專(zhuān)利名稱(chēng)：具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種基材及其加工方法，詳言之，關(guān)于一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
已知電路中通常會(huì)具有電阻器及電感器等被動(dòng)元件。為了微型化目的，將該電阻器及該電感器整合至半導(dǎo)體工藝以形成一具有整合被動(dòng)元件antegrated Passive Device, IPD)的半導(dǎo)體元件便為一大趨勢(shì)。然而，該已知半導(dǎo)體元件的厚度無(wú)法有效減少， 而無(wú)法達(dá)到微型化的目的。因此，有必要提供一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件及其制造方法，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件，其包括一基材、一電阻器、一電感器、一連接墊、一第一保護(hù)層及一第一球下金屬層(UBM)。該基材具有一第一表面及一第二表面。該電阻器鄰接于該基材的第一表面，且包括一第一金屬及二個(gè)電極，該等電極位于該第一金屬上，且彼此分離。該電感器鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電阻器，該電感器的下表面與該第一金屬的下表面共平面。該連接墊鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電感器。該第一保護(hù)層覆蓋該電感器及該電阻器，該第一保護(hù)層具有至少一開(kāi)口以顯露該連接墊。該第一球下金屬層(UBM)位于該第一保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該連接墊。藉此，該電感器及該連接墊為同一層，而且在形成該電感器后即定義出該電阻器， 如此可達(dá)到達(dá)到縮短工藝流程及節(jié)省成本的效果。此外，該電感器的下表面與該第一金屬的下表面共平面，而可有效減少該半導(dǎo)體元件的厚度。本發(fā)明另提供一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件，其包括一基材、一電阻器、一電感器、一連接墊、一第一保護(hù)層及一第一球下金屬層(UBM)。該基材具有一第一表面、一第二表面及至少一導(dǎo)通孔，該至少一導(dǎo)通孔顯露于該基材的第一表面。該一電阻器鄰接于該基材的第一表面，該電阻器包括一第一金屬及二個(gè)電極，該等電極位于該第一金屬上，且彼此分離。該電感器鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電阻器。該連接墊鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電感器及至少一導(dǎo)通孔。該第一保護(hù)層覆蓋該電阻器及該電感器，且具有至少一開(kāi)口以顯露該連接墊。該第一球下金屬層(UBM)位于該第一保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該連接墊。本發(fā)明另提供一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法，其包括以下步驟(a)提供一基材，該基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一第一金屬于該基材的第一表面；(c)形成一第二金屬于該第一金屬上；(d)移除部分該第一金屬及該第二金屬；(e)形成一第三金屬鄰于該基材的第一表面以形成一電感器及一連接墊，該電感器電性連接該連接墊；(f)移除部分該第二金屬，以形成二個(gè)分離的電極，使得該第一金屬及該等電極形成一電阻器，該等電極至少其中之一電性連接該電感器；(g)形成一第一保護(hù)層于該電感器及該電阻器上，該第一保護(hù)層具有至少一開(kāi)口以顯露該連接墊；及(h)形成一第四金屬于該第一保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以形成一第一球下金屬層(UBM)，且電性連接該連接墊。


