專利名稱：用于切割插入組件的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及用于切割插入組件的裝置和方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)前的集成電路制造和封裝的共同要求是使用接收多個集成電路管芯的插入件。穿透通孔或者穿透硅通孔(“TSV”)的使用日益增加。這些穿透通孔允許在安裝在插入件的一個側(cè)面上的集成電路管芯和元件，和安裝在插入件的相對側(cè)面上的諸如焊料球的端子之間的電連接。此外，通過硅插入襯底的TSV技術(shù)的使用能夠進行插入組件的晶圓級加工(“WLP”)。用于安裝多個集成電路(IC)管芯的外型尺寸用于晶圓襯底，例如，具有穿透晶圓連接的TSV的半導(dǎo)體晶圓?？梢詫C安裝在硅晶圓的一個側(cè)面上，并且可以將至少某些IC端子連接至插入件中的TSV。可以在插入件的相對側(cè)面上形成諸如焊料球、凸塊、或者柱 形物的板級連接，并且使用TSV將該板級連接連接至1C?，F(xiàn)在，可以使用焊料回流技術(shù)和焊料凸塊或者焊球?qū)⒃摻M件安裝在電路板上。TSV穿透晶圓連接的使用還允許組件的垂直堆疊能力，使廠商提高了集成電路元件密度和系統(tǒng)性能，而沒有增大電路板面積。例如，這種技術(shù)越來越多地應(yīng)用于提高的存儲或存儲器件密度，而沒有增加電路板面積。當(dāng)諸如智能手機和平板計算機的手持和便攜裝置的需要增加時，板面積和板尺寸限制也增加，并且插入組件和TSV的使用可以滿足這些要求。在可以實施穿透通孔連接、用于連接元件的導(dǎo)體圖案化、以及元件安裝的情況下，將這些技術(shù)應(yīng)用于諸如硅晶圓的半導(dǎo)體晶圓，但是還可以應(yīng)用于其他插入材料，例如，BT樹脂和其他插入材料。在將管芯安裝在插入晶圓上的工藝期間，可以將該工藝稱作“晶圓上管芯”(“DOW”)裝配，實施晶圓切割步驟，從而將獨立集成電路管芯元件分離為隔離的組件單元，其中，每個獨立集成電路管芯元件可以包括幾個1C，被安裝在插入件的一個側(cè)面上；一組電路板連接，例如焊料柱、焊料凸塊、或者焊料球，被安裝在相對側(cè)面上。可以將該工藝稱作“分離”。在晶圓切割期間，將濕刀片用于在IC之間的間隙(“劃片槽”)中的劃線區(qū)域中切割晶圓。傳統(tǒng)的切割或“切割(dicing)”技術(shù)用于半導(dǎo)體晶圓。稱作切割膠帶的膠帶通常用于在切割期間保護晶圓并且保持該晶圓固定。在切割期間，濕切割操作沿著劃片槽切割晶圓。然而，DOW晶圓組件具有集成電路管芯，被安裝在一個側(cè)面上；和焊料球或焊料凸塊，位于另一側(cè)面上。DOW組件的兩側(cè)都不會不安裝物體。DOW組件的兩側(cè)都不提供用于安裝到傳統(tǒng)切割膠帶的簡單平面。因為在切割工藝中的切割操作為使用高速旋轉(zhuǎn)刀片和噴射水的機械操作，所以產(chǎn)生振動。在嘗試使用傳統(tǒng)方法切割組件期間，已經(jīng)注意到以晶圓剝離的形式損害插入件，損害IC(包括IC崩角)，以及損害焊料球。當(dāng)切割時，注意到導(dǎo)致管芯飛出或管芯傾斜的水滲透。注意到在切割操作期間通過插入件的任一側(cè)面上的非平面所導(dǎo)致的在膠帶和硅插入件之間的膠帶剝離。這些問題中的任一個導(dǎo)致故障，該故障可能導(dǎo)致在切割階段的已知良好管芯(“KGD”)較大損耗，從而大幅提高了電路組件的成本并且降低了電路組件的成品率。