專利名稱：接觸孔的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種接觸孔的形成方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件制造過程可分為前段工藝和后段工藝，前段工藝主要在襯底上形成晶體管、電容或電阻等相應(yīng)器件，后段工藝主要將前段工藝中形成的器件通過金屬相連，即主要形成金屬互連。其中，在后段工藝中形成金屬互連時(shí)，首先需要在已形成有晶體管、電容或電阻等相應(yīng)器件的襯底上形成層間介質(zhì)(ILD)，然后在ILD中形成接觸孔，之后在所述ILD上形成金屬層，所述金屬層填充滿ILD中的接觸孔，從而使襯底上相應(yīng)器件的有源區(qū)和柵極通過接觸孔內(nèi)的金屬與ILD上的金屬層相連。近幾年來，半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小，這對(duì)制造過程中的精度要求越來越高。在0.13μπι 0.18μπι的制造工藝中，后段工藝中在ILD中形成接觸孔時(shí)，常會(huì)由于工藝窗口限制、光刻過程中的對(duì)位不準(zhǔn)或設(shè)計(jì)過程中的偏差等原因而導(dǎo)致出現(xiàn)角部損失(corner loss)。參考圖1,圖1中示出了層間介質(zhì)I及層間介質(zhì)I中所形成的、與有源區(qū)4相連的接觸孔2，在該接觸孔2底部的角部3出現(xiàn)了過刻蝕，被過刻蝕而形成的角部3位于淺溝槽介質(zhì)層5內(nèi)。由于所述淺溝槽介質(zhì)層5用于隔離有源區(qū)4，因此，當(dāng)所述淺溝槽介質(zhì)層5中的一個(gè)角部3被刻蝕而形成接觸孔時(shí)，嚴(yán)重情況下會(huì)使得有源區(qū)4內(nèi)的源或漏與襯底短接，從而使得器件失效?，F(xiàn)有工藝在形成接觸孔時(shí)解決角部損失的方法有:在襯底上形成ILD之前，首先形成一層氮氧化硅，之后在所述氮氧化硅上形成ILD，然后再進(jìn)行接觸孔的刻蝕。在刻蝕ILD時(shí)，所述氮氧化硅層可作為刻蝕停止層，因此，可解決因ILD不均勻而導(dǎo)致出現(xiàn)的角部損失問題。但是，刻蝕完ILD后，再對(duì)所述氮氧化硅層進(jìn)行刻蝕以形成接觸孔時(shí)，仍然會(huì)出現(xiàn)角部損失的問題。因此，采用現(xiàn)有工藝中的方法只能減小形成接觸孔時(shí)所產(chǎn)生的角部損失，但不能完全消除所述角部損失。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種接觸孔的形成方法，該方法能夠完全消除角部損失，進(jìn)而提聞器件的成品率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種接觸孔的形成方法，該方法包括:提供基底，所述基底上具有有源區(qū)和柵極；在所述基底上形成層間介質(zhì)；對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第一次刻蝕，第一次刻蝕后保留預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)，且第一次刻蝕后形成了第一接觸孔；在所述層間介質(zhì)上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一接觸孔的底部和側(cè)壁；
對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕；對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕，第二次刻蝕后形成了第二接觸孔，所述第二接觸孔與所述第一接觸孔相連通。優(yōu)選的，上述方法中，在所述基底上形成層間介質(zhì)之前，還包括:在所述基底上形成氮氧化硅層；在對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕之后，還包括:對(duì)所述氮氧化硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕后形成第三接觸孔，所述第三接觸孔與所述第二接觸孔相連通。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第一次刻蝕，具體包括:設(shè)置預(yù)設(shè)時(shí)間；在所述層間介質(zhì)上形成具有接觸孔圖案的光刻膠層；以所述具有接觸孔圖案的光刻膠層為掩膜對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行第一次刻蝕，且進(jìn)行第一次刻蝕的時(shí)間為預(yù)設(shè)時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，所述層間介質(zhì)的厚度為7300A。優(yōu)選的，上述方法中，所述預(yù)設(shè)厚度為3000A。優(yōu)選的，上述方法中，所述保護(hù)層為氮化硅層。優(yōu)選的，上述方法中，所述層間介質(zhì)包括:下層7000A的二氧化硅和上層300A的
