專利名稱：提高使用反射性材料的伸展應(yīng)力襯墊的紫外線固化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文所揭露的標(biāo)的的實(shí)施例大體上關(guān)于半導(dǎo)體裝置和相關(guān)制作技術(shù)。更特別的是，該標(biāo)的的實(shí)施例是關(guān)于針對半導(dǎo)體晶體管裝置使用紫外線固化的伸展應(yīng)力襯墊。
背景技術(shù)：
大多數(shù)今日的集成電路(IC)均使用多個(gè)互連的場效晶體管(FET)來加以實(shí)作， 該場效晶體管可具體為金氧半場效晶體管(M0SFET或MOS晶體管)。MOS晶體管可具體為 P-型裝置(也就是，PMOS晶體管)或η-型裝置(也就是，NMOS晶體管)。此外，半導(dǎo)體裝置可包含PMOS和NMOS晶體管兩者，并且，這種裝置通常稱為互補(bǔ)式MOS或CMOS裝置。MOS 晶體管包含柵極電極(其是形成在半導(dǎo)體襯底之上，以作為控制電極)、以及形成在該半導(dǎo)體襯底內(nèi)間隔開的源極和漏極區(qū)域，電流在該源極和漏極區(qū)域之間流動(dòng)。該源極和漏極區(qū)域通常可經(jīng)由形成在該源極和漏極區(qū)域上的導(dǎo)電接點(diǎn)來加以存取。施加在該柵極電極、該源極接點(diǎn)、和該漏極接點(diǎn)的偏壓，控制該半導(dǎo)體襯底中、經(jīng)過該柵極電極下方的該源極和漏極區(qū)域之間的溝道的電流的流動(dòng)。形成在絕緣層中的導(dǎo)電金屬互連(插塞)通常是用來將偏壓傳送至該柵極、源極、和漏極接點(diǎn)。應(yīng)力襯墊(stress liners)通常是用來提高M(jìn)OS晶體管裝置的效能。舉例來說，伸展應(yīng)力(tensile stress)襯墊材料可形成在NMOS晶體管裝置上方，而壓縮應(yīng)力 (compressive stress)襯墊材料則可形成在PMOS晶體管裝置上方。伸展電漿增強(qiáng)型 (plasma enhanced)氮化物(TPEN)通常是用來作為伸展應(yīng)力襯墊材料。一些制作工藝以紫外線(UV)照射來固化該TPEN襯墊，以提高該TPEN襯墊材料的伸展性質(zhì)。該UV照射的穿透深度可能因?yàn)樵摼w管裝置的拓?fù)?topology)，而不足以均勻地固化該TPEN襯墊。針對UV固化的TPEN襯墊的非均勻性而提出的現(xiàn)有技術(shù)和工藝是沒有效率的、復(fù)雜的、耗時(shí)的、及/或所費(fèi)不貲的。因此，希望具有有效并具成本效益的方案，來解決非均勻的UV固化的TPEN襯墊材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法的范例實(shí)施例。該方法在半導(dǎo)體晶圓上制作NMOS晶體管結(jié)構(gòu)。該方法繼續(xù)在該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)上方形成光學(xué)反射層、在該光學(xué)反射層上方形成伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層、以及通過施加紫外線照射，以使一些該紫外線照射直接地照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層、而一些該紫外線照射則通過從該光學(xué)反射層反射以照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，來固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。本發(fā)明也提供半導(dǎo)體裝置的范例實(shí)施例。該半導(dǎo)體裝置包含至少一個(gè)η-型金氧半導(dǎo)體(NMOS)晶體管結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體晶圓上；至少一個(gè)ρ-型金氧半導(dǎo)體(PMOS)晶體管結(jié)構(gòu)，在該半導(dǎo)體晶圓上；以及光學(xué)反射材料層，在該至少一個(gè)匪OS晶體管結(jié)構(gòu)和該至少一個(gè)PMOS晶體管結(jié)構(gòu)上方。該半導(dǎo)體裝置也包含伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，在該光學(xué)反射材料層上方。該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層是由從該光學(xué)反射材料層所反射的紫外線照射所固化。
本發(fā)明也提供制造半導(dǎo)體裝置的另一范例實(shí)施例。該方法包含在半導(dǎo)體晶圓上制作η-型金氧半導(dǎo)體(NMOS)晶體管結(jié)構(gòu)，該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)包含曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域； 修飾該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域的光學(xué)反射性質(zhì)，以創(chuàng)造該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)的光學(xué)反射區(qū)域； 在該光學(xué)反射區(qū)域上方形成伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層；以及通過施加紫外線照射，以使一些該紫外線照射直接地照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層、而一些該紫外線照射則通過從該光學(xué)反射層反射以照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，來固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。此發(fā)明內(nèi)容的提供是將概念的選擇引進(jìn)簡化的形式，其在下文中將有詳細(xì)的描述。此發(fā)明內(nèi)容并不意圖確認(rèn)所請求的標(biāo)的的關(guān)鍵或主要特征，也不意圖使用作為決定所請求的標(biāo)的的范圍。


