實(shí)施例中，該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b與該穿孔中介層20的第二側(cè)20b齊平，且該導(dǎo)電穿孔200連通該穿孔中介層20的第一側(cè)20a與第二側(cè)20b，又該導(dǎo)電穿孔200僅于側(cè)壁上具有絕緣層201。此外，所述的載板的材質(zhì)選用與該中介層20’相同或相近的材質(zhì)，以利于結(jié)合該中介層20’，所以該載板的材質(zhì)可例如為硅、玻璃、或A1203、AlN的陶瓷等絕緣材料，而于本實(shí)施例中，該載板的材質(zhì)選用玻璃。再者，該載板與該中介層20’的結(jié)合方式可為粘貼式。如圖2E所示，于如圖2D所示的切割假想線K處進(jìn)行切單后，得到多個(gè)穿孔中介層20。如圖2F所示，于ー玻璃載板(圖未示)上重新排列該些穿孔中介層20，使該些穿孔中介層20的第二側(cè)20b與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b結(jié)合至該玻璃載板上，再將一模封層22包覆該些穿孔中介層20，使該些穿孔中介層20嵌埋于該模封層22中，再移除該玻璃載板。于本實(shí)施例中，該模封層22具有相對(duì)的第一表面22a及第ニ表面22b,以令該穿孔中介層20的第二側(cè)20b與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b與該模封層22的第二表面22b齊平，且該模封層22覆蓋該線路重布層21與該些電極墊210。如圖2G至圖21所示，于該模封層22的第二表面22b、該穿孔中介層20的第二側(cè)20b與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b上形成增層結(jié)構(gòu)23。如圖2G所示,先形成一如ABF(Ajinomoto Build-up Film)的介電層230,再于該介電層230上以激光方式形成多個(gè)線路槽(包含盲孔)230a,以外露出該導(dǎo)電穿孔200的第ニ端面200b。于本實(shí)施例中，形成該介電層230的方式可為涂布或壓合エ藝，而形成該介電層 230 的材料亦可為 PI (Polyimide)、PP (prepreg)或苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene, BCB)。
如圖2H所示，于該線路槽230a中電鍍形成線路層231與多個(gè)導(dǎo)電盲孔232’，使該線路層231嵌埋于該介電層230中，且該些導(dǎo)電盲孔232’對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b。于本實(shí)施例中，先于該線路槽230a中與介電層230上形成銅材以作為導(dǎo)電層(圖未示)，再于該線路槽230a中與介電層230上電鍍金屬材，以形成該線路層231與該些導(dǎo)電盲孔232’，最后移除該介電層230底面上的金屬材與導(dǎo)電層。因此，本發(fā)明的嵌埋式線路層231的エ藝，可免用蝕刻方式，因而可克服線路因蝕刻液的側(cè)蝕而損壞線路尺寸，進(jìn)而導(dǎo)致線路需作成較大的尺寸的缺失。所以當(dāng)使用體積較小的穿孔中介層20時(shí)，仍可制作出更精密的線路，以對(duì)應(yīng)連接較微小的導(dǎo)電穿孔200。如圖21所示，依實(shí)際層數(shù)需求，可制作多層線路結(jié)構(gòu)。于本實(shí)施例中，該增層結(jié)構(gòu)23具有至少一介電層230、嵌埋于該介電層230中的線路層231、及設(shè)于該介電層230中并電性連接該線路層231的多個(gè)導(dǎo)電盲孔232，而部分的導(dǎo)電盲孔232’對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b。接著，于該增層結(jié)構(gòu)23上形成絕緣保護(hù)層24，且該絕緣保護(hù)層24形成有多個(gè)開孔240，以外露部份的線路層231，以供作為電性接觸墊233。于其它實(shí)施例中，也可移除該模封層22的第一表面22a的部分材質(zhì)，令該電極墊210外露于該模封層22的第一表面22a’，22a”，以供接置半導(dǎo)體芯片(圖未示)。如圖21’所不，于該模封層22的第一表面22a’形成多個(gè)開孔220,令該電極墊210對(duì)應(yīng)外露于該開孔220?；蛘?，如圖21”所示，使該模封層22的第一表面22a”的高度齊平或低于該電極墊210的高度,令該電極墊210外露于該模封層22的第一表面22a”。如圖2J、圖2J’、圖2J”所示，于如圖21所示的切割假想線L處將圖21、圖21’、圖21”的結(jié)構(gòu)進(jìn)行切單后，可取得多個(gè)嵌埋穿孔中介層20的封裝基板2，2’，2”。于切單エ藝前或于后續(xù)エ藝中，可于該些電性接觸墊233上結(jié)合焊球25，以接置其它電子裝置，如電路板或封裝件。另外，如圖2K所示，于其它實(shí)施例的封裝基板5中，該增層結(jié)構(gòu)23的線路層231’也可形成于該介電層230的表面上，而非嵌埋型式。本發(fā)明還提供一種嵌埋穿孔中介層20的封裝基板2，2’，2”，包括:具有相対的第一表面22a，22a’，22a”及第ニ表面22b的模封層22、嵌埋于該模封層22中的穿孔中介層