圖1顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的一實(shí)施例的剖視示意圖；圖2至圖7顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的一實(shí)施例的示意圖；圖8顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖；圖9至圖13顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖；圖14顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖；圖15顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖；圖16顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖；圖17顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖；圖18顯示圖16的半導(dǎo)體元件的電阻器及電感器的剖視示意圖；圖19顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖； 及圖20顯示圖19的半導(dǎo)體元件的電阻器及電感器的剖視示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖1，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的一實(shí)施例的剖視示意圖。 該半導(dǎo)體元件1包括一基材11、一電阻器121、一電感器161、一連接墊162、一第一保護(hù)層 17及一第一球下金屬層(UBM) 201。在圖1中，該基材11具有一第一表面111及一第二表面112。在本實(shí)施例中，該基材11為一玻璃基材。在圖1中，該電阻器121鄰接于該基材11的第一表面111，且包括一第一金屬12 及二個(gè)電極131。該第一金屬12為一電阻層；該等電極131位于該第一金屬12上，且彼此分離。該等電極131由一第二金屬13所形成。在本實(shí)施例中，該電阻器121的第一金屬12 直接位于該基材11的第一表面111，該第一金屬12為氮化鉭(TaN)，該第二金屬13為鋁銅 (AlCu)或鈦(Ti)。在圖1中，該電感器161鄰接于該基材11的第一表面111，且電性連接該電阻器 121。該電感器161的下表面與該第一金屬12的下表面共平面。在本實(shí)施例中，該電感器 161直接位于該基材11的第一表面111，且位于該電阻器121的側(cè)邊。該電感器161包括一第三金屬16及一第一晶種層14，該第三金屬16為銅(Cu)，該第一晶種層14為鈦銅(TiCu)。 然而，可以理解的是，該第一晶種層14可以被省略，亦即，此位置的第三金屬16即為該電感器161。此外，如圖1所示，該電感器161同時(shí)接觸該電阻器121的第一金屬12及電極131， 而且該電感器161的一端更延伸至該電極131上方。在圖1中，該連接墊162鄰接于該基材11的第一表面111，且電性連接該電感器 161。該連接墊162用以提供垂直方向的電性連接。在本實(shí)施例中，該連接墊162直接位于該基材11的第一表面111，且其下表面與該第一金屬12的下表面共平面。該連接墊162 與該電感器161為同一層，其包括一第三金屬16及一第一晶種層14，該第三金屬16為銅 (Cu)，該第一晶種層14為鈦銅(TiCu)。然而，可以理解的是，該第一晶種層14可以被省略， 亦即，此位置的第三金屬16即為該連接墊162。在圖1中，該第一保護(hù)層17覆蓋該電感器161及該電阻器121，且具有至少一開(kāi)口 171以顯露該連接墊162。部分該第一保護(hù)層17直接接觸該第一金屬12及該基材11的第一表面111，該第一保護(hù)層17的材料可為聚亞酰胺(PI)或聚丙烯(PP)等。在圖1中，該第一球下金屬層(UBM) 201位于該第一保護(hù)層17的開(kāi)口 171內(nèi)以電性連接該連接墊162。在本實(shí)施例中，該第一球下金屬層(UBM) 201更延伸至該第一保護(hù)層 17的上表面，且包括一第四金屬20及一第二晶種層18。該第四金屬20為單層或多層結(jié)構(gòu)， 且該第二晶種層18為鈦銅(TiCu)。然而，可以理解的是，該第二晶種層18可以被省略，亦即，此位置的第四金屬20即為該第一球下金屬層(UBM) 201。參考圖2至圖7，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的一實(shí)施例的示意圖。