該標(biāo)的的更完整了解可參考詳細(xì)描述和申請權(quán)利范圍、當(dāng)一并考慮接下來的圖式時(shí)，來加以推導(dǎo)，其中，相同的參考編號從頭到尾是指類似的組件。圖1為進(jìn)行傳統(tǒng)UV固化步驟的半導(dǎo)體晶體管裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2至圖6為例示半導(dǎo)體裝置和相關(guān)制作工藝的范例實(shí)施例的剖視圖；以及圖7和8為例示另一半導(dǎo)體裝置和相關(guān)制作工藝的范例實(shí)施例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式接下來的詳細(xì)描述在本質(zhì)上僅為例示之用，因此，并不意圖限制該標(biāo)的的實(shí)施例或這種實(shí)施例的應(yīng)用或使用。如本文中所使用的，「范例」二字是指「作為例子、舉例、或例示」。本文所描述為范例的任何實(shí)作均不必要解讀為較佳于或較有利于其它實(shí)作。此外，并不意圖為任何呈現(xiàn)在發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、發(fā)明內(nèi)容、或接下來的詳細(xì)描述中明示或暗示的理論所限制。為了簡潔起見，與半導(dǎo)體裝置制作相關(guān)的傳統(tǒng)技術(shù)，在本文中并沒有詳細(xì)的描述。 此外，本文所描述的各種任務(wù)和工藝步驟均可并入至具有在本文中也并沒有詳細(xì)描述的額外步驟或功能的更復(fù)雜程序或工藝。尤其是，制造基于半導(dǎo)體的晶體管中的各種步驟已眾所周知，并且因此(為了簡潔起見)許多傳統(tǒng)步驟在本文中僅簡短提到、或完全省略，而沒有提供已眾所周知的工藝細(xì)節(jié)。本文所描述的技術(shù)和科技可用來制作具有一個(gè)或多個(gè)晶體管裝置(通常為MOS晶體管裝置)的半導(dǎo)體裝置。雖然「M0S裝置」術(shù)語適當(dāng)?shù)刂妇哂薪饘贃艠O電極和氧化物柵極絕緣體的裝置，但是那個(gè)術(shù)語將可完全地用來指包含導(dǎo)體柵極電極(不管是金屬、抑或是其它導(dǎo)體材料)的任何半導(dǎo)體裝置，該導(dǎo)體柵極電極是位在柵極絕緣體(不管是氧化物、抑或是其它絕緣體)之上，而該柵極絕緣體則接著位于半導(dǎo)體襯底之上。此處所描述的技術(shù)和科技是關(guān)于使用UV照射，來固化半導(dǎo)體晶體管裝置的伸展應(yīng)力襯墊材料。伸展應(yīng)力襯墊可連同特定的CMOS工藝一起使用。舉例來說，現(xiàn)有的CMOS 工藝采用UV-固化的TPEN作為NMOS晶體管裝置的應(yīng)力襯墊。就這方面而言，圖1為進(jìn)行傳統(tǒng)UV固化步驟的晶體管裝置結(jié)構(gòu)100的剖面圖。該晶體管裝置結(jié)構(gòu)100包含柵極堆棧 102，其是形成在晶圓或襯底的半導(dǎo)體材料104之上。圖1繪示TPEN層106，其為一致地 (conformally)沉積在該柵極堆棧102之上。
在UV固化前，該TPEN 106的應(yīng)力可大約為(例如)1. OGPa0圖2繪示使用來固化該TPEN 106的UV照射108。在UV固化后，該TPEN 106的應(yīng)力增加。舉例來說，該UV固化的TPEN 106的應(yīng)力可大約為1. 7GPa。實(shí)際上，該UV照射108的穿透深度是有所限制的。 一般而言，該UV照射108的穿透深度小于大約100奈米(nm)，并且經(jīng)常小于大約50奈米。 因此，如果該TPEN 106太厚，則該UV照射108無法均勻地固化該TPEN層106的下區(qū)域。參照圖1，該TPEN 106的相對薄的區(qū)域110可充分地固化，但該相對厚的區(qū)域112則無法充分地固化(尤其是該下區(qū)域)。換言之，該UV固化和所導(dǎo)致的伸展應(yīng)力增加可能會(huì)由于該晶體管裝置結(jié)構(gòu)100的拓?fù)涠兊梅蔷鶆蚯也灰恢隆，F(xiàn)有的制作方式解決非均勻固化TPEN的前述問題。此方案通過實(shí)施多重TPEN沉積和UV固化步驟，而達(dá)成較好的UV固化均勻性。此方式在該晶體管結(jié)構(gòu)上方沉積初始且相對薄的TPEN層，并以UV照射來固化該初始層。之后，第二相對薄的TPEN層沉積在該固化的初始TPEN層上方。接下來，對該第二 TPEN層施以第二 UV固化步驟。如果需要的話， 則該沉積和固化步驟可重復(fù)三次或更多次。雖然此方式導(dǎo)致較好的UV固化均勻性，但是該多重步驟需要額外的處理時(shí)間和因此所產(chǎn)生的額外制作費(fèi)用。此處所提出的制作工藝可使用來創(chuàng)造采用單一應(yīng)力襯墊科技的具有UV固化的伸展應(yīng)力誘發(fā)層的半導(dǎo)體裝置。單一應(yīng)力襯墊科技是指下述制作工藝使用共同的應(yīng)力襯墊 (例如，伸展應(yīng)力襯墊)用于半導(dǎo)體晶圓上的NMOS和PMOS晶體管裝置兩者。實(shí)際上，如果單一伸展應(yīng)力襯墊使用于NMOS和PMOS晶體管裝置，則可加工或處理該應(yīng)力襯墊在該P(yáng)MOS 晶體管上方的部分，以減少可能由該伸展材料所引進(jìn)的任何不利效果。