專利名稱：基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及納米材料組裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器及制備方法。
背景技術(shù)：
因?yàn)樘?yáng)輻射在穿越地球大氣層時(shí)，波長(zhǎng)在200nm到^Onm的太陽(yáng)光幾乎完全被大氣層吸收，就造成了到達(dá)地面的太陽(yáng)光譜的日盲區(qū)。相比紅外探測(cè)和紅外對(duì)抗技術(shù)，特別是工作在日盲區(qū)的紫外探測(cè)器，其不存在地面紅外源的影響，從而不會(huì)有紅外探測(cè)器存在的虛警率高的問(wèn)題。因此，日盲紫外探測(cè)器的背景干擾非常小，軍事機(jī)密局域通信和報(bào)警方面的質(zhì)量大大的提高。目前，紫外光探測(cè)無(wú)論在軍事或者民用上都有重要的應(yīng)用，紫外光通信、導(dǎo)彈的預(yù)警和制導(dǎo)等軍事用途也越來(lái)越受到重視；而在燃燒工程和紫外水凈化處理、海洋石油溢油監(jiān)測(cè)等民用領(lǐng)域紫外光探測(cè)也有著廣泛的應(yīng)用。目前市面上的紫外光探測(cè)設(shè)備包括真空紫外光電倍增管、Si基紫外探測(cè)器、AWaN基紫外探測(cè)器等。以上紫外光探測(cè)設(shè)備有如下不足和缺點(diǎn)
(1)真空紫外光電倍增管體積很大，其需要在高壓下工作，且工作過(guò)程中需要用低溫裝置來(lái)對(duì)其進(jìn)行冷卻。(2) Si基紫外探測(cè)器對(duì)可見光部分有很強(qiáng)的吸收功能，故其必須要用昂貴和復(fù)雜的濾光系統(tǒng)來(lái)減少或消除可見光及紅外光的影響；此外，Si對(duì)紫外光吸收特別強(qiáng)，從而導(dǎo)致了紫外光入射深度較淺，進(jìn)一步影響了該探測(cè)器的量子效率的提高；再者，Si材料的抗輻射能力較弱，這也大大限制了 Si基紫外探測(cè)器在太空中的應(yīng)用。(4)GaN是目前用得較多的半導(dǎo)體光電材料，隨著Al的摻入，雖然其禁帶寬度可從 3. 4eV到6. 2eV ；但，目前報(bào)導(dǎo)的AlGaN基紫外探測(cè)器的截止波長(zhǎng)只能到^Onm至270nm ；而高Al組分的AKiaN合金材料的生長(zhǎng)溫度較高，結(jié)晶質(zhì)量較差。(5 )近幾年研究較熱門的MgZnO體系紫外材料隨著能帶的調(diào)寬，也就是隨著MgZnO 合金中鎂組分的提高到55%時(shí)會(huì)發(fā)生相分離。綜上所述，目前紫外光探測(cè)的不足之處在于受上述合金材料的局限導(dǎo)致不能吸收日盲區(qū)M0nnT250nm及其以下的波長(zhǎng)且探測(cè)精確度不高等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明專利所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能實(shí)現(xiàn)日盲區(qū)短波長(zhǎng)探測(cè)的基于 BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器及制備方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器，包括襯底及生長(zhǎng)于襯底上的外延層，所述外延層包括應(yīng)力緩沖層與設(shè)在應(yīng)力緩沖層上的BeZnO摻雜層，所述BeZnO摻雜層上鍍有叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極。優(yōu)選地，所述襯底材料為藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵。
優(yōu)選地，所述應(yīng)力緩沖層為氧化鈹、鈹、氧化鎂、鎂、氧化鋅中的一種或多種材料組成，其厚度為IOnm lOOOnm。優(yōu)選地，所述BeZnO摻雜層中還摻有鎂、鈣、鎘、鋰、硼、鋁、硅、鎵一種或多種材料， 其厚度為IOOnm 3000nm。優(yōu)選地，所述叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層作為肖特基接觸或者歐姆接觸鍍?cè)?BeZnO摻雜層上。優(yōu)選地，所述叉指結(jié)構(gòu)的叉指的長(zhǎng)為1000 μ m 2000 μ m,寬為1 μ m 25 μ m ；所述叉指的間距為Iym 25 μπι。優(yōu)選地，所述間隙結(jié)構(gòu)的間隙長(zhǎng)為5 1000 μ m,高為1000 5000 μ m。一種基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟1)清洗襯底所述襯底在生長(zhǎng)之前經(jīng)過(guò)丙酮、異丙醇、氫氟酸等化學(xué)試劑清洗，然后于溫度為300 1200°C通氮?dú)饣蛘卟煌ǖ獨(dú)獾沫h(huán)境下，退火5 30分鐘，使襯底表面晶體排列更整齊；