因此，不斷需要有效實施用于插入組件的切割的方法和系統(tǒng)，而沒有損害插入件、安裝的1C、或者連接端子。需要進行改進，從而提高了制造成品率，并且降低了如今當(dāng)使用現(xiàn)有方法時所遇到的對成品器件的損害問題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種方法，包括接收包括一個或多個集成電路管芯的插入組件，一個或多個集成電路管芯被安裝在插入襯底的管芯側(cè)上，并且在集成電路管芯之間的空間中限定有劃線區(qū)域；將插入組件的管芯側(cè)安裝在膠帶組件上，膠帶組件包括膠帶和隔離件，位于集成電路管芯之間并且填充集成電路管芯之間的間隙；以及通過切割劃線區(qū)域切割插入組件。其中，插入組件包括焊料凸塊連接件，位于插入組件的相對側(cè)面上。該方法，進一步包括在切割以后，使膠帶組件暴露在UV能量源之下。
其中，插入襯底為硅晶圓。其中，插入襯底包括一個或多個襯底通孔TSV，延伸通過插入襯底。其中，將插入襯底去薄至小于200微米的厚度。其中，將插入組件的管芯側(cè)安裝至膠帶組件上的步驟進一步包括以與位于插入襯底的管芯側(cè)上的集成電路管芯之間的間隙相對應(yīng)的圖案將隔離件安裝在膠帶上；以及將膠帶和隔離件安裝在插入襯底的管芯側(cè)上，隔離件填充集成電路管芯之間的間隙。其中，將插入組件的管芯側(cè)安裝在膠帶組件上的步驟進一步包括將膠帶安裝在插入襯底的管芯側(cè)上，膠帶延伸進入集成電路管芯之間的間隙中；以及將預(yù)成形的隔離件安裝在管芯之間的膠帶上。該方法進一步包括在切割步驟以后，從插入組件釋放膠帶。此外，還提供了一種方法，包括接收插入組件，插入組件包括襯底；多個襯底通孔，形成在襯底中；以及多個集成電路管芯，安裝在襯底上，其中，在集成電路管芯之間的空間中形成劃線區(qū)域；將膠帶組件安裝在插入組件上，膠帶組件包括膠帶層和隔離件，位于集成電路管芯之間的間隙中；以及經(jīng)由劃線區(qū)域切割插入組件。其中，將多個集成電路管芯分組為多個電路，多個電路中的每一個均包括彼此連接的至少兩個集成電路管芯。其中，至少兩個集成電路管芯具有不同厚度。其中，至少兩個集成電路管芯具有不同功能。其中，膠帶組件具有與插入組件的襯底相對應(yīng)的尺寸。其中，隔離件中的至少一個的厚度小于或等于集成電路管芯的最大厚度。其中，將膠帶組件安裝在插入組件上的步驟包括將膠帶層安裝在集成電路管芯上方，膠帶層延伸到集成電路管芯之間的間隙；以及將隔離件安裝在集成電路管芯之間的間隙中的膠帶層上方。此外，還提供了一種裝置，包括多個集成電路管芯，安裝在插入件的管芯側(cè)面上，集成電路管芯之間具有間隙；外部連接件，安裝在插入件的相對側(cè)上；以及隔離件，位于插入件的管芯側(cè)上的集成電路管芯之間的間隙中。該裝置進一步包括膠帶層，位于隔離件和插入件之間。其中，插入件選自由硅襯底和玻璃襯底所組成的組中。
其中，插入件包括ー個或多個襯底通孔，延伸通過插入件。


為了更好地理解本實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進行的以下描述作為參考，其中圖I示出了通過實施例所使用的中間エ藝的示例性組件的橫截面圖；圖2示出了在附加工藝以后的圖I的組件的橫截面圖；圖3示出了在附加工藝以后的圖2的組件的橫截面圖；圖4示出了在附加工藝以后的圖3的組件的橫截面圖； 圖5示出了晶圓載具(wafer carrier)的實施例的平面圖；圖6示出了圖5的實施例的一部分的橫截面圖；圖7示出了通過位于晶圓組件上的示例性管芯使用的晶圓載具的實施例的橫截面圖；圖8示出了方法實施例的流程圖；圖9示出了晶圓載具的備選方法的平面圖；圖10示出了通過圖9的實施例使用的固定件的一部分的橫截面圖；圖11示出了通過位于晶圓組件上的示例性管芯使用的圖9的晶圓載具的備選實施例的橫截面圖；以及圖12示出了方法的備選實施例的流程圖。附圖、原理圖、以及示意圖為示例性的并且不是為了限定，而是本發(fā)明的實施例的實例，為了說明，簡化了這些附圖、原理圖、以及示意圖，并且沒有按照比例進行繪制。