圖2至6為例示依據(jù)范例實(shí)施例制作半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖2繪示已經(jīng)完成數(shù)個(gè)預(yù)先和傳統(tǒng)前端工藝步驟后的位于半導(dǎo)體晶圓202(或其它襯底)上的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu) 200。該裝置結(jié)構(gòu)200可使用硅上絕緣體(SOI)襯底或晶圓來加以形成，該襯底或晶圓包含支持層、在該支持層上方的絕緣層、及在該絕緣層上方的半導(dǎo)體材料層。在其它的實(shí)施例中，該裝置結(jié)構(gòu)200可形成在塊狀(bulk)半導(dǎo)體襯底上、而非形成在SOI襯底上。雖然可采用任何適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料，但是就此實(shí)施例而言，該半導(dǎo)體材料為硅材料，其中，本文所使用的「硅材料」術(shù)語涵蓋通常使用在半導(dǎo)體工業(yè)中的通常為單晶硅和相對純的硅材料、以及與其它組件(例如，鍺、碳、及類似者)混合的硅。或者，該半導(dǎo)體材料可為鍺、砷化鎵、或類似者。該半導(dǎo)體材料一開始可為η-型或ρ-型硅，但通常是ρ-型，而該半導(dǎo)體材料接著以適當(dāng)?shù)姆绞綋诫s，以形成作用區(qū)域(active region)。該作用區(qū)域可使用于該產(chǎn)生的晶體管裝置的源極和漏極。在圖2所顯示的狀態(tài)中，該裝置結(jié)構(gòu)200包含至少一個(gè)在該半導(dǎo)體晶圓202上的 NMOS晶體管結(jié)構(gòu)204、及至少一個(gè)在該半導(dǎo)體晶圓202上的PMOS晶體管結(jié)構(gòu)206。在其它實(shí)施例中，該裝置結(jié)構(gòu)200可只包含NMOS晶體管結(jié)構(gòu)、而沒有包含PMOS晶體管結(jié)構(gòu)。該NMOS 晶體管結(jié)構(gòu)204包含柵極結(jié)構(gòu)208，其是形成在半導(dǎo)體材料層210上方。類似地，該P(yáng)MOS晶體管結(jié)構(gòu)206包含柵極結(jié)構(gòu)212，其是形成在該半導(dǎo)體材料層210上方。該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)204包含三個(gè)曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域柵極接點(diǎn)區(qū)域214和兩個(gè)源極/漏極接點(diǎn)區(qū)域216。 同樣地，該P(yáng)MOS晶體管結(jié)構(gòu)206包含三個(gè)曝露的終點(diǎn)接點(diǎn)區(qū)域柵極接點(diǎn)區(qū)域218和兩個(gè)源極/漏極接點(diǎn)區(qū)域220。將會(huì)充分了解到，該各種接點(diǎn)區(qū)域可形成如硅化物材料。在該晶體管結(jié)構(gòu)204、206制作完成后，該工藝?yán)^續(xù)在該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)204和該P(yáng)MOS晶體管結(jié)構(gòu)206上方形成光學(xué)反射材料層224。圖3繪示在形成該光學(xué)反射材料層 2 后的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200。該光學(xué)反射材料2M為一種材料或化合物，其具有的反射系數(shù)低于伸展應(yīng)力誘發(fā)材料(是形成在后續(xù)的工藝步驟中)，其導(dǎo)致理想的反射性質(zhì)。就這方面而言，該光學(xué)反射材料2M具有的光學(xué)性質(zhì)和特性，使其得以反射用來固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料的UV照射。依據(jù)特定的實(shí)施例，該光學(xué)反射材料224的化合物可為、但不限定于 硅氧化物材料(例如，二氧化硅(SiO2))、硅烷氧化物、四乙氧基硅烷(TE0Q、氟化的TE0S、 或類似物。雖然不是一直需要，但是此處所描述的范例實(shí)施例使用SiO2作為該光學(xué)反射材料 224。實(shí)際上，該光學(xué)反射材料2M可一致地沉積在該晶體管結(jié)構(gòu)204、206上方、并在該半導(dǎo)體材料210的上曝露表面上方，如圖2所顯示的。在特定實(shí)施例中，該光學(xué)反射材料2M 為使用任何傳統(tǒng)技術(shù)(例如、但不限于化學(xué)氣相沉積(CVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、或電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD))所沉積的硅氧化物材料。尤其是，沉積非常薄層的光學(xué)反射材料224，以確保該光學(xué)反射材料2M不會(huì)減少由該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料(其在后續(xù)的步驟中形成)所貢獻(xiàn)的應(yīng)力計(jì)量。理想上，所沉積的該光學(xué)反射材料2M最好盡可能地薄、同時(shí)維持其反射性質(zhì)。在特定實(shí)施例中，舉例來說，該光學(xué)反射材料2M沉積成厚度小于10奈米，較佳小于5奈米。在其它實(shí)施例中，可忍受較大的厚度，而不致于不利地影響由該上方的應(yīng)力誘發(fā)材料所貢獻(xiàn)的伸展計(jì)量。該制作工藝?yán)^續(xù)在該光學(xué)反射材料2M上方形成伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層230(見圖 4)。