20、嵌埋于該模封層22中且設(shè)于該穿孔中介層20上的線路重布層21、設(shè)于該模封層22的第二表面22b上的增層結(jié)構(gòu)23、以及設(shè)于該增層結(jié)構(gòu)23上的絕緣保護(hù)層24。所述的穿孔中介層20具有相対的第一側(cè)20a與第二側(cè)20b、及連通該第一側(cè)20a與第二側(cè)20b的多個(gè)導(dǎo)電穿孔200，該導(dǎo)電穿孔200于該第一側(cè)20a與第二側(cè)20b上分別具有第一端面200a與第二端面200b，且該導(dǎo)電穿孔200的側(cè)壁上可具有絕緣層201，又該穿孔中介層20的第二側(cè)20b與該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b與該模封層22的第二表面22b齊平。所述的線路重布層21設(shè)于該穿孔中介層20的第一側(cè)20a與該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a上，并電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a，而該線路重布層21的最外層具有多個(gè)電極墊210。所述的模封層22可覆蓋該些電極墊210，如圖2J所示；也可令該些電極墊210外露于該模封層22的第一表面22a’，22a”,如圖2J’、圖2J”所不。
所述的增層結(jié)構(gòu)23還設(shè)于該穿孔中介層20的第二側(cè)20b與該導(dǎo)電穿孔200的第ニ端面200b上，且具有至少一介電層230、嵌埋于該介電層230中的線路層231、及設(shè)于該介電層230中并電性連接該線路層231的多個(gè)導(dǎo)電盲孔232，而部分的導(dǎo)電盲孔232’對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b。所述的絕緣保護(hù)層24形成有多個(gè)開孔240，以外露部分的線路層231，以供作為電性接觸墊233。本發(fā)明的嵌埋穿孔中介層20的封裝基板2，2’，2”及其制法，主要借由嵌埋該穿孔中介層20，使該導(dǎo)電穿孔200的第一端面200a電性連接該線路重布層21以電性結(jié)合間距較小的半導(dǎo)體芯片(圖未示)的電性連接墊(如圖2J’、圖2J”所示)，而第二端面200b電性連接間距較大的增層結(jié)構(gòu)23的導(dǎo)電盲孔232’，使該封裝基板2，2’，2”可結(jié)合具有高布線密度的半導(dǎo)體芯片，而達(dá)到整合高布線密度的半導(dǎo)體芯片的目的。此外，若將半導(dǎo)體芯片設(shè)于該穿孔中介層20上，且該穿孔中介層20的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)相近(CET均約為2.6ppm)，所以可避免該半導(dǎo)體芯片與該穿孔中介層20之間的焊錫凸塊破裂，因而有效使產(chǎn)品的可靠度提升。再者，將該穿孔中介層20嵌埋于該模封層22中，可降低整體結(jié)構(gòu)的厚度，且于該模封層22的第二表面22b上形成增層結(jié)構(gòu)23，所以無需使用現(xiàn)有技術(shù)的核心板，也可降低整體結(jié)構(gòu)的厚度。請(qǐng)參閱圖3A至圖3E，其為本發(fā)明嵌埋穿孔中介層30的封裝基板3的制法的第二實(shí)施例的剖視示意圖。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異僅在于該穿孔中介層30具有導(dǎo)電凸塊301，其它相關(guān)エ藝大致相同。如圖3A所示，提供ー圖2D所示的穿孔中介層20。如圖3B所示，蝕刻移除該穿孔中介層20的第二側(cè)20b的部分材質(zhì)，使該導(dǎo)電穿孔300的第二端面300b凸出該穿孔中介層30的第二側(cè)30b，令該導(dǎo)電穿孔300的凸出部分作為導(dǎo)電凸塊301 (可包含該絕緣層201)。如圖3C所示，于如圖3B所示的切割假想線K處切單后，取得多個(gè)穿孔中介層30。接著，將ー具有相対的第一表面22a及第ニ表面22b的模封層22包覆該些穿孔中介層30，使該穿孔中介層30嵌埋于該模封層22中，且該穿孔中介層30的第二側(cè)30b外露于該模封層22的第二表面22b,而該導(dǎo)電凸塊301凸出該模封層22的第二表面22b,又該模封層22覆蓋該線路重布層21與該些電極墊210。如圖3D所示，于該模封層22的第二表面22b、該穿孔中介層30的第二側(cè)30b與該導(dǎo)電凸塊301上形成增層結(jié)構(gòu)23，該增層結(jié)構(gòu)23具有至少一介電層230、嵌埋于該介電層230中的線路層231、及設(shè)于該介電層230中并電性連接該線路層231的多個(gè)導(dǎo)電盲孔232，而部分的導(dǎo)電盲孔232’對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電凸塊301。接著，于該增層結(jié)構(gòu)23上形成絕緣保護(hù)層24，且該絕緣保護(hù)層24形成有多個(gè)開孔240，以外露部份的線路層231，以供作為電性接觸墊233。于其它實(shí)施例中，也可移除該模封層22的第一表面22a的部分材質(zhì),令該電極墊210外露于該模封層22的第一表面22a’，22a”。如圖3D’所不,于該模封層22的第一表面22a’形成多個(gè)開孔220，令該電極墊210對(duì)應(yīng)外露于該開孔220。或者，如圖3D”所示，使該模封層22的第一表面22a”的高度齊平或低于該電極墊210的高度，令該電極墊210外露于該模封層22的第一表面22a”。