專利名稱：一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著通訊網(wǎng)路的廣泛發(fā)展，諸如電訊會議，遠(yuǎn)距教學(xué)，遠(yuǎn)端監(jiān)控的遠(yuǎn)距通訊在工作及家庭生活中變得更為普遍，這導(dǎo)致對低價大面積顯示器來提供加強(qiáng)視覺效果的需求，因此，需要一種形成數(shù)個半導(dǎo)體的方法及系統(tǒng)處理上述產(chǎn)量及解析度的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法，用以解決上述技術(shù)中的不足。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法，其控制方法的具體步驟是(1)蝕刻部分金屬層及介電層；(2)沉積一摻雜的矽層；(3)沉積源極-汲極金屬層；(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；(5)移除平坦化材料的一部分；(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；(7)薄化壓印高分子的暴露部分；(8)移除閘極金屬層部分。本發(fā)明的有益效果是廉價且容易適用于現(xiàn)存技術(shù)，有利于新技術(shù)的推廣與使用。


圖1是本發(fā)明控制方法的流程圖
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1所示，一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法的具體步驟是(1)蝕刻部分金屬層及介電層；(2)沉積一摻雜的矽層；(3)沉積源極-汲極金屬層；(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；(5)移除平坦化材料的一部分；(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；(7)薄化壓印高分子的暴露部分；
(8)移除閘極金屬層部分。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法，其特征在于所述的控制方法具體步驟是(1)蝕刻部分金屬層及介電層；(2)沉積一摻雜的矽層；(3)沉積源極-汲極金屬層；(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；(5)移除平坦化材料的一部分；(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；(7)薄化壓印高分子的暴露部分；(8)移除閘極金屬層部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體多數(shù)形成的控制方法，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，其具體步驟是(1)蝕刻部分金屬層及介電層；(2)沉積一摻雜的矽層；(3)沉積源極-汲極金屬層；(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；(5)移除平坦化材料的一部分；(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；(7)薄化壓印高分子的暴露部分；(8)移除閘極金屬層部分；有益效果是廉價且容易適用于現(xiàn)存技術(shù)，有利于新技術(shù)的推廣與使用。
文檔編號H01L21/77GK102361020SQ20111034505
公開日2012年2月22日 申請日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者洪旗 申請人:洪旗