參考圖2，提供一基材11，該基材11具有一第一表面111及一第二表面112。在本實(shí)施例中，該基材11為一玻璃基材。之后，形成一第一金屬12于該基材11的第一表面 111，且形成一第二金屬13于該第一金屬12上。在本實(shí)施例中，該第一金屬12直接位于該基材11的第一表面111上，該第一金屬12為氮化鉭(TaN)，該第二金屬13為鋁銅(AlCu) 或鈦(Ti)。參考圖3，形成一第一光阻10于該第二金屬13上，且移除部分該第一光阻10，使得該第一光阻10具有一剩余部分101以覆蓋部份該第二金屬13。參考圖4，移除未被該剩余部分101覆蓋的第一金屬12及第二金屬13，且完全移除該第一光阻10。參考圖5，較佳地，形成一第一晶種層14于該基材11的第一表面111及該第二金屬12上。該第一晶種層14為鈦銅(TiCu)。接著，形成一第二光阻15，該第二光阻具有至少一開(kāi)口 151。在本實(shí)施例中，該開(kāi)口 151以俯視觀的為螺旋狀，且其一端對(duì)應(yīng)該第二金屬 13的角落處。參考圖6，形成一第三金屬16于該第二光阻15的該至少一開(kāi)口 151內(nèi)。在本實(shí)施例中，該第三金屬16為銅(Cu)。接著，移除該第二光阻15。接著，移除未被該第三金屬16覆蓋的第一晶種層14，使得該第三金屬16形成一電感器161及一連接墊162。同時(shí)，移除部分該第二金屬13，以形成二個(gè)分離的電極131，使得該第一金屬12及該等電極13形成一電阻器121。該電感器161電性連接該連接墊162及該等電極13至少其中之一。在本實(shí)施例中，該電感器161及該連接墊162的下表面與該第一金屬12的下表面共平面。該電感器161及該連接墊162直接位于該基材11的第一表面 111，且位于該電阻器121的側(cè)邊。該電感器161及該連接墊162皆包括該第三金屬16及該第一晶種層14。然而，可以理解的是，該第一晶種層14可以被省略，亦即，此位置的第三金屬16即為該電感器161及該連接墊162，而可省略移除該第一晶種層14的步驟。此外， 該電感器161同時(shí)接觸該第一金屬12及該第二金屬13，而且該電感器161的一端更延伸至該第二金屬13上方。參考圖7，形成一第一保護(hù)層17于該電感器161及該電阻器121上，該第一保護(hù)層 17具有至少一開(kāi)口 171以顯露該連接墊162。部分該第一保護(hù)層17直接接觸該第一金屬 12及該基材11的第一表面111。較佳地，形成一第二晶種層18于該第一保護(hù)層17及其開(kāi)口 171內(nèi)，以接觸該連接墊162。在本實(shí)施例中，該第二晶種層18為鈦銅(TiCu)。接著，形成一第三光阻19于該第二晶種層18上，該第三光阻19具有至少一開(kāi)口 191，其對(duì)應(yīng)該第一保護(hù)層17的開(kāi)口 171。 該第三光阻19的開(kāi)口 191大于該第一保護(hù)層17的開(kāi)口 171。接著，形成一第四金屬20于該第一保護(hù)層17的開(kāi)口 171內(nèi)以形成一第一球下金屬層(UBM) 201，且制得圖1所示的半導(dǎo)體元件1。該第一球下金屬層(UBM) 201電性連接該連接墊162。在本實(shí)施例中，該第四金屬20為單層或多層結(jié)構(gòu)，且形成于該第一保護(hù)層17開(kāi)口 171中第二晶種層18上。接著，移除該第三光阻19及未被該第四金屬20覆蓋的第二晶種層18，使得該第一球下金屬層(UBM) 201包括該第四金屬20及該第二晶種層18。然而，可以理解的是，該第二晶種層18可以被省略，亦即，此位置的第四金屬20即為該第一球下金屬層(UBM) 201，而可省略移除該第二晶種層18的步驟。此外，該第一球下金屬層(UBM) 201 更延伸至該第一保護(hù)層17的上表面。在本實(shí)施例中，該電感器161及該連接墊162為同一層，而且在形成該電感器161后即定義出該電阻器121，如此可達(dá)到縮短工藝流程及節(jié)省成本的效果。此外，該電感器161的下表面與該第一金屬12的下表面共平面，而可有效減少該半導(dǎo)體元件1的厚度。參考圖8，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖。該半導(dǎo)體元件2與圖1所示的半導(dǎo)體元件1大致相同，其中相同的元件賦予相同的編號(hào)。該半導(dǎo)體元件2與圖1所示的半導(dǎo)體元件1不同處在于，該半導(dǎo)體元件2更包括一第二保護(hù)層30及一第二球下金屬層(UBM) 331，且該基材11具有至少一導(dǎo)通孔觀。