如圖3E、圖3E’、圖3E”所示，于如圖3D所示的切割假想線L處將圖3D、圖3D’、圖3D”的結(jié)構(gòu)進(jìn)行切單后，可取得多個(gè)嵌埋穿孔中介層30的封裝基板3，3’，3”。于切單エ藝前或于后續(xù)エ藝中，可于該些電性接觸墊233上結(jié)合焊球25，以接置其它電子裝置，如電路板或封裝件。本發(fā)明的制法中，借由該導(dǎo)電穿孔300的第二端面300b凸出該穿孔中介層30的第二側(cè)30b以作為導(dǎo)電凸塊301，當(dāng)制作該增層結(jié)構(gòu)23以激光形成該線路槽230a時(shí)，激光產(chǎn)生的高溫及壓カ將被硬質(zhì)材的該導(dǎo)電凸塊301吸收，以避免破壞由脆弱材質(zhì)所制成的穿孔中介層30。此外，若該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b與該穿孔中介層20的第二側(cè)20b齊平時(shí)，如圖3A所示，為了避免激光形成該線路槽230a時(shí)而破壞該穿孔中介層20，雖可直接于該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b上結(jié)合凸塊(圖未示)，以代替蝕刻移除該穿孔中介層20的第二側(cè)20b的部分材質(zhì)而形成導(dǎo)電凸塊301的エ藝，但此方式所形成的凸塊的高度至少需30 ii m，因而不利于微小化的穿孔中介層30。再者，若該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b與該穿孔中介層20的第二側(cè)20b齊平時(shí)，如圖3A所示，為了避免激光形成該線路槽230a時(shí)而破壞該穿孔中介層20，也可于該導(dǎo)電穿孔200的第二端面200b上進(jìn)行化鎳金工藝以吸收激光，而不需形成該導(dǎo)電凸塊301，但此方式將導(dǎo)致成本提高，且エ藝溫度高，藥水攻擊性強(qiáng)。請(qǐng)參閱圖4A、圖4A’及圖4A”，其為本發(fā)明嵌埋穿孔中介層30的封裝基板4，4’，4”的第三實(shí)施例的剖視示意圖。本實(shí)施例與第二實(shí)施例的差異僅在于線路層形成于該介電層上，其它相關(guān)エ藝均相同。如圖4A、圖4A’及圖4A”所示，該增層結(jié)構(gòu)23的線路層231’設(shè)于該介電層230的
表面上。本發(fā)明還提供一種嵌埋穿孔中介層30的封裝基板3，3’，3”，4，4’，4”，包括:具有相対的第一表面22a，22a’，22a”及第ニ表面22b的模封層22、嵌埋于該模封層22中的穿孔中介層30、嵌埋于該模封層22中且設(shè)于該穿孔中介層30上的線路重布層21、設(shè)于該模封層22的第二表面22b上的增層結(jié)構(gòu)23、以及設(shè)于該增層結(jié)構(gòu)23上的絕緣保護(hù)層24。所述的穿孔中介層30具有相対的第一側(cè)30a與第二側(cè)30b、及連通該第一側(cè)30a與第二側(cè)30b的多個(gè)導(dǎo)電穿孔300，該導(dǎo)電穿孔300于該第一側(cè)30a與第二側(cè)30b上分別具有第一端面300a與第二端面300b，且該導(dǎo)電穿孔300的側(cè)壁上可具有絕緣層201，而該第ニ側(cè)30b外露于該模封層22的第二表面22b，又該導(dǎo)電穿孔300的第二端面300b凸出該穿孔中介層30的第二側(cè)30b與該模封層22的第二表面22b,以作為導(dǎo)電凸塊301。所述的線路重布層21設(shè)于該穿孔中介層30的第一側(cè)30a與該導(dǎo)電穿孔300的第一端面300a上，并電性連接該導(dǎo)電穿孔300的第一端面300a，而該線路重布層21的最外層具有多個(gè)電極墊210。所述的模封層22可覆蓋該些電極墊210，如圖3E所示；也可令該些電極墊210外露于該模封層22的第一表面22a’, 22a”,如圖3E’、圖3E”所ホ。所述的增層結(jié)構(gòu)23還設(shè)于該穿孔中介層30的第二側(cè)30b與該導(dǎo)電穿孔300的第ニ端面300b上，且具有至少一介電層230、嵌埋于該介電層230中的線路層231 (如圖3E、圖3E’、圖3E”所示)、及設(shè)于該介電層230中并電性連接該線路層231的多個(gè)導(dǎo)電盲孔232，而部分的導(dǎo)電盲孔232’對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電凸塊301。此外，該線路層231’也可設(shè)于該介電層230上，如圖4A、圖4A’及圖4A”所示。所述的絕緣保護(hù)層24形成有多個(gè)開孔240，以外露部分的線路層231，以供作為電性接觸墊233。綜上所述，本發(fā)明的嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法，借由將中介層嵌埋于模封層中，不僅可解決缺乏可配合的封裝基板的問題，且不會(huì)改變IC產(chǎn)業(yè)原本的供應(yīng)鏈(supply chain)及基礎(chǔ)設(shè)備(infrastructure),以符合微小化與低成本的需求。