具體實施例方式下面，詳細(xì)討論本實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所討論的具體實施例僅僅示出制造和使用實施例的具體方式，而不用于限制實施例或權(quán)利要求的范圍。現(xiàn)在，詳細(xì)描述了本申請的實施例，本申請的實施例提供了用于有效通過提供支撐機制并且在切割操作期間保護位于插入組件上的管芯的保護方法制造位于插入組件上的管芯的新型方法和裝置。通過提供保護安裝方法和切割裝置，可以實施切割操作，而插入件沒有崩角，剝離或損害安裝在插入件上的1C，并且沒有損害安裝在晶圓上的諸如焊料球的端子。降低或消除了在切割操作中KGD IC器件的損失，提高了成品率，并且因此，降低了単元成本。在實施例中，使用在切割操作以后，允許容易拾取和放置操作的材料，進ー步提高了效率和成品率。為了示出實施例及其操作，首先描述了示例性組件加工步驟。簡化了這些步驟并且僅為示例性的，并且不是為了限定實施例或者權(quán)利要求的范圍，并且為了說明和理解實施例，介紹了這些實例。圖I示出了插入組件11的橫截面圖。在圖I中，描述了襯底13。該襯底可以為硅晶圓、半導(dǎo)體襯底、玻璃、陶瓷、BT樹脂、環(huán)氧樹脂、或者用于插入件的其他村底材料。示出了垂直延伸到襯底13中的襯底通孔(“TSV”)15。使用光刻、顯影、圖案化、蝕刻、以及電鍍步驟將這些通孔形成為“盲孔(blind vias)”。例如，可以使用電鍍?yōu)橥椎你~或者另ー導(dǎo)體材料完成TSV?？梢允褂脛輭緦雍头N子層。覆蓋TSV 15的焊盤21可以將TSV彼此連接，或者將該焊盤用于連接在稍后步驟中安裝的集成電路(未示出)。在襯底13的上方形成鈍化層23。形成微凸塊連接。在凸塊下金屬層(“UBM”) 19的上方形成凸塊17。凸塊17可以由包括鉛基焊料或無鉛焊料的焊料形成，通常諸如SnAg (SA)或者SnAgCu(“SAC”)的共晶材料可以用于無鉛應(yīng)用。如本領(lǐng)域中已知的，這些材料形成具有熔點的化合物，該具有熔點的化合物與焊料回流步驟兼容。在一些實施例中，凸塊17為微凸塊。圖2示出了在安裝集成電路管芯24和25以后的插入組件11的橫截面圖。注意，這些IC可以為不同類型，并且因此，可以具有如圖所示的不同厚度。然而，這僅為ー個實例，并且IC管芯24和25可以為相同類型，并且還具有相同厚度。例如，IC管芯24和25可以具有高達(dá)600微米的厚度。在焊料回流操作期間安裝IC管芯以后，施加底部填充27，該焊料回流操作使凸塊融化，從而形成與襯底13的物理和電連接。底部填充在加工期間保護凸塊，并且在熱應(yīng)カ期間保護系統(tǒng)?？梢詫C管芯24和25彼此電連接至，從而形成系統(tǒng)， 但是在使用實施例的情況下，沒有必要在所有應(yīng)用中進行這種連接。圖3示出了在附加工藝步驟以后的插入組件11的另ー橫截面圖。襯底13經(jīng)受襯底薄化操作，對于半導(dǎo)體晶圓襯底，通過背部研磨操作實施該薄化。如圖3所示，通過物理研磨和/或化學(xué)蝕刻繼續(xù)進行薄化，直到在襯底13的底面上暴露TSV的底端。