2)沉積應(yīng)力緩沖層所述應(yīng)力緩沖層通過(guò)分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、激光脈沖沉積或磁控濺射沉積在襯底上，所述應(yīng)力緩沖層生長(zhǎng)腔內(nèi)的真空度為10_3 KT11Torr, 所述襯底的生長(zhǎng)溫度為400 700°C，所述應(yīng)力緩沖層的沉積厚度為IOnm IOOOnm ；
3)沉積BeZnO摻雜所述BeZnO摻雜層通過(guò)分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、激光脈沖沉積或磁控濺射沉積在應(yīng)力緩沖層上，鈹?shù)膿诫s含量為20% 70%，所述BeZnO摻雜層生長(zhǎng)腔內(nèi)的真空度為10_3 KT11Torr,所述襯底的生長(zhǎng)溫度為400 700°C，所述BeZnO摻雜層的厚度為IOOnm 3000nm ；
4)鍍電極層在BeZnO摻雜層上鍍上沉積厚度為10 500nm的叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層。優(yōu)選地，所述叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層的沉積包括以下步驟；
1)清洗用丙酮、異丙醇、氫氟酸等化學(xué)試劑對(duì)BeZnO摻雜層表面進(jìn)行清洗，以得到干凈平整的表面；
2)光刻然后用光刻方法對(duì)BeZnO摻雜層表面涂膠甩膠、曝光、顯影后得出叉指狀結(jié)構(gòu)的圖形；
3)蒸鍍所述BeZnO摻雜層上通過(guò)電子束蒸鍍鍍上電極金屬，根據(jù)BeZnO摻雜層的費(fèi)米能級(jí)選擇功函數(shù)不同的金屬與其形成所希望的勢(shì)壘高度，得到作為歐姆接觸或肖特基接觸的厚度為10 500nm的叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層；
4)再沉積所述電極層上再沉積10 IOOOnm的金或銀。優(yōu)選地，步驟3)中所述電極金屬為鈦、鋁、鎳、金、鉬、銀、銥、鉬、鉭、鈮、鈷、鋯或鎢。本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下有益效果
1)本發(fā)明BeZnO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器在襯底與BeSiO摻雜層之間插入應(yīng)力緩沖層。若BeZnO摻雜層摻雜的合金薄膜與襯底晶格失配較大，在外延生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)致合金薄膜的晶格質(zhì)量變差的應(yīng)力，而應(yīng)力緩沖層則可以釋放應(yīng)力，改善BeZnO摻雜層的質(zhì)量。2)本發(fā)明BeZnO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的BeSiO摻雜層是該日盲探測(cè)器件的核心。本發(fā)明BeZnO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的BeZnO摻雜層通過(guò)摻入其它金屬元素， 如鎂等；從而改善其合金的晶體質(zhì)量，使截止波長(zhǎng)達(dá)到280nm以下，從而使BeZnO摻雜層吸收日盲區(qū)M0nnT250nm及其以下的波長(zhǎng)；由于該探測(cè)器波長(zhǎng)非常短，則該探測(cè)器可探測(cè)近紫外到深紫外的范圍，且其探測(cè)精度很高；此外，該探測(cè)器還有著響應(yīng)度高和暗電流低等特
點(diǎn)ο3)本發(fā)明BeZnO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的BeZnO摻雜層相比GaN、GaAs, Si、 SiC等化合物具有更好的空間抗輻照特性。4)本發(fā)明BeSiO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器是金屬_半導(dǎo)體_金屬即MSM結(jié)構(gòu)，制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，降低了成本；在器件性能方面，不需要加太高的偏壓就有很高的光響應(yīng)。5)本發(fā)明BeSiO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器不存在像真空紫外光電倍增管那樣需要低溫裝置來(lái)冷卻，也不需要Si探測(cè)器那樣的濾光系統(tǒng)，節(jié)約能源，便于操作。