上述實(shí)施例用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其包括: 模封層，其具有相對(duì)的第一表面及第ニ表面； 穿孔中介層，其嵌埋于該模封層中，且具有相対的第一側(cè)與第二側(cè)、及連通該第一側(cè)與第二側(cè)的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔于該第一側(cè)與第二側(cè)上分別具有第一端面與第二端面，且該穿孔中介層的第二側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第二端面與該模封層的第二表面齊平； 線路重布層，其嵌埋于該模封層中且設(shè)于該穿孔中介層的第一側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第一端面上，并電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面，而該線路重布層的最外層具有電極墊；以及 增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該模封層的第二表面、該穿孔中介層的第二側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第二端面上，且具有至少一介電層、嵌埋于該介電層中的線路層、及設(shè)于該介電層中并電性連接該線路層的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，而部分的導(dǎo)電盲孔對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在干，該導(dǎo)電穿孔的側(cè)壁上具有絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該增層結(jié)構(gòu)上，且具有多個(gè)開孔，以外露部分的線路層，以供作為電性接觸墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在于，該模封層覆蓋該電極墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在于，該電極墊外露于該模封層的第一表面。
6.一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其包括: 模封層，其具有相對(duì)的第一表面及第ニ表面； 穿孔中介層，其嵌埋于該模封層中，且具有相対的第一側(cè)與第二側(cè)、及連通該第一側(cè)與第二側(cè)的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔于該第一側(cè)與第二側(cè)上分別具有第一端面與第二端面，且該第二側(cè)外露于該模封層的第二表面，又該導(dǎo)電穿孔的第二端面凸出該穿孔中介層的第二側(cè)與該模封層的第二表面，以作為導(dǎo)電凸塊； 線路重布層，其嵌埋于該模封層中且設(shè)于該穿孔中介層的第一側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第一端面上，并電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面，而該線路重布層的最外層具有電極墊；以及 增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該模封層的第二表面、該穿孔中介層的第二側(cè)與該導(dǎo)電凸塊上，且具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè)于該介電層中并電性連接該線路層的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，而部分的導(dǎo)電盲孔對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電凸塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在干，該導(dǎo)電穿孔的側(cè)壁上具有絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該增層結(jié)構(gòu)上，且具有多個(gè)開孔，以外露部分的線路層，以供作為電性接觸墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在干，該線路層嵌埋于該介電層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在于，該模封層覆蓋該電極墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板，其特征在于，該電極墊外露于該模封層的第一表面。
12.一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其包括: 提供一穿孔中介層，該穿孔中介層具有相対的第一側(cè)與第二側(cè)、及連通該第一側(cè)與第ニ側(cè)的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔于該第一側(cè)與第二側(cè)上分別具有第一端面與第二端面，而該導(dǎo)電穿孔的第二端面與該穿孔中介層的第二側(cè)齊平，又于該穿孔中介層的第一側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第一端面上形成線路重布層，該線路重布層電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面，且該線路重布層的最外層具有電極墊； 