在圖8中，該導(dǎo)通孔觀顯露于該基材11的第一表面111及第二表面112，且該連接墊162電性連接該導(dǎo)通孔28。該導(dǎo)通孔28包括一中心絕緣材料對(duì)、一內(nèi)連結(jié)金屬23及一外環(huán)絕緣材料27。該內(nèi)連結(jié)金屬23為環(huán)狀，且?jiàn)A設(shè)于該中心絕緣材料M及該外環(huán)絕緣材料27之間。該第二保護(hù)層30位于該基材11的第二表面112上，且具有至少一開(kāi)口 301 以顯露該導(dǎo)通孔觀。該第二球下金屬層(UBM) 331位于該第二保護(hù)層30的開(kāi)口 301內(nèi)以電性連接該導(dǎo)通孔觀。該第二保護(hù)層30的材質(zhì)與該第一保護(hù)層17的材質(zhì)相同。在圖8中，在本實(shí)施例中，該第二球下金屬層(UBM)331更延伸至該第二保護(hù)層30 的上表面，且包括一第五金屬33及一第三晶種層31。該第五金屬33為單層或多層結(jié)構(gòu)， 且該第三晶種層31為鈦銅(TiCu)。然而，可以理解的是，該第三晶種層31可以被省略，亦即，此位置的第五金屬33即為該第二球下金屬層(UBM) 331。參考圖9至圖13，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例的制造方法與圖2至圖9的制造方法大致相同，其不同處如下。 在本實(shí)施例中，在圖2的步驟前更包括在該基材11上形成至少一導(dǎo)通孔觀，如下所述。
參考圖9，形成一光阻層于該基材11的第一表面111上，其中該光阻層具有至少一開(kāi)口。接著，依據(jù)該光阻層的開(kāi)口蝕刻該基材11，以形成一開(kāi)槽于該基材11的第一表面 111，該開(kāi)槽具有一側(cè)壁221及一底面222。接著，形成一內(nèi)連結(jié)金屬23于該開(kāi)槽的該側(cè)壁221與該底面222，而形成一中心槽。接著，移除位于該基材11第一表面111上的內(nèi)連結(jié)金屬23。接著，形成一絕緣材料M 于該基材11第一表面111及該中心槽。接著，移除位于該基材11第一表面111上的絕緣材料M，使得該絕緣材料M于該中心槽形成一中心絕緣材料M。參考圖10，接著，形成一環(huán)槽于該基材11的第一表面111，該環(huán)槽圍繞該內(nèi)連結(jié)金屬23。接著，形成一絕緣材料27于該基材11第一表面111及該環(huán)槽內(nèi)。接著，移除位于該基材11第一表面111上的絕緣材料27，使得該絕緣材料27于該環(huán)槽形成一外環(huán)絕緣材料 27，而形成一導(dǎo)通孔觀。接著，形成該第一金屬12于該基材11的第一表面111，且形成該第二金屬13于該第一金屬12上，其中該第一金屬12接觸該導(dǎo)通孔觀。參考圖11，接著，本實(shí)施例后續(xù)的工藝皆與圖2至圖7的制造方法相同，以依序形成該電感器161、該連接墊162、該電阻器121、該第一保護(hù)層17及該第一球下金屬層 (UBM)201。參考圖12，提供一載體四，且將該基材11貼附于該載體四上，其中該基材11的第一表面111面對(duì)該載體四。接著，以蝕刻或研磨方式從該基材11的第二表面112薄化該基材11，以移除部份該基材11，俾顯露該導(dǎo)通孔28。接著，形成一第二保護(hù)層30于該基材11的第二表面112上，且具有至少一開(kāi)口 301以顯露該導(dǎo)通孔觀。該第二保護(hù)層30直接接觸該基材11的第二表面112。參考圖13，較佳地，形成一第三晶種層31于該第二保護(hù)層30及其開(kāi)口 301內(nèi)，以接觸該導(dǎo)通孔觀。在本實(shí)施例中，該第三晶種層31為鈦銅(TiCu)。接著，形成一第四光阻 32于該第三晶種層31上，該第四光阻32具有至少一開(kāi)口 321，其對(duì)應(yīng)該第二保護(hù)層30的開(kāi)口 301。該第四光阻32的開(kāi)口 321大于該第二保護(hù)層30的開(kāi)口 301。參考圖13，形成一第五金屬33于該第二保護(hù)層30的開(kāi)口 301內(nèi)以形成一第二球下金屬層(UBM) 331，且電性連接該導(dǎo)通孔觀。在本實(shí)施例中，該第五金屬33為單層或多層結(jié)構(gòu)，且形成于該第二保護(hù)層30開(kāi)口 301中第三晶種層31上。接著，移除該第四光阻32 及未被該第五金屬33覆蓋的第三晶種層31，使得該第二球下金屬層(UBM) 331包括該第五金屬33及該第三晶種層31。