圖1是本發(fā)明基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的叉指結(jié)構(gòu)的俯視圖； 圖3是本發(fā)明基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的間隙結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例1
一種基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器，包括襯底1及生長(zhǎng)于襯底1上的外延層， 所述外延層包括應(yīng)力緩沖層2與設(shè)在應(yīng)力緩沖層2上的BeZnO摻雜層3，所述BeZnO摻雜層3上鍍有叉指結(jié)構(gòu)5或者間隙結(jié)構(gòu)6的電極層4。襯底1材料為藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵。應(yīng)力緩沖層2為氧化鈹、鈹、氧化鎂、鎂、氧化鋅中的一種或多種材料組成，其厚度為IOnm lOOOnm。BeZnO摻雜層3中還摻有鎂、鈣、鎘、鋰、硼、鋁、硅、鎵一種或多種材料，其厚度為IOOnm 3000nm。BeZnO摻雜層摻雜(如鎂)合金，此材料吸收截止波長(zhǎng)220 280nm的范圍，即從近紫外到日盲區(qū)均可調(diào)，截止波長(zhǎng)相比GaN、GaAs, AlGaN, MgZnO等材料更短。叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層4作為肖特基接觸或者歐姆接觸鍍?cè)贐eZnO摻雜層 3上。如圖2所示，叉指結(jié)構(gòu)5的叉指的長(zhǎng)為ΙΟΟΟμπι 2000μπι，寬為1μπι 25μπι;Χ 指的間距為Iym 25μπ 0一種基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟
1)清洗襯底所述襯底1在生長(zhǎng)之前經(jīng)過(guò)丙酮、異丙醇、氫氟酸等化學(xué)試劑清洗，然后于溫度為300 1200°C通氮?dú)饣蛘卟煌ǖ獨(dú)獾沫h(huán)境下，退火5 30分鐘，使襯底1表面晶體排列更整齊；
2)沉積應(yīng)力緩沖層所述應(yīng)力緩沖層2通過(guò)分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、 激光脈沖沉積或磁控濺射沉積在襯底上，所述應(yīng)力緩沖層2生長(zhǎng)腔內(nèi)的真空度為10_3 KT11Torr，所述襯底的生長(zhǎng)溫度為400 700°C，所述應(yīng)力緩沖層的沉積厚度為IOnm IOOOnm ；
3)沉積BeZnO摻雜所述BeZnO摻雜層3通過(guò)分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、 激光脈沖沉積或磁控濺射沉積在應(yīng)力緩沖層2上，鈹?shù)膿诫s含量為20% 70%，所述BeSiO摻雜層生長(zhǎng)腔內(nèi)的真空度為10_3 KT11Torr，所述襯底的生長(zhǎng)溫度為400 700°C，所述 BeZnO摻雜層的厚度為IOOnm 3000nm ；
4)鍍電極層在BeZnO摻雜層3上鍍上沉積厚度為10 500nm的叉指結(jié)構(gòu)5的電極層4。而叉指結(jié)構(gòu)5的電極層4的沉積包括以下步驟；
1)清洗用丙酮、異丙醇IPA、氫氟酸HF等化學(xué)試劑對(duì)BeZnO摻雜層3表面進(jìn)行清洗， 以得到干凈平整的表面；
2)光刻然后用光刻方法對(duì)BeZnO摻雜層3表面涂膠甩膠、曝光、顯影后得出叉指狀結(jié)構(gòu)的圖形；
3)蒸鍍BeZnO摻雜層3上通過(guò)電子束蒸鍍鍍上鈦、鋁、鎳、金、鉬、銀、銥、鉬、鉭、鈮、鈷、 鋯或鎢的電極金屬；根據(jù)BeZnO摻雜層的費(fèi)米能級(jí)選擇功函數(shù)不同的金屬與其形成所希望的勢(shì)壘高度，得到作為歐姆接觸或肖特基接觸的厚度為10 500nm的叉指結(jié)構(gòu)的電極層 4；