抗反射層。優(yōu)選的，上述方法中，所述基底為硅襯底。優(yōu)選的，上述方法中，在所述基底上形成層間介質(zhì)采用化學(xué)氣相沉積工藝。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕采用干法刻蝕工藝。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的接觸孔的形成方法，在對(duì)層間介質(zhì)進(jìn)行第一次刻蝕后保留了預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)，與此同時(shí)形成了第一接觸孔；之后在所述層間介質(zhì)上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一接觸孔的底部和側(cè)壁；后續(xù)對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕時(shí)，覆蓋第一接觸孔側(cè)壁的保護(hù)層將不會(huì)被刻蝕掉，即:在所述第一接觸孔的側(cè)壁上保留了部分保護(hù)層；最后對(duì)保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕，并形成了第二接觸孔，在進(jìn)行第二次刻蝕時(shí)，由于第一接觸孔的側(cè)壁上保留了部分保護(hù)層，因此，所述保留的部分保護(hù)層將保護(hù)其正下方的層間介質(zhì)不被刻蝕掉，從而使最終形成的第二接觸孔的寬度小于所述第一接觸孔的寬度，當(dāng)?shù)诙佑|孔與第一接觸孔連通形成一個(gè)接觸孔時(shí)，該接觸孔角部不會(huì)出現(xiàn)過刻蝕的現(xiàn)象，從而避免了在有源區(qū)和/或柵極側(cè)部出現(xiàn)角部損失的現(xiàn)象，進(jìn)而減小了器件的失效率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中常見的接觸孔的形成過程中出現(xiàn)角部損失現(xiàn)象的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種接觸孔的形成方法的流程示意圖；圖3 圖8為本發(fā)明實(shí)施例所提供的接觸孔形成過程中器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種接觸孔的形成方法的流程示意圖，該方法具體包括如下幾個(gè)步驟:步驟S1:提供基底，所述基底上具有有源區(qū)和柵極。參考圖3，圖3中示出了基底100，本發(fā)明實(shí)施例中所述基底100為硅襯底，其他實(shí)施例中，所述基底100還可以為鍺、磷化銦或砷化鎵等半導(dǎo)體材料。所述基底100 —般包括本體層和外延層，在半導(dǎo)體器件制造過程中，光刻、刻蝕或離子注入等工藝進(jìn)行時(shí)的載體一般均為外延層，而本說明書將不再具體區(qū)分基底上的本體層和外延層，一律稱在基底上或基底內(nèi)進(jìn)行各工藝步驟。本步驟中所提供的基底100，其上具有柵極104及位于柵極104兩側(cè)的側(cè)墻105 ；基底100內(nèi)具有深阱區(qū)101，深阱區(qū)101內(nèi)具有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括源區(qū)102和漏區(qū)103，且源區(qū)102和漏區(qū)103分別位于柵極104兩側(cè)。所述基底100內(nèi)還具有用來隔離有源器件的淺溝槽介質(zhì)層106。步驟S2:在所述基底上形成層間介質(zhì)。參考圖4，采用化學(xué)氣相沉積方法在基底100上形成層間介質(zhì)107，本實(shí)施例中所述層間介質(zhì)107包括下層的二氧化硅和上層很薄的抗反射層(約為300A)，所述層間介質(zhì)107的厚度為7300A。具體實(shí)施過程中，首先在基底上形成二氧化硅，之后在所述二氧化硅上形成抗反射層，所述抗反射層可以為氮氧化硅層，所述抗反射層可在下述步驟S6中充當(dāng)硬掩膜層。圖4中沒有具體示出二氧化硅和氮氧化硅層，因此，在下面的各步驟中將統(tǒng)稱為層間介質(zhì)107。步驟S3:對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第一次刻蝕，第一次刻蝕后保留預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)，且第一次刻蝕后形成了第一接觸孔。本發(fā)明實(shí)施例中以形成連接漏區(qū)的接觸孔為例進(jìn)行說明。該步驟可包括如下幾個(gè)步驟:步驟S31:設(shè)置預(yù)設(shè)時(shí)間。