然而，可以理解的是，該第三晶種層31可以被省略，亦即，此位置的第五金屬33即為該第二球下金屬層(UBM) 331，而可省略移除該第三晶種層31的步驟。此外，該第二球下金屬層(UBM) 331更延伸至該第二保護(hù)層30的上表面。參考圖14，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖。該半導(dǎo)體元件3與圖1所示的半導(dǎo)體元件1大致相同，其中相同的元件賦予相同的編號(hào)。該半導(dǎo)體元件3與圖1所示的半導(dǎo)體元件1不同處在于，該半導(dǎo)體元件3的基材11為一硅基材，且該半導(dǎo)體元件3更包括一絕緣層34。該絕緣層34位于該基材11的第一表面 111，且該電阻器121的第一金屬12、該電感器161的第一晶種層14及該連接墊162的第一晶種層14位于該絕緣層34上。參考圖15，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例的制造方法與圖2至圖7的制造方法大致相同，其不同處如下。
參考圖15，在本實(shí)施例中，在圖2的步驟前更在該基材11的第一表面111上形成一絕緣層；34。接著，形成該第一金屬12于該絕緣層34，且形成該第二金屬13于該第一金屬12 上。接著，本實(shí)施例后續(xù)的工藝皆與圖2至圖7的制造方法相同，以依序形成該電感器161、 該連接墊162、該電阻器121、該第一保護(hù)層17及該第一球下金屬層(UBM) 201，而制得該該半導(dǎo)體元件3，如圖14所示。參考圖16，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖。該半導(dǎo)體元件4與圖8所示的半導(dǎo)體元件2大致相同，其中相同的元件賦予相同的編號(hào)。該半導(dǎo)體元件4與圖8所示的半導(dǎo)體元件2不同處在于，該半導(dǎo)體元件4的基材11為一硅基材，且該半導(dǎo)體元件4更包括一絕緣層34。該絕緣層34位于該基材11的第一表面 111，且具有至少一開(kāi)口 341以顯露該導(dǎo)通孔28。該連接墊162位于該絕緣層34的開(kāi)口 341 內(nèi)，以電性連接該導(dǎo)通孔28。該電阻器121的第一金屬12、該電感器161的第一晶種層14 及該連接墊162的第一晶種層14位于該絕緣層34上。參考圖17，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例的制造方法與圖9至圖13的制造方法大致相同，其不同處如下。參考圖17，在本實(shí)施例中，在圖2的步驟前更在該基材11的第一表面111上形成一絕緣層34，該絕緣層34具有至少一開(kāi)口 341以顯露該導(dǎo)通孔觀。接著，形成該第一金屬12于該絕緣層34及其開(kāi)口 341內(nèi)，且形成該第二金屬13 于該第一金屬12上。接著，本實(shí)施例后續(xù)的工藝皆與圖9至圖13的制造方法相同，以依序形成該電感器161、該連接墊162、該電阻器121、該第一保護(hù)層17及該第一球下金屬層 (UBM) 201，而制得該該半導(dǎo)體元件4，如圖16所示。在本實(shí)施例中，該連接墊162位于該絕緣層34的開(kāi)口 341內(nèi)，以電性連接該導(dǎo)通孔28。參考圖18，顯示圖16的半導(dǎo)體元件的電阻器及電感器的剖視示意圖。該半導(dǎo)體元件4具有一個(gè)電阻器121 (圖16)、二個(gè)電感器161及二個(gè)連接墊162。每一該電感器161 以俯視觀的為螺旋狀，且圍繞每一該連接墊162。每一該電感器161連接該電阻器121的電極 131。參考圖19，顯示本發(fā)明具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的剖視示意圖。該半導(dǎo)體元件5與圖16所示的半導(dǎo)體元件4大致相同，其中相同的元件賦予相同的編號(hào)。該半導(dǎo)體元件5與圖16所示的半導(dǎo)體元件4不同處在于，該半導(dǎo)體元件5僅具有一個(gè)電感器161及一個(gè)連接墊162，如圖中左側(cè)所示。此外，該半導(dǎo)體元件5更包括一連接線路 163，其一端連接該電阻器121的一個(gè)電極131，另一端可供垂直電性連接。參考圖20，顯示圖19的半導(dǎo)體元件的電阻器及電感器的剖視示意圖。該半導(dǎo)體元件5具有一個(gè)電阻器121 (圖19)、一個(gè)電感器161、一個(gè)連接墊162及一連接線路163。該電感器161以俯視觀的為螺旋狀，且圍繞該連接墊162。該電感器161連接該電阻器121的電極131。該連接線路163的一端連接該電阻器121的一個(gè)電極131，另一端可供垂直電性連接。惟上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，習(xí)于此技術(shù)的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