在背部研磨操作以后，襯底13可以薄至小于200微米的厚度，例如，作為非限定實例，在100-200微米之間。在圖3中，線28示出了劃片槽區(qū)域。該線示出了在切割操作中切割襯底，從而將插入組件劃分為獨立組件的位置。圖4示出了在附加工藝步驟以后的插入組件11的另ー橫截面圖?，F(xiàn)在，示出了焊料球33，該焊料球被設(shè)置在襯底13的焊料球側(cè)面(這里，底面)上，其中，襯底電路管芯25和24被設(shè)置在襯底13的管芯側(cè)面(這里，頂面)上。將焊料球33連接至TSV 15中的至少ー些，并且在覆蓋TSV的焊盤31上形成該焊料球。襯底13的底面可以具有形成連接的重新分布層(“RDL”)，該再分布層垂直延伸，并且將焊料球映射到不同TSV，從而提供了焊料球定位的靈活性。焊料球33可以為鉛基焊料、或無鉛焊料，并且該焊料球適用于焊料回流エ藝，稍后將該焊料回流エ藝用于將插入組件安裝至目標(biāo)系統(tǒng)中的母版、系統(tǒng)板等。在ー些實施例中，通過金屬柱替換焊料球33。金屬柱可以由銅、銅合金、或者任何適當(dāng)材料形成。焊盤31可以具有各種電鍍處理，從而提高粘著力，提供了擴散勢壘區(qū)，防止氧化，并且提高了可焊性，該金屬柱包括鎳、金、鉬、鈀、銅、以及其合金，并且包括無電鍍鎳浸金(“ENIG”)、無電鍍鎳無電鍍鈀浸金(“ENEPIG”)等的這些處理。圖4中示出了在背部研磨和焊料球安裝以后的插入組件11。現(xiàn)在，插入組件11為切割操作作準(zhǔn)備；在該實例中，在劃片槽28處。在切割階段處的切割刀片沿該劃片槽切割襯底13，并且將該組件劃分為兩部分。這兩部分可以為相同組件，雖然在圖4的該簡單例證中僅示出了兩部分，但是可以使用WLP組件在硅晶圓上形成多個部分，從而提高成品率。IC管芯24和25配對在一起，并且在晶圓上重復(fù)該管芯對，通過包括劃片槽區(qū)域的管芯到管芯間隙來分離這些管芯對。
現(xiàn)在，襯底13非常薄。因此，很容易損害在背部研磨以后的襯底13。如果嘗試傳統(tǒng)切割方法，則通過焊料球33向下安裝該組件，或者集成電路管芯面對下部。例如，可以將具有粘合劑的膠帶設(shè)置在焊料球上。然而，由于在膠帶和襯底之間形成的垂直空間，安裝在切割膠帶上的焊料球在切割期間不能防止襯底13的振動。在這種布置中，已經(jīng)意識到在切割期間的問題，均意識到包括剝離1C、管芯容易飛出、插入件崩角和損害插入件、以及剝離焊料球的問題。如果將諸如背部研磨膠帶的不同膠帶用于焊球下部，則可以將焊球內(nèi)嵌在粘合劑中。背部研磨膠帶使用更軟的粘合劑材料，當(dāng)使用這種膠帶時，發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重的插入件背部崩角，并且隨后的拾取和放置操作在切割以后從膠帶去除組件可能去除焊料球，或者相反，很難去除焊料球。如果相反，將插入組件11管芯側(cè)面向下置于切割或者背部研磨膠帶上，則在管芯24、25中的厚度偏差可能導(dǎo)致額外的振動損害，并且此外，在管芯之間沒有支撐襯底13，因此，可能產(chǎn)生崩角。此外，襯底13的邊緣沒有任何管芯或焊球，并且在任何情況下，不支撐這些區(qū)域，在切割期間導(dǎo)致額外的振動和損害。圖5不出了可以通過實施例使用的晶圓載具組件51。確定晶圓載具組件51的尺寸并且將該晶圓載具組件圖案化，從而對應(yīng)于襯底13，并且該晶圓載具組件51具有對應(yīng)于 襯底上的管芯24和25的區(qū)域。對于非限定實例來說，如果襯底13為300毫米晶圓，則晶圓載具組件51也為300毫米直徑。