本步驟中所述預(yù)設(shè)時(shí)間指的是:在對(duì)層間介質(zhì)進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕進(jìn)行的時(shí)間，該時(shí)間可預(yù)先在刻蝕機(jī)上設(shè)定。本步驟中設(shè)置所述預(yù)設(shè)時(shí)間為50s，其他實(shí)施例中根據(jù)工藝要求的不同可設(shè)置不同的預(yù)設(shè)時(shí)間。但該預(yù)設(shè)時(shí)間小于層間介質(zhì)被完全刻蝕掉所需時(shí)間。步驟S32:在所述層間介質(zhì)上形成具有漏區(qū)接觸孔圖案的光刻膠層。首先在所述層間介質(zhì)上旋涂光刻膠層，然后采用具有漏區(qū)接觸孔圖案的掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光，曝光之后顯影，在所述層間介質(zhì)上形成了具有漏區(qū)接觸孔圖案的光刻膠層。步驟S33:以所述具有漏區(qū)接觸孔圖案的光刻膠層為掩膜對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行第一次刻蝕，且進(jìn)行第一次刻蝕的時(shí)間為預(yù)設(shè)時(shí)間。參考圖5，以所述具有漏區(qū)接觸孔圖案的光刻膠層(圖中未示出)為掩膜對(duì)所述層間介質(zhì)107進(jìn)行第一次刻蝕，且進(jìn)行第一次刻蝕的時(shí)間為步驟S31中所設(shè)置的預(yù)設(shè)時(shí)間。由于所述預(yù)設(shè)時(shí)間小于層間介質(zhì)107被完全刻蝕掉所需時(shí)間，因此，第一次刻蝕后保留了一定厚度的層間介質(zhì)107 (第一刻蝕完成后，已經(jīng)刻蝕掉了層間介質(zhì)107上的抗反射層及部分二氧化硅層，所保留的一定厚度的層間介質(zhì)107為二氧化硅)，圖中示出了所保留下來的層間介質(zhì)107的厚度d。對(duì)層間介質(zhì)107進(jìn)行第一次刻蝕后所形成的接觸孔在本發(fā)明實(shí)施例中稱為第一接觸孔108，本實(shí)施例中所述第一接觸孔108的寬度a為光刻膠層上漏區(qū)接觸孔圖案的寬度。需要說明的是，根據(jù)層間介質(zhì)107的總厚度、所述預(yù)設(shè)時(shí)間及第一次刻蝕過程中的刻蝕速率，即可計(jì)算出第一次刻蝕后所保留的層間介質(zhì)107的厚度d，因此，該厚度d也可稱為預(yù)設(shè)厚度。本實(shí)施例中對(duì)層間介質(zhì)107進(jìn)行第一次刻蝕采用的是各向異性的干法刻蝕工藝，下面所描述的第二次刻蝕也是干法刻蝕。步驟S4:在所述層間介質(zhì)上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一接觸孔的底部和側(cè)壁。參考圖6，采用化學(xué)氣相沉積方法在所述層間介質(zhì)107上形成保護(hù)層109，所述保護(hù)層109覆蓋所述第一接觸孔108的底部和側(cè)壁。本實(shí)施例中所述保護(hù)層109為氮化硅層，其他實(shí)施例中所述保護(hù)層109還可以為別的材料，例如:多晶硅。本實(shí)施例中所述保護(hù)層109的厚度為300A。步驟S5:對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。參考圖7，采用干法刻蝕工藝對(duì)層間介質(zhì)107上的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，由于干法刻蝕過程屬于各向異性刻蝕，故覆蓋第一接觸孔108側(cè)壁的保護(hù)層110不能被刻蝕掉(依據(jù)spacer原理)，因此，對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕的結(jié)果為:保留了第一接觸孔108側(cè)壁上的保護(hù)層110，其余部位的保護(hù)層均被刻蝕掉了。步驟S6:對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕，第二次刻蝕后形成了第二接觸孔，所述第二接觸孔與所述第一接觸孔相連通。該步驟中仍以形成連接漏區(qū)的接觸孔為例進(jìn)行說明。參考圖8，以層間介質(zhì)107中的抗反射層為硬掩膜，對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度為d的層間介質(zhì)107進(jìn)行第二次刻蝕。對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度為d的層間介質(zhì)107進(jìn)行第二次刻蝕后，形成了第二接觸孔111，且所述第二接觸孔111與第一接觸孔108相連通。在對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度為d的層間介質(zhì)107進(jìn)行第二次刻蝕時(shí)，由于第一接觸孔108側(cè)壁上具有保護(hù)層110，所述保護(hù)層110的存在可保護(hù)其正下方的層間介質(zhì)112免受刻蝕，因此，第二次刻蝕后所形成的第二接觸孔111的寬度b小于所述第一接觸孔108的寬度a，且兩者之差為第一接觸孔108側(cè)壁上保護(hù)層110厚度的2倍(假設(shè)第一接觸孔108兩側(cè)側(cè)壁上的保護(hù)層110厚度相同)。