該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230可包含或?qū)崿F(xiàn)成，例如，TPEN材料，該TPEN材料通常是整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)所使用的。當(dāng)TPEN作為該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230時(shí)，其是使用PECVD而一致地沉積在該光學(xué)反射材料2M上方。在典型的實(shí)作中，所沉積的該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層230的厚度是在大約10奈米至大約100奈米的范圍內(nèi)，盡管真正的厚度在特定的實(shí)施例中可在此范圍外。該范例的制作工藝?yán)^續(xù)通過以高溫(例如，攝氏500度)施加UV照射來固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層230。圖5顯示在UV固化步驟期間，UV照射234如何穿透該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230。一些該UV照射234直接地照射并因此固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230，而一些該UV照射則通過從該光學(xué)反射材料層2M反射以照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230。該反射材料224的光學(xué)性質(zhì)使該UV照射234得以反射并且散射回到該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230，其使該UV固化更有效、并且使該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230的厚度整體更均勻。此外，不同反射角的反散射(backscattering)是由表面「粗糙度」(roughness)和該光學(xué)反射材料224中的不完美來加以調(diào)變。就這方面而言，該UV照射234在除了該理論的入射角以外的其它角反射，導(dǎo)致分布的UV照射反射回該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230。因此，不同的反射角可從平坦表面 (圖5中的水平表面)、也可從該柵極結(jié)構(gòu)208、212的側(cè)壁表面來加以達(dá)成。在該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230以此方式加以固化后，可實(shí)施任何數(shù)目的已知工藝步驟，以完成該半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200的制作。舉例來說，可實(shí)施傳統(tǒng)的后端工藝，以創(chuàng)造導(dǎo)體接點(diǎn)插塞、互連層、及類似者。然而，在特定實(shí)施例中，該制作工藝?yán)^續(xù)在該固化的伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層230上方形成另一伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層250(見圖6)。該第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層250也可通過將其曝露于UV照射而施以UV固化，如先前所述。該第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層250也可以此方式加以固化，有或沒有任何由反射的UV照射所引起的提高。實(shí)際上，該二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料230、250的結(jié)合厚度可在此固化步驟期間，限制反射的UV照射的計(jì)量。如果希望的話，可使用類似的方式施加額外的固化、或未固化的應(yīng)力誘發(fā)材料層。 之后，使用傳統(tǒng)的工藝步驟來完成該半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200的制作。上述的范例工藝形成反射材料層，其在該UV固化步驟期間，是作為UV照射的反射件。不同的實(shí)施例不需形成額外的材料層本身。反而是，可對該半導(dǎo)體裝置的一個(gè)或多個(gè)下方特征加工、修飾、或甚至轉(zhuǎn)換，以改變他們的反射性質(zhì)。就這方面而言，圖7繪示半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)300在該制作工藝的中間階段(其是接續(xù)于圖2所繪示的階段)的狀態(tài)。顯示于圖7的裝置結(jié)構(gòu)300的狀態(tài)，是通過修飾該NMOS和PMOS晶體管結(jié)構(gòu)304、306的曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域314、316、318、320的光學(xué)反射性質(zhì)，來加以達(dá)成。這些接點(diǎn)區(qū)域是以下述方式加以修飾創(chuàng)造NMOS晶體管結(jié)構(gòu)304的光學(xué)反射區(qū)域330和PMOS晶體管結(jié)構(gòu)306的光學(xué)反射區(qū)域332。