權(quán)利要求
1.一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件，包括一基材，具有一第一表面及一第二表面；一電阻器，鄰接于該基材的第一表面，該電阻器包括一第一金屬及二個(gè)電極，所述電極位于該第一金屬上，且彼此分離；一電感器，鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電阻器，該電感器的下表面與該第一金屬的下表面共平面；一連接墊，鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電感器；第一保護(hù)層，覆蓋該電感器及該電阻器，該第一保護(hù)層具有至少一開(kāi)口以顯露該連接墊；及一第一球下金屬層，位于該第一保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該連接墊。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體元件，其中該基材具有至少一導(dǎo)通孔，顯露于該基材的第一表面，且該連接墊電性連接至該導(dǎo)通孔。
3.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)通孔包括一中心絕緣材料、一內(nèi)連結(jié)金屬及一外環(huán)絕緣材料，該內(nèi)連結(jié)金屬為環(huán)狀，且?jiàn)A設(shè)于該中心絕緣材料及該外環(huán)絕緣材料之間。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體元件，更包括一絕緣層，位于該基材的第一表面，且該第一金屬位于該絕緣層上。
5.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體元件，更包括一絕緣層，位于該基材的第一表面，該第一金屬位于該絕緣層上，該絕緣層具有至少一開(kāi)口以顯露該導(dǎo)通孔，且該連接墊位于該絕緣層的開(kāi)口內(nèi)，以電性連接該導(dǎo)通孔。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體元件，其中該電感器包括一第三金屬及一第一晶種層，該連接墊包括該第三金屬及該第一晶種層。
7.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)通孔更顯露于該基材的第二表面，且該半導(dǎo)體元件更包括一第二保護(hù)層，位于該基材的第二表面上，該第二保護(hù)層具有至少一開(kāi)口以顯露該導(dǎo)通孔；及一第二球下金屬層，位于該第二保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該導(dǎo)通孔。
8.一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件，包括一基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一導(dǎo)通孔，該至少一導(dǎo)通孔顯露于該基材的第一表面；一電阻器，鄰接于該基材的第一表面，該電阻器包括一第一金屬及二個(gè)電極，所述電極位于該第一金屬上，且彼此分離；一電感器，鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電阻器； 一連接墊，鄰接于該基材的第一表面，且電性連接該電感器及至少一導(dǎo)通孔； 一第一保護(hù)層，覆蓋該電阻器及該電感器，且具有至少一開(kāi)口以顯露該連接墊；及一第一球下金屬層，位于該第一保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該連接墊。