4)再沉積電極層4上再沉積10 IOOOnm的金或銀。在本實(shí)施例中，襯底1選擇藍(lán)寶石；應(yīng)力緩沖層2生長(zhǎng)厚度為l(T20nm的氧化鈹； BeZnO摻雜層中Be的含量為15% ；且當(dāng)摻雜層的厚度為60(T700nm時(shí)，能帶調(diào)節(jié)變大，該材料對(duì)光的吸收截止波長(zhǎng)為33(T340nm。特別地，本實(shí)施例中采用叉指結(jié)構(gòu)的電極層4作為肖特基接觸鍍?cè)贐eSiO摻雜層3 上。該電極層4采用40nm的鈦和60nm的金為電極，探測(cè)器在特定電壓和在相同響應(yīng)區(qū)域的波長(zhǎng)下光響應(yīng)電流隨著電極的間距變小而變大、隨著電極長(zhǎng)度變長(zhǎng)而變大，最后達(dá)到一個(gè)最大值。實(shí)施例2
本實(shí)施例除以下特征外，其他均與實(shí)施例1相同在本實(shí)施中，襯底1選擇藍(lán)寶石；應(yīng)力緩沖層2生長(zhǎng)厚度為l(T20nm的氧化鈹；BeZnO摻雜層中Be的含量為25% ；且當(dāng)摻雜層厚度為60(T700nm時(shí)，能帶調(diào)節(jié)變得更大，該材料對(duì)光的吸收截止波長(zhǎng)為^(T300nm。特別地，本實(shí)例中采用叉指結(jié)構(gòu)的電極層4作為肖特基接觸鍍?cè)贐eZnO摻雜層3 上。該電極層4采用40nm的鈦和60nm的金為電極，探測(cè)器在特定電壓和在相同響應(yīng)區(qū)域的波長(zhǎng)下光響應(yīng)電流隨著電極的間距變小而變大、隨著電極長(zhǎng)度變長(zhǎng)而變大，最后達(dá)到一個(gè)最大值。實(shí)施例3
本實(shí)施例除以下特征外，其他均與實(shí)施例1相同在本實(shí)施中，襯底1選擇藍(lán)寶石；應(yīng)力緩沖層2生長(zhǎng)厚度為l(T20nm的氧化鈹；BeZnO摻雜層中摻Mg。其中，Mg的含量為12% ； Be的含量為70% ；且當(dāng)摻雜層厚度為60(T700nm時(shí)，能帶調(diào)節(jié)變大，而且該材料的晶體質(zhì)量也得到提高，該材料對(duì)光的吸收截止波長(zhǎng)達(dá)到日盲區(qū)為M(T250nm。特別地，本實(shí)施例中采用叉指結(jié)構(gòu)的電極層4作為肖特基接觸鍍?cè)贐eSiO摻雜層3 上。該電極層4采用40nm的鈦和60nm的金為電極，探測(cè)器在特定電壓和在相同響應(yīng)區(qū)域的波長(zhǎng)下光響應(yīng)電流隨著電極的間距變小而變大、隨著電極長(zhǎng)度變長(zhǎng)而變大，最后達(dá)到一個(gè)最大值。上述實(shí)施例僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。即凡依本發(fā)明內(nèi)容所作的均等變化與修飾，都為本發(fā)明權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍所涵蓋。
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權(quán)利要求
1.一種基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器，其特征在于包括襯底(1)及生長(zhǎng)于襯底(1)上的外延層，所述外延層包括應(yīng)力緩沖層(2 )與設(shè)在應(yīng)力緩沖層(2 )上的BeZnO摻雜層(3)，所述BeZnO摻雜層(3)上鍍有叉指結(jié)構(gòu)(5)或者間隙結(jié)構(gòu)(6)的電極層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器，其特征在于所述襯底(1)材料為藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵以及砷化鎵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器，其特征在于 所述應(yīng)力緩沖層(2)為氧化鈹、鈹、氧化鎂、鎂、氧化鋅中的一種或多種材料組成，其厚度為 IOnm lOOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器，其特征在于 所述BeZnO摻雜層(3)中還摻有鎂、鈣、鎘、鋰、硼、鋁、硅、鎵一種或多種材料，其厚度為 IOOnm 3000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器，其特征在于所述叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層(4)作為肖特基接觸或者歐姆接觸鍍?cè)?BeZnO摻雜層(3)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器，其特征在于 所述叉指結(jié)構(gòu)(5)的叉指的長(zhǎng)為1000 μ m 2000 μ m，寬為1 μ m 25 μ m ；所述叉指的間距為 1 μ m 25 μ m0