就這方面而言，可對該接點(diǎn)區(qū)域加工或甚至處理，以改變他們的表面性質(zhì)和特性，以使他們的反射系數(shù)低于該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料(其將作為該伸展應(yīng)力層)的反射系數(shù)。在特定實(shí)施例中，通過氧化曝露的材料，以形成反射表面的方式來修飾該接點(diǎn)區(qū)域314、316、318、320的光學(xué)反射性質(zhì)。舉例來說，可通過將產(chǎn)生希望的氧化計(jì)量的含氧電漿引進(jìn)該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域314、316、318、320，以創(chuàng)造該光學(xué)反射區(qū)域330、332。之后， 該半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)300的制作可以針對先前實(shí)施例的所描述的方式繼續(xù)。因此，伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層340形成在該NMOS和PMOS晶體管結(jié)構(gòu)304、306上方(以及，尤其是在該光學(xué)反射區(qū)域330、332上方)，并且該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層340通過施加UV照射344，來加以固化，如圖8所繪示的。一些該UV照射344直接地照射并因此固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層 340，而一些該UV照射344則通過從該光學(xué)反射區(qū)域330、332反射來照射該伸展應(yīng)力誘區(qū)材料層340。該UV照射344的反射提高該UV固化步驟，并因此增加該固化的應(yīng)力誘發(fā)材料 340中的均勻性。雖然在先前詳細(xì)的描述中已提出至少一個(gè)范例實(shí)施例，但應(yīng)了解的是，存在數(shù)量極為龐大的變化。也應(yīng)體會(huì)到，本文所描述的一個(gè)范例實(shí)施例或數(shù)個(gè)實(shí)施例并非意圖以任何方式，限制該請求的標(biāo)的的范圍、應(yīng)用性、或組構(gòu)。反而是，該先前的詳細(xì)描述將提供本領(lǐng)域中熟習(xí)技術(shù)者方便的地圖，以實(shí)作該描述的一個(gè)實(shí)施例或數(shù)個(gè)實(shí)施例。應(yīng)了解到可對組件的功能和配置作各種的改變，而不致悖離權(quán)利要求所定義的范圍，其包含此專利申請案提出當(dāng)時(shí)所已知的等效物或可預(yù)見的等效物。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含在半導(dǎo)體晶圓上制作η-型金氧半導(dǎo)體NMOS晶體管結(jié)構(gòu)； 在該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)上方形成光學(xué)反射層； 在該光學(xué)反射層上方形成伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層；以及固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，其是通過施加紫外線照射，使得一些該紫外線照射直接地照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，并使得一些該紫外線照射則通過從該光學(xué)反射層反射以照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該光學(xué)反射層的形成包含沉積具有反射系數(shù)低于該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成該光學(xué)反射層包含沉積硅氧化物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，該硅氧材料的沉積包含沉積該硅氧化物材料至小于10奈米的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層的形成包含沉積伸展電漿提高氮化物TPEN材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包含在該半導(dǎo)體晶圓上制作P-型金氧半導(dǎo)體PMOS 晶體管結(jié)構(gòu)，該光學(xué)反射層是形成在該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)和該P(yáng)MOS晶體管結(jié)構(gòu)上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包含在固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層以獲得固化的伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層后，在該固化的伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層上方形成第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層；以及通過施加紫外線照射至該第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，以固化該第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包含至少一個(gè)η-型金氧半導(dǎo)體NMOS晶體管結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體晶圓上；至少一個(gè)P-型金