9.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件，其中該至少一導(dǎo)通孔包括一中心絕緣材料、一內(nèi)連結(jié)金屬及一外環(huán)絕緣材料，該內(nèi)連結(jié)金屬為環(huán)狀，且?jiàn)A設(shè)于該中心絕緣材料及該外環(huán)絕緣材料之間。
10.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件，更包括一絕緣層，位于該基材的第一表面，該第一金屬位于該絕緣層上，該絕緣層具有至少一開(kāi)口以顯露該至少一導(dǎo)通孔；該連接墊位于該絕緣層的開(kāi)口內(nèi)，以電性連接該至少一導(dǎo)通孔。
11.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件，其中該電感器包括一第三金屬及一第一晶種層，該連接墊包括該第三金屬及該第一晶種層。
12.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)通孔更顯露于該基材的第二表面，且該半導(dǎo)體元件更包括一第二保護(hù)層，位于該基材的第二表面上，且具有至少一開(kāi)口以顯露該至少一導(dǎo)通孔；及一第二球下金屬層，位于該第二保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該至少一導(dǎo)通孔。
13.一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件的制造方法，包括(a)提供一基材，該基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一第一金屬于該基材的第一表面；(c)形成一第二金屬于該第一金屬上；(d)移除部分該第一金屬及該第二金屬；(e)形成一第三金屬鄰于該基材的第一表面以形成一電感器及一連接墊，該電感器電性連接該連接墊；(f)移除部分該第二金屬，以形成二個(gè)分離的電極，使得該第一金屬及所述電極形成一電阻器，所述電極至少其中之一電性連接該電感器；(g)形成一第一保護(hù)層于該電感器及該電阻器上，該第一保護(hù)層具有至少一開(kāi)口以顯露該連接墊；及(h)形成一第四金屬于該第一保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以形成一第一球下金屬層，且電性連接該連接墊。
14.如權(quán)利要求13的方法，其中該步驟(c)之后更包括一形成一第一光阻于該第二金屬上的步驟，該第一光阻具有一剩余部分以覆蓋部份該第二金屬；該步驟(d)移除未被該剩余部分覆蓋的第一金屬及第二金屬；該步驟(d)之后更包括一形成一第二光阻的步驟， 該第二光阻具有至少一開(kāi)口 ；且該步驟(e)形成一第三金屬于該第二光阻的該至少一開(kāi)口內(nèi)以形成該電感器及該連接墊。
15.如權(quán)利要求13的方法，其中該步驟(a)的該基材具有至少一導(dǎo)通孔，顯露于該基材的第一表面，該步驟(a)之后更包括一形成一絕緣層于該基材的第一表面的步驟，該絕緣層具有至少一開(kāi)口以顯露該導(dǎo)通孔，且該步驟(e)的連接墊形成于該絕緣層的開(kāi)口內(nèi)，以電性連接該至少一導(dǎo)通孔。
16.如權(quán)利要求15的方法，其中該步驟(h)之后更包括(i)提供一載體；(j)將該基材貼附于該載體上，其中該基材的第一表面面對(duì)該載體；(k)從該基材的第二表面薄化該基材，以移除部份該基材，以顯露該至少一導(dǎo)通孔；及(1)移除該載體。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種具有整合被動(dòng)元件的半導(dǎo)體元件及其制造方法。該半導(dǎo)體元件包括一基材、一電阻器、一電感器、一連接墊、一保護(hù)層及一球下金屬層。該電阻器、該電感器及該連接墊鄰接于該基材的一表面，且彼此電性連接。該電感器的下表面與該電阻器的下表面共平面。該保護(hù)層覆蓋該電感器及該電阻器。該球下金屬層位于該保護(hù)層的開(kāi)口內(nèi)以電性連接該連接墊。藉此，可有效減少該半導(dǎo)體元件的厚度。
文檔編號(hào)H01L21/70GK102496616SQ201110404709
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者李德章, 陳建樺 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司