線6-6'示出了在圖6中示出的晶圓載具51的橫截面。如下文中進ー步描述的，在“管芯向下”布置中使用晶圓載具組件51，從而在切割期間保護插入組件11。在圖6中，示出了沿圖5的線6-6'的橫截面圖。通過位于該圖案化固定件頂部的預(yù)成形膠帶圖案化和制造固定件55，然后，將具有管芯的插入晶圓置于具有預(yù)成型膠帶的以上固定件中。然后，實施層壓步驟，從而在結(jié)合的插入件和固定件上層壓切割膠帶53。例如，該膠帶可以為具有粘合劑的切割膠帶。在備選實施例中，切割膠帶可以為UV去除膠帶(具有粘合劑最初非常強，但是UV曝光時失去強度，從而使得通過在切割以后的UV曝光，膠帶失去粘合強度，在切割以后容易釋放)。在晶圓載具組件51上將固定件55圖案化，從而填充位于襯底13上的管芯24和25之間的間隙(在圖6中以59示出)，并且該固定件足夠厚，從而填充在管芯24和25之間的區(qū)域中的空間，該空間形成在膠帶53和襯底13之間。還示出了設(shè)置在晶圓載具組件51的邊緣處的固定件55，當(dāng)通過管芯“向下”并且面對膠帶將該膠帶安裝至襯底13時，該固定件對應(yīng)于沒有集成電路管芯的襯底13的邊緣?？梢宰鳛楣潭?5的一部分提供預(yù)成形膠帶層57，從而確保該膠帶層到達(dá)襯底13，并且在隨后切割時，用作切割膠帶和支撐件。固定件55可以為適用于晶圓加工的有機或無機材料，例如，不銹鋼、硅、陶瓷、聚合物、膠帶、膜、或者其他材料。預(yù)成形膠帶57可以為傳統(tǒng)切割膠帶、雙面膠帶或者UV固化膠帶、或者其他材料。圖7示出了通過插入組件使用的晶圓載具組件51的橫截面圖，該插入組件包括襯底13、具有安裝在襯底13的管芯側(cè)面上的集成電路管芯24、25(現(xiàn)在，作為底面繪制)、并且具有位于襯底13的相對側(cè)面上的焊料球33。示出了與在管芯24、25之間的空間對準(zhǔn)的切割刀片43。注意，具有預(yù)成形膠帶57的固定件55填充在晶圓載具組件51的膠帶53和襯底13之間的垂直間隙。該厚度對應(yīng)于管芯厚度并且例如，該厚度可以為用于600微米厚度的管芯的500微米-600微米。其他厚度可以用于填充其他管芯厚度的垂直空間。在通過部分59填充的管芯之間的間隙可以為1-2微米或者更大，通常在1-20微米的范圍內(nèi)，但是間隙尺寸不僅限于本實施例，無論使用什么空間，將具有預(yù)成形膠帶57的固定件55圖案化，從而填充管芯之間的水平空間。在圖7中，在橫截面圖中示出了載具框14，如在晶圓加工領(lǐng)域中已知的，可以將晶圓載具組件51安裝至載具框，從而提供易處理。切割刀片43在濕切割操作中在劃片槽區(qū)域中切割襯底13，該劃片槽區(qū)域位于焊料球33之間和對應(yīng)于管芯24和25之間的間隙，并且晶圓載具組件51在切割期間共同保護多部分，防止在切割期間損害襯底13、焊料球33、以及集成電路管芯24、25。晶圓載具組件51還提供了遠(yuǎn)離切割臺傳輸器件的簡單方法。在實施例中，晶圓載具組件51包括UV去除切割膠帶，并且在切割以后使用UV能量，從而將粘合劑強度改變?yōu)榉浅５偷膹姸龋瑥亩沟脤⒁r底13的現(xiàn)在分離部分，相應(yīng)管芯24、25，以及相應(yīng)焊料球33劃分為獨立組件?？梢允叭『头胖醚b置用于在切割以后，將完成的組件與晶圓載具組件51物理分離。圖8示出了使用如上所述的晶圓載具組件的方法實施例的流程圖。在步驟61中，提供了具有相對于插入件的管芯位置的圖案的膠帶。在步驟63中，將固定件設(shè)置在膠帶上 方。在步驟65中，通過管芯側(cè)面向下將插入組件安裝在晶圓載具組件上。