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器，其特征在于 所述間隙結(jié)構(gòu)(6)的間隙(7)長(zhǎng)為5 1000 μ m，高為1000 5000 μ m。
8.—種如權(quán)利要求1-7所述的基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器的制備方法，其特征在于包括如下步驟1)清洗襯底所述襯底(1)在生長(zhǎng)之前經(jīng)過(guò)丙酮、異丙醇、氫氟酸等化學(xué)試劑清洗 ’然后進(jìn)行退火；使襯底(1)表面晶體排列更整齊；2)沉積應(yīng)力緩沖層所述應(yīng)力緩沖層(2)通過(guò)分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、激光脈沖沉積或磁控濺射沉積在襯底上；3)沉積BeZnO摻雜所述BeZnO摻雜層(3)通過(guò)分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、 激光脈沖沉積或磁控濺射沉積在應(yīng)力緩沖層(2)上；4)鍍電極層在BeZnO摻雜層(3)上鍍上沉積叉指結(jié)構(gòu)(5)或者間隙結(jié)構(gòu)(6)的電極層⑷。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于BeSiO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的制備方法，其特征在于所述叉指結(jié)構(gòu)(5)或者間隙結(jié)構(gòu)(6)的電極層(4)的沉積包括以下步驟；1)清洗用丙酮、異丙醇、氫氟酸等化學(xué)試劑對(duì)BeZnO摻雜層(3)表面進(jìn)行清洗，以得到干凈平整的表面；2)光刻然后用光刻方法對(duì)BeZnO摻雜層(3)表面涂膠甩膠、曝光、顯影后得出叉指狀結(jié)構(gòu)的圖形；3)蒸鍍所述BeZnO摻雜層(3)上通過(guò)電子束蒸鍍鍍上電極金屬，得到作為歐姆接觸或肖特基接觸的厚度為10 500nm的叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極層(4)；4)再沉積所述電極層(4)上再沉積10 IOOOnm的金或銀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的制備方法，其特征在于步驟3)中所述電極金屬為鈦、鋁、鎳、金、鉬、銀、銥、鉬、鉭、鈮、鈷、鋯或鎢。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于BeZnO的MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器，包括襯底及生長(zhǎng)于襯底上的外延層，所述外延層包括應(yīng)力緩沖層與設(shè)在應(yīng)力緩沖層上的BeZnO摻雜層，所述BeZnO摻雜層上鍍有叉指結(jié)構(gòu)或者間隙結(jié)構(gòu)的電極。本發(fā)明在襯底與BeZnO摻雜層之間插入應(yīng)力緩沖層。若BeZnO摻雜層摻雜的合金薄膜與襯底晶格失配較大，在外延生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)致合金薄膜的晶格質(zhì)量變差的應(yīng)力，而應(yīng)力緩沖層則可以釋放應(yīng)力，改善BeZnO摻雜層的質(zhì)量。本發(fā)明BeZnO基MSM結(jié)構(gòu)的紫外光探測(cè)器的BeZnO摻雜層是該日盲探測(cè)器件的核心。且，本發(fā)明的BeZnO摻雜層通過(guò)摻入其它金屬元素(如鎂)，改善其合金的晶體質(zhì)量，使截止波長(zhǎng)達(dá)到280nm以下，可以探測(cè)近紫外到深紫外的范圍，從而使BeZnO摻雜層吸收日盲區(qū)240nm~250nm及其以下的波長(zhǎng)。
文檔編號(hào)H01L31/0296GK102412334SQ201110354878
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月10日
發(fā)明者吳天準(zhǔn), 張權(quán)林, 桂許春, 湯子康, 祝淵, 蘇宇泉, 蘇龍興, 陳明明, 項(xiàng)榮 申請(qǐng)人:中山大學(xué)