通過控制步驟S4中所形成的保護(hù)層的厚度，可控制第一接觸孔108側(cè)壁上保護(hù)層110的厚度，進(jìn)而可控制第二接觸孔111的寬度b。所述第二接觸孔111與第一接觸孔108相連通共同構(gòu)成了與漏區(qū)103相連的接觸孔，由于與漏區(qū)103直接相連的為第二接觸孔111，因此，所述第二接觸孔111的寬度b為與漏區(qū)103相連的接觸孔的尺寸(CD)，故采用本發(fā)明所提供的方法，在形成與漏區(qū)103相連的接觸孔時(shí)，能夠有效地減小所述接觸孔的尺寸。而且，由于在對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度為d的層間介質(zhì)107進(jìn)行第二次刻蝕時(shí)，刻蝕工藝中所用的等離子體不會(huì)刻蝕對(duì)應(yīng)第一接觸孔108側(cè)壁上保護(hù)層110正下方的層間介質(zhì)112，因此，最終形成與漏區(qū)103相連的接觸孔時(shí)，也就不會(huì)出現(xiàn)角部損失現(xiàn)象。即使刻蝕時(shí)間再稍長(zhǎng)些，過刻蝕的區(qū)域也位于漏區(qū)103內(nèi)，而不會(huì)位于淺溝槽介質(zhì)層106內(nèi)，從而避免了漏區(qū)103與基底100的短接，避免了器件失效現(xiàn)象的發(fā)生。上面詳細(xì)描述了與漏區(qū)相連的接觸孔的形成過程，對(duì)于與源區(qū)相連的接觸孔和與柵極相連的接觸孔的形成過程與此類似，不再進(jìn)行描述。由上可知，本發(fā)明所提供的接觸孔的形成方法，對(duì)層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔的刻蝕分兩次進(jìn)行(分別簡(jiǎn)稱第一次刻蝕和第二次刻蝕)，且在兩次刻蝕過程中在層間介質(zhì)上形成了保護(hù)層，并對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行了刻蝕，對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕的結(jié)果是:在第一次刻蝕后形成的第一接觸孔的側(cè)壁上保留了部分保護(hù)層(spacer原理)，進(jìn)而在后續(xù)進(jìn)行第二次刻蝕時(shí)，所述保護(hù)層可保護(hù)其正下方的層間介質(zhì)免受刻蝕，因此，第二次刻蝕后所形成的第二接觸孔的寬度小于第一接觸孔的寬度，這一方面減小了接觸孔的尺寸，另一方面可避免在有源區(qū)或柵極的兩側(cè)形成角部損失。對(duì)于形成與有源區(qū)相連的接觸孔來說，可避免在淺溝槽介質(zhì)層內(nèi)形成角部損失，進(jìn)而可避免源/漏與基底的短接，減小了器件失效的風(fēng)險(xiǎn)。實(shí)施例二本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上又增加了兩個(gè)步驟，分別如下:在實(shí)施例一中步驟S2之前，可增加:在所述基底上形成氮氧化硅層；在實(shí)施例一中步驟S6之后，可增加:對(duì)所述氮氧化硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕后形成第三接觸孔，所述第三接觸孔與所述第二接觸孔相連通。本實(shí)施例中在基底上形成層間介質(zhì)之前，首先在基底上形成了氮氧化硅層，然后在對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕后，對(duì)所述氮氧化硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕結(jié)果是形成了第三接觸孔，所述第三接觸孔與所述第二接觸孔相連通，從而由所述第一接觸孔、所述第二接觸孔和第三接觸孔共同構(gòu)成了連接有源區(qū)或柵極的接觸孔。本實(shí)施例中在形成層間介質(zhì)前首先形成了氮氧化硅層，該氮氧化硅層可在對(duì)層間介質(zhì)進(jìn)行第二次刻蝕的過程中作為停止層，從而可避免因?qū)娱g介質(zhì)不均勻而產(chǎn)生的角部損失現(xiàn)象，因此，能夠更好地避免接觸孔形成過程中角部損失現(xiàn)象的發(fā)生，減小器件的失效率。本發(fā)明實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式對(duì)接觸孔的形成方法進(jìn)行描述，每個(gè)實(shí)施例均有其側(cè)重點(diǎn)，相關(guān)、相似之處可相互參考。