在步驟67中，實施切割操作，并且通過在位于襯底的焊料凸塊側(cè)面上的劃片槽區(qū)域中切割襯底進行該切害I]。在步驟69中，獨立插入組件與晶圓載具組件分離。在備選實施例中，該步驟可以包括施加給膠帶的UV能量(如果該膠帶為UV去除膠)，從而降低了粘著強度，在拾取和放置或者其他傳遞操作以前，從晶圓載具去除獨立組件。圖9不出了晶圓載具71的另一實施例。在該實施例中，例如，晶圓載具可以為切割膠帶、背部研磨膠帶、或者用在晶圓加工中的其他膠帶。晶圓載具71具有對應(yīng)于襯底13的尺寸，例如，如果襯底13為300微米(12英寸)半導(dǎo)體晶圓,則晶圓載具為相應(yīng)尺寸。然而，通過任何襯底尺寸或者其他襯底尺寸使用實施例，該任何襯底尺寸包括3英寸、8英寸、或者半導(dǎo)體晶圓的其他尺寸。圖10示出了通過圖9的實施例使用的固定件73的橫截面圖。如下文中詳細(xì)描述的，在圖9的晶圓載具具有安裝至該晶圓載具的插入組件以后，使用固定件73，并且固定件73位于晶圓載具71的側(cè)面上，該側(cè)面與粘附至插入組件的管芯側(cè)面的側(cè)面相對。在該選擇中，然后，在將插入組件安裝至晶圓載具71以后，施加固定件73。圖11示出了晶圓載具71和配置在管芯側(cè)面向下位置中并且安裝在晶圓載具71上的襯底13、集成電路管芯24、25、以及焊料球33的橫截面圖。晶圓載具71粘附至集成電路管芯24和25的暴露側(cè)面，和位于管芯之間的間隙中，或者在沒有集成電路管芯的情況下，位于襯底13的邊緣區(qū)域；晶圓載具71與襯底13接觸。然后，固定件73具有多部分，該多部分配合集成電路管芯24、25之間的間隙，和在沒有安裝集成電路的情況下，還填充襯底13的邊緣處的空間。在圖11中，示出了為切割刀片的刀片43，該刀片位于襯底13的焊料球側(cè)面上。在切割操作期間，刀片旋轉(zhuǎn)濕切割刀片，該刀片在劃片槽區(qū)域中切割襯底13，將插入組件劃分為如上所述的獨立元件。固定件73在切割操作期間支撐插入組件，預(yù)防了與使用傳統(tǒng)方法進行切割的相關(guān)問題。圖12示出了使用在圖9和圖10的載具和固定件實施例的方法實施例的流程圖。在步驟81中，提供了晶圓載具，該晶圓載具由諸如切割膠帶或背部研磨膠帶的圖案化膠帶形成。在步驟83中，將膠帶粘附至插入組件的晶圓側(cè)面，該膠帶在集成電路管芯之間延伸至襯底，并且覆蓋集成電路管芯的暴露側(cè)面。在步驟85中，將固定件73安裝在集成電路管芯之間的膠帶的相對側(cè)面上，并且填充在襯底的邊緣處的空間，從而制造平面并且在晶圓之間和在邊緣處支撐薄化晶圓襯底。在步驟87中，實施切割操作，從而在劃片槽區(qū)域中切割襯底。在步驟89中，獨立組件與晶圓載具分離。如果所使用的膠帶為UV去除的，則可以首先進行UV曝光從而減小粘著強度，然后可以去除子組件(sub-assembly)。在實施例中，方法包括接收包括ー個或多個集成電路管芯的插入組件，該ー個或多個集成電路管芯被安裝在插入襯底的管芯側(cè)面上，并且具有限定在集 成電路管芯之間的空間中的劃線區(qū)域；將插入組件的管芯側(cè)面安裝在膠帶組件上，該膠帶組件包括膠帶和間隔件，該間隔件位于集成電路管芯之間并且填充集成電路管芯之間的間隙；以及通過切割劃線區(qū)域切割插入組件。在另ー實施例中，實施以上方法，其中，插入組件包括位于插入組件的相對側(cè)面上的焊料凸塊連接。在又一實施例中，實施以上方法，并且該方法進ー步包括在切割以后，膠帶組件暴露在UV能量源之下。在又一實施例中，實施以上方法，其中，插入襯底為娃晶圓。