將ー模封層包覆該穿孔中介層，使該穿孔中介層嵌埋于該模封層中，且該模封層具有相対的第一表面及第ニ表面，以令該穿孔中介層的第二側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第二端面與該模封層的第二表面齊平，且該模封層覆蓋該線路重布層與該電極墊；以及 于該模封層的第二表面、該穿孔中介層的第二側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第二端面上形成增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、嵌埋于該介電層中的線路層、及設(shè)于該介電層中并電性連接該線路層的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，而部分的導(dǎo)電盲孔對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電穿孔的第二端面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在干，該導(dǎo)電穿孔的側(cè)壁上具有絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在干，該線路層的エ藝包括: 形成該介電層； 于該介電層上形成線路槽；以及 于該線路槽中形成該線路層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括于該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有多個(gè)開孔，以外露部份的線路層，以供作為電性接觸墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括移除該模封層的第一表面的部分材質(zhì)，令該電極墊外露于該模封層的第一表面。
17.一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其包括: 提供一穿孔中介層，該穿孔中介層具有相対的第一側(cè)與第二側(cè)、及連通該第一側(cè)與第ニ側(cè)的多個(gè)導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔于該第一側(cè)與第二側(cè)上分別具有第一端面與第二端面，而該導(dǎo)電穿孔的第二端面凸出該穿孔中介層的第二側(cè)，以作為導(dǎo)電凸塊，又于該穿孔中介層的第一側(cè)與該導(dǎo)電穿孔的第一端面上形成線路重布層，該線路重布層電性連接該導(dǎo)電穿孔的第一端面，且該線路重布層的最外層具有電極墊； 將ー模封層包覆該穿孔中介層，使該穿孔中介層嵌埋于該模封層中，且該模封層具有相対的第一表面及第ニ表面，令該穿孔中介層的第二側(cè)外露于該模封層的第二表面，且該導(dǎo)電凸塊凸出該模封層的第二表面，而該模封層覆蓋該線路重布層與該電極墊；以及 于該模封層的第二表面、該穿孔中介層的第二側(cè)與該導(dǎo)電凸塊上形成增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè)于該介電層中并電性連接該線路層的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，而部分的導(dǎo)電盲孔對(duì)應(yīng)電性連接該導(dǎo)電凸塊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在干，該導(dǎo)電穿孔的側(cè)壁上具有絕緣層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括于該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有多個(gè)開孔，以外露部份的線路層，以供作為電性接觸墊。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在干，該線路層嵌埋于該介電層中。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的嵌埋穿孔中介層的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括移除該模封層的 第一表面的部分材質(zhì)，令該電極墊外露于該模封層的第一表面。
全文摘要
一種嵌埋穿孔中介層的封裝基板及其制法，該嵌埋穿孔中介層的封裝基板包括模封層、嵌埋于該模封層中且具有多個(gè)導(dǎo)電穿孔的穿孔中介層、嵌埋于該模封層中且設(shè)于該穿孔中介層上并電性連接該導(dǎo)電穿孔的其中一端面的線路重布層、以及設(shè)于該模封層與穿孔中介層上并電性連接該導(dǎo)電穿孔的另一端面的增層結(jié)構(gòu)。借由嵌埋該穿孔中介層，使該線路重布層以電性結(jié)合間距較小的半導(dǎo)體芯片的電極墊，而另一端電性連接間距較大的增層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電盲孔，令該封裝基板可結(jié)合具有高布線密度的半導(dǎo)體芯片。
文檔編號(hào)H01L21/48GK103094244SQ20111042723
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者胡迪群, 曾子章 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司, 蘇州群策科技有限公司