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種接觸孔的形成方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底上具有有源區(qū)和柵極； 在所述基底上形成層間介質(zhì)； 對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第一次刻蝕，第一次刻蝕后保留預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)，且第一次刻蝕后形成了第一接觸孔； 在所述層間介質(zhì)上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一接觸孔的底部和側(cè)壁； 對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕； 對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕，第二次刻蝕后形成了第二接觸孔，所述第二接觸孔與所述第一接觸孔相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成層間介質(zhì)之前，還包括:在所述基底上形成氮氧化硅層； 在對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕之后，還包括:對(duì)所述氮氧化硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕后形成第三接觸孔，所述第三接觸孔與所述第二接觸孔相連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第一次刻蝕，具體包括: 設(shè)置預(yù)設(shè)時(shí)間； 在所述層間介質(zhì)上形成具有接觸孔圖案的光刻膠層； 以所述具有接觸孔圖案的光刻膠層為掩膜對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行第一次刻蝕，且進(jìn)行第一次刻蝕的時(shí)間為預(yù)設(shè)時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)的厚度為7300A。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為3000A。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層為氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)包括:下層7000A的二氧化硅和上層300A的抗反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基底為硅襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成層間介質(zhì)采用化學(xué)氣相沉積工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕采用干法刻蝕工藝。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種接觸孔的形成方法，該方法包括提供基底，所述基底上具有有源區(qū)和柵極；在所述基底上形成層間介質(zhì)；對(duì)所述層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第一次刻蝕，第一次刻蝕后保留預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)，且第一次刻蝕后形成了第一接觸孔；在所述層間介質(zhì)上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一接觸孔的底部和側(cè)壁；對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行刻蝕；對(duì)所述保留的預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)進(jìn)行形成接觸孔時(shí)的第二次刻蝕，第二次刻蝕后形成了第二接觸孔，所述第二接觸孔與所述第一接觸孔相連通。本發(fā)明所提供的接觸孔的形成方法，可有效地避免在有源區(qū)和/或柵極側(cè)部出現(xiàn)角部損失的現(xiàn)象，進(jìn)而減小了器件的失效率。
文檔編號(hào)H01L21/768GK103094185SQ20111033786
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者許宗能, 任小兵, 王吉偉 申請(qǐng)人:無錫華潤(rùn)上華科技有限公司