在又一實施例中，在以上方法中，插入襯底包括通過插入襯底延伸的一個或多個襯底通孔(TSV)。在又一實施例中，插入襯底薄至小于200微米的厚度。在又一實施例中，實施以上方法，其中，將插入組件的管芯側(cè)面安裝至膠帶組件進ー步包括以與位于插入襯底的管芯側(cè)面上方的集成電路管芯的之間的間隙相對應(yīng)的圖案將隔離件安裝至膠帶；以及將膠帶和隔離件安裝在插入襯底的管芯側(cè)面上，該隔離件填充集成電路管芯之間的間隙。在另ー實施例中，實施以上方法中的任何ー種，其中，將插入組件的管芯側(cè)面安裝至膠帶組件進ー步包括將膠帶安裝在插入襯底的管芯側(cè)面的上方，該膠帶延伸到在集成電路管芯之間的間隙中；以及將預(yù)成形隔離件安裝在管芯之間的膠帶的上方。在又ー實施例中，實施以上方法中的任何ー種，并且以上方法進ー步包括在切割步驟以后，從插入組件釋放膠帶。在又一備選實施例中，方法包括接收插入組件，插入組件包括襯底；形成在襯底中的多個襯底通孔；以及安裝在襯底上的多個集成電路管芯，其中，在集成電路管芯之間的空間中形成劃線區(qū)域；將膠帶組件安裝在插入組件上，膠帶組件包括膠帶層和隔離件，該隔離件被設(shè)置在集成電路管芯之間的間隙中；以及通過劃線區(qū)域切割插入組件。在另ー實施例中，實施以上方法，其中，將多個集成電路管芯分組為多個電路，該多個電路均包括彼此連接的至少兩個集成電路管芯。在又一實施例中，實施以上方法，其中，至少兩個集成電路管芯具有不同厚度。在又一實施例中，實施以上方法，其中，至少兩個集成電路管芯具有不同功能。在又一實施例中，實施以上方法，其中，膠帶組件具有與插入組件的襯底相對應(yīng)的尺寸。在又一實施例中，實施以上方法中的任何ー種，其中，隔離件中的至少ー個具有小于等于集成電路管芯的最大厚度的厚度。在又一實施例中，實施以上方法，其中，將膠帶組件安裝至插入組件包括將膠帶層安裝在集成電路管芯上，該膠帶層延伸到在集成電路管芯之間的間隙；以及將隔離件安裝在集成電路管芯之間的間隙中的膠帶層的上方。在另ー實施例中，裝置包括多個集成電路管芯，被安裝在插入件的管芯側(cè)面上，集成電路管芯具有位于集成電路管芯之間的間隙；外部連接件，被安裝在插入件的相對側(cè)面上；以及隔離件，位于插入件的相對側(cè)面上方的集成電路管芯之間的間隙中。在又ー實施例中，以上裝置進ー步包括膠帶層，位于隔離件和插入件之間。在又一實施例中，提供了以上裝置，其中，插入件為選自由硅襯底和玻璃襯底所組成的組中的ー個。在另ー實施例中，以上任何裝置通過插入件延伸，其中，該插入件包括一個或多個襯底通孔。本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的結(jié)構(gòu)、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明的公開，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的エ藝或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的エ藝或步驟的范圍內(nèi)。·
權(quán)利要求