氧半導(dǎo)體PMOS晶體管結(jié)構(gòu)，在該半導(dǎo)體晶圓上；光學(xué)反射材料層，在該至少一個(gè)NMOS晶體管結(jié)構(gòu)和該至少一個(gè)PMOS晶體管結(jié)構(gòu)上方；以及伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，在該光學(xué)反射材料層上方，該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層是由從該光學(xué)反射材料層所反射的紫外線照射所固化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該光學(xué)反射材料具有的反射系數(shù)低于該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該光學(xué)反射材料包含硅氧化物材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該硅氧化物材料的厚度小于10奈米。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料包含伸展電漿提高氮化物TPEN材料。
13.—種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含在半導(dǎo)體晶圓上制作η-型金氧半導(dǎo)體NMOS晶體管結(jié)構(gòu)，該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)包含曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域；修飾該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域的光學(xué)反射性質(zhì)，以創(chuàng)造該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)的光學(xué)反射區(qū)域；在該光學(xué)反射區(qū)域上方形成伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層；以及固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，其是通過施加紫外線照射，使得一些該紫外線照射直接地照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，并使得一些該紫外線照射則通過從該光學(xué)反射層反射以照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，該光學(xué)反射層的修飾包含氧化該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域的氧化包含將含氧電漿引進(jìn)該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，該光學(xué)反射性質(zhì)的修飾包含改變該曝露的終端接點(diǎn)區(qū)域的反射系數(shù)，以使該反射系數(shù)低于該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層的反射系數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層的形成包含沉積伸展電漿提高氮化物TPEN材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包含在固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層以獲得固化的伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層后，在該固化的伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層上方形成第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層；以及通過施加紫外線照射至該第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，以固化該第二伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。
全文摘要
本發(fā)明涉及提高使用反射性材料的伸展應(yīng)力襯墊的紫外線固化，提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其開始于在半導(dǎo)體晶圓上制作n-型金氧半導(dǎo)體(NMOS)晶體管結(jié)構(gòu)。該方法繼續(xù)在該NMOS晶體管結(jié)構(gòu)上方形成光學(xué)反射層、在該光學(xué)反射層上方形成伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層、以及通過施加紫外線照射以固化該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。一些該紫外線照射直接地照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層，而一些該紫外線照射則通過從該光學(xué)反射層反射以照射該伸展應(yīng)力誘發(fā)材料層。
文檔編號H01L21/8238GK102569197SQ20111042137
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者R·里克特, T·胡伊辛加 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司