1.一種方法，包括 接收包括一個或多個集成電路管芯的插入組件，所述一個或多個集成電路管芯被安裝在插入襯底的管芯側(cè)上，并且在所述集成電路管芯之間的空間中限定有劃線區(qū)域； 將所述插入組件的管芯側(cè)安裝在膠帶組件上，所述膠帶組件包括膠帶和隔離件，位于所述集成電路管芯之間并且填充所述集成電路管芯之間的間隙；以及 通過切割所述劃線區(qū)域切割所述插入組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述插入組件包括焊料凸塊連接件，位于所述插入組件的相對側(cè)面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進一步包括 在所述切割以后，使所述膠帶組件暴露在UV能量源之下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述插入襯底為硅晶圓。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述插入襯底包括一個或多個襯底通孔TSV，延伸通過所述插入襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，將所述插入襯底去薄至小于200微米的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，將所述插入組件的管芯側(cè)安裝至膠帶組件上的步驟進一步包括 以與位于所述插入襯底的管芯側(cè)上的所述集成電路管芯之間的間隙相對應(yīng)的圖案將隔離件安裝在膠帶上；以及 將所述膠帶和所述隔離件安裝在所述插入襯底的管芯側(cè)上，所述隔離件填充所述集成電路管芯之間的間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，將所述插入組件的管芯側(cè)安裝在膠帶組件上的步驟進一步包括 將膠帶安裝在所述插入襯底的管芯側(cè)上，所述膠帶延伸進入所述集成電路管芯之間的間隙中；以及 將預(yù)成形的隔離件安裝在所述管芯之間的所述膠帶上。
9.一種方法，包括 接收插入組件，所述插入組件包括襯底；多個襯底通孔，形成在所述襯底中；以及多個集成電路管芯，安裝在所述襯底上，其中，在所述集成電路管芯之間的空間中形成劃線區(qū)域； 將膠帶組件安裝在所述插入組件上，所述膠帶組件包括膠帶層和隔離件，位于所述集成電路管芯之間的間隙中；以及 經(jīng)由所述劃線區(qū)域切割所述插入組件。
10.一種裝置，包括 多個集成電路管芯，安裝在插入件的管芯側(cè)面上，所述集成電路管芯之間具有間隙； 外部連接件，安裝在所述插入件的相對側(cè)上；以及 隔離件，位于所述插入件的管芯側(cè)上的所述集成電路管芯之間的間隙中。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于在晶圓插入件上實施切割管芯的方法和裝置。公開了方法，包括接收包括一個或多個集成電路管芯的插入組件，該一個或多個集成電路管芯被安裝在插入襯底的管芯側(cè)面上，并且具有限定在集成電路管芯之間的空間中的劃線區(qū)域，該插入件具有用于接收外部連接件的相對側(cè)面；將插入組件的管芯側(cè)面安裝在膠帶組件上，膠帶組件包括膠帶和預(yù)成形隔離件，該預(yù)成形隔離件位于集成電路管芯之間并且填充集成電路管芯之間的間隙；通過在劃線區(qū)域中切割插入件的相對側(cè)面切割插入組件，從而使切口穿過插入件，這些切口將插入件分離為位于晶圓組件上的一個或多個管芯。公開了該方法使用的裝置。
文檔編號H01L21/67GK102867783SQ20111034485
公開日2013年1月9日 申請日期2011年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者王忠裕, 葉宮辰, 吳志偉, 盧思維, 林俊成 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司